DE102005018318A1 - Nitridhalbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 151
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 135
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 6
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001676573 Minium Species 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Offenbart ist eine Nitridhalbleitervorrichtung mit einer ohmschen Elektrode mit einem geringen Kontaktwiderstand sowie deren Herstellungsverfahren, wobei eine erste Nitridhalbleiterschicht aus der auf einem Substrat abgeschiedenen III-V-Nitridhalbleiterschicht sowie eine zweite Nitridhalbleiterschicht mit der III-V-Nitridhalbleiterschicht umfasst sind, deren Schichtausbildungstemperatur niedriger als die der ersten Nitridhalbleiterschicht ist und die auf der ersten Nitridhalbleiterschicht abgeschieden ist und kein Aluminium enthält. Eine ohmsche Elektrode wird sodann durch die Ausbildung einer Metallstruktur ausgebildet, die einen ohmschen Kontakt auf der zweiten Nitridhalbleiterschicht mit einer nicht verarbeiteten Kristallinität mit kleinen Körnern ausbildet, wonach die Metallstruktur einer Wärmebehandlung unterzogen wird.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Nitridhalbleitervorrichtung, bei der ein Nitridhalbleiter als aktive Schicht verwendet wird, sowie ein Herstellungsverfahren dafür, und insbesondere eine Nitridhalbleitervorrichtung mit einer ohmschen Elektrode, die einen ohmschen Kontakt mit der Halbleitervorrichtung wie etwa einem Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) oder einem Feldeffekttransistor (FET) ausbildet, sowie deren Herstellungsverfahren.
-
4 zeigt eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung, die aus einem bekannten III-V-Nitridhalbleiter ausgebildet ist. Die in4 gezeigte Halbleitervorrichtung weist eine sogenannte HEMT-Struktur auf, bei der eine Pufferschicht102 aus Galliumnitrid (GaN), eine Kanalschicht103 aus Galliumnitrid, eine Ladungszufuhrschicht104 aus n-Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) sowie eine Schottkyschicht105 aus undotiertem Aluminiumgalliumnitrid sequenziell auf einem Substrat101 aus einem Saphirsubstrat abgeschieden sind, wobei eine zweidimensionale Elektronengasschicht aus einem Potenzialtopf mit einer äußerst hohen Elektronenbeweglichkeit in der Nähe der Grenzfläche ausgebildet ist, wo die Kanalschicht103 und die Ladungszufuhrschicht104 einen Heteroübergang ausbilden. In der Halbleitervorrichtung mit einer derartigen Struktur wird eine Spannung gesteuert, die an eine Gate-Elektrode106 (Steuerelektrode) angelegt wird, welche einen Schottkykontakt mit der Schottkyschicht105 ausbildet, und dadurch werden Ladungsträger (ein zweidimensionales Elektronengas) gesteuert, die zwischen einer Source-Elektrode107a und einer Drain-Elektrode107b (ohmsche Elektrode) fließen. Gemäß vorstehender Beschreibung werden bei der bekannten Halbleitervorrichtung die Source-Elektrode107a und die Drain-Elektrode107b auf der aus undotiertem Aluminiumgalliumnitrid ausgebildeten Schottkyschicht105 ausgebildet. - Bei der Halbleitervorrichtung dieser Bauart wurden verschiedene beispielsweise in der Druckschrift JP-A-335637 (1998) offenbarte Strukturen zusätzlich zu der vorstehend beschriebenen Struktur vorgeschlagen.
- Bei einer bekannten Nitridhalbleitervorrichtung werden die ohmschen Elektroden im Allgemeinen auf undotiertem Aluminiumgalliumnitrid ausgebildet, dessen spezifischer Kontaktwiderstand ungefähr 1 × 10-5 Ω·cm2 ist. Im Übrigen ist bei einer galliumarsenidbasierten Halbleitervorrichtung der spezifische Kontaktwiderstand der ohmschen Elektroden im Allgemeinen auf einem Niveau von 10-6 Ω·cm2, und der spezifische Kontaktwiderstand einer Nitridhalbleitervorrichtung ist ungefähr um eine Stelle höher; daher zeigt die Nitridhalbleitervorrichtung schlechtere Eigenschaften. Damit ein Anstieg bei der Leistungsfähigkeit einer Vorrichtung bezüglich einer hohen Frequenz und einer hohen Ausgabe erzielt wird, die eine Nitridhalbleitervorrichtung verwendet, ist eine Verbesserung bei den Eigenschaften des Widerstandes erforderlich.
- Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Nitridhalbleitervorrichtung mit ohmschen Elektroden mit einem geringen Kontaktwiderstand sowie ein Herstellungsverfahren dafür bereitzustellen.
- Zur Lösung der Aufgabe wird erfindungsgemäß eine Nitridhalbleitervorrichtung aus einer III-V-Nitridhalbleiterschicht angegeben, die aus einem Gruppe-III-Element zumindest aus der Gruppe Gallium, Aluminium, Bor und Indium, sowie einem Gruppe-V-Element mit zumindest Stickstoff aus der Gruppe Stickstoff, Phosphor und Arsen ausgebildet ist, wobei die Nitridhalbleitervorrichtung versehen ist mit: einer ersten Nitridhalbleiterschicht aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht, die auf einem Substrat abgeschieden ist; einer zweiten Nitridhalbleiterschicht, die kein Aluminium enthält, und die aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht ausgebildet ist, die auf der ersten Nitridhalbleiterschicht abgeschieden ist, und deren Schichtausbildungstemperatur unter der der ersten Nitridhalbleiterschicht lag; und einer Elektrode, die einen ohmschen Kontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht ausbildet, wobei die Elektrode einen Kontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht im Zustand der Schichtgestalt ausbildet.
- Zur Lösung der Aufgabe wird ferner erfindungsgemäß eine Nitridhalbleitervorrichtung aus einer III-V-Nitridhalbleiterschicht angegeben, die aus einem Gruppe-III-Element zumindest aus der Gruppe Gallium, Aluminium, Bor und Indium, sowie einem Gruppe-V-Element mit zumindest Stickstoff aus der Gruppe Stickstoff, Phosphor und Arsen ausgebildet ist, wobei die Nitridhalbleitervorrichtung versehen ist mit: einer ersten Nitridhalbleiterschicht aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht, die auf einem Substrat abgeschieden ist; einer zweiten Nitridhalbleiterschicht, die kein Aluminium enthält, die aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern ausgebildet ist, und die auf der ersten Nitridhalbleiterschicht abgeschieden ist; und einer Elektrode, die einen ohmschen Kontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht ausbildet, wobei die Elektrode einen Kontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern im Zustand der Schichtgestalt ausbildet.
- Bei den vorstehenden Nitridhalbleitervorrichtung kann die erste Nitridhalbleiterschicht aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht ausgebildet sein, die Aluminium enthält.
- Bei den vorstehenden Nitridhalbleitervorrichtungen kann ferner eine dritten Nitridhalbleiterschicht zwischen dem Substrat und der ersten Nitridhalbleiterschicht umfasst sein, die aus der III-V Nitridhalbleiterschicht ausgebildet ist, die eine Energielücke aufweist, die kleiner als die Energielücke der ersten Nitridhalbleiterschicht ist.
- Bei den vorstehenden Nitridhalbleitervorrichtungen kann ferner eine Steuerelektrode umfasst sein, die einen Schottkykontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht oder der ersten Nitridhalbleiterschicht ausbildet.
- Zur Lösung der Aufgabe wird zudem erfindungsgemäß ein Herstellungsverfahren für eine Nitridhalbleitervorrichtung aus einer III-V-Nitridhalbleiterschicht angegeben, die aus einem Gruppe-III-Element zumindest aus der Gruppe Gallium, Aluminium, Bor und Indium, sowie einem Gruppe-V-Element mit zumindest Stickstoff aus der Gruppe Stickstoff, Phosphor und Arsen ausgebildet ist, wobei das Herstellungsverfahren versehen ist mit den Schritten: Ausbilden einer ersten Nitridhalbleiterschicht aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht auf einem Substrat; Ausbilden einer zweiten Nitridhalbleiterschicht mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern auf der ersten Nitridhalbleiterschicht bei einer niedrigeren Temperatur als der Schichtausbildungstemperatur zum Zeitpunkt, wenn die erste Nitridhalbleiterschicht ausgebildet ist, wobei die zweite Nitridhalbleiterschicht aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht ausgebildet ist und kein Aluminium enthält; und Ausbilden einer Metallstruktur, die einen ohmschen Kontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern nach der Schichtausbildung ausbildet, und Ausführen einer Wärmebehandlung, so dass eine ohmsche Elektrode ausgebildet wird.
- Erfindungsgemäß wird eine ohmsche Elektrode auf einer Nitridhalbleiterschicht ausgebildet, die kein Aluminium enthält, und die nach der Schichtausbildung eine Kristallinität mit kleinen Körnern bewahrt, wobei kein Vorgang wie etwa eine Implantation von Dotierstoffionen ausgeführt wird, so dass es möglich ist, eine Halbleitervorrichtung mit einer ohmschen Elektrode mit einem niedrigen spezifischen Kontaktwiderstand (auf einem Niveau von 10-6 Ω·cm2) zu erhalten, wobei ein die ohmsche Elektrode ausbildendes Metall in die Korngrenzen eines mikroskopischen Kristalls aus einem Nitridhalbleiter eindringt.
- Zudem kann eine gewünschte Nitridhalbleitervorrichtung aus einer Nitridhalbleiterschicht mit einer derartigen Kristallinität mit kleinen Körnern nur durch das Steuern der Temperatur für das Epitaxiewachstum bei dem Herstellungsvorgang für eine bekannte Halbleitervorrichtung ausgebildet werden, so dass der Herstellungsvorgang leicht gesteuert werden kann, und eine Nitridhalbleitervorrichtung mit ausgezeichneten Eigenschaften kann mit hoher Ausbeute hergestellt werden.
- Die Erfindung wird nachstehend anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:
-
1 eine beschreibende Ansicht einer Nitridhalbleitervorrichtung nach Ausführungsbeispiel 1; -
2 eine beschreibende Ansicht einer Nitridhalbleitervorrichtung nach Ausführungsbeispiel 2; -
3 eine beschreibende Ansicht für ein Herstellungsverfahren für eine Nitridhalbleitervorrichtung nach Ausführungsbeispiel 3; und -
4 eine Schnittansicht für eine Halbleitervorrichtung aus einem bekannten III-V-Nitridhalbleiter. - Nachstehend wird eine erfindungsgemäße Nitridhalbleitervorrichtung näher beschrieben.
- AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 1
- Gemäß
1 sind eine Pufferschicht12 aus Aluminiumnitrid (AlN) mit einer Dicke von ungefähr 100 nm, eine Kanalschicht13 aus undotiertem Galliumnitrid (GaN) mit einer Energielücke, die kleiner als die Energielücke einer (nachstehend zu beschreibenden) Ladungszufuhrschicht ist, und mit einer Dicke von 2 μm, eine Ladungszufuhrschicht14 aus n-Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) mit einer Dicke von 15 nm, die eine zweidimensionale Elektronengasschicht ausbildet, welche Ladungsträger in der Grenzfläche mit der Kanalschicht13 werden, sowie eine Schottkyschicht15 aus undotiertem Galliumnitrid (GaN) mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern und mit einer Dicke von 10 nm auf einem Substrat11 aus Siliziumkarbid (SiC) ausgebildet und abgeschieden. Eine Source-Elektrode17a und eine Drain-Elektrode17b (ohmsche Elektrode) aus einem abgeschiedenen Körper aus Titan (Ti)/Aluminium (Al)/Titan (Ti)/Gold (Au) sind auf der Schottkyschicht15 ausgebildet, und bilden einen ohmschen Kontakt auf der Ladungszufuhrschicht14 aus. Es wird kein besonderer Vorgang wie etwa die Implantation von Dotierstoffionen oder ein Ätzen auf der Schottkyschicht15 ausgeführt, wo der ohmsche Kontakt nach deren Schichtausbildung ausgebildet wird, so dass die Kristallinität mit kleinen Körnern nach der Schichtausbildung bewahrt wird, wie sie ist. Zudem ist eine Gate-Elektrode16 aus einem abgeschiedenen Körper aus Nickel (Ni)/Gold (Au) auf der Schottkyschicht15 ausgebildet, so dass ein Schottky-Übergang auf der Schottkyschicht15 ausgebildet ist. - Die Schottkyschicht
15 , auf der die ohmsche Elektrode ausgebildet ist, weist eine Kristallinität mit kleinen Körnern auf; daher dringt ein die ohmsche Elektrode ausbildendes Metall in die Korngrenzen des mikroskopischen Kristalls ein, so dass eine ohmsche Elektrode mit einem geringen Kontaktwiederstand erhalten werden kann. - AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 2
-
2 zeigt eine Schnittansicht eines HEMT als III-V-Nitridhalbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 2 der Erfindung. Gemäß2 sind eine Pufferschicht12 aus Galliumnitrid (GaN) mit einer Dicke von ungefähr 30 nm, das bei einer niedrigen Temperatur aufgewachsen wurde, eine Kanalschicht13 aus undotiertem Galliumnitrid (GaN) mit einer Dicke von 2 μm und einer Energielücke, die kleiner als die Energielücke einer nachstehend angeführten Ladungszufuhrschicht ist, eine Ladungszufuhrschicht14 aus n-Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) mit einer Dicke von 15 nm, bei der eine zweidimensionale Elektronengasschicht in der Grenzfläche mit der Kanalschicht13 ausgebildet ist, die zu Ladungsträgern wird, eine Schottkyschicht15 aus undotiertem Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) mit einer Dicke von 3 nm, und einer Abdeckschicht15' aus undotiertem Galliumnitrid (GaN) mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern und einer Dicke von 10 nm auf einem Substrat11 aus Saphir ausgebildet und abgeschieden. Ein Teil der Abdeckschicht15' ist durch Ätzen entfernt, so dass eine Vertiefung ausgebildet ist, und eine Gate-Elektrode16 aus einem abgeschiedenen Körper aus Titan (Ti)/Platin (Pt)/Gold (Au) oder ein abgeschiedener Körper aus Nickel (Ni)/Gold (Au) ist auf der Schottkyschicht15 ausgebildet, auf der die Oberfläche in der Vertiefung freigelegt wurde; somit bildet die Gate-Elektrode16 einen Schottky-Kontakt auf der Schottkyschicht15 aus. Eine Source-Elektrode17a und eine Drain-Elektrode17b sind aus Titan (Ti)/Aluminium (Al) ausgebildet, so dass ein ohmscher Kontakt auf der Abdeckschicht15' ausgebildet ist. - AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 3
- Nachstehend wird unter Bezugnahme auf die
3(a) bis3(c) ein Herstellungsverfahren für die in1 gezeigte Nitridhalbleitervorrichtung näher beschrieben. - Zunächst wird eine Pufferschicht
12 aus Aluminiumnitrid (AlN) mit einer Dicke von ungefähr 100 nm auf einem Substrat11 aus Siliziumkarbid (SiC) gemäß einem MOCVD-Verfahren (Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung) oder einem MBE-Verfahren (Molekularstrahlepitaxie) aufgewachsen. Danach werden eine Kanalschicht13 aus undotiertem Galliumnitrid (GaN) mit einer Dicke von 2 μm und einer Ladungszufuhrschicht14 aus einem n-Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) mit einer Dicke von 15 nm, die eine zweidimensionale Elektronengasschicht in der Grenzfläche mit der Kanalschicht13 ausbildet, welche zu Ladungsträgern wird, sequentiell aufgewachsen und abgeschieden, wenn die Temperatur des Substrats 1080°C beträgt. Danach wird eine Schottkyschicht15 aus undotiertem Galliumnitrid (GaN) mit einer Dicke von 10 nm aufgewachsen, wenn die Temperatur des Substrats 550°C beträgt. Die Schottkyschicht15 wird aufgewachsen, wenn die Temperatur des Substrats niedrig ist, wie es vorstehend beschrieben ist, so dass die Schottkyschicht15 eine Kristallinität mit kleinen Körnern aufweist (vergleiche3(a) ). - Ein abgeschiedener Körper, der eine ohmsche Elektrode ausbildet, wird unmittelbar auf der Schottkyschicht
