DE10136337A1

DE10136337A1 - Hochfrequenzmodul und mobile Kommunikationsvorrichtung unter Verwendung desselben

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Publication number: DE10136337A1
Application number: DE10136337A
Authority: DE
Inventors: Koji Furutani; Norio Nakajima; Tetsuro Harada; Yoshiki Takada; Akihiro Ochii
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-07-27
Filing date: 2001-07-26
Publication date: 2002-02-14
Anticipated expiration: 2021-07-27
Also published as: GB2369013A; FR2812512A1; US7398103B2; FI20011371A; KR100397744B1; FI121867B; KR20020010526A; JP3711846B2; DE10136337B4; SE0102307L; US6788958B2; GB2369013B; CN1336731A; JP2002043977A; FI20011371A0; US20020032038A1; SE524323C2; SE0102307D0; CN1154247C; GB0117301D0

Abstract

Ein Hochfrequenzmodul umfaßt einen Diplexer, einen ersten und einen zweiten Hochfrequenzschalter, einen SAW-Duplexer, ein erstes und ein zweites LC-Filter, das als ein erstes und ein zweites Filter wirkt, und ein SAW-Filter, das als ein drittes Filter wirkt. Das Modul definiert eine Einheit, die Eingangs-Abschnitte eines ersten bis dritten Kommunikationssystems integriert, nämlich eines digitalen zellularen Systems (1,8-GHz-Band), eines persönlichen Kommunikationssystems (1,9-GHz-Band) und eines weltweiten Systems für mobilen Funkverkehr (900-MHz-Band).

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Hochfrequenzmo dule und mobile Kommunikationsvorrichtungen, die Hochfre quenzmodule umfassen, und insbesondere auf ein Hochfre quenzmodul, das von drei unterschiedlichen Kommunikations systemen gemeinschaftlich verwendet werden kann, und auf eine mobile Kommunikationsvorrichtung, die ein derartiges Hochfrequenzmodul umfaßt.

Ein tragbares Dreibandtelefon wurde als eine mobile Kommu nikationsvorrichtung vorgeschlagen, das in einer Mehrzahl von Frequenzbändern wirken kann, wie z. B. denen in einem digitalen zellularen System (DCS; DCS = digital cellular system), das das 1,8-GHz-Band verwendet, einem persönlichen Kommunikationsdienst (PCS; PCS = personal communication service), der das 1,9-GHz-Band verwendet, und einem welt weiten System für mobilen Funkverkehr (GSM; GSM = global system for mobile communication), das das 900-MHz-Band ver wendet.

Fig. 12 ist ein Blockdiagramm eines Front-End-Abschnitts bzw. Eingangs-Abschnitts eines allgemeinen tragbaren Drei bandtelefons. Fig. 12 zeigt einen Fall, in dem ein erstes bis drittes Kommunikationssystem, die jeweils Frequenzen aufweisen, die voneinander unterschiedlich sind, auf das DCS unter Verwendung von 1,8 GHz, den PCS unter Verwendung von 1,9 GHz und des GSM unter Verwendung von 900 MHz einge stellt ist.

Der Eingangs-Abschnitt des tragbaren Dreibandtelefons ist mit einer Antenne 1, einem Diplexer 2, einem ersten bis dritten Hochfrequenzschalter 3a bis 3c, einem ersten und einem zweiten LC-Filter 4a und 4b und einem ersten bis dritten Oberflächenwellenfilter (SAW-Filter) 5a bis 5c aus gestattet. Der Diplexer 2 koppelt ein Sendesignal, das wäh rend der Sendung vom DCS, dem PCS oder dem GSM gesendet wurde, mit einer Antenne 1 und verteilt ein Empfangssignal, das während des Empfangs von der Antenne 1 gesendet wurde, an das DCS, den PCS oder das GSM. Der erste Hochfrequenz schalter 3a schaltet zwischen der Sendeabschnittseite des DCS und des PCS und der Empfangsabschnittsseite des DCS und des PCS. Der zweite Hochfrequenzschalter 3b schaltet zwi schen der Empfangsabschnitt-Rxd-Seite des DCS und der Emp fangsabschnitt-Rxp-Seite des PCS. Der dritte Hochfrequenz schalter 3c schaltet zwischen der Sendeabschnitt-Txg-Seite und der Empfangsabschnitt-Rxg-Seite des GSM. Das erste LC- Filter 4a läßt Sendesignale für das DCS und den PCS durch und dämpft die Harmonischen der Sendesignale. Das zweite LC-Filter 4b läßt ein Sendesignal für das GSM durch und dämpft die Harmonischen des Sendesignals. Das erste SAW- Filter 5a läßt ein Empfangssignal für das DCS durch und dämpft die Harmonischen des Empfangssignals. Das zweite SAW-Filter 5b läßt ein Empfangssignal für den PCS durch und dämpft die Harmonischen des Empfangssignals. Das dritte SAW-Filter 5c läßt ein Empfangssignal für das GSM durch und dämpft die Harmonischen des Empfangssignals.

Der Betrieb des tragbaren Dreibandtelefons wird zuerst für das DCS beschrieben. Während des Sendens schaltet der erste Hochfrequenzschalter 3a die Sendeabschnitt-Txdp-Seite an, um ein Sendesignal zu senden, das von dem Sendeabschnitt Txdp gesendet wurde, und das durch das erste LC-Filter 4a zu dem Diplexer 2 durchgelassen wurde, wobei der Diplexer 2 ein Koppeln durchführt, wonach das Signal von der Antenne 1 gesendet wird. Während des Empfangs wird ein Empfangssi gnal, das durch die Antenne 1 empfangen wird, durch den Di plexer 2 verteilt, wobei das Empfangssignal von der Antenne 1 zu dem ersten Schalter 3a gesendet wird, der sich auf der DCS- und PCS-Seite befindet, wobei der erste Hochfrequenz schalter 3a die Empfangsabschnittsseite anschaltet, um das Signal zu dem zweiten Hochfrequenzschalter 3b zu senden, wobei der zweite Hochfrequenzschalter 3b die Empfangsab schnitt-Rxd-Seite des DCS anschaltet, um das Signal durch das erste SAW-Filter 5a zu dem Empfangsabschnitt Rxd des DCS zu senden. Eine ähnliche Operation wird auch zum Senden und Empfangen für den PCS durchgeführt.

Ein Fall, bei dem das GSM verwendet wird, wird als nächstes beschrieben. Während des Sendens schaltet der dritte Hoch frequenzschalter 3c die Sendeabschnitt-Txg-Seite an, um ein Sendesignal, das von dem Sendeabschnitt Txg gesendet wurde und das zweite LC-Filter 4b passiert hat, an den Diplexer 2 zu senden, wobei der Diplexer 2 ein Koppeln durchführt, wo bei das Signal von der Antenne 1 gesendet wird. Während des Empfangs wird ein Empfangssignal, das von der Antenne 1 empfangen wird, durch den Diplexer 2 verteilt, wobei das Empfangssignal von der Antenne 1 zu dem dritten Hochfre quenzschalter 3c gesendet wird, und wobei der dritte Hoch frequenzschalter 3c die Empfangsabschnitt-Rxg-Seite an schaltet, um das Signal durch das dritte SAW-Filter 5c zu dem Empfangsabschnitt Rxg des GSM zu senden.

Da das tragbare Dreibandtelefon, das eine herkömmliche Kom munikationsvorrichtung ist, drei Hochfrequenzschalter ver wendet, werden zumindest sechs Dioden, die der Hochfre quenzschalter aufweist, benötigt. Als ein Ergebnis ver braucht das tragbare Dreibandtelefon eine sehr große Lei stungsmenge, wobei eine Batterie, die an dem tragbaren Dreibandtelefon befestigt ist, nur für eine kurze Periode verwendet werden kann. Auch wird der Betrieb jeder Diode in vielen Operationsmoden gesteuert, wodurch eine komplizierte Schaltung benötigt wird.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Hochfre quenzmodule und mobile Kommunikationsvorrichtungen zu schaffen, die mit weniger komplizierten Schaltungen auskom men.

Diese Aufgabe wird durch ein Hochfrequenzmodul gemäß An spruch 1 oder 10 sowie eine mobile Kommunikationsvorrich tung gemäß Anspruch 18 oder 19 gelöst.

Um die oben beschriebenen Probleme zu überwinden, liefern bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ein Hochfrequenzmodul, das einen niedrigeren Leistungsver brauch und eine kompakte Schaltung aufweist, sowie eine mo bile Kommunikationsvorrichtung, die ein derartiges Hochfre quenzmodul umfaßt.

Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegen den Erfindung umfaßt ein Hochfrequenzmodul integrierte Ein gangs-Abschnitte des ersten bis dritten Kommunikationssy stems, die Frequenzen aufweisen, die unterschiedlich von einander sind, wobei das Hochfrequenzmodul einen Diplexer, der angeordnet ist, um ein Sendesignal von einem des ersten bis dritten Kommunikationssystems während der Sendung mit einer Antenne zu koppeln, und der angeordnet ist, um ein Empfangssignal von der Antenne während des Empfangs an ei nes des ersten bis dritten Kommunikationssystems zu vertei len, einen ersten Hochfrequenzschalter, der angeordnet ist, um einen Sendeabschnitt für das erste und zweite Kommunika tionssystem und Empfangsabschnitte für das erste und zweite Kommunikationssystem zu trennen, einen SAW-Duplexer (Ober flächenwellenduplexer), der angeordnet ist, um einen Emp fangsabschnitt für das erste Kommunikationssystem und einen Empfangsabschnitt für das zweite Kommunikationssystem zu trennen, und einen zweiten Hochfrequenzschalter umfaßt, der angeordnet ist, um einen Sendeabschnitt und einen Empfangs abschnitt für das dritte Kommunikationssystem zu trennen.

Das Hochfrequenzmodul kann ferner zumindest entweder ein erstes Filter, das angeordnet ist, um ein Sendesignal von dem ersten und dem zweiten Kommunikationssystem durchzulas sen, ein zweites Filter, das angeordnet ist, um ein Sende signal von dem dritten Kommunikationssystem durchzulassen, oder ein drittes Filter umfassen, das angeordnet ist, um ein Empfangssignal für das dritte Kommunikationssystem durchzulassen.

Bei dem Hochfrequenzmodul kann der SAW-Duplexer ein SAW- Filter und eine Phasenumwandlungskomponente umfassen, die mit dem SAW-Filter verbunden ist.

Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Hochfrequenzmodul Ein gangs-Abschnitte des ersten bis dritten Kommunikationssy stems, die Frequenzen aufweisen, die unterschiedlich von einander sind, wobei die Eingangs-Abschnitte einen Diple xer, der angeordnet ist, um ein Sendesignal von dem ersten bis dritten Kommunikationssystem während des Sendens mit einer Antenne zu koppeln, und das angeordnet ist, um ein Empfangssignal von der Antenne an das erste bis dritte Kom munikationssystem während des Empfangs zu verteilen, einen ersten Hochfrequenzschalter, der angeordnet ist, um einen Sendeabschnitt für das erste und zweite Kommunikationssy stem und Empfangsabschnitte für das erste und zweite Kommu nikationssystem zu trennen, einen SAW-Duplexer, der ange ordnet ist, um einen Empfangsabschnitt für das erste Kommu nikationssystem und einen Empfangsabschnitt für das zweite Kommunikationssystem zu trennen, und einen zweiten Hochfre quenzschalter umfaßt, der angeordnet ist, um einen Sendeab schnitt und einen Empfangsabschnitt für das dritte Kommuni kationssystem zu trennen, wobei der Diplexer, der erste und der zweite Hochfrequenzschalter und der SAW-Duplexer in ein laminiertes Bauglied integriert sind, das eine Mehrzahl von laminierten Lagenschichten umfaßt.

Das Hochfrequenzmodul kann derart konfiguriert sein, daß alle Elemente des Diplexers und ein Abschnitt der Elemente des ersten und zweiten Hochfrequenzschalters und des SAW- Duplexers in dem laminierten Bauglied gebildet sind, und daß die verbleibenden Elemente des ersten und des zweiten Hochfrequenzschalters und des SAW-Duplexers an dem lami nierten Bauglied befestigt sind.

Gemäß einem Hochfrequenzmodul verschiedener bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung wird, da ein Diplexer, ein erster und zweiter Hochfrequenzschalter und ein SAW-Duplexer vorgesehen sind, und da der SAW- Duplexer einen Empfangsabschnitt für das erste Kommunikati onssystem und einen Empfangsabschnitt für das zweite Kommu nikationssystem trennt, die Zahl von Hochfrequenzschaltern reduziert. Als ein Ergebnis ist die Zahl von verwendeten Dioden reduziert, wobei der Leistungsverbrauch der Hochfre quenzmodule stark reduziert werden kann. Dies bedeutet, daß ein Hochfrequenzmodul mit einem niedrigeren Leistungsver brauch geschaffen wird. Zusätzlich wird während der Opera tion des Signalempfangs kein Strom benötigt.

Da der Diplexer, der erste und der zweite Hochfrequenz schalter und der SAW-Duplexer, die das Hochfrequenzmodul aufweist, in ein laminiertes Bauglied integriert sind, das durch Laminieren einer Mehrzahl von Lagenschichten erzielt wird, die vorzugsweise aus einer Keramik gebildet sind, wird die Anpassungscharakteristik, die Dämpfungscharakteri stik oder die Trennungscharakteristik jeder Komponente er zielt. Deshalb wird keine Anpassungsschaltung zwischen dem Diplexer und dem ersten und zweiten Hochfrequenzschalter oder zwischen dem ersten Hochfrequenzschalter und dem SAW- Duplexer benötigt. Folglich wird das Hochfrequenzmodul viel kompakter als herkömmliche Vorrichtungen.

Der Diplexer umfaßt vorzugsweise Induktoren und Kondensato ren. Der erste und der zweite Hochfrequenzschalter umfaßt vorzugsweise Dioden, Induktoren und Kondensatoren. Der SAW- Duplexer umfaßt vorzugsweise SAW-Filter und Übertragungs leitungen. Das erste und das zweite LC-Filter umfaßt vor zugsweise Induktoren und Kondensatoren. Diese Elemente sind in ein laminiertes Bauglied eingebaut oder an einem lami nierten Bauglied befestigt und durch Verbindungen, die im Inneren des laminierten Bauglieds vorgesehen sind, verbun den. Deshalb besteht das Hochfrequenzbauglied aus einem einzelnen laminierten Bauglied und ist sehr kompakt. Zu sätzlich wird ein Verlust, der durch Verdrahtungen zum Ver binden von Komponenten bewirkt wird, sehr reduziert, wobei als ein Ergebnis der Verlust des gesamten Hochfrequenzmo duls stark reduziert wird.

Da die Längen der Induktoren und der Übertragungsleitungen, die in das laminierte Bauglied eingebaut sind, durch einen Wellenlängenreduktionseffekt reduziert sind, werden die Einfügungsverluste dieser Induktoren und der Übertragungs leitungen stak reduziert. Deshalb wird ein kompaktes Hoch frequenzmodul mit niedrigem Verlust geschaffen.

Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt eine mobile Kommunikations vorrichtung ein Hochfrequenzmodul gemäß einem der oben be schriebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele, wobei dieses Hochfrequenzmodul die Eingangs-Abschnitte des ersten bis dritten Kommunikationssystems, die Empfangsabschnitte für das erste bis dritte Kommunikationssystem und die Sendeab schnitte für das erste bis dritte Kommunikationssystem de finiert.

Gemäß einer mobilen Kommunikationsvorrichtung eines bevor zugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung kann, da ein Eingangs-Abschnitt, der durch ein Hochfre quenzmodul definiert ist, das es ermöglicht, den Leistungs verbrauch zu reduzieren, vorgesehen ist, der Leistungsver brauch der mobilen Kommunikationsvorrichtung selbst redu ziert werden.

Gemäß einer mobilen Kommunikationsvorrichtung verschiedener bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung kann, da ein verwendetes Hochfrequenzmodul den Leistungs verbrauch reduzieren kann und während des Empfangs keinen Strom benötigt, die mobile Kommunikationsvorrichtung, die dieses Hochfrequenzmodul aufweist, einen niedrigeren Lei stungsverbrauch haben und benötigt keinen Strom, wenn sie auf einen Anruf wartet. Als ein Ergebnis kann eine Batte rie, die in die mobile Kommunikationsvorrichtung eingebaut ist, über einen sehr viel längeren Zeitraum als bei her kömmlichen Vorrichtungen verwendet werden.

Zusätzlich ist, da das kompakte Hochfrequenzmodul mit einem niedrigen Verlust verwendet wird, die mobile Kommunikati onsvorrichtung, die dieses Hochfrequenzmodul aufweist, kom pakt und weist eine hohe Leistung auf.

Weitere Merkmale, Elemente, Charakteristika und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detail lierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung Bezug nehmend auf die beiliegen den Zeichnungen deutlich. Es zeigen:

Fig. 1 ein Blockdiagramm eines Hochfrequenzmoduls gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorlie genden Erfindung;

Fig. 2 ein Schaltungsdiagramm eines Diplexers, den das Hochfrequenzmodul, das in Fig. 1 gezeigt ist, aufweist;

Fig. 3 ein Schaltungsdiagramm eines ersten Hochfrequenz schalters, den das Hochfrequenzmodul, das in Fig. 1 gezeigt ist, aufweist;

Fig. 4 ein Schaltungsdiagramm eines zweiten Hochfre quenzschalters, den das Hochfrequenzmodul, das in Fig. 1 gezeigt ist, aufweist;

Fig. 5 ein Schaltungsdiagramm eines SAW-Duplexers, den das Hochfrequenzmodul, das in Fig. 1 gezeigt ist, aufweist;

Fig. 6 ein Schaltungsdiagramm eines ersten LC-Filters, das das Hochfrequenzmodul, das in Fig. 1 gezeigt ist, aufweist;

Fig. 7 ein Schaltungsdiagramm eines zweiten LC-Filters, das das Hochfrequenzmodul, das in Fig. 1 gezeigt ist, aufweist;

Fig. 8 eine auseinandergezogene, perspektivische Ansicht eines Hauptabschnittes des Hochfrequenzmoduls, das in Fig. 1 gezeigt ist;

Fig. 9(a) bis 9(h) Draufsichten einer ersten dielektrischen Schicht bis achten dielektrischen Schicht, die ein laminiertes Bauglied des Hoch frequenzmoduls, das in Fig. 8 gezeigt ist, auf weist;

Fig. 10(a) bis 10(e) Draufsichten einer neunten dielek trischen Schicht bis dreizehnten dielektrischen Schicht, die das laminierte Bauglied des Hochfre quenzmoduls, das in Fig. 8 gezeigt ist, aufweist, wobei Fig. 10(f) eine Unteransicht der dreizehn ten dielektrischen Schicht ist, die das laminier te Bauglied des Hochfrequenzmoduls, das in Fig. 8 gezeigt ist, aufweist;

Fig. 11 ein Blockdiagramm, das einen Abschnitt der Struk tur einer mobilen Kommunikationsvorrichtung unter Verwendung des Hochfrequenzmoduls, das in Fig. 1 gezeigt ist, darstellt; und

Fig. 12 ein Blockdiagramm, das die Struktur eines Ein gangs-Abschnitts eines allgemeinen tragbaren Dreibandtelefons (mobile Kommunikationsvorrich tung) darstellt.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden unten Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben.

Fig. 1 ist ein Blockdiagramm eines Hochfrequenzmoduls 10 gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegen den Erfindung. Das Hochfrequenzmodul 10 umfaßt vorzugsweise einen Diplexer 11, einen ersten und zweiten Hochfrequenz schalter 12 und 13, einen SAW-Duplexer 14, ein erstes und ein zweites LC-Filter 15 und 16, die das erste und das zweite Filter definieren, und ein SAW-Filter 17, das ein drittes Filter definiert, und wirkt als ein Eingangs- Abschnitt des ersten bis dritten Kommunikationssystems, vorzugsweise eines DCS (1,8-GHz-Band), eines PCS (1,9-GHz- Band) und eines GSM (900-MHz-Band).

Ein erstes Tor P11 des Diplexers 11 ist mit einer Antenne ANT verbunden, wobei ein zweites Tor P12 mit einem ersten Tor P21 des ersten Hochfrequenzschalters 12 verbunden ist, und wobei ein drittes Tor P13 mit einem ersten Tor P31 des zweiten Hochfrequenzschalters 13 verbunden ist.

Ein zweites Tor P22 des ersten Hochfrequenzschalters 12 ist mit einem ersten Tor P51 des ersten LC-Filters 15 verbun den, wobei ein drittes Tor P23 mit einem ersten Tor P41 des SAW-Duplexers 14 verbunden ist.

Ein zweites Tor P52 des ersten LC-Filters 15 ist mit einem Sendeabschnitt Txdp verbunden, der von dem DCS und dem PCS gemeinschaftlich verwendet wird, wobei ein zweites und ein drittes Tor P42 und P43 des SAW-Duplexers 14 mit einem Emp fangsabschnitt Rxd des DCS bzw. einem Empfangsabschnitt Rxp des PCS verbunden ist.

Ein zweites Tor P32 des zweiten Hochfrequenzschalters 13 ist mit einem ersten Tor P61 des zweiten LC-Filters 16 ver bunden, wobei ein drittes Tor P33 mit einem ersten Tor P71 des SAW-Filters 17 verbunden ist.

Ein zweites Tor P62 des zweiten LC-Filters 16 ist mit einem Sendeabschnitt Txg des GSM verbunden, wobei ein zweites Tor P72 des SAW-Filters 17 mit einem Empfangsabschnitt Rxg des GSM verbunden ist.

Fig. 2 ist ein Schaltungsdiagramm des Diplexers 11, den das Hochfrequenzmodul, das in Fig. 1 gezeigt ist, aufweist. Der Diplexer 11 ist mit dem ersten bis dritten Tor P11 bis P13, Induktoren L11 und L12 und Kondensatoren C11 bis C15 verse hen.

Zwischen das erste Tor P11 und das zweite Tor P12 sind die Kondensatoren C11 und C12 in Serie geschaltet. Der Verbin dungspunkt zwischen denselben ist durch den Induktor L11 und den Kondensator C13 geerdet.

Zwischen das erste Tor P11 und das dritte Tor P13 ist eine Parallelschaltung, die den ersten Induktor L12 und den er sten Kondensator C14 umfaßt, geschaltet. Ein Ende der Par allelschaltung, das sich an der Seite des dritten Tors P13 befindet, ist durch den ersten Kondensator C15 geerdet.

Anders ausgedrückt ist ein Hochpaßfilter, das Empfangs- und Sendesignale in dem DCS (1,8-GHz-Band) und dem PCS (1,9- GHz-Band) durchläßt, zwischen dem ersten Tor P11 und dem zweiten Tor P12 definiert. Ein Tiefpaßfilter, das Sende- und Empfangssignale in dem GSM (900-MHz-Band) durchläßt, ist zwischen dem ersten Tor P11 und dem dritten Tor P13 definiert.

Fig. 3 ist ein Schaltungsdiagramm des ersten Hochfrequenz schalters 12, den das Hochfrequenzmodul, das in Fig. 1 ge zeigt ist, aufweist. Der erste Hochfrequenzschalter 12 ist mit dem ersten bis dritten Tor P21 bis P23, einem Steue rungsanschluß Vc1, Dioden D11 und D12, Induktoren L21 bis L23, Kondensatoren C21 und C22 und einem Widerstand R1 ver sehen.

Zwischen das erste Tor P21 und das zweite Tor P22 ist die Diode D11 derart geschaltet, daß ihre Anode an der Seite des ersten Tors P21 angebracht ist. Die Diode 11 ist auch parallel mit einer Serienschaltung geschaltet, die den In duktor L21 und den Kondensator C21 umfaßt. Die Seite des zweiten Tors P22 der Diode D11, nämlich die Diode, ist durch den Induktor L22, der eine Drosselspule definiert, geerdet.

Zwischen das erste Tor P21 und das dritte Tor P23 ist der Induktor L23 geschaltet. Die Seite des dritten Tors P23 des Induktors L23 ist durch die Diode D12 und den Kondensator C22 geerdet. Der Verbindungspunkt der Anode der Diode D12 und des Kondensators C22 ist durch den Widerstand R1 mit dem Steuerungsanschluß Vc1 verbunden.

Fig. 4 ist ein Schaltungsdiagramm des zweiten Hochfrequenz schalters 13, den das Hochfrequenzmodul, das in Fig. 1 ge zeigt ist, aufweist. Der zweite Hochfrequenzschalter 13 ist mit dem ersten bis dritten Tor P31 bis P33, einem Steue rungsanschluß Vc2, Dioden D21 und D22, Induktoren L31 und L32, einem Kondensator C31 und einem Widerstand R2 verse hen.

Zwischen das erste Tor P31 und das zweite Tor P32 ist die Diode D21 derart geschaltet, daß ihre Anode an der Seite des ersten Tors P31 angeordnet ist. Die Seite des zweiten Tors P32 der Diode D21, nämlich die Kathode, ist durch den Induktor L31, der eine Drosselspule definiert, geerdet.

Zwischen das erste Tor P31 und das dritte Tor P33 ist der Induktor L32 geschaltet. Die Seite des dritten Tors T33 des Induktors L32 ist durch die Diode D22 und den Kondensator C31 geerdet. Der Verbindungspunkt der Anode der Diode D22 und des Kondensators C31 ist durch den Widerstand R2 mit dem Steuerungsanschluß Vc2 verbunden.

Fig. 5 ist ein Schaltungsdiagramm des SAW-Duplexers 14, den das Hochfrequenzmodul, das in Fig. 1 gezeigt ist, aufweist. Der SAW-Duplexer 14 ist mit dem ersten bis dritten Tor P41 bis P43, SAW-Filtern SAW1 und SAW2, Induktoren L41 und L42 und Kondensatoren C41 bis C44 versehen. Zwischen das erste Tor P41 und das zweite Tor P42 sind der Kondensator C41, das SAW-Filter SAW1 und eine Phasenumwandlungseinheit 141 in Serie geschaltet. Zwischen das erste Tor P41 und das dritte Tor P43 sind der Kondensator C41, das SAW-Filter SAW2 und eine Phasenumwandlungseinheit 142 in Serie ge schaltet.

Die Phasenumwandlungseinheit 141 umfaßt den Induktor L41 und die Kondensatoren C42 und C43. Beide Enden des Induk tors L41 sind durch die Kondensatoren C42 und C43 mit Masse verbunden. Die Phasenumwandlungseinheit 142 umfaßt den In duktor L42 und den Kondensator C44. Die Seite des SAW- Filters SAW2 des Induktors L42 ist durch den Kondensator C44 mit Masse verbunden.

Bei der Phasenumwandlungseinheit 141 sind die Induktivität des Induktors L41 und die Kapazitäten der Kondensatoren C42 und C43 derart spezifiziert, daß die Eingangsimpedanz des SAW-Filters SAW1 in dem Frequenzband (1,8-GHz-Band) des DCS, das mit dem zweiten Tor P42 verbunden ist, offen ist. Auf die gleiche Weise sind bei der Phasenumwandlungseinheit 142 die Induktivität des Induktors L42 und die Kapazität des Kondensators C44 derart spezifiziert, daß die Eingangs impedanz des SAW-Filters SAW2 in dem Frequenzband (1,9-GHz- Band) des PCS, der mit dem dritten Tor P43 verbunden ist, offen ist.

Fig. 6 ist ein Schaltungsdiagramm des ersten LC-Filters 15, das das Hochfrequenzmodul, das in Fig. 1 gezeigt ist, auf weist. Das erste LC-Filter 15 ist mit dem ersten und zwei ten Tor P51 und P52, Induktoren L51 und L52 und Kondensato ren C51 bis C53 versehen.

Zwischen das erste Tor P51 und das zweite Tor P52 sind eine Parallelschaltung, die durch den Induktor L51 und den Kon densator C51 definiert ist, und eine Parallelschaltung, die durch den Induktor L52 und den Kondensator C51 definiert ist, in Serie geschaltet, wobei der Verbindungspunkt dieser Parallelschaltungen durch den Kondensator C53 geerdet ist.

Fig. 7 ist ein Schaltungsdiagramm des zweiten LC-Filters 16, das das Hochfrequenzmodul, das in Fig. 1 gezeigt ist, aufweist. Das zweite LC-Filter 16 ist mit dem ersten und zweiten Tor P51 und P62, einem Induktor L61 und Kondensato ren C61 bis C63 versehen.

Zwischen das erste Tor P61 und das zweite Tor P62 ist eine Parallelschaltung, die durch den Induktor L61 und den Kon densator C61 definiert ist, in Serie geschaltet, wobei bei de Enden der Parallelschaltung durch die Kondensatoren C62 und C63 geerdet sind.

Fig. 8 ist eine auseinandergezogene, perspektivische An sicht eines Hauptabschnitts des Hochfrequenzmoduls 10, das die Schaltungsstruktur aufweist, die in Fig. 1 gezeigt ist. Das Hochfrequenzmodul 10 umfaßt ein laminiertes Bauglied 18. Das laminierte Bauglied 18 umfaßt in seinem Inneren, obwohl dies nicht gezeigt ist, die Induktoren L11 und L12 und die Kondensatoren C11 bis C15 des Diplexers 11, die In duktoren L21 und L23 und den Kondensator C22 des ersten Hochfrequenzschalters 12, den Induktor 32 und den Kondensa tor C31 des zweiten Hochfrequenzschalters 13, die Indukto ren L41 und L42 und die Kondensatoren C42 bis C44 des SAW- Duplexers 14, die Induktoren L51 und L52 und die Kondensa toren C51 bis C53 des ersten LC-Filters 15 und den Induktor L61 und die Kondensatoren C61 bis C63 des zweiten LC- Filters 16.

Die folgenden Elemente werden vorzugsweise an der vorderen Oberfläche des laminierten Baugliedes 18 befestigt: die Dioden D11 und D12, der Induktor (Drosselspule) L22, der Kondensator C21 und der Widerstand R1 des ersten Hochfre quenzschalters 12; die Dioden D21 und D22, der Induktor (Drosselspule) L31 und der Widerstand R2 des zweiten Hoch frequenzschalters 13; die SAW-Filter SAW1 und SAW2 und der Kondensator C41 des SAW-Duplexers 14 und das SAW-Filter 17.

Von den Seitenoberflächen zu der unteren Oberfläche des la minierten Baugliedes 18 erstrecken sich 18 äußere Anschlüs se Ta bis Tr. Die äußeren Anschlüsse Ta bis Tr werden vor zugsweise durch ein Siebdrucken oder ein anderes geeignetes Verfahren gebildet. Die äußeren Anschlüsse Ta und Tb defi nieren das zweite Tor P42 des SAW-Duplexers 14. Der äußere Anschluß Tc definiert den Steuerungsanschluß Vc1 des ersten Hochfrequenzschalters 12. Der äußere Anschluß Td definiert das zweite Tor P62 des zweiten LC-Filters 16. Der äußere Anschluß Tf definiert das zweite Tor P52 des ersten LC- Filters 15. Der äußere Anschluß Tg definiert den Steue rungsanschluß Vc2 des zweiten Hochfrequenzschalters 13. Der äußere Anschluß Ti definiert das erste Tor P11 des Diple xers 11. Die äußeren Anschlüsse Tk und Tl definieren das zweite Tor P72 des SAW-Filters 17. Die äußeren Anschlüsse Tn und To definieren das dritte Tor P43 des SAW-Duplexers 14. Die äußeren Anschlüsse Te, Th, Tj, Tm, Tp, Tq und Tr definieren die Masseanschlüsse.

Eine Metallkappe 20 ist auf dem laminierten Bauglied 18 plaziert, um die vordere Oberfläche des laminierten Bau gliedes 18 zu bedecken. Vorsprünge 201 und 202 der Metall kappe 20 sind mit den äußeren Anschlüssen Th und Tj des la minierten Baugliedes 18 verbunden.

Die Fig. 9(a) bis 9(h) und die Fig. 10(a) bis 10(f) sind Draufsichten der dielektrischen Schichten, die das Hochfre quenzmodul, das in Fig. 8 dargestellt ist, aufweist, wobei Fig. 10(g) die Unteransicht der dielektrischen Schicht, die in Fig. 10 (f) gezeigt ist, ist. Das laminierte Bauglied 18 ist vorzugsweise durch ein sequentielles Laminieren einer ersten bis vierzehnten dielektrischen Schicht 18a-18n, die vorzugsweise aus einer Keramik bestehen, die Barium oxid, Aluminiumoxid und Silika von oben als eine Hauptkom ponente aufweist, durch ein Backen bei einer Backtemperatur von ca. 1.000°C oder mehr und durch Umdrehen derselben ge bildet. Anders ausgedrückt definiert die vierzehnte dielek trische Schicht 18n die obere Schicht des laminierten Bau gliedes 18, wobei die erste dielektrische Schicht 18a die untere Schicht des laminierten Baugliedes 18 definiert.

Auf der oberen Oberfläche der ersten dielektrischen Schicht 18a sind die äußeren Anschlüsse Ta bis Tr vorgesehen. Auf den oberen Oberflächen der zweiten, vierten und dreizehnten dielektrischen Schicht 18b, 18d und 18m sind Masseelektro den Gp1 bis Gp3 jeweils vorgesehen. Auf den oberen Oberflä chen der dritten bis sechsten und der zehnten bis zwölften dielektrischen Schicht 18c bis 18f und 18j bis 181 sind Kondensatorelektroden Cp1 bis Cp19 vorgesehen.

Zusätzlich sind auf den oberen Oberflächen der siebten bis neunten dielektrischen Schicht 18g bis 18i Streifenlei tungselektroden ST1 bis ST26 vorgesehen. Auf der oberen Oberfläche der vierzehnten dielektrischen Schicht 18n ist eine Verdrahtung Li vorgesehen.

Ferner sind auf der oberen Oberfläche der vierzehnten die lektrischen Schicht (18n in Fig. 10(g)) Anschlußbereiche La zum Befestigen der Dioden D11, D12, D21 und D22, der Induk toren L22 und L31, der Kondensatoren C22 und C41, der Wi derstände R1 und R2 und der SAW-Filter SAW1, SAW2 und 17 auf der vorderen Oberfläche des laminierten Bauglieds 18 vorgesehen. Durchgangslochelektroden Vh sind an vorbestimm ten Positionen in der dritten bis vierzehnten dielektri schen Schicht 18c bis 18n gebildet.

Bei dieser Struktur umfaßt der Induktor L11 (siehe Fig. 2) des Diplexers 11 die Streifenleitungselektroden ST4, ST13 und ST22, wobei der Induktor L12 (siehe Fig. 2) die Strei fenleitungselektroden ST2, ST11 und ST21 umfaßt. Der Kon densator C11 (siehe Fig. 2) umfaßt vorzugsweise die Konden satorelektroden Cp16, Cp17 und Cp19. Der Kondensator C12 (siehe Fig. 2) umfaßt vorzugsweise die Kondensatorelektro den Cp16, Cp18 und Cp19. Der Kondensator C13 (siehe Fig. 2) umfaßt vorzugsweise die Kondensatorelektrode Cp4 und die Masseelektroden Gp1 und Gp2. Der Kondensator C14 (siehe Fig. 2) umfaßt vorzugsweise die Kondensatorelektroden Cp7, Cp8 und Cp12. Der Kondensator C15 (siehe Fig. 2) umfaßt vorzugsweise die Kondensatorelektroden Cp7 und Cp12 und die Masseelektroden Gp1 und Gp2.

Der Induktor L21 (siehe Fig. 3) des ersten Hochfrequenz schalters 12 umfaßt die Streifenleitungselektroden ST7, ST17 und ST25, wobei der Induktor 23 (siehe Fig. 3) die Streifenleitungselektroden ST3 und ST12 umfaßt. Der Konden sator C22 (siehe Fig. 3) umfaßt die Kondensatorelektrode Cp5 und Masseelektroden Gp1 und Gp2.

Der Induktor L32 (siehe Fig. 4) des zweiten Hochfrequenz schalters 13 umfaßt Streifenleitungselektroden ST6 und ST15. Der Kondensator C32 (siehe Fig. 4) umfaßt die Konden satorelektrode Cp6 und die Masseelektroden Gp1 und Gp2.

Der Induktor L41 (siehe Fig. 5) des SAW-Duplexers 14 umfaßt die Streifenleitungselektroden ST5, ST14 und ST23, wobei der Induktor L42 (siehe Fig. 5) die Streifenleitungselek troden ST1, ST10 und ST20 umfaßt. Der Kondensator C42 (sie he Fig. 5) umfaßt die Kondensatorelektrode Cp3 und die Mas seelektroden Gp1 und Gp2, wobei der Kondensator C43 (siehe Fig. 5) die Kondensatorelektrode Cp2 und die Masseelektro den Gp1 und Gp2 umfaßt, und wobei der Kondensator C44 (sie he Fig. 5) die Kondensatorelektrode Cp1 und die Masseelek troden Gp1 und Gp2 umfaßt.

Der Induktor L51 (siehe Fig. 6) des ersten LC-Filters 15 umfaßt die Streifenleitungselektroden ST8, ST18 und ST26, wobei der Induktor L52 (siehe Fig. 6) die Streifenleitungs elektroden ST9 und ST19 umfaßt. Der Kondensator C51 (siehe Fig. 6) umfaßt die Kondensatorelektroden Cp11 und Cp14, wo bei der Kondensator C52 (siehe Fig. 6) die Kondensatorelek troden C11 und C15 umfaßt, und wobei der Kondensator C53 (siehe Fig. 6) die Kondensatorelektrode Cp11 und die Masse elektrode Gp2 umfaßt.

Der Induktor L61 (siehe Fig. 7) des zweiten LC-Filters 16 umfaßt die Streifenleitungselektroden ST16 und ST24. Der Kondensator C61 (siehe Fig. 7) umfaßt die Kondensatorelek troden Cp10 und Cp13, wobei der Kondensator C62 (siehe Fig. 7) die Kondensatorelektrode Cp9 und die Masseelektrode Gp2 umfaßt, und wobei der Kondensator C63 (siehe Fig. 7) die Kondensatorelektrode Cp10 und die Masseelektrode Gp2 um faßt.

Die Operation des Hochfrequenzmoduls 10, das die Schal tungsstruktur aufweist, die in Fig. 1 gezeigt ist, wird als nächstes beschrieben. Wenn ein Sendesignal von dem DCS (1,8-GHz-Band) oder von dem PCS (1,9-GHz-Band) gesendet wird, wird eine Spannung von 1 V an den Steuerungsanschluß Vc1 in dem ersten Hochfrequenzschalter 12 angelegt, um das erste Tor P21 und das zweite Tor P22 in dem ersten Hochfre quenzschalter 12 zu verbinden, um das Sendesignal von dem DCS oder dem PCS von der Antenne ANT durch das erste LC- Filter 15, den ersten Hochfrequenzschalter 12 und den Di plexer 11 zu senden.

In diesem Fall läßt das erste LC-Filter 15 das Sendesignal von dem DCS oder dem PCS durch und dämpft die Harmonischen des Sendesignals. Bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 wird eine Spannung von 0 V an den Steuerungsanschluß Vc2 angelegt, um den zweiten Hochfrequenzschalter 13 zu deakti vieren.

Wenn ein Sendesignal von dem GSM (900-MHz-Band) gesendet wird, wird eine Spannung von 1 V an den Steuerungsanschluß Vc2 in dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 angelegt, um das erste Tor P31 und zweite Tor P32 in dem zweiten Hochfre quenzschalter 13 zu verbinden, um das Sendesignal von dem GSM von der Antenne ANT durch das zweite LC-Filter 16, den zweiten Hochfrequenzschalter 13 und den Diplexer 11 zu sen den.

In diesem Fall läßt das zweite LC-Filter 16 das Sendesignal von dem GSM durch und dämpft die Harmonischen des Sendesi gnals. Bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 wird eine Spannung von 0 V an den Steuerungsanschluß Vc1 angelegt, um den ersten Hochfrequenzschalter 12 zu deaktivieren.

Wenn ein Empfangssignal für das DCS empfangen wird, wird eine Spannung von 0 V an den Steuerungsanschluß Vc1 des er sten Hochfrequenzschalters 12 angelegt, um das erste Tor P21 und das dritte Tor P23 in dem ersten Hochfrequenzschal ter 12 zu verbinden, wobei das DCS-Empfangssignal zu der Seite des zweiten Tors P42 in dem SAW-Duplexer 14 gesendet wird, so daß das DCS-Empfangssignal, das durch die Antenne ANT empfangen wird, zu dem Empfangsabschnitt Rxd des DCS durch den Diplexer 11, den ersten Hochfrequenzschalter 12 und den SAW-Duplexer 14 gesendet wird.

In diesem Fall läßt der SAW-Duplexer 14 das DCS- Empfangssignal durch und dämpft die Harmonischen des Emp fangssignals. Bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 wird eine Spannung von 0 V an den Steuerungsanschluß Vc2 ange legt, um den zweiten Hochfrequenzschalter 13 zu deaktivie ren.

Wenn ein Empfangssignal für den PCS empfangen wird, wird eine Spannung von 0 V an den Steuerungsanschluß Vc1 in dem ersten Hochfrequenzschalter 12 angelegt, um das erste Tor P21 und das dritte Tor P23 in dem ersten Hochfrequenzschal ter 12 zu verbinden, wobei das PCS-Empfangssignal zu der Seite des dritten Tors P43 in dem SAW-Duplexer 14 gesendet wird, so daß das PCS-Empfangssignal, das durch die Antenne ANT empfangen wurde, zu dem Empfangsabschnitt Rxp des PCS durch den Diplexer 11, den ersten Hochfrequenzschalter 12 und den SAW-Duplexer 14 gesendet wird.

In diesem Fall läßt der SAW-Duplexer 14 das PCS- Empfangssignal durch und dämpft die Harmonischen des Emp fangssignals. Bei dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 wird eine Spannung von 0 V an den Steuerungsanschluß Vc2 ange legt, um den zweiten Hochfrequenzschalter 13 zu deaktivie ren.

Wenn ein Empfangssignal für das GSM empfangen wird, wird eine Spannung von 0 V an den Steuerungsanschluß Vc2 in dem zweiten Hochfrequenzschalter 13 angelegt, um das erste Tor P31 und das dritte Tor P33 in dem zweiten Hochfrequenz schalter 13 zu verbinden, um das GSM-Empfangssignal, das durch die Antenne ANT empfangen wurde, zu dem Empfangsab schnitt Rxg des GSM durch den Diplexer 11, den zweiten Hochfrequenzschalter 13 und das SAW-Filter 17 zu senden.

In diesem Fall läßt das SAW-Filter 17 das GSM- Empfangssignal durch und dämpft die Harmonischen des Emp fangssignals. Bei dem ersten Hochfrequenzschalter 12 wird eine Spannung von 0 V an den Steuerungsanschluß Vc1 ange legt, um den ersten Hochfrequenzschalter 12 zu deaktivie ren.

Gemäß dem Hochfrequenzmodul des oben beschriebenen bevor zugten Ausführungsbeispiels wird, da der Duplexer, der er ste und der zweite Hochfrequenzschalter und der SAW- Duplexer vorgesehen sind, und da der SAW-Duplexer den Emp fangsabschnitt des ersten Kommunikationssystems und den Empfangsabschnitt des zweiten Kommunikationssystems trennt, die Zahl der Hochfrequenzschalter reduziert. Als ein Ergeb nis wird die Zahl der verwendeten Dioden reduziert, wobei der Leistungsverbrauch der Hochfrequenzmodule stark redu ziert wird. Zusätzlich wird während einer Signalempfangs operation kein Strom benötigt.

Da der Diplexer, der erste und der zweite Hochfrequenz schalter und der SAW-Duplexer, die das Hochfrequenzmodul aufweist, in das laminierte Bauglied integriert sind, das durch Laminieren einer Mehrzahl von Lagenschichten erzielt wird, die aus einer Keramik gebildet werden, wird die An passungscharakteristik, die Dämpfungscharakteristik und die Trennungscharakteristik jeder Komponente erzielt. Deshalb wird keine Anpassungsschaltung zwischen dem Diplexer und dem ersten und dem zweiten Hochfrequenzschalter oder zwi schen dem ersten Hochfrequenzschalter und dem SAW-Duplexer benötigt. Folglich ist das Hochfrequenzmodul sehr kompakt. Bei einem Beispiel bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung hatte das resultierende laminierte Bauglied Abmessungen von ca. 7,0 mm mal 5,0 mm mal 1,8 mm, wobei das laminierte Bauglied den Diplexer, den ersten und den zweiten Hochfrequenzschalter, den SAW-Duplexer, das er ste und das zweite LC-Filter und das SAW-Filter umfaßte.

Der Diplexer umfaßt vorzugsweise Induktoren und Kondensato ren. Der erste und der zweite Hochfrequenzschalter umfaßt vorzugsweise Dioden, Induktoren und Kondensatoren. Der SAW- Duplexer umfaßt vorzugsweise SAW-Filter und Übertragungs leitungen. Das erste und das zweite LC-Filter umfaßt vor zugsweise Induktoren und Kondensatoren. All diese Elemente werden vorzugsweise in das laminierte Bauglied eingebaut oder an diesem befestigt, und sind vorzugsweise durch Ver bindungsbauglieder, die sich im Inneren des laminierten Baugliedes befinden, verbunden. Deshalb ist das Hochfre quenzmodul durch ein einzelnes laminiertes Bauglied defi niert und sehr kompakt. Zusätzlich wird ein Verlust, der durch Verdrahtungen zum Verbinden von Komponenten bewirkt wird, stark reduziert, wobei als ein Ergebnis der Verlust des gesamten Hochfrequenzmoduls stark reduziert wird.

Da die Längen der Induktoren und der Übertragungsleitungen, die in das laminierte Bauglied eingebaut sind, durch einen Wellenlängenreduktionseffekt reduziert sind, werden die Einfügungsverluste dieser Induktoren und Übertragungslei tungen stark reduziert. Deshalb kann ein kompaktes Hochfre quenzmodul mit niedrigem Verlust erzeugt werden, wobei eine kompakte mobile Kommunikationsvorrichtung mit hoher Lei stung, an der das Hochfrequenzmodul angebracht ist, erzeugt werden kann.

Fig. 11 ist ein Blockdiagramm, das einen Abschnitt der Struktur eines tragbaren Dreibandtelefons zeigt, das eine mobile Kommunikationsvorrichtung ist. Bei diesem Telefon werden ein DCS unter Verwendung des 1,8-GHz-Bandes, ein PCS unter Verwendung des 1,9-GHz-Bandes und ein GSM unter Ver wendung des 900-MHz-Bandes vorzugsweise kombiniert.

Das tragbare Dreibandtelefon 30 ist mit dem Hochfrequenzmo dul 10 (siehe Fig. 1), in dem eine Antenne ANT und die Eingangs-Abschnitte des DCS, des PCS und des GSM integriert sind, sowie mit einem Sendeabschnitt Txdp, der gemein schaftlich von dem DCS und dem PCS verwendet wird, einem Empfangsabschnitt Rxp des PCS, einem Empfangsabschnitt Rxd des DCS, einem Sendeabschnitt Txg des GSM und einem Emp fangsabschnitt Rxg des GSM ausgestattet.

Das Tor P11 des Hochfrequenzmoduls 10 ist mit der Antenne ANT verbunden, wobei die Tore P43, P42, P52, P62 und P72 mit dem Empfangsabschnitt Rxp des PCS, dem Empfangsab schnitt Rxd des DCS, dem Sendeabschnitt Txdp, der dem DCS und dem PCS gemein ist, dem Sendeabschnitt Txg des GSM bzw. dem Empfangsabschnitt Rxg des GSM verbunden sind.

Gemäß dem oben beschriebenen tragbaren Dreibandtelefon kann, da das Hochfrequenzmodul den Leistungsverbrauch stark reduziert und während des Empfangs keinen Strom benötigt, die mobile Kommunikationsvorrichtung, die dieses Hochfre quenzmodul aufweist, einen niedrigeren Leistungsverbrauch haben und benötigt keinen Strom, wenn sie auf einen Anruf wartet. Als ein Ergebnis kann eine Batterie, die in der mo bilen Kommunikationsvorrichtung eingebaut ist, über einen sehr viel längeren Zeitraum verwendet werden.

Zusätzlich ist, da das kompakte und Hochfrequenzmodul mit niedrigem Verlust verwendet wird, die mobile Kommunikati onsvorrichtung, die dieses Hochfrequenzmodul aufweist, sehr kompakt und liefert eine hervorragende Leistung.

Bei dem Hochfrequenzmodul verschiedener oben beschriebener bevorzugter Ausführungsbeispiele umfaßt das laminierte Bau glied vorzugsweise in seinem Inneren alle Elemente des Di plexers, und einen Abschnitt der Elemente des ersten und des zweiten Hochfrequenzschalters und des SAW-Duplexers, wobei die verbleibenden Elemente des ersten und des zweiten Hochfrequenzschalters und des SAW-Duplexers an dem lami nierten Bauglied angebracht sind. Eine Struktur, in der al le Elemente des Diplexers, des ersten und des zweiten Hoch frequenzschalters und des SAW-Duplexers auf der gleichen gedruckten Schaltungsplatine angebracht sind, kann eben falls verwendet werden. Alternativ kann eine Struktur, bei der alle Elemente des Diplexers, und ein Abschnitt der Ele mente des ersten und des zweiten Hochfrequenzschalters und des SAW-Duplexers in ein laminiertes Bauglied eingebaut sind, und die verbleibenden Elemente des ersten und des zweiten Hochfrequenzschalters und des SAW-Duplexers auf der gleichen gedruckten Schaltungsplatine angebracht sind, ver wendet werden.

Bei dem obigen Fall werden die Phasenumwandlungseinheiten des SAW-Duplexers vorzugsweise durch Konzentrierte- Konstante-Elemente definiert, die durch ein Kombinieren von Induktoren und Kondensatoren erzielt werden. Selbst wenn die Phasenumwandlungseinheiten durch Verteilte-Konstante- Elemente, wie z. B. Streifenleitungen, definiert sind, wer den die gleichen Vorteile erzielt.

Bei dem obigen Fall sind die SAW-Filter auf der vorderen Oberfläche des laminierten Baugliedes angebracht. Diese können in einem Hohlraum angebracht sein, der an der unte ren Oberfläche jeder Oberfläche des laminierten Baugliedes gebildet ist.

Bei dem obigen Fall sind die SAW-Filter Nackt-Chip- Elemente, wobei diese jedoch auch in einem Packet angeord net sein können.

Claims

1. Hochfrequenzmodul (10) mit folgenden Merkmalen:
Eingangs-Abschnitten eines ersten, zweiten und dritten Kommunikationssystems, die Frequenzen aufweisen, die unterschiedlich voneinander sind, wobei die Eingangs- Abschnitte des ersten, zweiten und dritten Kommunika tionssystems gemeinsam integriert sind und folgende Merkmale aufweisen:
einen Diplexer (11), der angeordnet ist, um ein Sende signal von dem ersten, dem zweiten oder dem dritten Kommunikationssystem während eines Sendens mit einer Antenne(ANT) zu koppeln, und der angeordnet ist, um ein Empfangssignal von der Antenne während eines Emp fangens zu einem des ersten bis dritten Kommunikati onssystems zu verteilen;
einen ersten Hochfrequenzschalter (12), der angeordnet ist, um einen Sendeabschnitt (Txdp) für das erste und das zweite Kommunikationssystem und Empfangsabschnitte (Rxd, Rxp) für das erste und das zweite Kommunikati onssystem zu trennen;
einen SAW-Duplexer (14), der angeordnet ist, um einen Empfangsabschnitt (Rxp) für das erste Kommunikations system und einen Empfangsabschnitt (Rxd) für das zwei te Kommunikationssystem zu trennen; und
einen zweiten Hochfrequenzschalter (13), der angeord net ist, um einen Sendeabschnitt (Txg) und einen Emp fangsabschnitt (Rxg) für das dritte Kommunikationssy stem zu trennen.

2. Hochfrequenzmodul gemäß Anspruch 1, das ferner zumin dest entweder ein erstes Filter (15), das angeordnet ist, um ein Sendesignal von dem ersten und dem zweiten Kommunikationssystem durchzulassen, ein zweites Filter (16), das angeordnet ist, um ein Sendesignal von dem dritten Kommunikationssystem durchzulassen, oder ein drittes Filter (17) aufweist, das angeordnet ist, um ein Empfangssignal für das dritte Kommunikationssystem durchzulassen.

3. Hochfrequenzmodul (10) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem der SAW-Duplexer (14) ein SAW-Filter (SAW1, SAW2) und eine Phasenumwandlungskomponente (141, 142) um faßt, die mit dem SAW-Filter verbunden ist.

4. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das erste Kommunikationssystem ein DCS ist, das ein 1,8-GHz-Band verwendet, bei dem das zweite Kommunikationssystem ein PCS ist, der ein 1,9-GHz-Band verwendet, und bei dem das dritte Kommunikationssystem ein GSM ist, das ein 900-MHz-Band verwendet.

5. Hochfrequenzmodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, das ferner einen laminierten Körper (18) aufweist, der eine Mehrzahl von laminierten Lagen umfaßt, wobei der Diplexer (11), der erste und der zweite Hochfrequenz schalter (12, 13) und der SAW-Duplexer (14) in oder an dem laminierten Körper angeordnet sind.

6. Hochfrequenzmodul (10) gemäß Anspruch 5, bei dem der Diplexer (11) vollständig in dem laminierten Körper (18) angeordnet ist, und bei dem der erste und der zweite Hochfrequenzschalter (12, 13) und der SAW- Duplexer (14) jeweils teilweise in dem laminierten Körper angeordnet sind.

7. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Diplexer (11) Induktoren und Kondensa toren umfaßt.

8. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem sowohl der erste als auch der zweite Hoch frequenzschalter (12, 13) Dioden, Induktoren und Kon densatoren umfaßt.

9. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem der SAW-Duplexer (14) SAW-Filter (SAW1, SAW2) und Übertragungsleitungen umfaßt.

10. Hochfrequenzmodul (10) mit folgenden Merkmalen:
Eingangs-Abschnitten eines ersten, zweiten und dritten Kommunikationssystems, die Frequenzen aufweisen, die unterschiedlich voneinander sind, wobei die Eingangs- Abschnitte folgende Merkmale aufweisen:
einen Diplexer (11), der angeordnet ist, um ein Sende signal von dem ersten, zweiten oder dem dritten Kommu nikationssystem während eines Sendens an eine Antenne (ANT) zu senden, und der angeordnet ist, um ein Emp fangssignal von der Antenne während eines Empfangens zu dem ersten, zweiten oder dritten Kommunikationssy stem zu verteilen;
einen ersten Hochfrequenzschalter (12), der angeordnet ist, um einen Sendeabschnitt (Txdp) für das erste und das zweite Kommunikationssystem und Empfangsabschnitte (Rxp, Rxd) für das erste und das zweite Kommunikati onssystem zu trennen;
einen SAW-Duplexer (14), der angeordnet ist, um einen Empfangsabschnitt (Rxp) für das erste Kommunikations system und einen Empfangsabschnitt (Rxd) für das zwei te Kommunikationssystem zu trennen; und
einen zweiten Hochfrequenzschalter (13), der angeord net ist, um einen Sendeabschnitt (Txg) und einen Emp fangsabschnitt (Rxg) für das dritte Kommunikationssy stem zu trennen; wobei
der Diplexer (11), der erste und der zweite Hochfre quenzschalter (12, 13) und der SAW-Duplexer (14) ge meinsam integriert sind, um ein laminiertes Bauglied (18) zu definieren, das eine Mehrzahl von laminierten Lagenschichten umfaßt.

11. Hochfrequenzmodul (10) gemäß Anspruch 10, bei dem alle Elemente des Diplexers (11) und einige Elemente des ersten und des zweiten Hochfrequenzschalters (12, 13) und des SAW-Duplexers (14) in dem laminierten Bauglied (18) angeordnet sind, wobei die verbleibenden Elemente des ersten und des zweiten Hochfrequenzschalters und des SAW-Duplexers an dem laminierten Bauglied ange bracht sind.

12. Hochfrequenzmodul gemäß Anspruch 10 oder 11, das fer ner zumindest entweder ein Filter (15), das angeordnet ist, um ein Sendesignal von dem ersten oder dem zwei ten Kommunikationssystem durchzulassen, ein zweites Filter (16), das angeordnet ist, um ein Sendesignal von dem dritten Kommunikationssystem durchzulassen, oder ein drittes Filter (17) aufweist, das angeordnet ist, um ein Empfangssignal für das dritte Kommunikati onssystem durchzulassen.

13. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, bei dem der SAW-Duplexer (14) ein SAW-Filter (SAW1, SAW2) und eine Phasenumwandlungskomponente (141, 142) umfaßt, die mit dem SAW-Filter verbunden ist.

14. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 13, bei dem das erste Kommunikationssystem ein DCS ist, das ein 1,8-GHz-Band verwendet, bei dem das zwei te Kommunikationssystem ein PCS ist, der ein 1,9-GHz- Band verwendet, und bei dem das dritte Kommunikations system ein GSM ist, das ein 900-MHz-Band verwendet.

15. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14, bei dem der Diplexer (11) Induktoren und Kon densatoren umfaßt.

16. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 15, bei dem sowohl der erste als auch der zweite Hochfrequenzschalter (12, 13) Dioden, Induktoren und Kondensatoren umfaßt.

17. Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 16, bei dem der SAW-Duplexer (14) SAW-Filter und Übertragungsleitungen umfaßt.

18. Mobile Kommunikationsvorrichtung mit folgenden Merkma len:
einem Hochfrequenzmodul (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 17, das angeordnet ist, um die Eingangs- Abschnitte des ersten bis dritten Kommunikationssy stems zu definieren;
Empfangsabschnitten für das erste bis dritte Kommuni kationssystem; und
Sendeabschnitten für das erste bis dritte Kommunikati onssystem.