DE10047451B4 - Datenausgabeschaltkreis für ein Halbleiterbauelement - Google Patents

Datenausgabeschaltkreis für ein Halbleiterbauelement Download PDF

Info

Publication number
DE10047451B4
DE10047451B4 DE10047451A DE10047451A DE10047451B4 DE 10047451 B4 DE10047451 B4 DE 10047451B4 DE 10047451 A DE10047451 A DE 10047451A DE 10047451 A DE10047451 A DE 10047451A DE 10047451 B4 DE10047451 B4 DE 10047451B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
output
pull
data
level
channel mos
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE10047451A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10047451A1 (de
Inventor
Soo-Hwan Songnam Kim
Young-Ho Suwon Suh
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of DE10047451A1 publication Critical patent/DE10047451A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10047451B4 publication Critical patent/DE10047451B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1057Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/106Data output latches
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1069I/O lines read out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • H03K19/018521Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/09425Multistate logic
    • H03K19/09429Multistate logic one of the states being the high impedance or floating state

Abstract

Datenausgabeschaltkreis für ein Halbleiterbauelement, mit
– einem Ausgabepuffer (10) zum Empfangen und Zwischenspeichern eines Eingangsdatensignals (DATAB) mit einem ersten Spannungsbereich in Reaktion auf ein Taktsteuersignal (KDATA), um ein Paar von Ausgabedatensignalen (DATAC, DATACB) bereitzustellen,
– Hochimpedanzsteuer-/Pegelschiebermitteln (25) zum Abgeben von Hochimpedanz-Treiberdaten für die Steuerung eines Hochimpedanz-Zustands über ein Paar von Ausgangsleitungen (L3, L4) in Abhängigkeit von einem ersten logischen Zustand eines Hochimpedanz-Steuersignals und zum direkten Empfangen des Ausgabedatensignalpaars von dem Ausgabepuffer in Abhängigkeit von einem zweiten logischen Zustand des Hochimpedanz-Steuersignals und zum Übertragen eines Pull-up-Ausgabedatensignals und eines Pull-down-Ausgabedatensignals über die jeweilige Ausgangsleitung, wobei jedes der Pull-up- und Pull- down-Ausgabedatensignale einen zweiten Spannungsbereich aufweist, der breiter als der erste Spannungsbereich ist, und
– einer Ausgabetreibereinheit (40) zum Halten eines Datenausgabeanschlusses (DQ) in dem Hochimpedanz-Zustand in Reaktion auf die Hochimpedanz-Treiberdaten von den Hochimpedanzsteuer-/Pegelschiebermitteln und zum Durchführen eines Ausgabetreibervorgangs in Reaktion auf die Pull-up- und Pull-down-Ausgabedatensignale von den Hochimpedanzsteuer-/Pegelschiebermitteln, um...

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Datenausgabeschaltkreis mit einem Ausgabepuffer, Hochimpedanzsteuer-/Pegelschiebermitteln und einer Ausgabetreibereinheit für ein Halbleiterbauelement.
  • In jüngerer Zeit wurde proportional zu einer höheren Komplexität integrierter Halbleiterschaltkreise eine größere Anzahl von CMOS-Transistoren auf einem Siliciumchip integriert. Um den Leistungsverbrauch zu reduzieren und die Betriebsgeschwindigkeit zu erhöhen, besteht der Trend, die interne Speisespannung des Chips zum Beispiel von 5V auf 3,3V, 2,5V oder weniger zu verringern. Im Hinblick darauf wurde ein Schaltkreis zur Erzeugung einer internen Speisespannung in einem typischen integrierten Schaltkreischip, wie einem Halbleiterspeicherchip, zur Absenkung einer externen Speisespannung vorgesehen, um eine für interne Schaltkreise des Chips notwendige Spannung zu erzeugen. Im Gegensatz dazu war für die Erhöhung der Fähigkeit zur Schnittstellenbildung mit externen Bauelementen des Chips und der Fähigkeit, spezifische interne Transistoren des Chips anzusteuern, eine vergleichsweise hohe Spannung erforderlich. Zu diesem Zweck wurde in dem integrierten Schaltkreischip häufig ein Anhebungsschalt kreis verwendet, um die externe Speisespannung zu erhöhen und so die erhöhte Spannung für gewünschte Schaltkreise, wie eine Wortleitung, bereitzustellen.
  • Ein Halbleiterbauelement mit dem vorstehenden Schaltkreis zur Erzeugung einer internen Speisespannung benötigte einen Datenausgabeschaltkreis, der in Abhängigkeit von verschiedenen externen Speisespannungspegeln betreibbar ist, um Signalschnittstellenpegel an externe Bauelemente anzupassen. Der Datenausgabeschaltkreis des Halbleiterbauelements beinhaltet typischerweise einen Ausgabepuffer, einen Hochimpedanz-Steuerschaltkreis sowie eine Ausgabetreibereinheit. Der Datenausgabeschaltkreis beinhaltet des weiteren zusätzlich zu den vorstehenden Komponenten einen Pegelschieber zur Spannungspegelumwandlung. Der Pegelschieber ist typischerweise derart ausgelegt, dass er den Pegel von Ausgabedaten mit einem internen Speisespannungspegel in einen externen Speisespannungspegel umwandelt und die resultierenden Ausgabedaten zu einem Ausgabeanschluss überträgt.
  • In dem vorstehenden Ausgabedatenschaltkreis für das Halbleiterbauelement stellt der Ausgabepuffer ein erstes Ausgabedatensignalpaar bereit, das an den Hochimpedanz-Steuerschaltkreis zur Erzeugung eines zweiten Ausgabedatensignalpaares angelegt wird. Nachfolgend wird das erzeugte zweite Ausgabedatensignalpaar durch den Pegelschieber im Spannungspegel gewandelt und dann als endgültige Daten durch die Ausgabetreibereinheit nach außen übertragen. Der vorstehend erwähnte Ausgabedatenschaltkreis war jedoch mit verschiedenen Problemen im Ausgabebetrieb behaftet, wie zum Beispiel einer niedrigen Datenausgabegeschwindigkeit, einer niedrigen Obertragungsgeschwindigkeit bei hoher Impedanz sowie einem bei Pull-up- und Pull-down-Vorgängen auftretenden Ausgabesignalversatz, was aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung klarer erkennbar wird.
  • In der Offenlegungsschrift JP 5-067963 A ist eine integrierte Logikschaltung mit Pegelwandlerfunktionalität offenbart, die zwei parallele Pegelwandlerschaltkreise beinhaltet, von denen jeder eine Zwischenspeicherschaltung umfasst, die ein zusammengesetztes Logikgatter und ein dazu kreuzgekoppeltes NOR-Gatter umfasst, wobei letzterem an einem zugeordneten Eingang ein NAND-Gatter vorgeschaltet ist. Je ein Eingang des zusammengesetzten Logikgatters und des NAND-Gatters bildet einen Datensignaleingang bzw. Ausgabefreigabesignaleingang. Die Ausgänge der beiden parallelen Pegelwandlerschaltkreise beaufschlagen je ein Gate zweier MOS-Transistoren, die als Ausgangsstufe fungieren und seriell zwischen eine Massespannung und eine hohe Versorgungsspannung eingeschleift sind, während sich zwischen den beiden MOS-Transistoren ein Ausgang der Schaltungsanordnung befindet. Die zusammengesetzten Logikgatter und die NOR-Gatter werden ebenfalls durch die hohe Versorgungsspannung getrieben, während zum Treiben der NAND-Gatter eine niedrige Versorgungsspannung vorgesehen ist.
  • In der Offenlegungsschrift DE 197 38 726 A1 ist ein Datenausgabeschaltkreis für ein Halbleiterspeicherbauelement offenbart, der einen Leseverstärker, einen Pegelwandler zum Wandeln des Pegels gelesener Daten vom Leseverstärker, einen Ausgabepuffer zum Selbsthalten der Pegelwandlerdaten und eine Steuerung umfasst, die auf ein spezifisches sequentielles Aktivieren des Betriebs des Leseverstärkers vor Erzeugung der Pegelwandlerdaten und des Betriebs des Pegelwandlers sowie zum sequentiellen Sperren des Betriebs des Leseverstärkers und des Pegelwandlers unmittelbar nach dem Selbsthalten der Pegelwandlerdaten ausgelegt ist.
  • Die Patentschrift US 5.300.832 offenbart eine Spannungsschnittstellenschaltung, die es einer mit einer bestimmten Versorgungsspannung arbeitenden internen Schaltung ermöglicht, eine Schaltung oder einen Datenbus mit einem demgegenüber höheren Spannungshub zu treiben und dazu einen Vorspannungserzeugungsschaltkreis und diesem zugeordnet eine Ausgangsstufe und eine Eingangsstufe umfasst. Die Ausgangsstufe ist auf eine Dreizustands-Betriebsart ausgelegt und umfasst einen aus MOS-Transistoren aufgebauten differentiellen Pegelwandler zur Pegelwandlung zwischen dem normalen und dem erhöhten Versorgungsspannungshub mit nachgeschalteter Pull-up und Pull-down-Stufe. Der differentielle Pegelwandler beinhaltet u.a. ein Paar kreuzgekoppelter p-Kanal-MOS-Transistoren, bei denen die Gate-Anschlüsse mit dem Drain-Anschluss des jeweils anderen Transistors kreuzgekoppelt sind und die Source-Anschlüsse gemeinsam mit der erhöhten Spannung verbunden sind, ein Paar von n-Kanal-MOS-Transistoren, deren Drain-Source-Kanäle jeweils zwischen den Drain-Anschlüssen der kreuzgekoppelten p-Kanal-MOS-Transistoren und einer Massespannung gebildet sind, während ihre Gate-Anschlüsse von einem Eingangssignal der Ausgangsstufe bzw. umschaltbar von der Massespannung oder der normalen Versorgungsspannung beaufschlagt sind, sowie ein Paar von n-Kanal-MOS-Transistoren, von denen bei einem der Drain-Source-Kanal zwischen einem Source-Anschluss eines der beiden vorgenannten n-Kanal-MOS-Transistoren und der Massespannung liegt und bei dem anderen der Drain-Source-Kanal parallel zu dem Drain-Source-Kanal des anderen der beiden vorgenannten n-Kanal-MOS-Transistoren geschaltet ist, während ihre Gate-Anschlüsse von einem Ausgabefreigabesignal bzw. einem inversen Ausgabefreigabesignal beaufschlagt sind. Ein ähnlicher Pegelwandlerschaltkreis ist in der Offenlegungsschrift JP 04-145720 A offenbart.
  • In der Patentschrift US 5.583.454 ist eine Pegelschieberschaltung mit zwei differentiellen Eingängen und zwei differentiellen Ausgängen offenbart, bei denen jedem von zwei kreuzgekoppelten p-Kanal-MOS-Transistoren, die mit ihrem Drain-Source-Kanal zwischen einer Versorgungsspannung und dem normalen bzw. inversen Ausgang eingeschleift sind, je ein NMOS-Transistor parallel geschaltet ist, die an ihren Gates ebenso wie zwei zwischen eine Massespannung und den normalen bzw. inversen Ausgang eingeschleifte NMOS-Transistoren vom Eingangssignal bzw. inversen Eingangssignal beaufschlagt sind, um den Spannungsübersetzungsvorgang insbesondere bei Signalübergängen zu beschleunigen.
  • Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung eines Datenausgabeschaltkreises der eingangs genannten Art zugrunde, mit dem die obigen Schwierigkeiten ganz oder wenigstens teilweise überwunden werden und der insbesondere eine hohe Datenausgabegeschwindigkeit und Übertragungsgeschwindigkeit bei hoher Impedanz unter Aufrechterhaltung einer ausgezeichneten Treiberfähigkeit und eines niedrigen Leckstroms sowie des Ausgangssignalversatzes bei Pull-up- und Pull-down-Vorgängen ermöglicht.
  • Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung eines Datenausgabeschaltkreises mit den Merkmalen des Anspruchs 1.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sowie zu deren besserem Verständnis ein herkömmliches Ausführungsbeispiel sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben. Hierbei zeigen:
  • 1 ein schematisches Blockschaltbild eines herkömmlichen Datenausgabeschaltkreises,
  • 2 ein detailliertes Schaltbild des Datenausgabeschaltkreises von 1,
  • 3 ein schematisches Blockschaltbild eines erfindungsgemäßen Datenausgabeschaltkreises und
  • 4 ein detailliertes Schaltbild des Datenausgabeschaltkreises in 3 gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung.
  • Zwecks Einfachheit der Beschreibung und besserem Verständnis der Erfindung sind gleiche oder sich entsprechende Elemente in den verschiedenen Figuren mit den gleichen oder sich entsprechenden Bezugszeichen bezeichnet. Zum besseren Verständnis der Erfindung wird zuerst ein herkömmlicher Datenausgabeschaltkreis unter Bezugnahme auf die 1 und 2 beschrieben.
  • Bezugnehmend auf 1 ist dort der Aufbau eines herkömmlichen Datenausgabeschaltkreises schematisch in Blockform gezeigt, der einen Ausgabepuffer 10, eine Hochimpedanz(HZ)-Steuereinheit 20, einen Pegelschieber 30 und eine Ausgabetreibereinheit 40 beinhaltet. Der Ausgabepuffer 10 und die HZ-Steuereinheit 20 sind so gezeigt, dass sie in Reaktion auf eine interne Speisespannung VDD arbeiten, und der Pegelschieber 30 sowie die Ausgabetreibereinheit 40 sind so gezeigt, dass sie in Reaktion auf eine Betriebsspannung VDDQ arbeiten, die in ihrem Pegel höher als die interne Speisespannung VDD ist. Hierbei kann die Betriebsspannung VDDQ eine externe Speisespannung sein und nach Bedarf irgendeinen Wert von etwa 1,8V, 2,5V, 3,3V oder 5,5V aufweisen.
  • Gemäß dem Aufbau von 1 stellt der Ausgabepuffer 10 ein erstes Ausgabedatensignalpaar bereit, das zwecks Erzeugung eines zweiten Ausgabedatensignalpaars an die HZ-Steuereinheit 20 angelegt wird. Nachfolgend wird das erzeugte zweite Ausgabedatensignalpaar durch den Pegelschieber 30 in seinem Spannungspegel gewandelt und dann zwecks Erzeugung der endgültigen Daten, die extern bereitzustellen sind, zu der Ausgabetreibereinheit 40 übertragen. Es ist zu erwähnen, dass die Datenausgabegeschwindigkeit und die Hochimpedanz-Übertragungsgeschwindigkeit niedrig werden, da die Ausgabedaten entlang eines langen Weges basierend auf den vorstehenden verschiedenen Blöcken übertragen werden, was im Folgenden detaillierter unter Bezugnahme auf 2 dargelegt wird.
  • 2 ist ein detailliertes Schaltbild des herkömmlichen Datenausgabeschaltkreises von 1. Wie in dieser Zeichnung gezeigt, beinhaltet der Ausgabepuffer 10 einen getakteten CMOS-Inverterschaltkreis, der aus p-Kanal-MOS-Transistoren MP1 und MP2, n-Kanal-MOS-Transistoren MN1 und MN2 sowie einem Inverter IN1 besteht, und einen Zwischenspeicherschaltkreis L1, der aus zwei Invertern IN2 und IN3 besteht, die eine Rückkopplungsschleife bilden.
  • Die HZ-Steuereinheit 20 beinhaltet einen Inverter IN4 zum Invertieren des Inversen HZB eines Hochimpedanz-Steuersignals HZ sowie zwei NOR-Gatter NOR1 und NOR2 zum Empfangen eines Paars von Ausgabedatensignalen DATACB und DATAC von den Invertern IN2 und IN3 in dem Zwischenspeicherschaltkreis L1 des Ausgabepuffers 10 an ihrem jeweils einen Eingangsanschluss sowie eines Ausgabesignals von dem Inverter IN4 an ihrem jeweils anderen Eingangsanschluss und zum Durchführen jeweiliger NOR-Operationen für die empfangenen Signale.
  • Der Pegelschieber 30 ist mit zwei Pegelschieberelementen versehen, die jeweils mit einem Ausgangsanschluss der NOR-Gatter NOR1 und NOR2 in der HZ-Steuereinheit 20 verbunden sind. Das erste Pegelschieberelement beinhaltet ein Paar von kreuzgekoppelten p-Kanal-MOS-Transistoren MP3 und MP4, deren Gate-Anschlüsse mit dem Drain-Anschluss des jeweils anderen Transistors kreuzgekoppelt sind und deren Source-Anschlüsse gemeinsam mit der Betriebsspannung VDDQ verbunden sind, einen Inverter IN5 zum Invertieren eines Ausgangssignals von dem NOR-Gatter NOR1 und einen Differenztransistorschaltkreis, der mit einem Paar von n-Kanal-MOS-Transistoren MN3 und MN4 versehen ist. Bei den n-Kanal-MOS-Transistoren MN3 und MN4 sind die Drain-Source-Kanäle jeweils zwischen den Drain-Anschlüssen der kreuzgekoppelten p-Kanal-MOS-Transistoren MP3 und MP4 und einer Massespannung gebildet, während ihre Gate-Anschlüsse zum Empfangen eines Ausgangssignals von dem Inverter IN5 beziehungsweise des Ausgangssignals von dem NOR-Gatter NOR1 dienen. Ähnlich wie bei dem ersten Pegelschie berelement beinhaltet das zweite Pegelschieberelement ein Paar von kreuzgekoppelten p-Kanal-MOS-Transistoren MP5 und MP6, bei denen die Gate-Anschlüsse mit dem Drain-Anschluss des jeweils anderen Transistors kreuzgekoppelt sind und die Source-Anschlüsse gemeinsam mit der Betriebsspannung VDDQ verbunden sind, einen Inverter IN6 zum Invertieren eines Ausgangssignals von dem NOR-Gatter NOR2 und einen Differenztransistorschaltkreis, der mit einem Paar von n-Kanal-MOS-Transistoren MN5 und MN6 versehen ist. Bei den n-Kanal-MOS-Transistoren MN5 und MN6 sind die Drain-Source-Kanäle jeweils zwischen den Drain-Anschlüssen der kreuzgekoppelten p-Kanal-MOS-Transistoren MP5 und MPG und der Massespannung gebildet, während ihre Gate-Anschlüsse zum Empfang des Ausgangssignals von dem NOR-Gatter NOR2 beziehungsweise eines Ausgangssignals von dem Inverter IN6 dienen. Die Ausgabetreibereinheit 40 beinhaltet einen Pull-up-Transistor MP8, der in Reaktion auf das Ausgangssignal des ersten Pegelschieberelements arbeitet, das mit dem NOR-Gatter NOR1 verbunden ist, sowie einen Pull-down-Transistor MN8, der in Reaktion auf das Ausgangssignal des zweiten Pegelschieberelements arbeitet, das mit dem NOR-Gatter NOR2 verbunden ist.
  • Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf 2 die Betriebsweise des herkömmlichen Datenausgabeschaltkreises mit dem vorstehend erwähnten Aufbau beschrieben.
  • In einem Lesemodus, in dem Daten, die in einer Speicherzelle gespeichert sind, nach außen abgegeben werden, wenn ein Eingangsdatensignal DATAB mit einem ersten Spannungsbereich, wie einem Schwankungsbereich von 0/3,3V, an einen Eingangsanschluss des getakteten CMOS-Inverterschaltkreises in dem Ausgabepuffer 10 angelegt wird und ein Taktsteuersignal KDATA auf "hohem" Logikpegel liegt, wird dann das Eingangsdatensignal DATAB logisch invertiert und erscheint an einem Drain-Anschluss des p-Kanal-MOS-Transistors MP2. In dem Fall, in dem zum Beispiel das Eingangsdatensignal DATAB an dem Eingangsanschluss des getakteten CMOS-Inverter-Schaltkreises in nerhalb des ersten Spannungsbereichs auf "hohem" Logikpegel liegt, erscheint es dann an einem Eingangsanschluss des Inverters IN2 in dem Zwischenspeicherschaltkreis L1 auf "niedrigem" Logikpegel. Bemerkenswerterweise kann das an den Ausgabepuffer 10 angelegte Eingangsdatensignal DATAB irgendeines von einem Paar von Abtastausgangssignalen SAS und SASB sein, die von einem Hauptabtastverstärker zwecks Abtastverstärkung von Daten auf normalen und komplementären Bitleitungen bereitgestellt werden, die mit der Speicherzelle verbunden sind.
  • In dem Zwischenspeicherschaltkreis L1 des Ausgabepuffers 10 stellt der Inverter IN2 das Ausgabedatensignal DATACB bereit, das auf hohem Logikpegel liegt, und der Inverter IN3 stellt das Ausgabedatensignal DATAC bereit, das auf niedrigem Logikpegel liegt. Hierbei können die Ausgabedatensignale DATACB und DATAC auf hohem und niedrigem Logikpegel als ein Ausgabedatensignalpaar bezeichnet werden. Wenn das Ausgabedatensignal DATACB auf hohem Logikpegel von dem Inverter IN2 an einen Eingangsanschluss des NOR-Gatters NOR1 in der HZ-Steuereinheit 20 angelegt wird und das Hochimpedanz-Steuersignal HZ als zweiter logischer Zustand, zum Beispiel als niedriger Logikpegel, an den anderen Eingangsanschluss des NOR-Gatters NOR1 angelegt wird, dann wechselt das Ausgangssignal des NOR-Gatters NOR1 auf niedrigen Logikpegel, während das Ausgangssignal des NOR-Gatters NOR2 auf hohen Logikpegel wechselt. Das Ausgangssignal des NOR-Gatters NOR1 wird an das erste Pegelschieberelement in dem Pegelschieber 30 angelegt.
  • Das erste Pegelschieberelement ist ein Differenzkaskadenspannungsschaltlogik(DCVSL)-Schaltkreis, der eine digitale Form eines analogen Differenzverstärkers ist. Bei Empfang des Ausgangssignals des NOR-Gatters NOR1 führt das erste Pegelschieberelement einen Pegelverschiebungsvorgang durch, um ein Pull-up-Ausgabedatensignal DOU mit einem zweiten Spannungsbereich als "hohem" Logikpegel über seine Ausgangsleitung zu übertragen. Hierbei ist der zweite Spannungsbereich breiter als der erste Spannungsbereich, und der hohe Logikpegel des Pull-up-Ausgabedatensignals DOU kann einem Spannungspegel von etwa 5V entsprechen, er kann aber in Abhängigkeit von verschiedenen Pegeln der Betriebsspannung VDDQ auch andere Werte annehmen.
  • In einer zu dem ersten Pegelschieberelement ähnlichen Weise empfängt das zweite Pegelschieberelement das Ausgangssignal des NOR-Gatters NOR2 und führt einen Pegelverschiebungsvorgang durch, um ein Pull-down-Ausgabedatensignal DOD mit dem zweiten Spannungsbereich, der breiter als der erste Spannungsbereich ist, als "hohen" Logikpegel über seine Ausgangsleitung zu übertragen. In diesem Fall entspricht der hohe Logikpegel des Pull-down-Ausgabedatensignals DOD einem hohen Pegel innerhalb des zweiten Spannungsbereichs. In dem Pegelschieber 30 entsprechen die Drainanschlüsse der p-Kanal-MOS-Transistoren MP4 und MP6 jeweils den obigen Ausgangsleitungen, die als Ausgangsleitungspaar bezeichnet werden können. Dann wird der Pull-up-Transistor MP8 in der Ausgangstreibereinheit 40 ausgeschaltet, da er als p-Kanal-MOS-Transistor wirkt, und der Pull-down-Transistor MN8 wird eingeschaltet, da er als n-Kanal-MOS-Transistor wirkt. Als Ergebnis hiervon wechseln die endgültigen Ausgabedaten auf niedrigen Logikpegel. Da der niedrige Logikpegel der endgültigen Ausgabedaten als ein Pegel von 0V betrachtet werden kann, ist es in diesem Fall unzweckmäßig festzustellen, dass die Ausgabedaten in ihrem Pegel merklich verschoben wurden. In dem Fall, in dem die endgültigen Ausgabedaten auf hohem Logikpegel liegen, kann jedoch festgestellt werden, dass sie in ihrem Pegel merklich verschoben wurden.
  • Im Gegensatz zu dem vorstehenden Fall, bei dem die Ausgangsdaten auf niedrigem Logikpegel bereitgestellt werden, erscheint in 2 das Eingangsdatensignal DATAB, wenn es an dem Eingangsanschluss des getakteten CMOS-Inverterschaltkreises innerhalb des ersten Spannungsbereichs auf "niedrigem" Logikpegel liegt, an dem Eingangsanschluss des Inverters IN2 in dem Zwischenspeicherschaltkreis L1 auf "hohem" Logikpegel. In dem Zwischenspeicherschaltkreis L1 stellt der Inverter IN2 das Ausgabedatensignal DATACB mit niedrigem Logikpegel bereit, und der Inverter IN3 stellt das Ausgabedatensignal DATAC mit hohem Logikpegel bereit. Wenn das Ausgabedatensignal DATACB mit niedrigem Logikpegel von dem Inverter IN2 an einen Eingangsanschluss des NOR-Gatters NOR1 in der HZ-Steuereinheit 20 angelegt wird und das Hochimpedanz-Steuersignal HZ mit niedrigem Logikpegel an den anderen Eingangsanschluss des NOR-Gatters NOR1 angelegt wird, dann wechselt das Ausgangssignal des NOR-Gatters NOR1 auf hohen Logikpegel, während das Ausgangssignal des NOR-Gatters NOR2 auf niedrigen Logikpegel wechselt. Bei Empfang des Ausgangssignals des NOR-Gatters NOR1 stellt das erste Pegelschieberelement das Pull-up-Ausgabedatensignal DOU mit "niedrigem" Logikpegel bereit. Andererseits empfängt das zweite Pegelschieberelement das Ausgangssignal des NOR-Gatters NOR2 und führt einen Pegelverschiebungsvorgang durch, um das Pull-down-Ausgabedatensignal DOD mit dem zweiten Spannungsbereich, der breiter als der erste Spannungsbereich ist, als "niedrigen" Logikpegel bereitzustellen. Dann wird der Pull-up-Transistor MP8 in der Ausgabetreibereinheit 40 eingeschaltet, während der Pull-down-Transistor MN8 ausgeschaltet wird. Als Ergebnis hiervon wechseln die endgültigen Ausgabedaten DQ innerhalb des zweiten Spannungsbereichs auf "hohen" Logikpegel. In diesem Fall entspricht der hohe Logikpegel der endgültigen Ausgabedaten einem Pegel von etwa 5V, wenn die interne Speisespannung VDD einen Pegel von etwa 3,3V aufweist und die Betriebsspannung VDDQ den Pegel von etwa 5V aufweist. Daher können die endgültigen Ausgabedaten so betrachtet werden, dass sie merklich in ihrem Pegel verschoben sind.
  • Andererseits wird entweder in einem Schreibmodus oder einem Standby-Modus, nicht im Lesemodus, das Hochimpedanz-Steuersignal HZ mit hohem Logikpegel angelegt. Als Ergebnis hiervon liegt das Inverse HZB des Hochimpedanz-Steuersignals HZ auf niedrigem Logikpegel. In diesem Fall nehmen die Ausgangs signale der NOR-Gatter NOR1 und NOR2 in der HZ-Steuereinheit 20 beide "niedrigen" Logikpegel ein, ungeachtet der logischen Zustände des Ausgabedatensignalpaars DATACB/DATAC. Dann empfängt das erste Pegelschieberelement das Ausgangssignal des NOR-Gatters NOR1 und stellt das Pull-up-Ausgabedatensignal DOU als "hohen" Logikpegel bereit, und das zweite Pegelschieberelement empfängt das Ausgangssignal des NOR-Gatters NOR2 und stellt das Pull-down-Ausgabedatensignal DOD als "niedrigen" Logikpegel bereit. Als Ergebnis hiervon werden sowohl der Pull-up- als auch der Pull-down-Transistor MP8 und MN8 in der Ausgangstreibereinheit 40 ausgeschaltet, wodurch bewirkt wird, dass ein Ausgangsanschluss des Datenausgabeschaltkreises in einen "Hochimpedanz"-Zustand wechselt.
  • In dem Datenausgabeschaltkreis von 2 müssen die HZ-Steuereinheit 20, der Pegelschieber 30 und die Ausgabetreibereinheit 40 für die Ausgabe der endgültigen Daten DQ sequentiell in Funktion gesetzt werden, nachdem das Eingangsdatensignal DATAB an den Ausgabepuffer 10 angelegt wurde. Aus diesem Grund wird der Datenausgabevorgang entlang eines langen Pfades durchgeführt, was zu relativen Verringerungen der Datenausgabegeschwindigkeit und der Hochimpedanz-Übertragungsgeschwindigkeit führt. Insbesondere ist die Datenausgabegeschwindigkeit ein kritisches Element in einer Schnittstelle für eine Hochgeschwindigkeitssendeempfänger-Logik (HSTL) oder einer LVTTL-Schnittstelle. Da der Torsteuerungsvorgang der HZ-Steuereinheit 20 und der Pegelverschiebungsvorgang des Pegelschiebers 30 merklich Zeit erfordern, üben sie einen großen Einfluss auf die Verzögerung der Datenausgabegeschwindigkeit aus. Des weiteren weist der in 2 gezeigte, herkömmliche Pegelschieberschaltkreis in Abhängigkeit von verschiedenen externen Speisespannungspegeln eine unterschiedliche Pull-up-Übergangszeitdauer auf. Als Ergebnis hiervon ist es schwierig, die Datenausgabegeschwindigkeit unter Verwendung eines Pegelschieberschaltkreises einzustellen, und es kann aufgrund einer Differenz zwischen Pull-up- und Pull-down- Ausgabegeschwindigkeiten ein Versatz zwischen Ausgangssignalen auftreten.
  • Daher stellt die vorliegende Erfindung zur Überwindung der vorstehenden Probleme einen Datenausgabeschaltkreis bereit, der in der Lage ist, die Datenausgabegeschwindigkeit und die Hochimpedanz-Übertragungsgeschwindigkeit zu steigern und den Zeitversatz zwischen den Ausgangssignalen bei den Pull-up- und Pull-down-Vorgängen zu eliminieren oder zu minimieren.
  • Bezüglich des vorliegend verwendeten Pegelschiebers und der zugehörigen Techniken kann auf verschiedene Dokumente des Stands der Technik verwiesen werden. Zum Beispiel ist ein Pegelschieberschaltkreis in der Patentschrift US 5.723.986 offenbart, und ein Ausgabepuffer für ein Halbleiterspeicherbauelement mit einem Pegelschieberschaltkreis ist in der Patentschrift US 5.476.313 offenbart.
  • Nunmehr werden unter Bezugnahme auf die 3 und 4 der Aufbau und die Betriebsweise eines erfindungsgemäßen Datenausgabeschaltkreises erläutert.
  • In 3 ist der Aufbau des erfindungsgemäßen Datenausgabeschaltkreises schematisch als Blockschaltbild gezeigt. Verglichen mit dem Aufbau von 1 sind der Ausgabepuffer 10 und die Ausgabetreibereinheit 40 in 3 die gleichen wie jene in 1, und ein Schaltkreisblock oder HZ-Steuer-/Pegelschieberschaltkreis 25 ist in 3 anstelle der HZ-Steuereinheit 20 und des Pegelschiebers 30 in 1 gezeigt. Wie aus 3 ersichtlich, arbeitet der Ausgabepuffer 10 in Reaktion auf eine interne Speisespannung VDD, und die restlichen Blöcke arbeiten in Reaktion auf eine Betriebsspannung VDDQ, die einen höheren Pegel als die interne Speisespannung VDD aufweist. Hierbei kann die Betriebsspannung VDDQ eine externe Speisespannung sein und nach Bedarf jeden beliebigen Wert aufweisen, z.B. etwa 1,8V, 2,5V, 3,3V oder 5,5V. Der Blockaufbau von 3 wird nicht aus der reinen Substitution von zwei Blöcken in 1 durch einen Block erhalten, sondern aus einer Lösung der vorstehend erwähnten herkömmlichen Probleme, was aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit 4 klarer verständlich wird.
  • 4 ist ein detailliertes Schaltbild des Datenausgabeschaltkreises von 3 gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie in dieser Zeichnung gezeigt, ist der Ausgabepuffer 10 dafür ausgelegt, ein Eingangsdatensignal DATAB mit einem ersten Spannungsbereich in Reaktion auf ein Taktsteuersignal KDATA zu empfangen und zwischenzuspeichern, um ein Paar von Ausgabedatensignalen DATACB und DATAC bereitzustellen. Der Hochimpedanzsteuer-/Pegelschieberschaltkreis 25 ist dafür ausgelegt, Hochimpedanz-Treiberdaten für die Steuerung eines Hochimpedanz-Zustands über ein Paar von Ausgangsleitungen L3 und L4 gemäß einem ersten logischen Zustand abzugeben, zum Beispiel einem "hohen" Logikpegel eines Hochimpedanz-Steuersignals HZ. Der Hochimpedanzsteuer-/Pegelschieberschaltkreis 25 ist außerdem dafür ausgelegt, das Ausgabedatensignalpaar DATACB/DATAC von dem Ausgabepuffer 10 in Abhängigkeit von einem zweiten logischen Zustand des Hochimpedanz-Steuersignals HZ zu empfangen und ein Pull-up-Ausgabedatensignal DOU sowie ein Pull-down-Ausgabedatensignal DOD über die Ausgangsleitungen L3 beziehungsweise L4 zu übertragen. Zu diesem Zeitpunkt weist jedes der Pull-up- und Pull-down-Ausgabedatensignale DOU und DOD einen zweiten Spannungsbereich auf, der breiter als der erste Spannungsbereich ist. Die Ausgabetreibereinheit 40 ist dafür ausgelegt, einen Datenausgangsanschluss L5 in Reaktion auf die Hochimpedanz-Treiberdaten von dem Hochimpedanzsteuer/Pegelschieberschaltkreis 25 auf dem hohen Impedanzzustand zu halten. Die Ausgabetreibereinheit 40 ist des weiteren dafür ausgelegt, einen Ausgabetreibervorgang in Reaktion auf die Pull-up- und Pull-down-Ausgabedatensignale DOU und DOD von dem Steuer-/Pegelschieberschaltkreis 25 durchzuführen, um die endgültigen Daten DQ über den Datenausgabeanschluss L5 nach außen abzugeben.
  • In 4 ist der detaillierte Aufbau des Ausgabepuffers 10 und der Ausgabetreibereinheit 40 jeweils im Wesentlichen der gleiche wie jener in 2, so dass auf eine Beschreibung derselben verzichtet wird. Der HZ-Steuer-/Pegelschieberschaltkreis 25 ist ein Pegelschieber, der gemäß einem technischen Konzept der vorliegenden Erfindung verbessert ist, und er ist mit zwei Pegelschieberelementen versehen. Das erste Pegelschieberelement beinhaltet ein Paar von kreuzgekoppelten p-Kanal-MOS-Transistoren MP5 und MP6, deren Gate-Anschlüsse mit den Drain-Anschlüssen des jeweils anderen Transistors kreuzgekoppelt sind und deren Source-Anschlüsse gemeinsam mit der Betriebsspannung VDDQ verbunden sind, sowie einen Differenztransistorschaltkreis, der mit einem Paar von n-Kanal-MOS-Transistoren MN5 und MN6 versehen ist. Bei den n-Kanal-MOS-Transistoren MN5 und MN6 sind die Drain-Source-Kanäle jeweils zwischen den Drain-Anschlüssen der kreuzgekoppelten p-Kanal-MOS-Transistoren MP5 und MPG und einer Massespannung gebildet, um einen ersten und einen zweiten Strompfad zu definieren, während ihre Gate-Anschlüsse dazu dienen, die Ausgabedatensignale DATACB bzw. DATAC mit dem ersten Spannungsbereich von dem Ausgabepuffer 10 zu empfangen.
  • Das erste Pegelschieberelement beinhaltet des weiteren einen Hochimpedanz-Steuerschaltkreis, der mit einem Paar von n-Kanal-MOS-Transistoren MN13 und MN14 versehen ist. Bei dem n-Kanal-MOS-Transistor MN13 ist der Drain-Source-Kanal zwischen einem Source-Anschluss des n-Kanal-MOS-Transistors MN5, der den ersten Strompfad definiert, und der Massespannung gebildet, während sein Gate-Anschluss dazu dient, ein erstes Hochimpedanz-Steuersignal HZB zu empfangen. Bei dem n-Kanal-MOS-Transistor MN14 ist der Drain-Source-Kanal parallel zu dem Drain-Source-Kanal des n-Kanal-MOS-Transistors MN6 geschaltet, der den zweiten Strompfad definiert, während sein Gate-Anschluss dazu dient, ein zweites Hochimpedanz-Steuersignal HZ zu empfangen, das den zu jenem des ersten Hochimpedanz-Steuersignals entgegengesetzten logischen Zu stand aufweist. Das erste Pegelschieberelement ist des weiteren mit einem Pull-up-Schaltkreis versehen, der ein Paar von n-Kanal-MOS-Transistoren MN15 und MN16 beinhaltet, die seriell mit dem Drain-Anschluss des p-Kanal-MOS-Transistors MPG verbunden sind. Bei den n-Kanal-MOS-Transistoren MN15 und MN16 sind die Drain-Source-Kanäle seriell zwischen der Ausgangsleitung L4, die das Pull-down-Ausgabedatensignal DOD mit dem zweiten Spannungsbereich überträgt, und der Betriebsspannung VDDQ eingeschleift, während ihre Gate-Anschlüsse zum Empfangen des ersten Hochimpedanz-Steuersignals HZB beziehungsweise des Ausgabedatensignals DATACB von dem Ausgabepuffer 10 dienen.
  • Das zweite Pegelschieberelement beinhaltet ein Paar von kreuzgekoppelten p-Kanal-MOS-Transistoren MP3 und MP4, bei denen die Gate-Anschlüsse mit dem Drain-Anschluss des jeweils anderen Transistors kreuzgekoppelt sind und die Source-Anschlüsse gemeinsam mit der Betriebsspannung VDDQ verbunden sind, sowie einen Differenztransistorschaltkreis, der mit einem Paar von n-Kanal-MOS-Transistoren MN3 und MN4 versehen ist. Bei den n-Kanal-MOS-Transistoren MN3 und MN4 sind die Drain-Source-Kanäle jeweils zwischen den Drain-Anschlüssen der kreuzgekoppelten p-Kanal-MOS-Transistoren MP3 und MP4 und der Massespannung gebildet, um einen ersten und einen zweiten Strompfad zu definieren, während ihre Gate-Anschlüsse dazu dienen, die Ausgabedatensignale DATACB bzw. DATAC mit dem ersten Spannungsbereich von dem Ausgabepuffer 10 zu empfangen. Das zweite Pegelschieberelement beinhaltet des weiteren einen Hochimpedanz-Steuerschaltkreis, der mit einem Paar von n-Kanal-MOS-Transistoren MN11 und MN10 versehen ist. Bei dem n-Kanal-MOS-Transistor MN11 ist der Drain-Source-Kanal zwischen einem Source-Anschluss des n-Kanal-MOS-Transistors MN4, der den zweiten Strompfad definiert, und der Massespannung gebildet, während sein Gate-Anschluss dazu dient, das erste Hochimpedanz-Steuersignal HZB zu empfangen. Bei dem n-Kanal-MOS-Transistor MN10 ist der Drain-Source-Kanal parallel zu dem Drain-Source-Kanal des n-Kanal-MOS-Transistors MN3 ge schaltet, der den ersten Strompfad definiert, während sein Gate-Anschluss dazu dient, das zweite Hochimpedanz-Steuersignal HZ zu empfangen, das den zu jenem des ersten Hochimpedanz-Steuersignals entgegengesetzten logischen Zustand aufweist. Das zweite Pegelschieberelement ist des weiteren mit einem Pull-up-Schaltkreis versehen, der einen n-Kanal-MOS-Transistor MN12 beinhaltet, der mit dem Drain-Anschluss des p-Kanal-MOS-Transistors M24 verbunden ist. Bei dem n-Kanal-MOS-Transistor MN12 ist der Drain-Source-Kanal zwischen der Ausgangsleitung L3, die das Pull-up-Ausgabedatensignal DOU mit dem zweiten Spannungsbereich überträgt, und der Betriebsspannung VDDQ gebildet, während sein Gate-Anschluss zum Empfangen des Ausgabedatensignals DATACB von dem Ausgabepuffer 10 dient.
  • In 4 gibt es keine aus dem Torsteuerungsvorgang resultierende Verzögerung, da die NOR-Gatter NOR1 und NOR2 von 2 eliminiert sind.
  • Als nächstes wird eine detaillierte Beschreibung der Betriebsweise das Datenausgabeschaltkreises mit dem vorstehend erwähnten Aufbau gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angegeben.
  • In einem Lesemodus eines Halbleiterspeicherbauelementes, in dem in einer Speicherzelle gespeicherte Daten nach außen abgegeben werden, wenn das Eingangsdatensignal DATAB an dem Eingangsanschluss des Ausgabepuffers 10 auf "hohem" Logikpegel innerhalb des ersten Spannungsbereichs anliegt, erscheint es dann als "niedriger" Logikpegel an dem Eingangsanschluss des Inverters IN2. In dem Ausgabepuffer 10 stellt der Inverter IN2 das Ausgabedatensignal DATACB mit hohem Logikpegel bereit, und der Inverter IN3 stellt das Ausgabedatensignal DATAC mit niedrigem Logikpegel bereit. Dann wird in dem Pull-up-Pegelschieberelement des HZ-Steuer-/Pegelschieberschaltkreises 25 das Ausgabedatensignal DATACB von dem Inverter IN2 mit hohem Logikpegel an die Gate-Anschlüsse der n-Kanal-MOS- Transistoren MN3 und MN12 angelegt. Wenn das zweite Hochimpedanz-Steuersignal HZ mit dem zweiten logischen Zustand, zum Beispiel mit niedrigem Logikpegel, an den Gate-Anschluss des n-Kanal-MOS-Transistors MN10 angelegt wird, wird das erste Hochimpedanz-Steuersignal HZB mit hohem Logikpegel an den Gate-Anschluss des n-Kanal-MOS-Transistors MN11 angelegt, da es das Inverse des zweiten Hochimpedanz-Steuersignals HZ ist. Das Ausgabedatensignal DATAC von dem Inverter IN3 mit niedrigem Logikpegel wird an den Gate-Anschluss des n-Kanal-MOS-Transistors MN4 angelegt.
  • Als Ergebnis hiervon werden die n-Kanal-MOS-Transistoren MN3, MN11 und MN12 alle eingeschaltet, während die n-Kanal-MOS-Transistoren MN10 und MN4 beide ausgeschaltet werden. Da der n-Kanal-MOS-Transistor MN3 eingeschaltet wird, wird eine Gate-Spannung des p-Kanal-MOS-Transistors MP4 auf einen Massespannungspegel, zum Beispiel 0V, abgesenkt, wodurch bewirkt wird, dass der p-Kanal-MOS-Transistor MP4 eingeschaltet wird, um die Betriebsspannung VDDQ zu der Ausgangsleitung L3 zu transferieren. Zu diesem Zeitpunkt wird der p-Kanal-MOS-Transistor MP3, wenn die Betriebsspannung VDDQ auf der Ausgangsleitung L3 den maximalen Pegel aufweist, vollständig ausgeschaltet, da sein Gate-Anschluss mit der Ausgangsleitung L3 verbunden ist. In diesem Fall wird, da der n-Kanal-MOS-Transistor MN4 ausgeschaltet bleibt, die Spannung mit hohem Pegel auf der Ausgangsleitung L3 an den Gate-Anschluss des Pull-up-Transistors MP8 in der Ausgabetreibereinheit 40 direkt ohne jegliche Reduktion des Pegels innerhalb des zweiten Spannungsbereichs (von 0V bis VDDQ) angelegt, obwohl der n-Kanal-MOS-Transistor MN11 eingeschaltet bleibt. Hierbei wirkt der n-Kanal-MOS-Transistor MN12 so, dass er die Ausgangsleitung L3 schnell auf den Pegel der Betriebsspannung VDDQ hochzieht, wenn das Eingabedatensignal DATAB auf "hohem" Logikpegel liegt.
  • Mit anderen Worten weist die Ausgangsleitung L3 einen Pegel von etwa 0V auf, wenn das Eingangsdatensignal DATAB auf "niedrigem" Logikpegel liegt. Aus diesem Grund ist in dem Fall, in dem das Eingangsdatensignal DATAB nachfolgend mit "hohem" Logikpegel angelegt wird, merklich Zeit erforderlich, um die Ausgangsleitung L3 ausreichend auf den Pegel der Betriebsspannung VDDQ anzuheben. Diesbezüglich empfängt in dem vorstehenden Fall der n-Kanal-MOS-Transistor MN12 die Betriebsspannung VDDQ direkt an seinem Drain-Anschluss und transferiert diese zu der Ausgangsleitung L3, um die Pull-up-Zeit zu minimieren. Als Ergebnis hiervon wird das Pull-up-Ausgabedatensignal DOU mit dem zweiten Spannungsbereich, der breiter als der erste Spannungsbereich ist, schnell als "hoher" Logikpegel zu der Ausgangsleitung L3 transferiert.
  • Es ist üblich, dass die Pull-up-Geschwindigkeit kleiner als die Pull-down-Geschwindigkeit ist, was zum Auftreten eines Zeitversatzes zwischen Ausgabesignalen führt. In der vorliegenden Ausführungsform wirkt der n-Kanal-MOS-Transistor MN12 dahingehend, den Zeitversatz in den Pull-up- und Pull-down-Vorgängen zu minimieren. Eine derartige Minimierung des Zeitversatzes bedeutet, dass ein Zwischenspeichervorgang nach einem Triggervorgang schnell durchgeführt wird. Hierbei ist die perfekte Verhinderung eines Leckstroms der Grund, warum der n-Kanal-MOS-Transistor MN12 als Transistor für den Pull-up-Vorgang hoher Geschwindigkeit verwendet wird. Das heißt, in dem Fall, in dem ein gegebener Transistor ein solcher vom p-Kanal-Typ ist, kann dieser unabhängig von seiner Gate-Spannung stets eingeschaltet sein, wenn die externe Speisespannung auf hohem Pegel liegt.
  • Des weiteren ermöglicht die Verwendung des n-Kanal-MOS-Transistors MN12, dass der Pull-up-Transistor MP8 in der Ausgabetreibereinheit 40 ohne Vergrößerung seiner Abmessung eine ausreichende Treiberfähigkeit aufweist. Demzufolge wird das Eingangsdatensignal DATAB direkt an das mit der Ausgangsleitung L3 verbundene Pegelschieberelement angelegt, ohne dem Logik-Torsteuerungsvorgang unterworfen zu werden, und wird dann schnell als das Pull-up-Ausgabedatensignal DOU durch den Hochgeschwindigkeits-Pegelverschiebungsvorgang des Pegelschieberelements transferiert. Der hohe Logikpegel des Pull-up-Ausgabedatensignals DOU kann einem Spannungspegel von etwa 5V entsprechen, er kann in Abhängigkeit von verschiedenen Pegeln der Betriebsspannung VDDQ aber auch andere Werte annehmen.
  • Andererseits wird das mit der Ausgangsleitung L4 verbundene Pull-down-Pegelschieberelement in der folgenden Weise betrieben. So wird in dem Fall, in dem das Eingangsdatensignal DATAB ähnlich wie im vorstehenden Fall auf "hohem" Logikpegel liegt, das Ausgabedatensignal DATAC von dem Inverter IN3 mit niedrigem Logikpegel an den Gate-Anschluss des n-Kanal-MOS-Transistors MN6 angelegt. Das zweite Hochimpedanz-Steuersignal HZ wird mit niedrigem Logikpegel an den Gate-Anschluss des n-Kanal-MOS-Transistors MN14 angelegt, und das erste Hochimpedanz-Steuersignal HZB wird mit hohem Logikpegel an die Gate-Anschlüsse der n-Kanal-MOS-Transistoren MN13 und MN15 angelegt, da es das Inverse des zweiten Hochimpedanz-Steuersignals HZ ist. Das Ausgabedatensignal DATACB von dem Inverter IN2 mit hohem Logikpegel wird an die Gate-Anschlüsse der n-Kanal-MOS-Transistoren MN5 und MN16 angelegt.
  • Als Ergebnis hiervon werden die n-Kanal-MOS-Transistoren MN5, MN13, MN15 und MN16 alle eingeschaltet, während die n-Kanal-MOS-Transistoren MN14 und MN6 beide ausgeschaltet werden. Wenn die n-Kanal-MOS-Transistoren MN5 und MN13 eingeschaltet werden, wird eine Gate-Spannung des p-Kanal-MOS-Transistors MP6 auf den Massespannungspegel, zum Beispiel 0V, abgesenkt, wodurch bewirkt wird, dass der p-Kanal-MOS-Transistor MP6 eingeschaltet wird, um die Betriebsspannung VDDQ zu der Ausgangsleitung L4 zu transferieren. Hierbei ist der erste Strompfad durch den Drain-Source-Kanal des Differenz-Transistors MN5 definiert, und der zweite Strompfad ist durch den Drain-Source-Kanal des Differenz-Transistors MN6 definiert.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird, wenn die Betriebsspannung VDDQ auf der Ausgangsleitung L4 den maximalen Pegel aufweist, der p-Kanal-MOS-Transistor MP5 vollständig ausgeschaltet, da sein Gate-Anschluss mit der Ausgangsleitung L4 verbunden ist. In diesem Fall wird, da die n-Kanal-MOS-Transistoren MN14 und MN6 beide ausgeschaltet bleiben, der hohe Spannungspegel auf der Ausgangsleitung L4 an den Gate-Anschluss des Pull-down-Transistors MN8 in der Ausgabetreibereinheit 40 direkt ohne jegliche Reduktion des Pegels innerhalb des zweiten Spannungsbereichs angelegt. Hierbei wirken die n-Kanal-MOS-Transistoren MN15 und MN16 dahingehend, die Ausgangsleitung L4 schnell auf den Pegel der Betriebsspannung VDDQ hochzuziehen, wenn das Eingangsdatensignal DATAB auf "hohem" Logikpegel liegt. Demzufolge wird das Eingangsdatensignal DATAB direkt an das mit der Ausgangsleitung L4 verbundene Pegelschieberelement angelegt, ohne dem Logik-Torsteuerungsvorgang unterworfen zu sein, und dann schnell als das Pull-down-Ausgabedatensignal DOD mit hohem Logikpegel durch den Hochgeschwindigkeits- Pegelverschiebungsvorgang des Pegelschieberelements transferiert. Dann werden die in ihrem Pegel verschobenen Pull-up- und Pull-down-Ausgabedatensignale DOU und DOD auf den Ausgangsleitungen L3 und L4 jeweils mit hohem Logikpegel an die Ausgabetreibereinheit 40 angelegt. In der Ausgabetreibereinheit 40 wird der Pull-up-Transistor MP8 ausgeschaltet, da er als p-Kanal-MOS-Transistor wirkt, und der Pull-down-Transistor MN8 wird eingeschaltet, da er als n-Kanal-MOS-Transistor wirkt. Als Ergebnis hiervon wechseln die endgültigen Ausgabedaten auf niedrigen Logikpegel innerhalb des zweiten Spannungsbereichs.
  • Im Gegensatz zum vorstehenden Fall, in dem die Ausgabedaten in 4 mit niedrigem Logikpegel bereitgestellt werden, erscheint das Eingangsdatensignal DATAB, wenn es an dem Eingangsanschluss des Ausgabepuffers 10 auf "niedrigem" Logikpegel innerhalb des ersten Spannungsbereichs anliegt, mit "hohem" Logikpegel am Eingangsanschluss des Inverters IN2. Als Ergebnis hiervon liefert der Ausgabepuffer 10 das Ausgabeda tensignal DATACB mit niedrigem Logikpegel und das Ausgabedatensignal DATAC mit hohem Logikpegel. Dann wird in dem Pull-up-Pegelschieberelement des HZ-Steuer-/Pegelschieberschaltkreises 25 das Ausgabedatensignal DATACB mit niedrigem Logikpegel von dem Ausgabepuffer 10 an die Gate-Anschlüsse der n-Kanal-MOS-Transistoren MN3 und MN12 angelegt. Wenn das zweite Hochimpedanz-Steuersignal HZ mit niedrigem Logikpegel an den Gate-Anschluss des n-Kanal-MOS-Transistors MN10 angelegt wird, wird das erste Hochimpedanz-Steuersignal HZB mit hohem Logikpegel an den Gate-Anschluss des n-Kanal-MOS-Transistors MN11 angelegt, da es das Inverse des zweiten Hochimpedanz-Steuersignals HZ ist. Das Ausgabedatensignal DATAC von dem Ausgabepuffer 10 mit hohem Logikpegel wird an den Gate-Anschluss des n-Kanal-MOS-Transistors MN4 angelegt.
  • Als Ergebnis hiervon werden die n-Kanal-MOS-Transistoren MN4 und MN11 beide eingeschaltet, während die n-Kanal-MOS-Transistoren MN3, MN10 und MN12 alle ausgeschaltet werden. Wenn die n-Kanal-MOS-Transistoren MN4 und MN11 eingeschaltet werden, wird eine Gate-Spannung des p-Kanal-MOS-Transistors MP3 auf den Massespannungspegel, zum Beispiel 0V, abgesenkt, wodurch bewirkt wird, dass der p-Kanal-MOS-Transistor MP3 eingeschaltet wird. Das Einschalten des p-Kanal-MOS-Transistors MP3 bewirkt, dass die Gate-Spannung des p-Kanal-MOS-Transistors MP4 auf den Pegel der Betriebsspannung VDDQ ansteigt. Als Ergebnis hiervon wird der p-Kanal-MOS-Transistor M24 vollständig ausgeschaltet, und der Spannungspegel der Ausgangsleitung L3 fällt durch die n-Kanal-MOS-Transistoren MN4 und MN11 auf 0V ab.
  • Zu diesem Zeitpunkt wirkt der n-Kanal-MOS-Transistor MN12 nicht dahingehend, dass die Betriebsspannung VDDQ zu der Ausgangsleitung L3 transferiert wird, da er ausgeschaltet bleibt. Demzufolge wird das Pull-up-Ausgabedatensignal DOU schnell mit "niedrigem" Logikpegel zu der Ausgangsleitung L3 übertragen. Andererseits wird das Pull-down-Ausgabedatensignal DOD durch den Pegelverschiebungsvorgang des Pull-down- Pegelschieberelements, das mit der Ausgangsleitung L4 verbunden ist, schnell zu der Ausgangsleitung L4 übertragen. Dann werden die in ihrem Pegel verschobenen Pull-up- und Pull-down-Ausgabedatensignale DOU und DOD auf den Ausgangsleitungen L3 und L4 jeweils mit niedrigem Logikpegel an die Ausgabetreibereinheit 40 angelegt. In der Ausgabetreibereinheit 40 wird der Pull-up-Transistor MP8 eingeschaltet, da er als p-Kanal-MOS-Transistor wirkt, und der Pull-down-Transistor MN8 wird ausgeschaltet, da er als n-Kanal-MOS-Transistor wirkt. Als Ergebnis hiervon wechseln die endgültigen Ausgabedaten innerhalb des zweiten Spannungsbereichs auf hohen Logikpegel. Aus der vorstehend erläuterten Betriebsweise des Datenausgabeschaltkreises der Erfindung ist ersichtlich, dass die Datenausgabegeschwindigkeit im Vergleich zu dem herkömmlichen Datenausgabeschaltkreis relativ hoch ist.
  • Andererseits wird entweder in einem Schreibmodus oder in einem Standby-Modus des Halbleiterspeicherbauelements, nicht im Lesemodus, das zweite Hochimpedanz-Steuersignal HZ mit hohem Logikpegel angelegt. Als Ergebnis hiervon liegt das erste Hochimpedanz-Steuersignal HZB, welches das Inverse des zweiten Hochimpedanz-Steuersignals HZ ist, auf niedrigem Logikpegel. In diesem Fall werden die n-Kanal-MOS-Transistoren in dem HZ-Steuer-/Pegelschieberschaltkreis 25 in Reaktion auf das erste und das zweite Hochimpedanz-Steuersignal HZB und HZ betrieben, die an deren Gate-Anschlüssen empfangen werden, um das Pull-up-Ausgabedatensignal DOU mit "hohem" Logikpegel beziehungsweise das Pull-down-Ausgabedatensignal DOD mit "niedrigem" Logikpegel zu übertragen. Dann werden in der Ausgabetreibereinheit 40 der Pull-up-Transistor MP8 und der Pull-down-Transistor MN8 beide ausgeschaltet, wodurch bewirkt wird, dass der Ausgangsanschluss L5 im Vergleich zu dem herkömmlichen Datenausgabeschaltkreis relativ schnell in den "Hochimpedanz"-Zustand gelangt.
  • Mit anderen Worten werden das erste und das zweite Hochimpedanz-Steuersignal HZB und HZ, da sie nicht mit den Ausgabeda tensignalen DATACB und DATAC kombiniert werden, direkt an den HZ-Steuer-/Pegelschieberschaltkreis 25 angelegt, ohne an Logik-Torsteuerungselemente angelegt zu werden. Demzufolge wird das Pull-up-Ausgabedatensignal DOU für die Steuerung des Hochimpedanz-Zustands direkt mit "hohem" Logikpegel übertragen, und das Pull-down-Ausgabedatensignal DOD für die Steuerung des Hochimpedanz-Zustands wird direkt mit "niedrigem" Logikpegel übertragen, was zu einer Verbesserung der Hochimpedanz-Übertragungsgeschwindigkeit führt.
  • Daher kann die Erfindung die vorstehend erwähnten herkömmlichen Probleme durch Steigern der Datenausgabegeschwindigkeit und der Hochimpedanz-Übertragungsgeschwindigkeit und Eliminieren oder Minimieren des Zeitversatzes zwischen den Ausgabesignalen in den Pull-up- und Pull-down-Vorgängen lösen, ohne dass ein Leckstromproblem auftritt. Des weiteren ermöglicht die Erfindung, dass die Ausgabetreibereinheit 40 eine ausreichende Treiberfähigkeit ohne Vergrößern ihrer Transistorabmessung aufweist.
  • Während die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zur Illustration offenbart wurden, erkennt der Fachmann, dass verschiedene Modifikationen, Hinzufügungen und Substitutionen möglich sind, ohne vom Umfang und Wesen der Erfindung abzuweichen, wie sie in den begleitenden Ansprüchen definiert ist. Die Transistoren in dem HZ-Steuer-/Pegelschieberschaltkreis können in ihrer Anzahl erhöht oder verringert werden, und jeder der Pull-up- und Pull-down-Transistoren kann von einem anderen Kanaltyp sein oder durch einen Bipolartransistor ersetzt werden.
  • Wie aus der vorstehenden Beschreibung ersichtlich, ist der Datenausgabeschaltkreis mit dem verbesserten Pegelschieber gemäß der Erfindung in der Lage, die Datenausgabegeschwindigkeit und die Hochimpedanz-Übertragungsgeschwindigkeit zu steigern und den Zeitversatz zwischen den Ausgabesignalen in den Pull-up- und Pull-down-Vorgängen zu eliminieren oder zu minimieren, ohne dass ein Leckstromproblem auftritt. Des weiteren ist der Datenausgabeschaltkreis in der Lage, die Stromtreiberfähigkeit der Ausgabetreibereinheit zu verbessern. Daher ist die vorliegende Erfindung vorteilhaft auf ein Halbleiterbauelement mit höherer Geschwindigkeit anwendbar.

Claims (6)

  1. Datenausgabeschaltkreis für ein Halbleiterbauelement, mit – einem Ausgabepuffer (10) zum Empfangen und Zwischenspeichern eines Eingangsdatensignals (DATAB) mit einem ersten Spannungsbereich in Reaktion auf ein Taktsteuersignal (KDATA), um ein Paar von Ausgabedatensignalen (DATAC, DATACB) bereitzustellen, – Hochimpedanzsteuer-/Pegelschiebermitteln (25) zum Abgeben von Hochimpedanz-Treiberdaten für die Steuerung eines Hochimpedanz-Zustands über ein Paar von Ausgangsleitungen (L3, L4) in Abhängigkeit von einem ersten logischen Zustand eines Hochimpedanz-Steuersignals und zum direkten Empfangen des Ausgabedatensignalpaars von dem Ausgabepuffer in Abhängigkeit von einem zweiten logischen Zustand des Hochimpedanz-Steuersignals und zum Übertragen eines Pull-up-Ausgabedatensignals und eines Pull-down-Ausgabedatensignals über die jeweilige Ausgangsleitung, wobei jedes der Pull-up- und Pull- down-Ausgabedatensignale einen zweiten Spannungsbereich aufweist, der breiter als der erste Spannungsbereich ist, und – einer Ausgabetreibereinheit (40) zum Halten eines Datenausgabeanschlusses (DQ) in dem Hochimpedanz-Zustand in Reaktion auf die Hochimpedanz-Treiberdaten von den Hochimpedanzsteuer-/Pegelschiebermitteln und zum Durchführen eines Ausgabetreibervorgangs in Reaktion auf die Pull-up- und Pull-down-Ausgabedatensignale von den Hochimpedanzsteuer-/Pegelschiebermitteln, um endgültige Daten über den Datenausgabeanschluss nach außen abzugeben, – wobei die Hochimpedanzsteuer-/Pegelschiebermittel folgende Elemente enthalten: – wenigstens ein Paar von kreuzgekoppelten p-Kanal-MOS-Transistoren (MP3, MP4; MP5, MP6), bei denen die Gate-Anschlüsse mit dem Drain-Anschluss des jeweils anderen Transistors kreuzgekoppelt sind und die Source-Anschlüsse gemeinsam mit einer Betriebsspannung (VDDQ) verbunden sind, – Differenz-Transistormittel, die wenigstens ein Paar von n-Kanal-MOS-Transistoren (MN3, MN4; MN5, MN6) beinhalten, deren Drain-Source-Kanäle jeweils zwischen den Drain-Anschlüssen der kreuzgekoppelten p-Kanal-MOS-Transistoren und einer Massespannung gebildet sind, um einen ersten und einen zweiten Strompfad zu definieren, während ihre Gate-Anschlüsse zum Empfangen des Paars von Ausgabedatensignalen des Ausgabepuffers mit dem ersten Spannungsbereich dienen, – Hochimpedanz-Steuermittel, die wenigstens ein Paar von n-Kanal-MOS-Transistoren (MN10, MN11; MN13, MN14) beinhalten, von denen bei einem der Drain-Source-Kanal zwischen einem Source-Anschluss des n-Kanal-MOS-Transistors (MN4; MN5), der den ersten oder zweiten Strompfad definiert, und der Massespannung liegt und der Gate-Anschluss zum Empfangen eines ersten Hochimpedanz-Steuersignals (HZB) dient und bei dem anderen der Drain-Source-Kanal parallel zu dem Drain-Source-Kanal des n-Kanal-MOS-Transistors (MN3; MN6) geschaltet ist, der den zweiten oder ersten Strompfad definiert, und sein Gate-Anschluss zum Empfangen eines zweiten Hochimpedanz-Steuersignals (HZ) dient, wobei das zweite Hochimpedanz-Steuersignal den entgegengesetzten logischen Zustand zu jenem des ersten Hochimpedanz-Steuersignals aufweist, und – Pull-up-Mittel, die ein Paar von n-Kanal-MOS-Transistoren (MN15, MN16) beinhalten, die mit ihren Drain-Source-Kanälen seriell zwischen derjenigen der beiden Ausgangsleitungen, die das Pull-down-Ausgabedatensignal mit dem zweiten Spannungsbereich überträgt, und der Betriebsspannung eingeschleift sind und deren Gate-Anschlüsse zum Empfangen des ersten Hochimpedanz-Steuersignals und eines jeweiligen der Ausgabedatensignale dienen, und/oder die einen n-Kanal-MOS-Transistor (MN12) beinhalten, der mit seinem Drain-Source-Kanal zwischen der Ausgangsleitung, die das Pull-up-Ausgabedatensignal mit dem zweiten Spannungsbereich überträgt, und der Betriebsspannung eingeschleift ist und dessen Gate-Anschluss zum Empfangen von einem der Ausgabedatensignale dient.
  2. Datenausgabeschaltkreis nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgabepuffer einen getakteten CMOS-Inverterschaltkreis und einen Inverterzwischenspeicherschaltkreis beinhaltet.
  3. Datenausgabeschaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der erste logische Zustand des Hochimpedanz-Steuersignals ein hoher Logikpegel ist und der zweite logische Zustand desselben ein niedriger Logikpegel ist.
  4. Datenausgabeschaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass er für ein Halbleiterspeicherbauelement mit flüchtigem Speicher dient.
  5. Datenausgabeschaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 4, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Hochimpedanz-Steuersignal einen hohen Logikpegel in entweder einem Schreibmodus oder einem Standby-Modus aufweist.
  6. Datenausgabeschaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 5, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Hochimpedanz-Steuersignal im Lesemodus einen niedrigen Logikpegel aufweist.
DE10047451A 1999-09-28 2000-09-26 Datenausgabeschaltkreis für ein Halbleiterbauelement Expired - Lifetime DE10047451B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR99-41449 1999-09-28
KR1019990041449A KR100308792B1 (ko) 1999-09-28 1999-09-28 레벨시프터를 가지는 반도체 장치의 데이터 출력회로 및 데이터 출력방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10047451A1 DE10047451A1 (de) 2001-04-05
DE10047451B4 true DE10047451B4 (de) 2008-01-03

Family

ID=19612987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10047451A Expired - Lifetime DE10047451B4 (de) 1999-09-28 2000-09-26 Datenausgabeschaltkreis für ein Halbleiterbauelement

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6501306B1 (de)
JP (1) JP3590557B2 (de)
KR (1) KR100308792B1 (de)
DE (1) DE10047451B4 (de)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3987262B2 (ja) * 2000-03-01 2007-10-03 富士通株式会社 レベルコンバータ回路
JP3502330B2 (ja) * 2000-05-18 2004-03-02 Necマイクロシステム株式会社 出力回路
JP3717781B2 (ja) * 2000-10-30 2005-11-16 株式会社ルネサステクノロジ レベル変換回路および半導体集積回路
JP2003133938A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Mitsubishi Electric Corp 出力回路
JP3889954B2 (ja) * 2001-10-29 2007-03-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US6657906B2 (en) * 2001-11-28 2003-12-02 Micron Technology, Inc. Active termination circuit and method for controlling the impedance of external integrated circuit terminals
KR100465599B1 (ko) * 2001-12-07 2005-01-13 주식회사 하이닉스반도체 데이타 출력 버퍼
JP2003229758A (ja) * 2002-02-01 2003-08-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6836148B2 (en) * 2002-04-08 2004-12-28 Texas Instruments Incorporated Versatile high voltage outputs using low voltage transistors
DE10215546B4 (de) * 2002-04-09 2004-02-26 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Umsetzung von Logiksignalpegeln
JP4020680B2 (ja) * 2002-04-12 2007-12-12 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路
US6801064B1 (en) * 2002-08-27 2004-10-05 Cypress Semiconductor, Corp Buffer circuit using low voltage transistors and level shifters
WO2004042923A1 (ja) * 2002-11-06 2004-05-21 Nec Corporation レベル変換回路
US6838918B1 (en) * 2002-11-19 2005-01-04 Xilinx, Inc. Hard phase alignment of clock signals using asynchronous level-mode state machine
US6836150B2 (en) * 2002-12-23 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Reducing swing line driver
DE10320795A1 (de) * 2003-04-30 2004-12-09 Infineon Technologies Ag Pegelumsetz-Einrichtung
US7301370B1 (en) 2003-05-22 2007-11-27 Cypress Semiconductor Corporation High-speed differential logic to CMOS translator architecture with low data-dependent jitter and duty cycle distortion
KR100541158B1 (ko) * 2003-05-28 2006-01-10 주식회사 하이닉스반도체 출력 회로
US7053657B1 (en) * 2003-06-26 2006-05-30 Cypress Semiconductor Corporation Dynamically biased wide swing level shifting circuit for high speed voltage protection input/outputs
US7019553B2 (en) * 2003-12-01 2006-03-28 Micron Technology, Inc. Method and circuit for off chip driver control, and memory device using same
US7737734B1 (en) 2003-12-19 2010-06-15 Cypress Semiconductor Corporation Adaptive output driver
KR100574488B1 (ko) * 2004-02-04 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 레벨 쉬프터
JP4457810B2 (ja) * 2004-03-04 2010-04-28 富士電機システムズ株式会社 表示装置駆動回路
US7034572B2 (en) * 2004-06-14 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Voltage level shifting circuit and method
US7791397B2 (en) * 2004-07-28 2010-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High speed digital level shifter
JP2006059910A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Fujitsu Ltd 半導体装置
US7200053B2 (en) * 2004-09-01 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Level shifter for low voltage operation
KR100568874B1 (ko) * 2004-12-03 2006-04-10 삼성전자주식회사 반도체 메모리에서의 출력버퍼회로
US7215579B2 (en) * 2005-02-18 2007-05-08 Micron Technology, Inc. System and method for mode register control of data bus operating mode and impedance
JP4241657B2 (ja) * 2005-04-14 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 半導体集積回路
US7956641B1 (en) 2005-04-28 2011-06-07 Cypress Semiconductor Corporation Low voltage interface circuit
US7355905B2 (en) 2005-07-01 2008-04-08 P.A. Semi, Inc. Integrated circuit with separate supply voltage for memory that is different from logic circuit supply voltage
US8072834B2 (en) 2005-08-25 2011-12-06 Cypress Semiconductor Corporation Line driver circuit and method with standby mode of operation
KR100884001B1 (ko) * 2006-02-22 2009-02-17 삼성전자주식회사 입력 차단 모드에서 전류가 흐르지 않으며 고정된 출력값을발생하는 레벨 쉬프터 및 레벨 쉬프팅 방법
US7352229B1 (en) * 2006-07-10 2008-04-01 Altera Corporation Reference clock receiver compliant with LVPECL, LVDS and PCI-Express supporting both AC coupling and DC coupling
US7834662B2 (en) * 2006-12-13 2010-11-16 Apple Inc. Level shifter with embedded logic and low minimum voltage
US7652504B2 (en) * 2006-12-13 2010-01-26 Apple Inc. Low latency, power-down safe level shifter
JP2008293604A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置の出力回路、および半導体記憶装置の出力回路のデータ出力方法
US7626440B1 (en) 2007-07-04 2009-12-01 Altera Corporation High speed level shift
JP2009088766A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Toshiba Corp 出力バッファ回路
US7705631B2 (en) * 2008-01-28 2010-04-27 Elite Semiconductor Memory Technology, Inc. Level shifter circuit
US8102728B2 (en) * 2009-04-07 2012-01-24 Apple Inc. Cache optimizations using multiple threshold voltage transistors
US7995410B2 (en) * 2009-06-26 2011-08-09 Apple Inc. Leakage and NBTI reduction technique for memory
JP5618772B2 (ja) * 2010-11-11 2014-11-05 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. 半導体装置
JP2012191333A (ja) * 2011-03-09 2012-10-04 Toshiba Corp 出力回路および出力制御システム
US8553488B2 (en) 2011-06-10 2013-10-08 Apple Inc. Performing stuck-at testing using multiple isolation circuits
US8963609B2 (en) * 2013-03-01 2015-02-24 Arm Limited Combinatorial circuit and method of operation of such a combinatorial circuit
US9508405B2 (en) 2013-10-03 2016-11-29 Stmicroelectronics International N.V. Method and circuit to enable wide supply voltage difference in multi-supply memory
US10263621B2 (en) * 2017-03-24 2019-04-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Level shifter with improved voltage difference
US9997208B1 (en) 2017-03-29 2018-06-12 Qualcomm Incorporated High-speed level shifter
JP2022143791A (ja) * 2021-03-18 2022-10-03 株式会社ジャパンディスプレイ レベルシフト回路、表示パネル、及び電子機器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04145720A (ja) * 1990-10-08 1992-05-19 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 論理回路
JPH0567963A (ja) * 1991-09-06 1993-03-19 Hitachi Ltd 論理集積回路
US5300832A (en) * 1992-11-10 1994-04-05 Sun Microsystems, Inc. Voltage interfacing buffer with isolation transistors used for overvoltage protection
US5467313A (en) * 1993-07-28 1995-11-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Level shifter and data output buffer having same
US5583454A (en) * 1995-12-01 1996-12-10 Advanced Micro Devices, Inc. Programmable input/output driver circuit capable of operating at a variety of voltage levels and having a programmable pullup/pulldown function
US5723986A (en) * 1995-06-05 1998-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Level shifting circuit
DE19738726A1 (de) * 1996-12-30 1998-07-02 Samsung Electronics Co Ltd Datenausgabe-bezogener Schaltkreis für Halbleiterspeichervorrichtung mit Eignung für Hochgeschwindigkeitsbetrieb

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950000353B1 (ko) * 1992-12-30 1995-01-13 현대전자산업 주식회사 집적회로용 출력 버퍼 회로
US5627487A (en) * 1995-06-28 1997-05-06 Micron Technology, Inc. Charge conserving driver circuit for capacitive loads
TW511335B (en) * 1998-06-09 2002-11-21 Mitsubishi Electric Corp Integrated circuit

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04145720A (ja) * 1990-10-08 1992-05-19 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 論理回路
JPH0567963A (ja) * 1991-09-06 1993-03-19 Hitachi Ltd 論理集積回路
US5300832A (en) * 1992-11-10 1994-04-05 Sun Microsystems, Inc. Voltage interfacing buffer with isolation transistors used for overvoltage protection
US5467313A (en) * 1993-07-28 1995-11-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Level shifter and data output buffer having same
US5723986A (en) * 1995-06-05 1998-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Level shifting circuit
US5583454A (en) * 1995-12-01 1996-12-10 Advanced Micro Devices, Inc. Programmable input/output driver circuit capable of operating at a variety of voltage levels and having a programmable pullup/pulldown function
DE19738726A1 (de) * 1996-12-30 1998-07-02 Samsung Electronics Co Ltd Datenausgabe-bezogener Schaltkreis für Halbleiterspeichervorrichtung mit Eignung für Hochgeschwindigkeitsbetrieb

Also Published As

Publication number Publication date
JP3590557B2 (ja) 2004-11-17
KR20010028917A (ko) 2001-04-06
JP2001111411A (ja) 2001-04-20
DE10047451A1 (de) 2001-04-05
KR100308792B1 (ko) 2001-11-02
US6501306B1 (en) 2002-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10047451B4 (de) Datenausgabeschaltkreis für ein Halbleiterbauelement
DE69924173T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit Schlafmodus mit geringem Stromverbrauch und geringem Flächenbedarf
DE69839067T2 (de) Regelwandlerschaltung und integrierte Halbleiterschaltung, in der diese verwendet wird
DE69334110T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit Eingangs-Ausgangsschnittstelle für kleine Signalamplituden
EP1086531B1 (de) Logikgatter
DE102005060042B4 (de) Treiber für Niederspannungsdifferenzsignale, der Zweige mit Serienwiderständen enthält
DE69838633T2 (de) Konstantstrom-CMOS-Ausgangstreiberschaltung mit Dual-Gate-Transistoren
DE69434903T2 (de) Elektronisches System zum Abschluss von Busleitungen
DE19712840B4 (de) Schnittstellenschaltung und Verfahren zum Übertragen binärer logischer Signale mit reduzierter Verlustleistung
DE19515789C2 (de) Bootstrap-Schaltung
DE19514347C2 (de) Datenausgabepuffer
DE19812270B4 (de) Signalleitungstreiber und diesen verwendendes Halbleiterspeicherbauelement
DE3743969A1 (de) Ausgabepuffer
DE10024115A1 (de) Eingangspuffer
DE69834755T2 (de) Ausgangsschaltung, Eingangsschaltung und Eingangs/Ausgangsschaltung
DE102004012239A1 (de) Schaltung zum Transformieren eines Signals in einem Differenzmodus in ein unsymmetrisches Signal bei reduzierter Leistungsaufnahme im Standby-Zustand
DE10155526C2 (de) LVDS-Treiber für kleine Versorungsspannungen
DE60212034T2 (de) Multiplexerschaltung für einen schnellen getakteten Parallel/Serien-Wandler
DE69725829T2 (de) Halbleiterausgangpufferschaltung
DE60037948T2 (de) Ausgangspuffer für differenzielle Niederspannugssignale
DE102004013641A1 (de) Schaltung mit Stromschaltlogik für die bidirektionale Datenübertragung
DE10062728B4 (de) Pegelumsetzerschaltung
DE69830561T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE69934551T2 (de) Sende-Empfangstreiber mit programmierbarer Flankensteilheit unabhängig vom Herstellungsverfahren , der Speisespannung und der Temperatur
DE60100670T2 (de) Pegelverschieber für extrem niedrige speisespannungen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R071 Expiry of right