15 abgeschieden, nachdem diese gemäß einem bekannten Lithographieverfahren sowie Abhebeverfahren aufgewachsen wurde. Im Einzelnen werden eine Titanschicht (Ti) mit einer Dicke von 20 nm, eine Aluminiumschicht (Al) mit einer Dicke von 200 nm, eine Titanschicht (Ti) mit einer Dicke von 50 nm und eine Goldschicht (Au) mit einer Dicke von 300 nm abgeschieden und strukturiert, wonach eine Wärmebehandlung in einer Stickstoffatmosphäre bei 800°C für 30 Sekunden ausgeführt wird; somit werden eine Source-Elektrode17a und eine Drain-Elektrode17b ausgebildet, so dass ein ohmscher Kontakt mit der Schottkyschicht15 und der Ladungszufuhrschicht14 ausgebildet wird (vergleiche3(b) ). Dabei wird erfindungsgemäß kein besonderer Vorgang auf der Oberfläche der Schottkyschicht15 zum Ausbilden des ohmschen Kontakts ausgeführt. Genauer wird lediglich ein Reinigungsvorgang ausgeführt, der im Stand der Technik bei einem Halbleiterherstellungsvorgang ausgeführt wird, und es wird keine Implantation von Dotierstoffionen oder ein Ätzvorgang auf der Oberfläche der Schottkyschicht15 ausgeführt, und die ohmschen Elektroden werden unmittelbar auf der Oberfläche der Schottkyschicht15 mit einer Kristallinität mit kleinen Körner ausgebildet. - Sodann werden eine Nickelschicht (Ni) mit einer Dicke von 20 nm und eine Goldschicht (Au) mit einer Dicke von 500 nm auf der Schottkyschicht
15 gemäß einem bekannten Lithographieverfahren und Abhebeverfahren abgeschieden und strukturiert, so dass eine Gate-Elektrode16 ausgebildet wird, damit ein Schottkykontakt mit der Schottkyschicht15 entsteht (vergleiche3(c) ). Danach ist ein HEMT gemäß einem Herstellungsvorgang für eine bekannte Halbleitervorrichtung vervollständigt. - AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 4
- Nachstehend wird ein Herstellungsverfahren für die in
2 gezeigte Nitridhalbleitervorrichtung näher beschrieben. Zunächst wird eine Pufferschicht12 aus Galliumnitrid (GaN) mit einer Dicke von ungefähr 30 nm auf einem Substrat11 aus Saphir gemäß einem MOCVD-Verfahren (metallorganische chemische Gasfasenabscheidung) oder einem MBE-Verfahren (Molekularstrahlepitaxie) aufgewachsen. Danach werden eine Kanalschicht13 aus undotiertem Galliumnitrid (GaN) mit einer Dicke von 2 μm, eine Ladungszufuhrschicht14 aus n-Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) mit einer Dicke von 15 nm, die eine zweidimensionale Elektronengasschicht in der Grenzfläche mit der Kanalschicht13 ausbildet, die zu Ladungsträger werden, sowie einen Schottkyschicht15 aus undotiertem Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) mit einer Dicke von 3 nm sequentiell aufgewachsen und abgeschieden, wenn die Temperatur des Substrats 1080°C beträgt. Danach wird eine Abdeckschicht15' aus undotiertem Galliumnitrid (GaN) mit einer Dicke von 10 nm aufgewachsen, wenn die Temperatur des Substrats 550°C beträgt. Die Abdeckschicht15' wird aufgewachsen, wenn die Temperatur des Substrats niedrig ist, wie es vorstehend beschrieben ist, so dass die Abdeckschicht15' eine Kristallinität mit kleinen Körnern aufweist. - Ein abgeschiedener Körper, der eine ohmsche Elektrode ausbildet, wird unmittelbar auf der Abdeckschicht
15' abgeschieden, nachdem er gemäß einem bekannten Lithographieverfahren und Abhebeverfahren aufgewachsen wurde. Im Einzelnen werden eine Titanschicht (Ti) mit einer Dicke von 20 nm und eine Aluminiumschicht (Al) mit einer Dicke von 200 nm abgeschieden und strukturiert, wonach eine Wärmebehandlung in einer Stickstoffatmosphäre bei 800°C für 30 Sekunden ausgeführt wird, so dass eine Source-Elektrode17a und eine Drain-Elektrode17b ausgebildet werden, damit ein ohmscher Kontakt mit der Schottkyschicht15 und der Ladungszufuhrschicht14 entsteht. Dabei wird erfindungsgemäß kein besonderer Vorgang auf der Oberfläche der Abdeckschicht15' zum Ausbilden des ohmschen Kontaktes ausgeführt. Genauer wird lediglich ein Reinigungsvorgang ausgeführt, der bei einem Halbleiterherstellungsvorgang im Stand der Technik ausgeführt wird, und es wird keine Implantation von Dotierstoffionen oder ein Ätzvorgang auf der Oberfläche der Abdeckschicht15' ausgeführt, und die ohmschen Elektroden werden unmittelbar auf der Oberfläche der Abdeckschicht15' mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern ausgebildet. - Danach wird ein Teil der Abdeckschicht
15' durch einen Ätzvorgang gemäß einem bekannten Lithographieverfahren zur Ausbildung einer Vertiefung entfernt, und eine Gate-Elektrode16 aus einem abgeschiedenen Körper aus Titan (Ti)/Platin (Pt)/Gold (Au) oder einem abgeschiedenen Körper aus Nickel (Ni)/Gold (Au) wird auf der Schottkyschicht15 ausgebildet, deren Oberfläche in der Vertiefung freigelegt wurde; somit bildet die Gate-Elektrode16 einen Schottkykontakt mit der Schottkyschicht15 aus. Danach ist ein HEMT gemäß einem Herstellungsvorgang für eine bekannte Halbleitervorrichtung vervollständigt. - Die ohmschen Elektroden einer gemäß vorstehender Beschreibung ausgebildeten Nitridhalbleitervorrichtung wurden gemäß einem Übertragungsleitungsverfahren (TLM) bewertet. Zu Vergleichszwecken wurden ohmsche Elektroden der in
4 gezeigten bekannten Nitridhalbleitervorrichtung ebenfalls auf dieselbe Weise gemessen. Als Ergebnis davon wurde herausgefunden, dass der erfindungsgemäße Kontaktwiderstand 0,04 Ω·cm im Vergleich zu 0,07 Ω·cm im Stand der Technik betrug, und dass der spezifische Kontaktwiderstand bei der vorliegenden Erfindung bei 2,6 × 10-6 Ω·cm2 im Vergleich zu 1,1 × 10-5 Ω·cm2 im Stand der Technik lag; somit wurden Verbesserungen bei den jeweiligen Eigenschaften bestätigt. Gemäß vorstehender Beschreibung werden erfindungsgemäß ohmsche Elektroden auf einer Nitridhalbleiterschicht (zweite Nitridhalbleiterschicht) mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern ausgebildet, und es kann bestätigt werden, dass ohmsche Elektroden mit Eigenschaften ausgebildet werden, die äquivalent zu denen einer galliumarsenidbasierten Halbleitervorrichtung sind. - Dabei ist die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern es sind vielmehr eine Vielzahl von Abwandlungen möglich. Anstelle des Nitridhalbleiters in der HEMT-Struktur kann beispielsweise eine FET-Struktur bereitgestellt werden, wobei eine Nitridhalbleiterschicht, der Dotierstoffe hinzugefügt wurden, für eine aktive Schicht (Kanalschicht) verwendet wird, auf der die vorstehend beschriebene Schottkyschicht
15 ausgebildet wird. Zudem ist die Nitridhalbleiterschicht nicht auf eine GaN/AlGaN-basierte Schicht beschränkt, sondern die zweite Nitridhalbleiterschicht, auf der die ohmschen Elektronen ausgebildet sind, kann vielmehr aus einer Schicht ausgebildet sein, die GaN, InN oder eine Mischkristallverbindung daraus sowie Aluminium enthält. - Ferner kann die Zusammensetzung der Elektroden, die einen ohmschen Kontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht ausbilden, geeignet gemäß der verwendeten Art von Halbleiterschicht ausgewählt werden. Zudem zeigt die zweite Nitridhalbleiterschicht hochisolierende Eigenschaften, und deren Dicke kann gemäß der ausgewählten Metallart geeignet ausgewählt werden.
- Obwohl die zweite Nitridhalbleiterschicht als die mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern beschrieben ist, ist dies hierbei ein Aggregat aus einer Kristallinität mit kleinen Körnern, oder eine Struktur, bei der diese neu angeordnet sind, und die Größe oder die Anordnung von Kristallkörnern variiert in Abhängigkeit von der Temperatur während des Wachstums, der Zusammensetzung der Atmosphärengase zum Zeitpunkt des Wachstums, der Substratart, auf der die Struktur aufgewachsen ist und dergleichen; daher kann die Temperatur während des Aufwachsvorgangs gesteuert werden, so dass eine zweite Nitridhalbleiterschicht mit gewünschten Eigenschaften erhalten wird.
