DE10056881A1 - Integrierter Speicher - Google Patents
Integrierter SpeicherInfo
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Abstract
Ein integrierter Speicher enthält ein Speicherzellenfeld (1, 2), das Zeilenleitungen (WL) und Spaltenleitungen (BL) aufweist. Ein Zeilendekoder (11, 12) dient zur Aktivierung der Zeilenleitungen (WL). Adressleitungen (RAD1, RAD2) zur Übertragung von Adresssignalen sind mit dem Zeilendekoder (11, 12) verbunden. Eine Steuerleitung (RAV1, RAV2) dient zur Anzeige einer Gültigkeit der Adresssignale. Der Speicher weist eine Verzögerungsschaltung (8) auf zur Ausgabe eines Ausgangssignals (RAVLD) auf die Steuerleitung, das in Bezug zu einem Auswahlsignal (BSEL) zur Auswahl einer der Speicherzellen zeitlich verzögert ist. Die Verzögerungsschaltung (8) enthält eine Stromquelle (81) und eine Kapazität (82), die durch die Stromquelle (81) aufladbar oder entladbar ist. Dadurch ist eine geringe Zugriffszeit für einen Speicherzugriff weitgehend unabhängig von Spannungsschwankungen der Versorgungsspannung (V1) des Speichers ermöglicht.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen integrierten Spei
cher mit einem Speicherzellenfeld, das Zeilenleitungen zur
Auswahl von Speicherzellen und Spaltenleitungen zum Auslesen
oder Schreiben von Datensignalen der Speicherzellen aufweist,
mit einem Zeilendecoder zur Aktivierung der Zeilenleitungen,
mit Adreßleitungen, die mit dem Zeilendecoder verbunden sind,
zur Übertragung von Adreßsignalen und mit einer Steuerleitung
zur Anzeige einer Gültigkeit der Adreßsignale, die mit dem
Zeilendecoder verbunden ist.
Ein integrierter Speicher weist im allgemeinen ein oder meh
rere Speicherzellenfelder auf, die jeweils Spaltenleitungen
und Zeilenleitungen umfassen. Die Speicherzellen sind dabei
in Kreuzungspunkten der Spaltenleitungen und Zeilenleitungen
angeordnet. Die Speicherzellen sind jeweils mit einer der
Zeilenleitungen verbunden. Zur Auswahl der Speicherzellen
werden Auswahltransistoren von jeweiligen Speicherzellen
durch eine aktivierte Zeilenleitung leitend geschaltet, wo
durch im Anschluß ein Auslesen oder Schreiben eines Datensi
gnals einer ausgewählten Speicherzelle erfolgen kann. Die
ausgewählte Speicherzelle ist dazu über den Auswahltransistor
mit einer, der Spaltenleitungen verbunden, über die das jewei
lige Datensignal ausgelesen beziehungsweise eingeschrieben
wird. Ein Zeilendecoder dient dabei zur Aktivierung der Zei
lenleitungen. Zur Übertragung von Adreßsignalen sind Adreß
leitungen mit dem Zeilendecoder verbunden.
Die Adreßsignale werden im allgemeinen über die gesamte Länge
eines jeweiligen Speicherzellenfeldes geführt. Üblicherweise
ist der Zeilendecoder in einzelne sogenannte Reihensegmente
aufgeteilt, wobei er in diesem Fall die Adreßtreiber in jedem
Reihensegment belastet. Die Laufzeit beziehungsweise die
Flankensteilheit der Adreßsignale ist insbesondere am Ende
der jeweiligen Adreßleitung durch deren Widerstand und Kapa
zität und durch die Lastkapazitäten der angeschlossenen Tran
sistoren des Zeilendecoders limitiert.
Die Aktivierung einer Zeilenleitung eines integrierten Spei
chers erfolgt im allgemeinen durch Anlegen einer Zeilenlei
tungsadresse und Freigabe der Adreßsignale durch ein Gültig
keitssignal. Dieses liegt beispielsweise an einer Steuerlei
tung an, die mit dem Zeilendecoder verbunden ist. Das Gültig
keitssignal signalisiert die Gültigkeit der anliegenden
Adreßsignale für den Zeilendecoder. Es hat daher bedeutenden
Einfluß auf das Zeitverhalten des Speichers, das sogenannte
Timingverhalten, da eine Verzögerung des Gültigkeitssignals
den Zugriff auf eine Zeilenleitung gleichermaßen verzögert.
Andererseits ist ein definierter zeitlicher Sicherheitsab
stand zu den Adreßsignalen notwendig, da ansonsten unter Um
ständen die Adreßinformation des vorherigen Zugriffszyklus
ausdecodiert wird oder mit den aktuellen Adressen gemischt
wird.
Für die Funktion des Speichers ist es wichtig, daß einerseits
das Gültigkeitssignal zu den Adreßsignalen verzögert ist, an
dererseits eine Abhängigkeit der Adreßsignale bezüglich tech
nologischer Schwankungen Temperatur- und Spannungs schwankun
gen auch in der Generierung des Gültigkeitssignals ausrei
chend nachgebildet ist. Insbesondere sollte durch die genann
ten Effekte die Zugriffszeit nicht unnötig verlängert werden,
was den Datendurchsatz des Speichers verringert. Andererseits
sollte die Funktionsfähigkeit des Speichers beim Zugriff auf
eine der Speicherzellen nicht beeinträchtigt sein.
Eine definierte Verzögerung des Gültigkeitssignals kann bei
spielsweise mittels einer Inverterkette generiert werden. Die
Verzögerungszeit jeder einzelnen Inverterstufe hängt insbe
sondere von der Versorgungsspannung ab, wodurch die Span
nungsabhängigkeit für die gesamte Inverterkette mit der An
zahl der Inverter skaliert. Dadurch kann das Gültigkeitssignal
eine deutlich stärkere Abhängigkeit von der Versor
gungsspannung aufweisen als die Adreßsignale selbst. Dies muß
beispielsweise durch einen größeren zeitlichen Sicherheitsab
stand des Gültigkeitssignals kompensiert werden, wobei sich
die Zugriffszeit beim Speicherzugriff erhöht.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen inte
grierten Speicher der eingangs genannten Art anzugeben, bei
dem eine vergleichsweise geringe Zugriffszeit für einen Spei
cherzugriff weitgehend unabhängig von Spannungsschwankungen
der Versorgungsspannung des Speichers ermöglicht ist.
Die Aufgabe wird gelöst durch einen integrierten Speicher der
eingangs genannten Art mit einer Verzögerungsschaltung, die
mit der Steuerleitung verbindbar ist zur Ausgabe eines Aus
gangssignals, das in Bezug zu einem Auswahlsignal zur Auswahl
einer der Speicherzellen zeitlich verzögert ist, bei dem die
Verzögerungsschaltung eine Stromquelle und eine Kapazität
aufweist, die durch die Stromquelle aufladbar oder entladbar
ist.
Die Verzögerungsschaltung gibt das Ausgangssignal auf die
Steuerleitung aus, welches als Gültigkeitssignal zur Anzeige
der Gültigkeit der Adreßsignale verwendet werden kann. Die
Verzögerung dieses Gültigkeitssignals wird mittels einer
Schaltung aus Stromquelle und Kapazität erzeugt, wobei die
Kapazität durch die Stromquelle entladen oder aufgeladen
wird. Eine derartige Schaltung weist eine geringere Span
nungsabhängigkeit auf als beispielsweise eine Inverterkette.
Dadurch ist die Verzögerung des Ausgangssignals der Verzöge
rungsschaltung, das auf die Steuerleitung ausgegeben wird,
weitgehend unabhängig von Spannungsschwankungen der Versor
gungsspannung. Damit ist es ermöglicht, daß der zeitliche Si
cherheitsabstand des Gültigkeitssignals zu den Adreßsignalen
weitgehend unabhängig von der Versorgungsspannung eingestellt
werden kann. Dieser kann dabei so eingestellt werden, daß eine
vergleichsweise geringe Zugriffszeit für einen Speicherzu
griff erzielt ist.
Mit der Erfindung ergibt sich der weitere Vorteil, daß bei
einem Testbetrieb des Speichers mit erhöhter Versorgungsspan
nung die Testbarkeit des Speichers erleichtert ist. Insbeson
dere ist für einen Speicherzugriff keine Einführung eines ei
gens vorgesehenen Testmodes notwendig, der dafür sorgt, daß
das Gültigkeitssignal auch im Testbetrieb die für den Spei
cherzugriff erforderliche Verzögerung aufweist.
Die Erfindung ist insbesondere vorteilhaft einsetzbar bei
Speichern, deren Adreßleitungen entlang des Speicherzellen
feldes über die gesamte Länge des Speicherzellenfeldes ge
führt sind. Infolge der vergleichsweise langen Laufzeiten be
ziehungsweise niedrigeren Flankensteilheiten der Adreßsignale
am Ende des Speicherzellenfeldes ist eine zeitliche Verzöge
rung des Gültigkeitssignals von Vorteil, die vergleichsweise
genau und weitgehend unabhängig von Spannungsschwankungen der
Versorgungsspannung einstellbar ist. Ist das Speicherzellen
feld in einzelne Reihensegmente unterteilt und ist der Zei
lendecoder in jedem der Reihensegmente mit den Adreßleitungen
verbunden, so werden die Adreßtreiber in jedem der Reihenseg
mente durch den Zeilendecoder belastet. Dadurch sind maßgeb
liche Einflußgrößen auf die Laufzeit beziehungsweise die
Flankensteilheit der Adreßsignale gegeben, die entsprechend
genau bei der Generierung des Gültigkeitssignals nachgebildet
werden müssen. Mit der Verzögerungsschaltung des erfindungs
gemäßen integrierten Speichers ist das Gültigkeitssignal auf
der Steuerleitung weitgehend unempfindlich gegenüber Span
nungsschwankungen der Versorgungsspannung und dementsprechend
genau einstellbar, so daß die Zugriffszeit des Speichers
nicht unnötig verlängert werden muß.
Als Verzögerungsglied der Verzögerungsschaltung kann bei
spielsweise eine Konstantstromquelle dienen, welche die Kapa
zität auflädt. Die Konstantstromquelle ist vorteilhaft durch
einen Stromspiegel gebildet, wobei ein Ausgangspfad des
Stromspiegels mit der Kapazität koppelbar ist. Eine derartige
Anordnung weist eine vergleichsweise niedrige Abhängigkeit
von Spannungsschwankungen der Versorgungsspannung auf. Eine
verbleibende geringe Abhängigkeit kann weiter reduziert wer
den, indem die Stromquelle einen weiteren Stromspiegel auf
weist, der mit dem Stromspiegel gekoppelt ist.
Weitere vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen sind in Un
teransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der in der Zeichnung
dargestellten Figuren, die Ausführungsbeispiele der Erfindung
darstellen, näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Ausführungsform eines integrierten Speichers,
der mehrere Speicherzellenfelder aufweist,
Fig. 2 eine Ausführungsform einer Auswahlschaltung des in
tegrierten Speichers gemäß Fig. 1,
Fig. 3 eine Ausführungsform einer Timingschaltung aus
Fig. 2,
Fig. 4 eine Grundschaltung einer Verzögerungsschaltung,
Fig. 5 eine beispielhafte Ausführungsform einer Verzöge
rungsschaltung.
In Fig. 1 ist ein integrierter Speicher 10 dargestellt, der
mehrere Speicherzellenfelder aufweist. In der Darstellung
nach Fig. 1 sind dabei der Übersichtlichkeit halber nur drei
der Speicherzellenfelder dargestellt, hier in Form der Spei
cherzellenfelder 1, 2 und 3. Im Falle von vier Speicherzel
lenfeldern wird das jeweilige Speicherzellenfeld auch als so
genannter Quadrant bezeichnet. Jedes der Speicherzellenfelder
weist Zeilenleitungen WL und Spaltenleitungen BL auf. In
Kreuzungspunkten der Spaltenleitungen BL und Zeilenleitungen
WL sind Speicherzellen MC angeordnet. Diese sind jeweils mit
einer der Zeilenleitungen WL und einer der Spaltenleitungen
BL verbunden. Sie werden über die jeweiligen Zeilenleitungen
WL für einen Lese- oder Schreibvorgang ausgewählt. Über die
Spaltenleitungen BL wird ein Datensignal aus einer der Spei
cherzellen MC ausgelesen oder in eine der Speicherzellen ein
geschrieben. Ein derartiger Aufbau ist beispielhaft anhand
des Speicherzellenfeldes 1 dargestellt.
Die Zeilenleitungen WL werden über den Zeilendecoder 11 be
ziehungsweise 12 ausgewählt und aktiviert. Die Zeilendecoder
11 und 12 sind mit Adreßleitungen RAD1 beziehungsweise RAD2
verbunden, die an den Auswahlschaltungen 4 und 5 angeschlos
sen sind. Die Auswahlschaltung 4 ist darüber hinaus mit dem
Auswahlsignal BSEL1, die Auswahlschaltung 5 mit dem Auswahl
signal BSEL2 verbunden. Die Auswahlsignale BSEL1 und BSEL2
dienen zur Auswahl des jeweiligen Speicherzellenfeldes für
einen Speicherzellenzugriff. Über die Auswahlschaltungen 4
und 5 werden an die Adreßleitungen RAD1 und RAD2 die entspre
chenden Zeilenadressen angelegt. Über die an den Adreßleitun
gen RAD1 und RAD2 anliegenden Zeilenadressen werden die ent
sprechenden Zeilenleitungen WL durch den Zeilendecoder 11 be
ziehungsweise 12 ausgewählt. Die Auswahlschaltungen 4 und 5
sind ihrerseits mit Adreßleitungen ADR verbunden, die bei
spielsweise mit einem Adreßempfänger oder einem externen
Adreßanschluß verbunden sind.
Die Adreßleitungen RAD1 und RAD2 sind entlang des jeweiligen
Speicherzellenfeldes 1 und 2 über dessen gesamte Länge ge
führt. Die Speicherzellenfelder sind jeweils in einzelne Rei
hensegmente SG1 bis SG3 unterteilt, die jeweils durch Lese
verstärker SA voneinander getrennt sind und die in Richtung
der entsprechenden Adreßleitungen nebeneinander angeordnet
sind. Die jeweiligen Zeilendecoder sind in jedem der Reihen
segmente mit den entsprechenden Adreßleitungen verbunden. Ein
derartiger Aufbau ist beispielhaft anhand des Speicherzellen
feldes 2 dargestellt.
Der Speicher 10 weist außerdem Steuerleitungen RAV1 und RAV2
auf, die ein jeweiliges Gültigkeitssignal zur Anzeige einer
Gültigkeit der entsprechenden Adreßsignale übertragen. Die
jeweiligen Steuerleitungen sind wie die Adreßleitungen mit
den jeweiligen Zeilendecodern verbunden.
Die Aktivierung einer Zeilenleitung WL beispielsweise des
Speicherzellenfeldes 1 erfolgt durch Anlegen einer Zeilenlei
tungsadresse auf den Adreßleitungen RAD1 und durch Freigabe
der Adreßsignale durch ein Gültigkeitssignal, das auf der
Steuerleitung RAV1 anliegt. Die Adreßleitungen RAD1 bezie
hungsweise deren Adreßtreiber werden in jedem der Reihenseg
mente belastet. Die Laufzeit beziehungsweise die Flanken
steilheit der Adreßsignale ist insbesondere am Ende der
Adreßleitungen RAD1 durch Widerstand und Kapazität der Lei
tungen und durch Lastkapazitäten der angeschlossenen Transi
storen in den Reihensegmenten limitiert. Damit der Zeilende
coder 11 die Adreßinformation für den aktuellen Speicherzu
griff zuverlässig decodieren kann, weist das Gültigkeits
signal auf der Steuerleitung RAV1 eine definierte zeitliche
Verzögerung zu den Adreßsignalen auf.
In Fig. 2 ist eine Ausführungsform einer Auswahlschaltung
aus Fig. 1 in Form der Auswahlschaltung 40 gezeigt. Die
Adreßleitungen ADR sind über jeweilige Treiber mit den Adreß
leitungen RAD zur Übertragung einer Zeilenadresse verbunden.
Die Übertragung der entsprechenden Adreßsignale wird über das
Auswahlsignal BSEL gesteuert. Eine Timingschaltung 6 dient
zur Ausgabe eines Ausgangssignals RAVLD in Form eines Gültig
keitssignals, das in Bezug zu dem Auswahlsignal BSEL verzö
gert ist.
In Fig. 3 ist eine Ausführungsform der Timingschaltung 6 aus
Fig. 2 gezeigt. Diese weist eine Verzögerungsschaltung 8
auf, die mit Umsetzschaltungen 7 und 9 verbunden ist. Das
Eingangssignal DELl der Verzögerungsschaltung 8 wird über die
Umsetzschaltung 7 aus dem Auswahlsignal BSEL erzeugt. Aus dem
Ausgangssignal DELO der Verzögerungsschaltung 8 wird über die
Umsetzschaltung 9 das Gültigkeitssignal RAVLD generiert. Die
Umsetzschaltung 9 ist mit einer entsprechenden Steuerleitung,
beispielsweise RAV1 aus Fig. 1, verbunden, die ihrerseits
mit einem Zeilendecoder zur Auswahl einer Zeilenleitung ver
bunden ist.
In Fig. 4 ist eine Grundschaltung einer Verzögerungsschal
tung 8 gezeigt. Diese weist eine Konstantstromquelle 81 auf,
die eine Kapazität 82 auflädt. Der Ausgang der Verzögerungs
schaltung 8 zur Ausgabe des Ausgangssignals DELO ist mit ei
nem Anschluß der Kapazität 82 verbunden. Der Ladevorgang wird
durch das Eingangssignal DELI der Verzögerungsschaltung 8 ge
steuert.
In Fig. 5 ist eine beispielhafte Ausführungsform der Verzö
gerungsschaltung 8 dargestellt, bei der die Konstantstrom
quelle durch Stromspiegel gebildet ist. Der Transistor P2 des
Stromspiegels SS1 arbeitet als Konstantstromquelle und lädt
den als Kapazität geschalteten Transistor N0 auf, der dazu
mit dem Ausgangspfad des Stromspiegels SS1 verbunden ist.
Dieser ist durch die Transistoren P4, P2 und N1 gebildet. Das
Eingangssignal DELI der Verzögerungsschaltung dient als Akti
vierungssignal der Stromquelle beziehungsweise des Ausgangs
pfads des Stromspiegels SS1. Durch den Transistor N1 wird die
Kapazität entladen.
Die Schaltung gemäß Fig. 5 weist einen weiteren Stromspiegel
SS2 auf, der mit dem Stromspiegel SS1 gekoppelt ist. Dabei
ist ein Eingangspfad des Stromspiegels SS1, der durch die
Transistoren P3, P5 und N4 gebildet ist, in den Ausgangspfad
des weiteren Stromspiegels SS2 geschaltet, der durch die
gleichen Transistoren gebildet ist. Der Eingangspfad des
Stromspiegels SS2 wird durch die Transistoren P6, N6 und N5
gebildet. Der Transistor N3 ist wie der Transistor N0 als Ka
pazität verschaltet. Die Stromspiegelschaltungen SS1 und SS2
sind jeweils mit der Versorgungsspannung V1 und dem Bezugspo
tential GND verbunden. Der Stromspiegel SS2 dient insbesonde
re als Referenzstromquelle, wodurch eine vergleichsweise ge
ringe Abhängigkeit des Ausgangssignals DELO der Verzögerungs
schaltung 8 von Schwankungen der Versorgungsspannung V1 er
reicht ist.
1
,
2
,
3
Speicherzellenfeld
4
Auswahlschaltung
5
Auswahlschaltung
6
Timingschaltung
7
Umsetzschaltung
8
Verzögerungsschaltung
9
Umsetzschaltung
10
Speicher
11
,
12
Zeilendecoder
40
Auswahlschaltung
81
Stromquelle
82
Kapazität
WL Zeilenleitungen
BL Spaltenleitungen
MC Speicherzellen
RAVLD Gültigkeitssignal
RAV1, RAV2 Steuerleitung
RAD Adreßleitungen
RAD1, RAD2 Adreßleitungen
BASEL Auswahlsignal
BSEL1, BSEL2 Auswahlsignal
ADR Adreßleitungen
SA Leseverstärker
SG1, SG2, SG3 Reihensegment
DELI Eingangssignal
DELO Ausgangssignal
SS1, SS2 Stromspiegel
V1 Versorgungsspannung
GND Bezugspotential
P2 bis P6 Transistor
N0 bis N6 Transistor
WL Zeilenleitungen
BL Spaltenleitungen
MC Speicherzellen
RAVLD Gültigkeitssignal
RAV1, RAV2 Steuerleitung
RAD Adreßleitungen
RAD1, RAD2 Adreßleitungen
BASEL Auswahlsignal
BSEL1, BSEL2 Auswahlsignal
ADR Adreßleitungen
SA Leseverstärker
SG1, SG2, SG3 Reihensegment
DELI Eingangssignal
DELO Ausgangssignal
SS1, SS2 Stromspiegel
V1 Versorgungsspannung
GND Bezugspotential
P2 bis P6 Transistor
N0 bis N6 Transistor
Claims (7)
1. Integrierter Speicher
mit einem Speicherzellenfeld (1, 2), das Zeilenleitungen (WL) zur Auswahl von Speicherzellen (MC) und Spaltenleitungen (BL) zum Auslesen oder Schreiben von Datensignalen der Spei cherzellen (MC) aufweist,
mit einem Zeilendekoder (11, 12) zur Aktivierung der Zei lenleitungen (WL),
mit Adreßleitungen (RAD1, RAD2), die mit dem Zeilendekoder (11, 12) verbunden sind, zur Übertragung von Adreßsignalen,
mit einer Steuerleitung (RAV1, RAV2) zur Anzeige einer Gül tigkeit der Adreßsignale, die mit dem Zeilendekoder (11, 12) verbunden ist,
mit einer Verzögerungsschaltung (8), die mit der Steuerlei tung verbindbar ist zur Ausgabe eines Ausgangssignals (RAVLD), das in Bezug zu einem Auswahlsignal (BSEL) zur Aus wahl einer der Speicherzellen zeitlich verzögert ist,
bei dem die Verzögerungsschaltung (8) eine Stromquelle (81) und eine Kapazität (82) aufweist, die durch die Stromquelle (81) aufladbar oder entladbar ist.
mit einem Speicherzellenfeld (1, 2), das Zeilenleitungen (WL) zur Auswahl von Speicherzellen (MC) und Spaltenleitungen (BL) zum Auslesen oder Schreiben von Datensignalen der Spei cherzellen (MC) aufweist,
mit einem Zeilendekoder (11, 12) zur Aktivierung der Zei lenleitungen (WL),
mit Adreßleitungen (RAD1, RAD2), die mit dem Zeilendekoder (11, 12) verbunden sind, zur Übertragung von Adreßsignalen,
mit einer Steuerleitung (RAV1, RAV2) zur Anzeige einer Gül tigkeit der Adreßsignale, die mit dem Zeilendekoder (11, 12) verbunden ist,
mit einer Verzögerungsschaltung (8), die mit der Steuerlei tung verbindbar ist zur Ausgabe eines Ausgangssignals (RAVLD), das in Bezug zu einem Auswahlsignal (BSEL) zur Aus wahl einer der Speicherzellen zeitlich verzögert ist,
bei dem die Verzögerungsschaltung (8) eine Stromquelle (81) und eine Kapazität (82) aufweist, die durch die Stromquelle (81) aufladbar oder entladbar ist.
2. Integrierter Speicher nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Verzögerungsschaltung (8) einen Ausgang aufweist, der mit
einem Anschluß der Kapazität (82) verbindbar ist.
3. Integrierter Speicher nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Stromquelle durch einen Stromspiegel (SS1) gebildet ist
und die Kapazität (N0) mit einem Ausgangspfad (P2, P4, N1)
des Stromspiegels koppelbar ist.
4. Integrierter Speicher nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Stromquelle einen weiteren Stromspiegel (SS2) aufweist,
der mit dem Stromspiegel (SS1) gekoppelt ist.
5. Integrierter Speicher nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
ein Eingangspfad (P3, P5, N4) des Stromspiegels (SS1) in ei
nen Ausgangspfad des weiteren Stromspiegels (SS2) geschaltet
ist.
6. Integrierter Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Adreßleitungen (RAD1, RAD2) entlang des Speicherzellen
feldes (1, 2) über eine gesamte Länge des Speicherzellenfel
des geführt sind.
7. Integrierter Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Speicherzellenfeld (2) in einzelne Reihensegmente (SG1 bis SG3) unterteilt ist, die jeweils durch Leseverstärker (SA) voneinander getrennt sind und die in Richtung der Adreß leitungen (RAD2) nebeneinander angeordnet sind,
der Zeilendekoder (12) in jedem der Reihensegmente mit den Adreßleitungen verbunden ist.
das Speicherzellenfeld (2) in einzelne Reihensegmente (SG1 bis SG3) unterteilt ist, die jeweils durch Leseverstärker (SA) voneinander getrennt sind und die in Richtung der Adreß leitungen (RAD2) nebeneinander angeordnet sind,
der Zeilendekoder (12) in jedem der Reihensegmente mit den Adreßleitungen verbunden ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000156881 DE10056881A1 (de) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | Integrierter Speicher |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000156881 DE10056881A1 (de) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | Integrierter Speicher |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10056881A1 true DE10056881A1 (de) | 2002-05-29 |
Family
ID=7663562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000156881 Ceased DE10056881A1 (de) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | Integrierter Speicher |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10056881A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10317279B4 (de) * | 2002-04-12 | 2006-09-28 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Verzögerungsschaltung |
US7453729B2 (en) | 2001-02-22 | 2008-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bit line setup and discharge circuit for programming non-volatile memory |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5006738A (en) * | 1987-10-31 | 1991-04-09 | Sony Corporation | Delay circuit for integrated circuit |
US6038183A (en) * | 1997-03-27 | 2000-03-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device having burn-in mode operation stably accelerated |
-
2000
- 2000-11-16 DE DE2000156881 patent/DE10056881A1/de not_active Ceased
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |