DE10007179A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren einer Schmelze mit einem Dotierstoff - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren einer Schmelze mit einem DotierstoffInfo
- Publication number
- DE10007179A1 DE10007179A1 DE10007179A DE10007179A DE10007179A1 DE 10007179 A1 DE10007179 A1 DE 10007179A1 DE 10007179 A DE10007179 A DE 10007179A DE 10007179 A DE10007179 A DE 10007179A DE 10007179 A1 DE10007179 A1 DE 10007179A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- melt
- dopant
- container
- vessel
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1056—Seed pulling including details of precursor replenishment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Dotieren einer Schmelze mit einem Dotierstoff, wobei die Schmelze in einem Tiegel vorgelegt wird. Der Dotierstoff wird in einen Behälter eingebracht und der Behälter in die Schmelze getaucht, wobei der Dotierstoff durch eine entstehende Öffnung im Behälter in die Schmelze übertritt. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung, die einen den Dotierstoff enthaltenden Behälter und eine mit dem Behälter verbundene Einrichtung zum Absenken des Behälters in eine Schmelze und zum Heben des Behälters aus der Schmelze umfaßt, wobei der Behälter mit einer Öffnung versehen ist, die durch ein Verschlußstück versperrt ist, das stoffgleich mit der Schmelze ist und schmilzt, wenn es mit der Schmelze in Kontakt gebracht wird.
Description
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Dotieren einer
Schmelze mit einem Dotierstoff, wobei die Schmelze in einem
Tiegel vorgelegt wird. Gegenstand der Erfindung ist auch eine
Vorrichtung, die zur Durchführung des Verfahrens geeignet ist.
Die Erfindung ist bei der Herstellung von Einkristallen aus
Halbleitermaterial von Vorteil, die nach der Czochralski-
Methode aus einer Schmelze gezogen werden und als Grundmaterial
zur Produktion von elektronischen Bauelementen dienen. Die
Schmelze besteht in der Regel aus geschmolzenem Silicium, das
mit einem Dotierstoff versetzt ist. Beim Einbringen des
Dotierstoffs in die Schmelze kann es zu Problemen kommen, die
darin bestehen, daß schmelzflüssiges Material verspritzt wird,
oder der Dotierstoff aufgrund seiner Flüchtigkeit nur schwer zu
kontrollieren ist. Leichtflüchtige Dotierstoffe wie Antimon
oder Arsen können nicht wie beispielsweise Bor oder Phosphor
zusammen mit polykristallinem Halbleitermaterial im Tiegel
geschmolzen werden, da sie beim Aufschmelzvorgang ausdampfen
würden. Die Zugabe dieser Dotierstoffe erfolgt daher
üblicherweise erst kurz vor dem Ziehen des Einkristalls aus der
Schmelze.
Die Flüchtigkeit mancher Dotierstoffe führt darüber hinaus zu
einer Reihe von Problemen beim Ziehen. Unkontrollierbares
Ausdampfen des Dotierstoffes führt zu Widerstandsabweichungen
und damit zu unbrauchbaren Einkristallen. In der Ziehanlage und
im Filtersystem scheiden sich leichtentzündliche und meist
toxischen Beläge und Partikel ab, die einen erheblichen
Reinigungsaufwand erfordern. Fallen während des Ziehvorganges
Partikel in die Schmelze, können im Kristall Defekte entstehen,
die den hergestellten Einkristall unbrauchbar machen. Es ist
daher notwendig ein Dotierverfahren zu verwenden, das mit
minimalen Ausdampfverlusten arbeitet.
Es gibt bereits verschiedene Veröffentlichungen, wie die
WO-97/36024, die JP-62-153188, die JP-60-171291 und die
US-5,406,905, die sich mit dem Dotieren einer Schmelze
beschäftigen, jedoch enthält keine eine umfassende Lösung für
die geschilderten Probleme.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine solche Lösung bereitzu
stellen.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Dotieren einer
Schmelze mit einem Dotierstoff, wobei die Schmelze in einem
Tiegel vorgelegt wird, das dadurch gekennzeichnet ist, daß der
Dotierstoff in einen Behälter eingebracht wird, und der
Behälter in die Schmelze getaucht wird, wobei der Dotierstoff
durch eine entstehende Öffnung im Behälter in die Schmelze
übertritt.
Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung zum Dotieren
einer Schmelze mit einem Dotierstoff, die gekennzeichnet ist
durch einen den Dotierstoff enthaltenden Behälter und eine mit
dem Behälter verbundene Einrichtung zum Absenken des Behälters
in eine Schmelze und zum Heben des Behälters aus der Schmelze,
wobei der Behälter mit einer Öffnung versehen ist, die durch
ein Verschlußstück versperrt ist, das stoffgleich mit der
Schmelze ist und schmilzt, wenn es mit der Schmelze in Kontakt
gebracht wird.
Das Verfahren kann mit allen gängigen Dotierstoffen ausgeführt
werden. Es eignet sich jedoch besonders zum Dotieren einer
Schmelze aus Halbleitermaterial wie Silicium mit leicht
flüchtigen Dotierstoffen wie Arsen oder Antimon. Das Verfahren
und zwei bevorzugte Ausführungsformen der Vorrichtung werden
nachfolgend an Hand von Figuren näher erläutert.
Fig. 1 zeigt in drei Teilabbildungen die zeitliche Abfolge des
erfindungsgemäßen Dotierens einer Schmelze mit einer
Vorrichtung gemäß Fig. 3.
In Fig. 2 ist eine zur Durchführung des Verfahrens geeignete
Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform dargestellt.
Fig. 3 zeigt die Vorrichtung gemäß einer zweiten, besonders
bevorzugten Ausführungsform.
Gleichwirkende Vorrichtungsmerkmale sind mit denselben Bezugs
zahlen versehen.
Gemäß der ersten Teilabbildung der Fig. 1 wird ein Behälter 1
mit Hilfe einer Einrichtung 2 in eine Schmelze 3 getaucht, die
sich in einem Tiegel 4 befindet. Der Behälter und die
Einrichtung zum Absenken und Heben des Behälters bestehen
vorzugsweise aus SiO2. Der Behälter verfügt über eine zunächst
verschlossene Öffnung 5 vorzugsweise im Boden des Behälters,
jedenfalls in einem Teil des Behälters, der in die Schmelze
eintaucht. Der Behälter enthält Dotierstoff 8 und gegebenen
falls festes Material, das stoffgleich zum Schmelzenmaterial
ist. Die Öffnung ist durch ein Verschlußstück 6 geschlossen,
das ebenfalls stoffgleich mit dem Schmelzenmaterial ist. Nach
dem Eintauchen des Behälters in die Schmelze löst sich das
Verschlußstück auf und ermöglicht dem Dotierstoff den Übertritt
durch die Öffnung 5 in die Schmelze 3. Diese Situation ist in
der zweiten Teilabbildung der Fig. 1 dargestellt. In der
dritten Teilabbildung ist gezeigt, wie der Behälter
anschließend aus der Schmelze gehoben wird und in den Behälter
eingedrungene Anteile der Schmelze in den Tiegel zurückfließen.
Gemäß der ersten Ausführungsform der Vorrichtung, die in Fig.
2 gezeigt ist, ist der Behälter 1 als Quarzglocke ausgebildet,
die mit einer zusätzlichen Entlüftungsöffnung 7 versehen ist.
Der Behälter ist mit einer Quarzstange 2 verbunden und kann mit
deren Hilfe in die Schmelze getaucht und wieder herausgehoben
werden. Die Öffnung 5 im Boden des Behälters ist mit einem
Propfen 6 verschlossen, der sich beim Eintauchen des Behälters
in die Schmelze auflöst. Die Entlüftungsöffnung 7 ermöglicht,
daß der Gasdruck abgebaut werden kann, der entsteht, wenn der
Behälter in die Schmelze taucht und ein Teil des Dotierstoffs
zu sublimieren beginnt. Um die Menge an Dotierstoff zu redu
zieren, die durch die Entlüftungsöffnung ausdampft, ist es
bevorzugt, den Dotierstoff im Behälter mit einer Schicht aus
festem Material zu überdecken, das stoffgleich mit dem
Schmelzenmaterial ist.
Während des Dotierens dringt die Schmelze in den Behälter ein
und es besteht das Risiko, daß verbleibende Schmelzenanteile
beim Herausheben des Behälters aus der Schmelze erstarren und
mechanische Spannungen hervorrufen, die zur Zerstörung des
Behälters führen können. Die Entlüftungsöffnung 7 sichert das
restlose Ablaufen der Schmelzenanteile beim Ausfahren des
Behälters.
Gemäß der zweiten, besonders bevorzugten Ausführungsform der
Vorrichtung, die in Fig. 3 gezeigt ist, ist der Behälter 1 als
geschlossene Quarzglocke ausgebildet, die nur über eine
verschlossene Öffnung 5 verfügt. Überraschenderweise widersteht
der Behälter trotz der geschlossenen Bauform einen mit dem
Eintauchen in die Schmelze verbundenen Druckaufbau. An dem
Behälter ist eine Quarzstange 2 befestigt, mit der der Behälter
gehalten und bewegt werden kann. Anstelle einer
Entlüftungsöffnung weist der Behälter eine vergleichsweise
weite, zur Schmelze gerichtete Öffnung 5 auf, durch die
eingedrungene Schmelzenanteile beim Anheben des Behälters
wieder ablaufen können. Die Öffnung 5 wird vorzugsweise mit
einer Halbleiterscheibe als Verschlußstück 6 verschlossen. Es
ist weiterhin bevorzugt, daß der Dotierstoff in diesem Fall
nicht mit festem Halbleitermaterial überschichtet wird, weil so
bei vorgegebener Glockengröße mit höheren Mengen Dotierstoff
dotiert werden kann. Die zuletzt vorgestellte Ausführungsform
hat schließlich noch den Vorteil, daß der Dotierstoff nur in
Richtung der reaktiven Schmelze entweichen kann und die
Verluste durch Ausdampfen besonders gering sind.
Claims (11)
1. Verfahren zum Dotieren einer Schmelze mit einem Dotierstoff,
wobei die Schmelze in einem Tiegel vorgelegt wird, dadurch
gekennzeichnet, daß der Dotierstoff in einen Behälter
eingebracht wird, und der Behälter in die Schmelze getaucht
wird, wobei der Dotierstoff durch eine entstehende Öffnung im
Behälter in die Schmelze übertritt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
Dotierstoff mit einer Schicht aus festem Material bedeckt wird,
das mit der Schmelze stoffgleich ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß in den Behälter Arsen oder Antimon als
Dotierstoff eingebracht wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Schmelze durch Schmelzen von Silicium
erhalten wird.
5. Vorrichtung zum Dotieren einer Schmelze mit einem
Dotierstoff, gekennzeichnet durch einen den Dotierstoff
enthaltenden Behälter und eine mit dem Behälter verbundene
Einrichtung zum Absenken des Behälters in eine Schmelze und zum
Heben des Behälters aus der Schmelze, wobei der Behälter mit
einer Öffnung versehen ist, die durch ein Verschlußstück
versperrt ist, das stoffgleich mit der Schmelze ist und
schmilzt, wenn es mit der Schmelze in Kontakt gebracht wird.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der
Behälter als geschlossener Körper ausgebildet ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der
Behälter eine Entlüftungsöffnung besitzt.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß der Behälter und die Einrichtung aus SiO2
bestehen.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß das Verschlußstück aus Halbleitermaterial
besteht.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß das Verschlußstück als Halbleiterscheibe
ausgebildet ist.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß das Verschlußstück als konusförmiger
Pfropfen ausgebildet ist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10007179A DE10007179B4 (de) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren einer Schmelze mit einem Dotierstoff |
US09/782,999 US6660082B2 (en) | 2000-02-17 | 2001-02-14 | Method and apparatus for doping a melt with a dopant |
JP2001037436A JP3665577B2 (ja) | 2000-02-17 | 2001-02-14 | 溶融液のドーピングのための方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10007179A DE10007179B4 (de) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren einer Schmelze mit einem Dotierstoff |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10007179A1 true DE10007179A1 (de) | 2001-09-06 |
DE10007179B4 DE10007179B4 (de) | 2004-08-19 |
Family
ID=7631262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10007179A Expired - Lifetime DE10007179B4 (de) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren einer Schmelze mit einem Dotierstoff |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6660082B2 (de) |
JP (1) | JP3665577B2 (de) |
DE (1) | DE10007179B4 (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003027362A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing an arsenic-doped single crystal silicon using a submersed dopant feeder |
KR100777336B1 (ko) | 2006-05-24 | 2007-11-28 | 요업기술원 | 실리콘 단결정 잉고트의 제조장치 |
DE112007001701B4 (de) | 2006-07-20 | 2018-03-15 | Sumco Techxiv Corp. | Verfahren zur Injektion von Dotierstoff, Dotiervorrichtung und Ziehvorrichtung |
JP2008087991A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Sumco Techxiv株式会社 | ドーパントガスの注入方法 |
JP4516096B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2010-08-04 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
JP4359320B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2009-11-04 | Sumco Techxiv株式会社 | ドーピング装置、及びシリコン単結晶の製造方法 |
FR2962849B1 (fr) * | 2010-07-16 | 2014-03-28 | Apollon Solar | Procede de dopage d'un materiau semi-conducteur |
US8691013B2 (en) * | 2011-05-09 | 2014-04-08 | Memc Singapore Pte Ltd | Feed tool for shielding a portion of a crystal puller |
KR101350114B1 (ko) * | 2011-11-29 | 2014-01-09 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 성장 장치 및 잉곳 성장 방법 |
WO2014106080A1 (en) | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Memc Electronic Materials S.P.A. | Fabrication of indium-doped silicon by the czochralski method |
EP2938759B1 (de) | 2012-12-31 | 2017-03-22 | Memc Electronic Materials, S.p.A. | Flüssigdotiersysteme und verfahren zur gesteuerten dotierung eines einkristall-halbleitermaterials |
KR101443489B1 (ko) | 2013-01-23 | 2014-09-22 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 제조장비의 도펀트 주입장치 |
US9725821B1 (en) * | 2014-02-28 | 2017-08-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Cavity pull rod: device to promote single crystal growth from the melt |
US10337118B2 (en) | 2014-11-26 | 2019-07-02 | Corner Star Limited | Apparatus and method for doping a semiconductor melt comprising a seed chuck, a seed crystal connected to the seed chuck, and a dopant container connected to the seed chuck between a first and second end of the apparatus |
CN107002287B (zh) * | 2014-12-26 | 2019-08-16 | 日本碍子株式会社 | 13族元素氮化物结晶的培养方法及装置 |
CN116200808A (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-02 | Tcl中环新能源科技股份有限公司 | 一种用于单晶硅合金补掺的工装及补掺方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60171291A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 単結晶製造時の種子付け方法 |
JPS62153188A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Mitsubishi Metal Corp | ド−ピングされた単結晶の製造方法 |
US5406905A (en) * | 1993-05-28 | 1995-04-18 | Simco/Ramic Corporation | Cast dopant for crystal growing |
WO1997036024A1 (en) * | 1996-03-26 | 1997-10-02 | Seh America, Inc. | Methods of doping molten semiconductor in a crystal-growing furnace |
US5976245A (en) * | 1998-06-12 | 1999-11-02 | Seh America, Inc. | Czochralski crystal growing system |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60137891A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶引き上げ方法と装置 |
US5427056A (en) * | 1990-10-17 | 1995-06-27 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Apparatus and method for producing single crystal |
DE4218123C2 (de) * | 1992-06-02 | 1996-05-02 | Leybold Ag | Vorrichtung für die kontinuierliche Zuführung von Chargengut für einen Schmelztiegel und deren Verwendung |
DE4328982C2 (de) * | 1993-08-28 | 1996-02-01 | Leybold Ag | Verfahren zum Regeln eines Mengenstromes von Partikeln zu einem Schmelztiegel und Regelanordnung zur Durchführung des Verfahrens |
JPH0859386A (ja) * | 1994-08-22 | 1996-03-05 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体単結晶育成装置 |
US5580171A (en) * | 1995-07-24 | 1996-12-03 | Lim; John C. | Solids mixing, storing and conveying system for use with a furnace for single crystal silicon production |
JP3594155B2 (ja) * | 1996-03-21 | 2004-11-24 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶引上げ装置における粒状原料の供給方法及び供給装置 |
JP3484870B2 (ja) * | 1996-03-27 | 2004-01-06 | 信越半導体株式会社 | 連続チャージ法によるシリコン単結晶の製造方法およびドーパント供給装置 |
US6179914B1 (en) * | 1999-02-02 | 2001-01-30 | Seh America, Inc. | Dopant delivery system and method |
-
2000
- 2000-02-17 DE DE10007179A patent/DE10007179B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-14 JP JP2001037436A patent/JP3665577B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-14 US US09/782,999 patent/US6660082B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60171291A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 単結晶製造時の種子付け方法 |
JPS62153188A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Mitsubishi Metal Corp | ド−ピングされた単結晶の製造方法 |
US5406905A (en) * | 1993-05-28 | 1995-04-18 | Simco/Ramic Corporation | Cast dopant for crystal growing |
WO1997036024A1 (en) * | 1996-03-26 | 1997-10-02 | Seh America, Inc. | Methods of doping molten semiconductor in a crystal-growing furnace |
US5976245A (en) * | 1998-06-12 | 1999-11-02 | Seh America, Inc. | Czochralski crystal growing system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20010015167A1 (en) | 2001-08-23 |
JP3665577B2 (ja) | 2005-06-29 |
US6660082B2 (en) | 2003-12-09 |
JP2001253791A (ja) | 2001-09-18 |
DE10007179B4 (de) | 2004-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10007179B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren einer Schmelze mit einem Dotierstoff | |
DE2601765A1 (de) | Mikrokugel aus lotmaterial mit einem metallischen kern und verfahren zur herstellung derselben | |
DE2243181A1 (de) | Verfahren zum herstellen epitaktischer halbleiterschichten aus der fluessigen phase | |
DE3906270A1 (de) | Glasschmelzverfahren und vorrichtung dafuer | |
DE3938656A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von sauerstofffreiem kupfer | |
DE2305019B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleiterschichten mittels Flüssigphasen-Epitaxie | |
DE3009300C2 (de) | ||
DE3742594A1 (de) | Verfahren zur erhoehung der korrosionsfestigkeit von metallischen werkstuecken und metallisches werkstueck mit einer korrosionsschutzschicht an der oberflaeche | |
DE3215620A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von monokristallinem silizium | |
DE2249144C3 (de) | 11.09.72 Japan 47-91536 Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen einer Halbleiterschicht auf ein Substrat | |
DE60100347T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Lithiumtitanat Kugeln | |
DE1209997B (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus schmelzbarem Material | |
DE7123990U (de) | Halbleiterbauelement | |
DE3925346A1 (de) | Verfahren zum hartloeten von gegenstaenden, die aluminium enthalten | |
DE2756825C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Diffusionsüberzügen | |
DE69209478T2 (de) | Rohreinrichtung zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
DE1946049C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Flüssigphasenepitaxie | |
DE1414620A1 (de) | Thermoelektrische Vorrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE4216693C2 (de) | ||
DE3111311A1 (de) | Verfahren zur abdichtung von elektromechanischen bauelementen | |
DE2720110C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Granulats einer Aufdampflegierung mit Selen | |
DE2717360B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Granulate einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid | |
DE358062C (de) | Verfahren zur Herstellung von Legierungen | |
DE2160746C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus Verbindungen | |
DE2504610B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von metallischem Zirkonium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: WACKER SILTRONIC AG, 84489 BURGHAUSEN, DE |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: SILTRONIC AG, 81737 MUENCHEN, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right |