- So ist vorstehend eine Nitridhalbleitervorrichtung mit einer ohmschen Elektrode mit einem geringen Kontaktwiderstand sowie deren Herstellungsverfahren offenbart, wobei eine erste Nitridhalbleiterschicht aus der auf einem Substrat abgeschiedenen III-V-Nitridhalbleiterschicht, sowie eine zweite Nitridhalbleiterschicht mit der III-V-Nitridhalbleiterschicht umfasst sind, deren Schichtausbildungstemperatur niedriger als die der ersten Nitridhalbleiterschicht ist, und die auf der ersten Nitridhalbleiterschicht abgeschieden ist und kein Aluminium enthält. Eine ohmsche Elektrode wird sodann durch die Ausbildung einer Metallstruktur ausgebildet, die einen ohmschen Kontakt auf der zweiten Nitridhalbleiterschicht mit einer nicht verarbeiteten Kristallinität mit kleinen Körnern ausbildet, wonach die Metallstruktur einer Wärmebehandlung unterzogen wird.
Claims (6)
- Nitridhalbleitervorrichtung aus einer III-V-Nitridhalbleiterschicht, die aus einem Gruppe-III-Element zumindest aus der Gruppe Gallium, Aluminium, Bor und Indium, sowie einem Gruppe-V-Element mit zumindest Stickstoff aus der Gruppe Stickstoff, Phosphor und Arsen ausgebildet ist, wobei die Nitridhalbleitervorrichtung versehen ist mit: einer ersten Nitridhalbleiterschicht aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht, die auf einem Substrat abgeschieden ist; einer zweiten Nitridhalbleiterschicht, die kein Aluminium enthält, und die aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht ausgebildet ist, die auf der ersten Nitridhalbleiterschicht abgeschieden ist, und deren Schichtausbildungstemperatur unter der der ersten Nitridhalbleiterschicht lag; und einer Elektrode, die einen ohmschen Kontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht ausbildet, wobei die Elektrode einen Kontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht im Zustand der Schichtgestalt ausbildet.
- Nitridhalbleitervorrichtung aus einer III-V-Nitridhalbleiterschicht, die aus einem Gruppe-III-Element zumindest aus der Gruppe Gallium, Aluminium, Bor und Indium, sowie einem Gruppe-V-Element mit zumindest Stickstoff aus der Gruppe Stickstoff, Phosphor und Arsen ausgebildet ist, wobei die Nitridhalbleitervorrichtung versehen ist mit: einer ersten Nitridhalbleiterschicht aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht, die auf einem Substrat abgeschieden ist; einer zweiten Nitridhalbleiterschicht, die kein Aluminium enthält, die aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern ausgebildet ist, und die auf der ersten Nitridhalbleiterschicht abgeschieden ist; und einer Elektrode, die einen ohmschen Kontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht ausbildet, wobei die Elektrode einen Kontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern im Zustand der Schichtgestalt ausbildet.
- Nitridhalbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste Nitridhalbleiterschicht aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht ausgebildet ist, die Aluminium enthält.
- Nitridhalbleitervorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, ferner mit einer dritten Nitridhalbleiterschicht zwischen dem Substrat und der ersten Nitridhalbleiterschicht, die aus der III-V Nitridhalbleiterschicht ausgebildet ist, die eine Energielücke aufweist, die kleiner als die Energielücke der ersten Nitridhalbleiterschicht ist.
- Nitridhalbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2, 3 oder 4, ferner mit einer Steuerelektrode, die einen Schottkykontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht oder der ersten Nitridhalbleiterschicht ausbildet.
- Herstellungsverfahren für eine Nitridhalbleitervorrichtung aus einer III-V-Nitridhalbleiterschicht, die aus einem Gruppe-III-Element zumindest aus der Gruppe Gallium, Aluminium, Bor und Indium, sowie einem Gruppe-V-Element mit zumindest Stickstoff aus der Gruppe Stickstoff, Phosphor und Arsen ausgebildet ist, wobei das Herstellungsverfahren versehen ist mit den Schritten: Ausbilden einer ersten Nitridhalbleiterschicht aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht auf einem Substrat; Ausbilden einer zweiten Nitridhalbleiterschicht mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern auf der ersten Nitridhalbleiterschicht bei einer niedrigeren Temperatur als der Schichtausbildungstemperatur zum Zeitpunkt, wenn die erste Nitridhalbleiterschicht ausgebildet ist, wobei die zweite Nitridhalbleiterschicht aus der III-V-Nitridhalbleiterschicht ausgebildet ist und kein Aluminium enthält; und Ausbilden einer Metallstruktur, die einen ohmschen Kontakt mit der zweiten Nitridhalbleiterschicht mit einer Kristallinität mit kleinen Körnern nach der Schichtausbildung ausbildet, und Ausführen einer Wärmebehandlung, so dass eine ohmsche Elektrode ausgebildet wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004125321A JP4889203B2 (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2004-125321 | 2004-04-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102005018318A1 true DE102005018318A1 (de) | 2005-12-01 |
DE102005018318B4 DE102005018318B4 (de) | 2020-02-27 |
Family
ID=35135556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102005018318.2A Expired - Fee Related DE102005018318B4 (de) | 2004-04-21 | 2005-04-20 | Nitridhalbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7635877B2 (de) |
JP (1) | JP4889203B2 (de) |
DE (1) | DE102005018318B4 (de) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007066963A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
JP5100002B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2012-12-19 | 新日本無線株式会社 | 窒化物半導体装置 |
WO2007069601A1 (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタ |
US20070194342A1 (en) * | 2006-01-12 | 2007-08-23 | Kinzer Daniel M | GaN SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS EMPLOYING GaN ON THIN SAPHIRE LAYER ON POLYCRYSTALLINE SILICON CARBIDE |
JP4908856B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2012-04-04 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置とその製造法 |
JP5087240B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2012-12-05 | 新日本無線株式会社 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
JP2008118082A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-05-22 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2015026629A (ja) | 2011-11-18 | 2015-02-05 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置の構造及び製造方法 |
JP5848680B2 (ja) * | 2011-11-22 | 2016-01-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9236494B2 (en) | 2011-12-13 | 2016-01-12 | E Ink Holdings Inc. | Field effect transistor |
DE102013224361A1 (de) | 2013-11-28 | 2015-05-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
US9620598B2 (en) * | 2014-08-05 | 2017-04-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Electronic device including a channel layer including gallium nitride |
US10128364B2 (en) * | 2016-03-28 | 2018-11-13 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor devices with an enhanced resistivity region and methods of fabrication therefor |
CN108447780A (zh) * | 2018-02-11 | 2018-08-24 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种氮化物半导体器件的欧姆接触结构及其制作方法 |
CN109742143A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-10 | 苏州汉骅半导体有限公司 | 集成增强型和耗尽型的hemt及其制造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE7216763U (de) * | 1971-05-03 | 1972-08-10 | Motorola Inc | Ohmscher kontaktanschluss |
JPH0936133A (ja) * | 1995-07-14 | 1997-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3700872B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2005-09-28 | シャープ株式会社 | 窒化物系iii−v族化合物半導体装置およびその製造方法 |
JP3449116B2 (ja) * | 1996-05-16 | 2003-09-22 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JP3325479B2 (ja) * | 1997-01-30 | 2002-09-17 | 株式会社東芝 | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
JPH10335637A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Sony Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
JP3547320B2 (ja) * | 1998-08-20 | 2004-07-28 | 古河電気工業株式会社 | GaN系化合物半導体装置 |
JP3751791B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2006-03-01 | 日本電気株式会社 | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
JP4022708B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2007-12-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP4220683B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2009-02-04 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
WO2003015174A2 (en) * | 2001-08-07 | 2003-02-20 | Jan Kuzmik | High electron mobility devices |
JP3785970B2 (ja) * | 2001-09-03 | 2006-06-14 | 日本電気株式会社 | Iii族窒化物半導体素子の製造方法 |
JP4457564B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2010-04-28 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2004056010A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 窒化物半導体発光素子 |
TWI258798B (en) * | 2003-12-05 | 2006-07-21 | Int Rectifier Corp | III-nitride device passivation and method |
US7432142B2 (en) * | 2004-05-20 | 2008-10-07 | Cree, Inc. | Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions |
JP4755961B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2011-08-24 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-04-21 JP JP2004125321A patent/JP4889203B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-20 DE DE102005018318.2A patent/DE102005018318B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-21 US US11/110,721 patent/US7635877B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4889203B2 (ja) | 2012-03-07 |
US7635877B2 (en) | 2009-12-22 |
JP2005311028A (ja) | 2005-11-04 |
DE102005018318B4 (de) | 2020-02-27 |
US20050236646A1 (en) | 2005-10-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |