DE2717360A1 - Verfahren zum herstellen eines granulats aus arsenselenid und vorrichtung zur herstellung - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines granulats aus arsenselenid und vorrichtung zur herstellung

Info

Publication number
DE2717360A1
DE2717360A1 DE19772717360 DE2717360A DE2717360A1 DE 2717360 A1 DE2717360 A1 DE 2717360A1 DE 19772717360 DE19772717360 DE 19772717360 DE 2717360 A DE2717360 A DE 2717360A DE 2717360 A1 DE2717360 A1 DE 2717360A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
reactor
reaction vessel
vessel
opening
column
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19772717360
Other languages
English (en)
Other versions
DE2717360B2 (de
DE2717360C3 (de
Inventor
Nikolai Dipl Chem Preslawski
Gert Dr Rer Nat Vogel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE19772717360 priority Critical patent/DE2717360C3/de
Publication of DE2717360A1 publication Critical patent/DE2717360A1/de
Publication of DE2717360B2 publication Critical patent/DE2717360B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2717360C3 publication Critical patent/DE2717360C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007Tellurides or selenides of metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G28/00Compounds of arsenic
    • C01G28/008Sulfides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/30Particle morphology extending in three dimensions
    • C01P2004/32Spheres
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/50Agglomerated particles

Description

  • "Verfahren zum Herstellen eines Granulats
  • aus Arsenselenid und Vorrichtung zur Herstellung" Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Granulats aus Arsenselenid und eine Vorrichtung zur Herstellung, ausgehend von einem Gemisch mit Arsen und selen, das als Schüttgut in ein Reaktionsgefäß einer Apparatur verbracht wird, die mit einer elektrischen Heizung und einem Rührer zum Homogenisieren der Schmelzphase des Gemisches versehen ist.
  • Nach den bekannten Verfahren zum Herstellen von Verbindungshalbleitern für elektrophotographische Anwendungen allgemein wie auch von verwendungsfertigem Arsenselenid speziell wird die betreffende Verbindung teils bzw. entweder in evakuierten Quarzampullen, teils bzw. oder unter hohem Druck hergestellt.
  • Die Herstellung von Arsenselenid in evakuierten Ampullen ist bekannt, zum Beispiel durch J. of Non Crystalline Solids, 8 - 1G, pp 1010 - 1016 Phys. Stat. Sol. (a), 12, K. 39 (1972) J. of Non Crystalline Solids, 17 (1975), 289 - 292 J. of Non Crystalline Solids, 6, pp 5 - 12 Jap. J. of Appl. Phys., Vol. 10, No. 12, 1971/Dezember J. of Non Crystalline Solids, 6, pp 362 - 369 Jap. J. of Appl. Phys., Vol. 11, No. 8, 1972/August J. of Non Crystalline Solids, No. 11 (1972), pp 97 - 104 J. of Non Crystalline Solids, No. 17 (1975), pp 2 - 8 J. of Non Orystalline Solids, No. 15 (1974), pp 357 - 358.
  • Ein Verfahren zum Herstellen von Arsenselenid unter hohem Druck ist beispielsweise durch J.C.o. Dalton, 1972, ,. 769 - 772 t)ekennt .
  • Diese Verfahrensarten sind in der Durchführung bekanntlich schwerig und im Aufwand der Verfahrensmittel nicht wirtschaftsich. Größtenteils ist die Herstellung nicht umweltfreundlich und auch nicht für große Mengen geeignet.
  • Es wurde die Aufgabe gestellt, ein Verfahren zum Herstellen insbesondere von Arsenselenid zu finden, das ohne die Anwendung von Vakuum oder Hochdruck mit Hilfe einer einfachen Apparatur wirtschaftlich durchgeführt werden kann. Das dadurch hergestellte Produkt soll den an eine unter Hochvakuum verdampfbare Photoleiterverbindung gestellten Anforderungen genügen, einen hohen Reinheitsgrad und stöchiometrische Zusammensetzung aufweisen und soll in der Form von Granalien ausgebildet sein.
  • Dies wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren erreicht, bei dem mit Hilfe einer mit einem Reaktionsgefäß, einer elektrischen Heizung sowie einem Rührer versehenen Apparatur ein Schüttgutgemisch aus Arsenkristalliten und Selengranalien mit einem bezüglich der herzustellenden Verbindung geringfügig überstöchiometrischen Gewichtsverhältnis in ein zylindrisches in der Apparatur vertikal angeordnetes I2eaktionsgefäß aus Quarz mit einem an dessen oberer Stirnfläche exzentrisch herausragenden Rückflußkiihlrohr und einer exzentrisch angeordneten dicht verschließbaren Einfüllöffnung eingefüllt wird, die eingefüllte ganze Gemischmenge alsdann unter einem das Reaktionsgefäß durch eine Öffnung füllenden Schutzgas bei Normaldruck mittels eines bis zum Rückflußkühlrohr umschließenden Heizmantels gleichmäßig auf eine erste Reaktionstemperatur von 620 0O aufgeheizt wird, woraufhin nach einem Zeitprogramm zuerst diese Temperatur und dann nach Inbetriebsetzung des Rührers eine zweite niedrigere Reaktionstemperatur von 580 0c während des Homogenisierens der Schmelzphase des Gemisches konstant gehalten werden und die schmelzflüssige Verbindung durch einen zeitlich gesteuerten Abfluß, der im Zentrum des Gefäßbodens nach Art eines Kegelventils mit einem in der Gefäßachse in einer Kapillare geführten runden Quarzstab ausgebildet ist, in Form eines Strahls aus dem Reaktionsgefäß freigelassen wird und nach freiem Fallen durch eine Kolonne mit mehreren Metern Länge im wirbelnden Gegenstrom eines kühlenden Schutzgases in Tropfen zerteilt in einem Behälter mit deionisiertem Flißwasser gesammelt wird.
  • Weiteren Ausbildungen der Erfindung gemäß werden die Granalien des hergestellten Produkts in gewünschter Form und Größe ausgebildet, indem die nach Art eines Kegelventils ausgebildete Abflußöffnung des Reaktionsgefäßes mit sinkendem Spiegel der Schmelzphase stetig sich öfffiend gesteuert wird, ferner werden diese Granalien durch ein schnelles Abkühlen der frei fallenden schmelzflüssigen Tropfen von der Oberfläche her auch regelmäßig ausgebildet, indem das kühlende Schutzgas tangential in die Kolonne als Gegenstrom hineingeblasen wird und durch eine kreisförmige Öffnung im Deckel der Kolonne, die unmittelbar neben dem Abfluß des Reaktionsgefäßes liegt, abgezogen wird.
  • Schließlich wird das hergestellte Granulat mit der zum Gebrauch und zur Verwendung gewünschten Sauberkeit mit deionisiertem Wasser gespült, sodann an der Luft und schließlich im Vakuum bei ungefähr 100 OC getrocknet.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, in welchem die Vorteile des Verfahrens dargelegt sind, wird nachstehend anhand der Zeichnung beschrieben. In der Zeichnung ist der Aufbau einer Apparatur zur Herstellung eines Granulats aus Arsenselenid schematisch dargestellt. Es zeigt Figur 1 einen Querschnitt durch die Längsachse der Apparatur Figur 2 eine Draufsicht auf die Apparatur Diese Apparatur enthält - nach der Zeichnung von oben nach unten angegeben - ein Zylindergefäß 7 aus Quarzglas, eine mit einem Deckel 31 verschlossene Kolonne 8 und einen von Fließwasser durchströmten oben offenen Behälter 10. Das Zylindergefäß und die Kolonne sind gehaltert und wie dargestellt zueinander angeordnet. Die Kolonne ist in das Fließwasser des Behälters 10 eingetaucht, so daß ein asserverschluß gebildet wird.
  • Das Zylindergefäß 7 hat im Zentrum seiner oberen Stirnfläche einen Schliff 71, in welchem ein Kern 71' mit einer Bohrung eingesetzt ist, ferner exzentrisch angeordnet einen Einfüllschliff 72 mit einem geschliffenen Glasstopfen 72' und, aus der Stirnfläche nach oben herausragend, ein längeres Rohr 73 mit zwei Anschließnippeln 2. Das Rohr 73 ist bei erhitztem Gefäß von außen her mit Luft selbstgekühlt, enthält die Treibachse eines Rührers 5 und verbindet das Gefäßvolumen mit einem Schutzgas, das an den Nippeln 2 angeschlossen wird. Im Zentrum der Bodenfläche befindet sich eine Abflußöffnung mit einer konisch verjüngten Ausfließkapillare 6. In der Gefäßachse liegt, von dem Kern 71' umfaßt, ein runder Quarzstab 3, welcher an seinem unteren Ende mit einem kegelförmigen Schliff die Ausfließkapillare 6 dicht verschließt. Der Quarzstab und die Ausfließkapillare bilden zusammen ein Ventil nach der Art eines Kegelventils.
  • Das Zylindergefäß 7 ist von einem Heizmantel, einem Hohlzylinder, umschlossen (in der Zeichnung nicht dargestellt). Die Heizung des Mantels wird so eingestellt, daß im Gefäß 7 von unten nach oben ein Temperaturgefälle entsteht.
  • Unterhalb des Bodens des Gefäßes ist eine besondere Heizvorrichtung angeordnet. Ferner ist oberhalb der Stirnfläche des Gefäßes eine Heizvorrichtung angeordnet. Die Stromkreise dieser drei Heizungen sind unabhängig von einander steuerbar.
  • Die Kolonne 8 ist mehrere Meter, beispielsweise 5 m lang. Es befindet sich auf dem Deckel 81 der Kolonne ein dosenförmiger Aufsatz 81', in den die Ausfließkapillare 6 hineinragt. Ein Absaugrohr 9 ist radial aus dem Aufsatz der Kolonne herausgeführt.
  • Aus dem in dem Behälter 10 hineinragenden Teil der Kolonne 8 sind zwei Anschließrohre 9 tangential herausgeführt. Diese Anschließrohre sind an einen Schutzgaskreislauf angeschlossen. Das Schutzgas wird durch die Anschließrohre 9 tangential in die Kolonne 8 hineingeblasen, wo es dann wirbelnd aufwärts strömt und aus dem Absaugrohr 9' abgezogen wird.
  • In dem Behälter 10 befindet sich ein deionisierte Wassermenge, die über zwei Anschlüsse 101, 102 umgewälzt wird.
  • Mit Hilfe der beschriebenen Apparatur wird sauberes Granulat aus stöchiometrisch reinem Arsenselenid nach folgendem Verfahren hergestellt.
  • Ausgangsmaterial ist ein Schüttgutgemisch aus Arsenkristalliten und Selengranalien. Dieses Gemisch wird mit einem aus Erfahrung festgestellten überstöchiometrischen Gewichtsverhältnis, das unter Berücksichtigung eines unvermeidlichen Materialsverlustes gewählt wird, durch den Einfüllschliff 72 in das Zylindergefäß 7 eingebracht. Es werden nun die Heizstromkreise in Betrieb gesetzt und die Heizströme unabhängig voneinander so gesteuert, daß infolge des Temperaturgefälles und durch die Heizung unterhalb des Bodens die ganze eingefüllte Gemischmenge auf etwa 620 0 aufgeheizt und auf dieser ersten Reaktionstemperatur konstant gehalten wird. Damit wird eine optimale Reaktionsgeschwindigkeit eingestellt. Alsdann wird die Schmelze allmählich auf eine zweite Reaktionstemperatur von 580 OC abgekühlt und isotrop auf dieser Temperatur einige Stunden konstand gehalten. Bei 620 0 bildet sich eine Schmelzphase von Selen und Arsen aus, in welcher Arsenkristallite mit dem geschmolzenen Seien reagieren, nach der Reaktion 2 As + 3 Se -2 As2Se3 bzw. 2 As + 5 Se - + As2Se5 Bei der Temperaturführung dieses Herstellungsprozesses muß Wärme zugeführt werden, da der Wärmeverlust durch Abstrahlung größer als die nur schwach exothermische Reaktionswärme ist.
  • Bei erhitztem Gefäß 7, insbesondere nach Ausbildung der Schmelzphase, wirkt das Kühlrohr 73 als Rückflußkühler, welcher von außen her durch natürliche Konvektion luftgekühlt ist. Es wird dabei innen am Kühlrohr das Kondensat der Schmelzphase niedergeschlagen und in die Schmelzphase zurückgeführt.
  • Nachdem die zweite Reaktionstemperatur erreicht worden ist und keine Arsenkristallite mehr vorhanden sind, wird im Rahmen eines Zeitprogramms der Rührer 5 in Betrieb gesetzt und dadurch eine Homogenisierung der nun zähflüssigen, glasigen Schmelze im Gefäß 7 eingeleitet. Die Schmelze hat eine dreidimensionale Struktur, welche bei Nichteinhaltung der beschriebenen Temperaturführung gefährdet wird, was sich auf das herzustellende Granulat nachteilig auswirkt. Während des Verfahrensablaufes befindet sich der Inhalt des Reaktionsgefäßes unter einem Schutzgas, beispielsweise Argon bei normalem Druck. Hierdurch ist eine wesentliche Voraussetzung für wirtschaftliche Durchführung des Verfahrens gegeben.
  • Aus der so vorbereiteten Schmelze wird nun Granulat hergestellt. Dazu wird zunächst der Aufsatz 81' des Kolonnendekkels 81 aufgeheizt, damit das Ventil der Abflußöffnung durch Anheben des Quarzstabes 3 betätigt werden kann. Das schmelzflüssige As2Se3 bzw. As2Se5 fließt in Form eines Strahls aus der Abflußöffnung heraus unf fällt frei durch die Kolonne 8 hindurch, wobei sich der Strahl in einzelne Tropfen zerteilt.
  • Die Tropfen fallen in e, wie oben schon erläutert, in einem Wirbel aus intensiv kühlendem Schutzgas, zum Beispiel wieder Argon, und können dabei von ihrer Oberfläche her erstarren. Infolge der Oberflächenspannung bleibt die erstarrende Oberfläche der Tropfen rund. Beim Hineinfallen in das Fließwasser des Behälters 10 werden die erstarrenden Tropfen abgeschreckt und es bilden sich kugelförmige Granalien.
  • Während des Ausfließens der Schmelze aus dem Gefäß 7 kann die Ausfließöffnung mittels des Quarzstabes 3 so gesteuert oder verändert werden (automatisch oder manuell), daß mit abnehmendem hydrostatischen Druck der Schmelze die Dynamik des Schmelzstrahls möglichst geringfügig verändert wird. Hierdurch kann die Größe des Granulats in engen Grenzen konstant gehalten werden. In der Zeichnung ist das im Fließwasser in 10 gebildete Granulat mit Gr bezeichnet. Nach der Granulation wird das hergestellte Produkt wiederum mit deionisiertem Wasser behandelt, um ein davon etwa gebildetes staubartiges Resublimat sowie auch Materialbruchstücke abzuspülen. Schließlich wird das saubere Produkt an der Luft und dann in einem Vakuum um 100 0 getrocknet. Es ist das gebrauchsfertige Produkt unmittelbar ohne weitere Maßnahmen verwendbar, insbesondere für Verdampfung im Vakuum.
  • Das beschriebene Verfahren ist anwendbar nicht nur zur Herstellung von Granalien aus Arsenselenid, sondern auch von ähnlichen glasig erstarrenden Halbleiterverbindungen wie z.B. As2S 3 und As2S 5, ferner auch von Selen-Tellur-Legierungen sowie auch Mehrstoffsysteme auf Ohalkogenidbasis, beispielsweise mit einem Halogen dotierte Selenlegierungen.

Claims (4)

  1. Patentansprüche 1Verfahren zum Herstellen eines Granulats aus Arsenselenid ausgehend von einem Gemisch mit Arsen und Selen, das als Schüttgut in ein Reaktionsgefäß einer Apparatur verbracht wird, die mit einer elektrischen Heizung und einem Rührer zur Homogenisieren der Schmelzphase des Gemisches versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schüttgut aus Arsenkristalliten und Selengranalien mit einem bezüglich der herzustellenden Verbindung geringfügig überstöchiometrischen Gewichtsverhältnis in ein zylindrisches in der Apparatur vertikal angeordnetes Reaktionsgefäß aus Quarz mit einem an dessen oberer Stirnfläche exzentrisch herausragenden Rückflußkühlrohr und einer exzentrisch angeordneten dicht verschließbaren Einfüllöffnung eingefüllt wird, daß die eingefüllte ganze Gemischmenge alsdann unter einem das Reaktionsgefäß durch eine Öffnung füllenden bei Normaldruck mittels eines bis zum Rückflußkühlrohr umschließenden Heizmantels gleichmäßig auf eine erste Reaktionstemperatur von 620 °C aufgeheizt wird, woraufhin nach einem Zeitprogramm zuerst diese Temperatur und dann nach Inbetriebsetzung des Rührers eine zweite niedrigere Reaktionstemperatur von 580 OC während des Homogenisierens der Schmelzphase des Gemisches konstant gehalten werden, und daß die schmelzflüssige Verbindung durch einen zeitlich gesteuerten Abfluß, der im Zentrum des Gefäßbodens nach Art eines Kegelventils mit einem in der Gefäßachse in einer Kapillare geführten runden Quarzstab ausgebildet ist, in Form eines Strahls aus dem Reaktionsgefäß freigelassen wird und nach freiem Fallen durch eine Kolonne mit mehreren Metern Länge im wirbelnden Gegenstrom eines kühlenden Schutzgases in Tropfen zerteilt in einem Behälter mit deionisiertem Fließwasser gesammelt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnt, daß die nach Art eines Kegelventils ausgebildete Abflußöffnung des Reaktionsgefäßes mit sinkendem Spiegel der Schmelzphase stetig sich öffnend gesteuert wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das kühlende JchutzcJas tangential als Gegenstrom in die Kolonne hineingeblasen wird und durch eine kreisförmige Öffnung im Deckel der Kolonne, die unmittelbar neben der Abflußöffnung liegt, abgezogen wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das hergestellte Verbindungsgranulat mit deionisiertem Wasser abgespült, sodann an der Luft und schließlich im Vakuum bei ungefähr 100 OC getrocknet wird.
DE19772717360 1977-04-20 1977-04-20 Verfahren zum Herstellen eines Granulats einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid Expired DE2717360C3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772717360 DE2717360C3 (de) 1977-04-20 1977-04-20 Verfahren zum Herstellen eines Granulats einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772717360 DE2717360C3 (de) 1977-04-20 1977-04-20 Verfahren zum Herstellen eines Granulats einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2717360A1 true DE2717360A1 (de) 1978-10-26
DE2717360B2 DE2717360B2 (de) 1979-06-21
DE2717360C3 DE2717360C3 (de) 1980-02-21

Family

ID=6006706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19772717360 Expired DE2717360C3 (de) 1977-04-20 1977-04-20 Verfahren zum Herstellen eines Granulats einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2717360C3 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102086030A (zh) * 2010-11-25 2011-06-08 广东先导稀有材料股份有限公司 一种硒化砷粒的制备方法
EP2689840A1 (de) * 2012-07-25 2014-01-29 Karl Rimmer Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metallchalkogeniden
EP3845303A1 (de) * 2019-12-30 2021-07-07 Karl Rimmer Verfahren zur herstellung von antimontrisulfid
CN114367667A (zh) * 2022-01-10 2022-04-19 北京德普润新材料科技有限公司 一种新型气雾化制粉设备的粉末收集系统

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102086030A (zh) * 2010-11-25 2011-06-08 广东先导稀有材料股份有限公司 一种硒化砷粒的制备方法
CN102086030B (zh) * 2010-11-25 2013-03-06 清远先导材料有限公司 一种硒化砷粒的制备方法
EP2689840A1 (de) * 2012-07-25 2014-01-29 Karl Rimmer Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metallchalkogeniden
EP3845303A1 (de) * 2019-12-30 2021-07-07 Karl Rimmer Verfahren zur herstellung von antimontrisulfid
CN114367667A (zh) * 2022-01-10 2022-04-19 北京德普润新材料科技有限公司 一种新型气雾化制粉设备的粉末收集系统

Also Published As

Publication number Publication date
DE2717360B2 (de) 1979-06-21
DE2717360C3 (de) 1980-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0339129B1 (de) Temperiermaschine für kakaobutterhaltige und ähnliche fetthaltige Massen, insbesondere Schokolademassen
DE2543340C2 (de)
EP2354278B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium unter Verwendung von geschmolzenem Granulat
DE60037256T2 (de) Vorrichtung und verfahren zur kristallisation
EP0461515A1 (de) Apparat zur Aufwärmung und Entgasung von Wasser
DE3306545C2 (de)
EP1249174B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Aufbereiten von zu verarbeitenden fetthaltigen Massen
DE2717360C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Granulats einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid
DE102008034029A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen in Mehrtiegelanordnungen
DE3203818A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur stofftrennung eines fluessigen gemisches durch fraktionierte kristallisation
DE1496443B2 (de) Vorrichtung zur Homogenisierung von geschmolzenem Glas
DE893707C (de) Verfahren und Ofen zur Herstellung von Glas
DE1596446C3 (de) Verfahren und Ofen zum Aufschmelzen und/oder Raffinieren von Glas
DE19520675C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Kristallisieren
DE3934341C2 (de) Verfahren zur Kristallisation von Fruktose
DE2016907C2 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Mikrokugeln durch Gelatinisieren bzw. zu deren Waschbehandlung
DE112012000360B4 (de) Einkristall-Herstellungsvorrichtung und Einkristall-Herstellungsverfahren
EP0746535A1 (de) Verfahren zur kristallisation chemischer substanzen
DE3209747A1 (de) Einrichtung zur herstellung von granulat aus 2-phasen-gemischen
EP1313671B1 (de) Verfahren zum erzeugen einer homogenisierten glasschmelze
DE1273312B (de) Verfahren zum Temperieren von Schokolade und aehnlichen Fettmassen sowie Vorrichtungzur Durchfuehrung dieses Verfahrens
DE4033876C2 (de) Vorrichtung zur Herstellung und/oder Behandlung von Kieselsol und Arbeitsweise dazu
DE4445880A1 (de) Verfahren zum Reinigen chemischer Substanzen
DE2603612A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum konditionieren von geschmolzenem glas
DE558321C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Roehren oder Staeben aus Glas oder aehnlichen in der Hitze plastischen Massen

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee