DE2717360B2 - Verfahren zum Herstellen eines Granulate einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines Granulate einer Halbleiter-Verbindung aus ArsenselenidInfo
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Description
3. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 1
oder 2 auf die Herstellung eines Granulats aus As2S3, As2O5, Selen-Tellur-Legierungen oder
Mehrstoffsysteme auf Chalkogenidbasis, wie mit einem Halogen dotieite Selen-Legierungen.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Granulats einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid, ausgehend von einem Gemisch aus Arsen und Selen, das als Schüttgut in ein
Reaktionsgefäß einer Apparatur verbracht wird, die mit einer elektrischen Heizung und einem Rührer zum
Homogenisieren der Schmelzphase des Gemisches versehen ist.
Nach den bekannten Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Verbindungen für elektrophotographische
Anwendungen allgemein wie auch von verwendungsfertigem Arsenselenid speziell wird die betreffende
Verbindung entweder in evakuierten Quarzampullen oder unter hohem Druck hergestellt. Die Herstellung
von Arsenselenid in evakuierten Ampullen ist bekannt, zum Beispiel durch J. of Non Crystalline Solids,
8-10, pp 1010-1016 Phys. Stat. Sol. (a), 12, K. 39 (1972); J. of Non Crystalline Solids, 17 (1975),
289-292; J. of Non Crystalline Solids, 6, pp 5-12; Jap. J. of Appl. Phys., Vol. 10, No. 12,1971/Dezemb?r; J. of Non Crystalline Solids, 6, pp 362-369; Jap.
J. of Appl. Phys., Vol. 11, No. 8, 1972/August; J. of Non Crystalline Solids, No. 11 (1972), pp 97-104;
J. of Non Crystalline Solids, No. 17 (1975), pp 2-8; J. of Non Crystalline Solids, No. 15 (1974), pp
357-358.
Ein Verfahren zum Herstellen von Arsenselenid unter hohem Druck ist beispielsweise durch J. C. S.
Dalton, 1972, S. 769-772 bekannt.
Diese Verfahrensarten sind in der Durchführung bekanntlich schwierig und im Aufwand der Verfahrensmittel nicht wirtschaftlich. Größtenteils ist die
Herstellung nicht !umweltfreundlich und auch nicht für
große Mengen geeignet.
Es wurde die Aufgabe gestellt, ein Verfahren zum Herstellen von Arsenselenid zu finden, das ohne die
Anwendung von Vakuum oder Hochdruck mit Hilfe einer einfachen Apparatur wirtschaftlich durchgeführt
werden kann. Das dadurch hergestellte Produkt soll den an eine unter Hochvakuum verdampfbare Photoleiter-Verbindung gestellten Anforderungen genügen, einen hohen Reinheitsgrad und stöchiometrische
Zusammensetzung aufweisen und in Form von Granalien ausgebildet sein.
Dies wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren erreicht, bei dem mit Hilfe einer mit einem Reaktionsgefäß, einer elektrischen Heizung sowie einem Rührer
versehenen Apparatur ein Schüttgutgemisch aus Arsenkristalliten und Selengranalien mit einem bezüglich der herzustellenden Verbindung geringfügig
überstöchiometrischen Gewichtsverhältnis in ein zylindrisches, in der Apparatur vertikal angeordnetes
Reaktionsgefäß aus Quarz mit einem an dessen oberer Stirnfläche exzentrisch herausragenden Rückflußkühlrohr und einer exzentrisch angeordneten dicht
verschließbaren Einfüllöffnung eingefüllt wird, die eingefüllte Gemischmenge alsdann unter Schutzgas
bei Normaldruck mittels eines das Reaktionsgefäß bis zum Rückflußkühlrohr umschließenden Heizmantels
gleichmäßig auf eine erste Reaktionstemperatur von 620° C aufgeheizt wird, worauf nach einem Zeitprogramm zuerst diese Temperatur und dann nach Inbetriebsetzung des Rührers eine zweite niedrigere Reaktionstemperatur von 580° C während des Homogenisierens der Schmelzphase des Gemisches konstant
gehalten werden und die schmelzflüssige Verbindung durch einen zeitlich gesteuerten Abfluß, der im Zentrum des Gefäßbodens nach Art eines Kegelventil
mit einem in der Gefäßachse in einer Kapillare geführten runden Quarzstab ausgebildet ist, in Form eines Strahls aus dem Reaktionsgefäß freigelassen wird
und nach freiem Fallen durch eine Kolonne mit mehreren Metern Länge im wirbelnden Gegenstrom eines
kühlenden Schutzgases in Tropfen zerteilt, in einem
Bebälter mit deionisiertem Fließwasser gesammelt und dann mit deionisiertem Wasser abgespült, sodann
an der Luft und schließlich im Vakuum bei ungefähr 100° C getrocknet wird.
Weiteren Ausbildungen der Erfindung gemäß werden die Granalien des hergestellten Produkts in gewünschter
Form und Größe ausgebildet, indem die nach Art eines Kegelventils ausgebildete Abflußöffnung
des Reaktionsgefäßes mit sinkendem Spiegel der Schmelzphase sich stetig öffnend gesteuert wird.
Ferner werden diese Granalien durch ein schnelles Abkühlen der frei fallenden schmelzflüssigen Tropfen
von der Oberfläche her auch regelmäßig ausgebildet, indem das kühlende Schutzgas tangential in die Kolonne
als Gegenstrom hineingeblasen und durch eine kreisförmige Öffnung im Deckel der Kolonne, die unmittelbar
neben dem Abfluß des Reaktionsgefäßes liegt, abgezogen wird.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, in welchem die Vorteile des Verfahrens dargelegt sind, wird
nachstehend an Hand der Zeichnung beschrieben. In der Zeichnung ist der Aufbau einer Apparatur zur
Herstellung eines Granulats aus Arsenselenid schematisch dargestellt. Es zeigt
Fig. 1 einen Querschnitt durch die Längsachse der Apparatur,
Fig. 2 eine Draufsicht auf die Apparatur.
Diese Apparatur enthält - nach der Zeichnung von oben nach unten angegeben — ein Zylindergefäß 7 aus
Quarzglas, eine mit einem Deckel 81 verschlossene Kolonne 8 und einen von Fließwasser durchströmten
oben offenen Behälter 10. Das Zylindergefäß und die Kolonne sind gehaltert und wie dargestellt zueinander
angeordnet. Die Kolonne ist in das Fließwasser des Behälters 10 eingetaucht, so daß ein Wasserverschluß
gebildet wird.
Das Zylindergefäß 7 hat im Zentrum seiner oberen Stirnfläche einen Schliff 71, in welchem ein Kern 71'
mit einer Bohrung eingesetzt ist, ferner exzentrisch angeordnet e.'.ien Einfüllschliff 72 mit einem geschliffenen
Glasstopfen 72' und, aus der Stirnfläche nach oben herausragend, ein längeres Rohr 73 mit zwei
Anschlußnippeln 2. Das Rohr 73 ist bei erhitztem Gefäß
von außen her durch die Luft selbstgekühlt, enthält die Treibachse eines Rührers 5 und verbindet das Gefäß
volumen mit einem Schutzgas, da„ a η den Nippeln 2
eingeführt wird. Im Zentrum der Bodenfläche befindet
sich eine Abflußöffnung mit einer konisch verjüngten Ausfließkapillare 6. In der Gefäßachse liegt,
von dem Kern 71' umfaßt, ein runder Quarzstab 3, welcher an seinem unteren Ende mit einem kegelförmigen
Schliff die Ausfließkapillare 6 dicht verschließt. Der Quarzstab und die Ausfließkapillare bilden zusammen
ein Ventil nach der Art eines Kegelventils.
Das Zylindergefäß 7 ist von einem Heizmantel, einem Hohlzylinder, umschlossen (in der Zeichnung
nicht dargestellt). Die Heizung des Mantels wird so eingestellt, daß im Gefäß 7 von unten nach oben ein
Temperaturgefälle entsteht.
Unterhalb des Bodens des Gefäßes ist eine besondere Heizvorrichtung angeordnet. Ferner ist oberhalb
der Stirnfläche des Gefäßes eine Heizvorrichtung angeordnet. Die Stromkreise dieser drei Heizungen sind
unabhängig voneinander steuerbar.
Die Kolonne 8 ist mehrere Meter, beispielsweise 6 m lang. Es befindet sich auf dem Deckel 81 der Kolonne
ein dosenförmiger Aufsatz 81', in den die Ausfließkapillare 6 hineinragt. Ein Absaugrohr 9' ist radial
aus dem Aufsatz der Kolonne herausgeführt. Aus dem in dem Behälter 10 hineinragenden Teil der Kolonne
8 sind zwei Anschlußrohre 9 tangential herausgeführt. Diese Anschlußrohre sind an einen Schutz-ϊ
gaskreislauf angeschlossen. Das Schutzgas wird durch die Anschlußrohre 9 tangential in die Kolonne 8 hineingeblasen,
wo es dann wirbelnd aufwärts strömt und aus dem Abraugrohr 9' abgezogen wird.
In dem Behälter 10 befindet sich eine deionisierte
ίο Wassermenge, die über zwei Anschlüsse 101,102 umgewälzt
wird.
Mit Hilfe der beschriebenen Apparatur wird sauberes
Granulat aus stöchiometrisch reinem Arsenselenid nach folgendem Verfahren hergestellt.
Ausgangsmaterial ist ein Schüttgutgemisch aus Arsenkristalliten
und Selengranalien. Dieses Gemisch wird mit einem aus Erfahrung festgestellten überstöchiometrischen
Gewichts verhältnis, das unter Berücksichtigung eines unvermeidlichen Materialverlu-
-'» stes gewählt wird, durch den Einfü'lichliff 72 in das
Zylindergefäß 7 eingebracht. Es werden nun die
Heizstromkreise in Betrieb gesetzt und die Heizströme unabhängig voneinander so gesteuert, daß infolge
des Temperaturgefälles und durch die Heizung
-''> unterhalb des Bodens die ganze eingefüllte Gemischmenge
auf etwa 620° C aufgeheizt und auf dieser ersten Reaktionstemperatur konstant gehalten wird.
Damit wird eine optimale Reaktionsgeschwindigkeit eingestellt. Alsdann wird die Schmelze allmählich auf
ι» eine zweite Reaktionstemperatur von 580° C abgekühlt
und isotrop auf dieser Temperatur einige Stunden konstant gehalten. Bei 620° C bildet sich eine
Schmelzphase von Selen und Arsen aus, in welcher Arsenkristallite mit dem geschmolzenen Selen reagie-
>i ren, nach der Reaktion
2 As + 3 Se -> As2Se3
bzw. 2 As + 5 Se -»As2Se5
bzw. 2 As + 5 Se -»As2Se5
Bei der Temperaturführung dieses Herstellungs-
Hi prozesses muß Wärme zugeführt werden, da der Wärmevrrlust
durch Abstrahlung größer als die nur schwach exothermische Reaktionswärme ist.
Bei erhitztem Gefäß 7, insbesondere nach Ausbildung der Schmelzphase, wirkt das Kühlrohr 73 als
r, Rückflußkühler, welcher von außen her durch natürliche Konvektion luftgekühlt ist. Es wird dabei innen
am Kühlrohr das Kondensat der Schmelzphase niedergeschlagen und in die Schmelzphase zurückgeführt.
><> Nachdem die zweite Reaktionstemperatur erreicht
worden ist und keine Arsenkristallite mehr vorhanden sind, wird im Rahmen eines Zeitprogramms der Rührer
5 in Betrieb gesetzt und dadurch eine Homogenisierung der nun zähflüssigen, glasigen Schmelze im
51S Gefäß 7 eingeleitet Die Schmelze hat e:ne dreidimensionale
Struktur, welche bei Nichteinhaltung der beschriebenen Temperaturführung gefährdet wird,
was sich auf das herzustellende Granulat nachteilig auswirkt. Währenc' des Verfahrensablaufs befindet
so sich der Inhalt des Reaktionsgefäßes unter einem
Schutzgas, beispielsweise Argon bei normalem Druck. Hierdurch ist eine wesentliche Voraussetzung für
wirtschaftliche Durchführung des Verfahrens gegeben.
μ Aus der so vorbereiteter. Schmelze wird nun Granulat
hergestellt. Dazu wird zunächst der Aufsatz 81' des Kolonnendeckels 81 aufgeheizt, damit das Ventil
der Abflußöffnung durch Anheben des Quarzstnbes 3
betätigt werden kann. Das schmelzflüssige As2Se3
bzw. As2Se5 fließt in Form eines Strahls aus der Abflußöffnung heraus und fällt frei durch die Kolonne 8
hindurch, wobei sich der Strahl in einzelne Tropfen zerteilt. Die Tropfen fallen, wie oben schon erläutert,
in einen Wirbel aus intensiv kühlendem Schutzgas, zum Beispiel wieder Argon, und können dabei von
ihrer Oberfläche her erstarren. Infolge der Oberflächenspannung bleibt die erstarrende Oberfläche der
Tropfen rund. Beim Hineinfallen in das Fließwasser des Behälters 10 werden die erstarrenden Tropfen abgeschreckt
und es bilden sich kugelförmige Granalien. Während des Ausfließens der Schmelze aus dem
Gefäß 7 kann die Ausfließöffnung mittels des Quarzstabes 3 so gesteuert oder verändert werden (automatisch
oder manuell), daß mit abnehmendem hydrostatischen Druck der Schmelze die Dynamik des
Schmelzstrahls möglichst geringfügig verändert wird. Hierdurch kann die Größe des Granulats in engen
Grenzen konstant gehalten werden. In der Zeichnung ist das im Fließwasser in 10 gebildete Granulat mit
Gr bezeichnet. Nach der Granulation wird das hergestellte Produkt wiederum mit deionisiertem Wassei
behandelt, um ein davon etwa gebildetes staubartige! Resublimat sowie auch Materialbruchstücke abzuspülen. Schließlich wird das saubere Produkt an dei
Luft und dann im Vakuum bei 100° C getrocknet Es ist das gebrauchsfertige Produkt unmittelbar ohne
weitere Maßnahmen verwendbar, insbesondere füi Verdampfung im Vakuum.
Das beschriebene Verfahren ist anwendbar nichi nur zur Herstellung von Granalien aus Arsenselenid
sondern auch von ähnlichen glasig erstarrenden Halbleiterverbindungen wie z. B. As2Sj und As2S5, fernei
auch von Selen-Tellur-Legierungen sowie auch Mehrstoffsysteme auf Chalkogenidbasis, beispielsweise
mit einem Halogen dotierte Selenlegierungen.
Hierzu I Bhitt Zeichnunccn
Claims (2)
1. Verfahren zum Herstellen eines Granulats einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid,
ausgehend von einem Gemisch aus Arsen und Selen, das als Schüttgut in ein Reaktionsgefäß einer
Apparatur verbracht wird, die mit einer elektrischen Heizung und einem Rührer zum Homogenisieren der Schmelzphase des Gemisches versehen
ist,dadurch gekennzeichnet, daß ein Schüttgut aus Arsenkristalliten und Selengranalien mit
einem bezüglich der herzustellenden Verbindung geringfügig überstöchiometrischen Gewichtsverhältnis in ein zylindrisches, in der Apparatur vertikal angeordnetes Reaktionsgefäß aus Quarz mit
einem an dessen oberer Stirnfläche exzentrisch herausragenden Rückflußkühlrohr und einer exzentrisch angeordneten dicht verschließbaren
Einfüllöffcung eingefüllt wird, daß die eingefüllte
Gemisehmertge alsdann unter Schutzgas bei Normaldruck mittels eines, das Reaktionsgefäß bis
zum Rückflußkühlrohr umschließenden Heizmantels gleichmäßig auf eine erste Reaktionstemperatur von 620° C aufgeheizt wird, worauf nach
einem Zeitprogramm zuerst diese Temperatur und dann nach Inbetriebsetzung des Rührers eine
zweite niedrigere Reaktionstemperatur von 580° C während des Homogenisierens der
Schmelzphase des Gemisches konstant gehalten werden, und daß die schmelzflüssige Verbindung
durch einen zeitlich gesteuerten Abfluß, der im Zentrum des GefäßboJens n^.<:h Art eines Kegelventils mit einem in dei Gefäßachse in einer Kapillare geführten runden Quai .stab ausgebildet
ist, in Form eines Strahls aus dem Reaktionsgefäß freigelassen wird und nach freiem Fallen durch
eine Kolonne mit mehreren Metern Länge im wirbelnden Gegenstrom eines kühlenden Schutzgases, der tangential in die Kolonne hineingeblasen
und durch eine kreisförmige öffnung im Deckel der Kolonne abgezogen wird, in Tropfen zerteilt,
in einem Behälter mit deionisiertem Fließwasser gesammelt und dann mit deionisiertem Wasser
abgespült, sodann an der Luft und schließlich im Vakuum bei ungefähr 100° C getrocknet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die nach Art eines Kegelventils
ausgebildete Abflußöffnung des Reaktionsgefäßes
mit sinkendem Spiegel der Schmelzphase sich stetig öffnend gesteuert wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772717360 DE2717360C3 (de) | 1977-04-20 | 1977-04-20 | Verfahren zum Herstellen eines Granulats einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19772717360 DE2717360C3 (de) | 1977-04-20 | 1977-04-20 | Verfahren zum Herstellen eines Granulats einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid |
Publications (3)
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AT513164B1 (de) * | 2012-07-25 | 2015-06-15 | Rimmer Karl Dipl Ing Dr | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metallchalkogeniden |
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CN114367667B (zh) * | 2022-01-10 | 2022-10-14 | 北京德普润新材料科技有限公司 | 一种新型气雾化制粉设备的粉末收集系统 |
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1977
- 1977-04-20 DE DE19772717360 patent/DE2717360C3/de not_active Expired
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Publication number | Publication date |
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DE2717360C3 (de) | 1980-02-21 |
DE2717360A1 (de) | 1978-10-26 |
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