DE4218123C2 - Vorrichtung für die kontinuierliche Zuführung von Chargengut für einen Schmelztiegel und deren Verwendung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung für die kontinuierliche Zuführung von Chargengut für einen Schmelztiegel beim Ziehen von Einkristallen in einem Kessel mit verschließbarem Vorratsbehälter zur Aufnahme von Chargengut, einem Schleusenventil und einem in den Schmelztiegel einmündenden, mit dem Behälter verbun­ denen Auslaufrohr, wobei das Chargengut für den Schmelztiegel in einer Zwischenstufe geschmolzen und dann in aufgeschmolzenem Zustand dem Schmelztiegel über das Auslaufrohr zugeführt wird.

Ein Problem bei dem bekannten Verfahren ist die wün­ schenswert gleichmäßige axiale Dotierung der Kristalle. Für die Halbleiterindustrie sind jedoch Siliziumsub­ strate wünschenswert, die insgesamt eine gleichblei­ bende Qualität aufweisen. Bei der Herstellung der Kri­ stalle mit der bekannten Vorrichtung tritt aufgrund des Verteilungskoeffizienten (k≠1) eine unterschiedliche Verteilung der Dotierstoffe im Kristall auf. Auf diese Weise hergestellte Kristalle weisen entlang ihrer Längsachse unterschiedliche Widerstandswerte auf, was auf keinen Fall erwünscht ist. Aus diesem Grund wird der Tiegel bei dem bisherigen Verfahren zum Ziehen von Einkristallen oft nur bis zu 50% leergefahren und dann wieder neues Granulat bzw. undotiertes Silizium nachge­ füllt. Dabei wird der Prozeßablauf häufig unterbrochen, so daß derartige Anlagen nicht wirtschaftlich arbeiten. Deshalb ist man dazu übergegangen, neues Granulat wäh­ rend des Arbeitsprozesses kontinuierlich zuzuführen. Problematisch ist jedoch bei der bekannten Anordnung die Granulatzufuhr und die dabei entstehende Staubent­ wicklung sowie eine mögliche Störung des Temperatur­ gleichgewichts der Schmelze durch das direkt zugeführte Granulat.

Es ist bereits eine Vorrichtung zum Ziehen von Einkri­ stallen aus einer in einem Tiegel befindlichen Schmelze unter Vakuum mit einer Vakuumkammer der eingangs aufge­ führten Art bekannt (DE 37 33 487 A1). Die Vorrichtung besteht unter anderem aus einem Tiegel zur Aufnahme der Schmelze, einer Heizvorrichtung mit einem Ziehelement oberhalb der Schmelze sowie einer mit einer Öffnung versehenen Abdeckvorrichtung. Der hierzu erforderliche Heizkörper ist ringförmig ausgebildet. Das Granulat wird in einem äußeren Teil eines ringförmig geteilten Tiegels mittels einer separaten Heizung eingeschmolzen. Mit dieser bekannten Vorrichtung müssen auf sehr engem Raum verschiedene Arbeitsprozesse durchgeführt werden. Zum einen muß die Bedingung für das Einschmelzen herge­ stellt werden, und zum anderen muß der Kristall im in­ neren Bereich störungsfrei, d. h. ohne Erschütterungen und thermische Schocks, gezogen werden.

Ferner ist eine Vorrichtung zur Herstellung hochreiner, einkristalliner Halbleiterstäbe bekannt (DE 41 06 589 A1), die aus einer Schmelze unter Schutz­ gas hergestellt werden. Hierzu ist ein Vorratsbehälter zur Aufnahme von Chargengut vorgesehen, der über eine Verbindungsleitung mit einem Aufschmelzgefäß verbunden ist, und das in dem Aufschmelzgefäß geschmolzene Gut wird dann im geschmolzenen Zustand dem eigentlichen Schmelztiegel zugeführt. Da das Zulaufrohr nicht be­ heizt ist, besteht leicht die Möglichkeit, daß das Schmelzgut zu früh auf eine zu niedrige Temperatur ab­ gesenkt wird. Ferner wird es als sehr nachteilig ange­ sehen, daß das Aufschmelzgefäß in keinem entsprechenden Stütztiegel aufgefangen wird, so daß diese Anlage nicht einwandfrei funktioniert. Als sehr nachteilig wird bei dieser Vorrichtung sowie bei der Vorrichtung nach der US-PS 4 762 687 angesehen, daß das Granulat von oben her zugeführt wird, so daß durch die entstehende Staub­ entwicklung sowie durch eine mögliche Störung des Tem­ peraturgleichgewichts der Schmelze das Verfahren nach­ teilig beeinflußt wird.

Die US-PS 4 762 687 wird nicht für Siliziumschmelze und die dazugehörige Vorrichtung zum Ziehen von Silizium aufweisenden Einkristallen verwendet. Es ist nur ein beheizbarer Vorratsbehälter vorgesehen, der über Char­ gengut von oben her beschickt wird, wobei dann die Schmelze über ein am unteren Ende des Zwischenbehälters vorgesehenes Auslaufrohr mit dem Haupttiegel in Verbin­ dung steht. Diese Vorrichtung weist weder eine Über­ laufeinrichtung noch Abschirmelemente für eine Über­ laufeinrichtung auf. Ferner wird als besonders nachtei­ lig angesehen, daß die Flüssigkeitsregelung bzw. Höchststandsregelung in dem Aufschmelzgefäß lediglich über den Flüssigkeitsspiegel erfolgt. Liegt der Flüs­ sigkeitsspiegel höher, so fließt mehr Flüssigkeit ab, und liegt der Flüssigkeitsspiegel niedriger, so fließt weniger Flüssigkeit ab. Es handelt sich bei dieser An­ ordnung um eine Zweipunktregelung. Daher ist sie für Kristallziehverfahren nicht geeignet.

Demgemäß besteht die Erfindungsaufgabe darin, eine Vor­ richtung zum Ziehen von Einkristallen zu schaffen, die bei kontinuierlicher Beschickung unter Vermeidung von Staubpartikelzufuhr thermisch entkoppelt und völlig störungsfrei arbeiten kann.

Gelöst wird die Aufgabe erfindungsgemäß dadurch, daß das beheizbare Aufschmelzgefäß in einem Stütztiegel aufgenommen ist, der aus Graphitwerkstoff besteht und eine abdeck­ bare Überlaufeinrichtung aufweist, über die das Schmelzgut von oben her in ein thermisch isoliertes oder beheizbares Auslaufrohr eingeleitet wird. Hier­ durch wird auf einfache Weise insbesondere für die Züchtung von Einkristallen eine hohe Reinheit und Güte geschaffen. Eine Störung des Kristallwachstums durch Staubpartikel läßt sich mit der erfindungsgemäßen, kon­ tinuierlich arbeitenden Vorrichtung vermeiden. Ebenso können thermische Schocks ausgeschlossen werden. Durch die vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann die Staubentwicklung innerhalb des Tiegels weitgehend vermieden werden, da die Granulat­ zufuhr außerhalb des Schmelztiegels der Ziehvorrichtung erfolgt. Durch das vorhergehende Aufschmelzen des Char­ genguts und durch die beheizbare bzw. isolierbare Zu­ führleitung wird das Schmelzgut ohne Temperaturverluste dem eigentlichen Schmelztiegel zugeführt, so daß die Aufheizleistung im Bereich des Schmelztiegels vermin­ dert werden kann. Durch den vorteilhaften Einsatz der Überlaufeinrichtung wird auf einfache Weise sicherge­ stellt, daß keine Verunreinigungen mehr zur Ziehvor­ richtung gelangen. Dies wird auch dadurch unterstützt, daß die Überlaufeinrichtung mit einer Abdeckeinrichtung versehen ist, so daß keine Staubpartikel zur Ziehvor­ richtung gelangen.

Hierdurch wird auch sichergestellt, daß nicht das kalte Granulat direkt der Schmelze zugeführt wird, sondern das bereits aufgeschmolzene Chargengut. Hierdurch kön­ nen Störungen der Temperaturverteilung in der Kristal­ lisierungszone vermieden werden. Der sich normalerweise bildende Staub bleibt im Außenbereich und gelangt nicht in den inneren Bereich des Schmelztiegels. Durch das vorhergehende Aufschmelzen des Chargenguts kann auch die bisher hohe Aufheizleistung im Bereich des Schmelz­ tiegels vermindert werden.

Ferner ist es vorteilhaft, daß das granulatartige Char­ gengut aus einem Vorratsbehälter für Chargengut über ein an diesem angeschlossenes Zuführrohr dem Auf­ schmelzgefäß zugeführt wird. Durch das als Zwischenbe­ hälter ausgebildete Aufschmelzgefäß wird nur so viel Material der Schmelze zugeführt, wie für den augen­ blicklichen Ziehvorgang benötigt wird.

Eine Ausführungsmöglichkeit ist gemäß einer Weiterbil­ dung der erfindungsgemäßen Vorrichtung, daß das im Auf­ schmelzgefäß aufgeschmolzene Chargengut dem Schmelztie­ gel durch ein thermisch isoliertes oder beheizbares Auslaufrohr aus Quarz zugeführt wird.

Vorteilhaft ist es ferner, daß das Aufschmelzgefäß aus Quarz (SiO₂) und/oder Si gebildet ist.

Vorteilhaft ist es ferner, daß die Überlaufeinrichtung eine Abdeckeinrichtung aufweist, so daß keine Staubpar­ tikel zur Ziehvorrichtung gelangen.

Außerdem ist es vorteilhaft, daß die Überlaufeinrich­ tung das Aufschmelzgefäß in eine Ringkammer zur Auf­ nahme des Chargenguts unterteilt, daß die Überlaufein­ richtung, über die das geschmolzene Si geleitet wird, konzentrisch im Aufschmelzgefäß angeordnet ist und daß die Überlaufeinrichtung konzentrisch über einer Auslaß­ öffnung der Überlaufeinrichtung angeordnet ist.

Vorteilhaft ist auch, daß das Aufschmelzgefäß über eine Heizung beheizbar ist und daß das Aufschmelzgefäß über eine Widerstands- oder eine Induktionsheizung beheizbar ist.

Außerdem ist es vorteilhaft, daß dem Aufschmelzgefäß ein Inertgas zuführbar ist zur Abführung von Si oder SiO-Staub.

Eine zusätzliche Möglichkeit ist gemäß einer Weiterbil­ dung der erfindungsgemäßen Vorrichtung, daß eine Hei­ zung zwischen dem Stütztiegel und einer ringförmig an­ geordneten, äußeren, aus Graphit gebildeten Isolierung angeordnet und die Zuführung zum Schmelztiegel ther­ misch isoliert ist.

Vorteilhaft ist es ferner, daß als Chargenmaterial Si­ lizium verwendet und über das Auslaufrohr eingesetzt wird.

Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung sind in den Patentansprüchen und in der Beschreibung erläutert und in den Figuren dargestellt, wobei bemerkt wird, daß alle Einzelmerkmale und alle Kombinationen von Einzel­ merkmalen erfindungswesentlich sind. Es zeigt:

Fig. 1 die Teilansicht einer Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen im Längs­ schnitt,

Fig. 2 eine Darstellung des Schmelztiegels ge­ mäß Fig. 1 in größerem Maßstab,

Fig. 3 ein zweites Ausführungsbeispiel eines Schmelztiegels gemäß Figur 1,

Fig. 4 ein als Aufschmelzgefäß dienender, ge­ kühlter Si-Block, auf dessen Oberfläche mittels einer flachen Induktionsheiz­ spule ein Schmelzsee mit Überlaufrinne herausgeschmolzen wird,

Fig. 5 die Draufsicht gemäß Fig. 4.

In der Zeichnung ist mit 1 eine Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen bezeichnet, die im wesentlichen aus einer durch den Kessel 4 gebildeten Vakuumkammer 52 so­ wie den zum Aufschmelzen des Grundmaterials und zum Herausziehen des Kristalls erforderlichen eingebauten Vorrichtungen besteht. Der Kessel 4 weist ein auf der Kesselbodenplatte 3 gelagertes Stützrohr 5 mit einer dieses umschließenden Wärmedämmung 6 auf. Ferner ent­ hält der Kessel 4 eine vom Stützrohr 5 gehaltene ring­ förmige Wanne 7 mit in dieser gelagerten Graphitfilz­ platten 8, zwei an der Kesselbodenplatte 3 gehaltene Stromzuführungen 9, 9a für einen oberhalb der Wanne 7 gehaltenen Bodenheizer 10 sowie zwei weitere in der Kesselbodenplatte 3 gehaltene Stromzuführungen 11, 11a, mit denen jeweils Spannbacken 12, 12a verschraubt sind.

Die Spannbacken 12, 12a tragen einen Stirn- oder Zylin­ derheizer 13. Außerdem enthält der Vakuumkessel 4 ein sich auf der Wanne 7 abstützendes Strahlschutzrohr 15 mit seitlicher Wärmedämmung 16, eine vom Strahlschutz­ rohr 15 getragene Abdeckplatte 17 mit einer oberen, stirnseitigen Wärmedämmung 18 und Durchführungen 19, 20 mit Schutzgläsern 21, 22, ein Zuführrohr 23 für das Chargengut bzw. das Granulat 37, einen durch die Ab­ deckplatte 17 hindurchgeführten Einfülltrichter 24 mit einem daran angeschlossenen Zuführrohr 23 und eine drehbare, auf- und abwärts bewegbare Tiegelwelle 48 zur Halterung eines Tiegeltragbolzens 26 und des Schmelz­ tiegels 14.

Das in einem in der Zeichnung nicht dargestellten Char­ gengut-Vorratsbehälter aufgenommene Chargengut bzw. Granulat 37 wird über das Zuführrohr 23 in den Tie­ gel 25 des Aufschmelzgefäßes geleitet und mittels der separaten Heizung 40′ bzw. eines Stirn- oder Zylinder­ heizers 40 eingeschmolzen.

Der von den beiden Stromzuführungen 9, 9a gehaltene Bo­ denheizer 10 besteht aus zwei einander gegenüberliegen­ den, seitlichen Heizerfüßen 31 (vgl. hierzu Fig. 1) und zwei ausgeformten Heizschlangen 34. Die Heizschlangen 34 bilden zusammen im Zentrum des Bodenheizers 10 eine Öffnung, durch die sich der Tiegeltragbolzen 26 erstreckt, der mit seinem oberen Ende mit dem Schmelz­ tiegel 14 fest verbunden ist und über den der Schmelz­ tiegel 14 sich sowohl auf- und abwärts bewegt als auch in eine Drehbewegung versetzt werden kann.

Der in der Fig. 1 dargestellte Heizer 13 ist mit kreisringförmigen, radial verlaufenden, in der Zeich­ nung dargestellten Schlitzen gemäß der Darstellung und der Beschreibung in der DE 37 33 487 A1 versehen und aus einem ringförmigen, flachen Teil und einer hohl­ zylindrischen Seitenwand gebildet. Das hohlzylindrische Teil weist sich nach unten erstreckende Heizerfüße 40 (lediglich ein Heizerfuß ist in Fig. 1 dargestellt) auf, die jeweils in Ausnehmungen 41 eingreifen, die in den von den Stromzuführungen 11, 11a gehaltenen beiden Spannbacken 12, 12a vorgesehen sind. Um einen sicheren Stromübergang des Stirnheizers 13 in die Ausnehmun­ gen 41 der Spannbacken 12, 12a zu gewährleisten, sind zusätzliche Keile 42, 42a in die trapezförmigen Ausneh­ mungen 41 eingetrieben. (Weitere Einzelheiten der Vor­ richtung ergeben sich aus der DE 37 33 487 A1.)

Zur Vermeidung des Staubanfalls wird das Chargen­ gut bzw. Granulat 37 über das Zuführrohr 23 einem Staubfänger bzw. einer dach- oder pyramidenförmigen Ab­ deckeinrichtung 38 gemäß den Ausführungsbeispielen 1, 2 und 3 und dann einer Zwischenstufe bzw. einem aus Quarz gebildeten Aufschmelzgefäß 25 gemäß Fig. 1 bis 3 oder einem Tiegel 25 gemäß Fig. 4 zugeführt. Gemäß Fig. 3 ist das Aufschmelzgerät konzentrisch zum Zuführrohr 23 und der Überlaufeinrichtung 47′ ausgerichtet. Das Zuführrohr 23 ist gemäß Fig. 3 ferner konzen­ trisch über einer Auslaßöffnung 39 der Überlaufeinrich­ tung 47′ angeordnet.

Es ist auch möglich, gemäß Fig. 1 und 2 das Zuführ­ rohr 23 exzentrisch zu der Überlaufeinrichtung 47′ aus­ zurichten.

Das Aufschmelzgefäß 25 befindet sich erfindungsgemäß zwischen dem in der Zeichnung nicht dargestellten Auf­ nahmebehälter für das Granulat 37 und dem Einfülltrich­ ter 24, über den das Schmelzgut dem Schmelztiegel 14 zugeführt wird. Der Einfülltrichter 24 bzw. das zuge­ hörige Rohr kann mit einem Isoliermantel 53 versehen sein und ist in einem Stütztiegel 51 angeordnet.

Das Aufschmelzgefäß 25 wird gemäß Fig. 1 bis 3 über eine Heizung 40′ beheizt, die zwischen dem Aufschmelz­ gefäß 25 bzw. einem das Aufschmelzgefäß 25 aufnehmenden Stütztiegel 51 und einer Isolierung 50 vorge­ sehen ist. Die Heizung 40′ kann auch gemäß Fig. 4 als Induktionsheizung 40′′ ausgebildet sein.

Durch Verwendung des Aufschmelzgefäßes 25 erhält man eine Entkopplung zwischen dem eigentlichen Schmelzvor­ gang des Granulats, der Heizungsvorrichtung 13 und der Ziehvorrichtung 43.

Das Aufschmelzgefäß 25 weist gemäß Fig. 1 bis 3 eine aus einem Ablaufrohr gebildete Überlaufeinrichtung 47′ auf, die das Aufschmelzgefäß 25 beispielsweise gemäß Fig. 3 in eine Ringkammer 36′ zur Aufnahme des Char­ genguts 37 unterteilt.

Das Aufschmelzgefäß 25 kann aus Quarz (SiO₂) gebildet und gemäß Fig. 1 in dem Stütztiegel 51 aufgenommen sein.

Nach dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel ist es gemäß Fig. 3 auch möglich, die Überlaufeinrichtung 47′ entweder konzentrisch oder gemäß Fig. 1 und 2 seitlich im Aufschmelzgefäß 25 vorzusehen und mittels eines Staubfängers bzw. einer Abdeckeinrichtung 38 abzuschir­ men.

Das Aufschmelzgefäß 25 ist zwischen einer in der Zeich­ nung nicht dargestellten Beschickungsvorrichtung gemäß der DE-OS 37 37 051, Fig. 1 bis 3 und Spalte 3 und 4 der DE-OS, für das Chargengut 37 und einem Schmelztie­ gel 14 bzw. einer Ziehvorrichtung 43 vorgesehen.

Das Aufschmelzgefäß 25 läßt sich über eine Heizung 40′, insbesondere eine Widerstands- bzw. eine Induktionshei­ zung 40′′ gemäß Fig. 5, beheizen.

In vorteilhafter Weise ist die zusätzliche Heizung 13 zur Aufheizung des Schmelztiegels 14 zwischen dem Stütztiegel 29 und einer ringförmig angeordneten, äuße­ ren, aus Graphit gebildeten Isolierung oder Wärmedäm­ mung 16 angeordnet.

Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4 und 5 kann dem Aufschmelzgefäß 25 eine Kühleinrich­ tung 45 derart zugeordnet sein, daß die Schmelze in einem gekühlten Siliziumbett bzw. Siliziumblock 46 auf­ geschmolzen wird.

Als Aufschmelzgefäß 25 für das zugeführte Siliziumgra­ nulat dient hierbei ein gekühlter Siliziumblock 45, auf dessen Oberfläche mittels einer flachen Induktionsheiz­ spule 40′′ ein Schmelzsee herausgeschmolzen wird. Hier­ bei kann die räumliche Verteilung der Aufschmelzenergie durch eine entsprechende Formgebung der Induktions­ spule 40′′ so eingestellt werden, daß am Rande des Si­ liziumblocks eine Überlaufrinne 47 herausgeschmolzen wird.

Alle Ausführungsformen haben die gleiche Aufgabe, näm­ lich das Chargengut außerhalb des Schmelztiegels 14 in einer Zwischenstufe zu verflüssigen und dann stetig der Ziehvorrichtung 43 bzw. dem Schmelztiegel 14 in flüssi­ gem Zustand zuzuführen. Dadurch wird verhindert, daß das kalte Granulat 37 direkt in die Schmelze fällt, da­ durch Staub hochwirbelt und den Einkristall verunrei­ nigt.

Gemäß Fig. 1 tropft das geschmolzene Granulat über die Überlaufeinrichtung 47′ der Zwischenstufe bzw. das Auf­ schmelzgefäß 25 ab und wird dann der Schmelze der Zieh­ vorrichtung 43 zugeführt.

Um den Staub abzuführen, wird ferner beim Einfüllvor­ gang des Granulats 37 ein Argon-Gasstrom 49 zugegeben, der in die Vakuumkammer eingeschleust wird (vgl. hierzu Fig. 1). Durch die beiden Maßnahmen a) der Zwischen­ stufenverflüssigung und b) der Spülung durch einen Ar­ gon-Gasstrom kann in vorteilhafter Weise der Staub vom inneren Bereich der Ziehvorrichtung 43 ferngehalten werden. Da das Granulat 37 bereits in der Zwischenstufe verflüssigt wird, kann auch die bisherige Aufheizlei­ stung im Bereich der Schmelze reduziert werden.

Bezugszeichenliste

1 Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen
3 Kesselbodenplatte
4 Kessel
5 Stützrohr
6 Wärmedämmung
7 ringförmige Wanne
8 Graphitfilzplatte
9, 9a Stromzuführung
10 Bodenheizer
11, 11a Stromzuführung
12, 12a Spannbacken
13 Heizung, Stirn- oder Zylinderheizer
14 Schmelztiegel
15 Strahlschutzrohr
16 Wärmedämmung
17 Abdeckplatte Schmelztiegel
18 Wärmedämmung
19 Durchführung
20 Durchführung
21 Schutzglas
22 Schutzglas
23 Zuführrohr
24 Einfülltrichter
25 Aufschmelzgefäß
26 Tiegeltragbolzen
29 Stütztiegel
30 Heizschlange
31 Heizerfuß
32 Heizerfuß
33 Heizschlange
34 Heizschlange
35 Auslaufrohr
36 Ringkammer, Kammer
37 Chargengut=Granulat
38 Abdeckeinrichtung
39 Auslaßöffnung
40 Heizung für 14
40′ Heizung für 25
40′′ Induktionsheizspule
41 Ausnehmung
42, 42a Keil
43 Ziehvorrichtung
45 Kühleinrichtung
46 Siliziumblock
47, 47′ Überlaufeinrichtung, Siliziumblock
48 Tiegelwelle
49 Argon-Gasstrom
50 Isolierung
51 Stütztiegel
52 Vakuumkammer
53 Isoliermantel

Claims (12)

1. Vorrichtung für die kontinuierliche Zuführung von Chargengut (37) für einen Schmelztiegel (14) beim Ziehen von Einkristallen in einem Kessel (4) mit verschließbarem Vorratsbehälter zur Aufnahme von Chargengut, einem Schleusenventil und einem in den Schmelztiegel (14) einmündenden, mit dem Be­ hälter verbundenen Auslaufrohr, wobei das Char­ gengut (37) für den Schmelztiegel (14) in einer Zwischenstufe (Aufschmelzgefäß 25) geschmolzen und dann in aufgeschmolzenem Zustand dem Schmelz­ tiegel (14) über das Auslaufrohr (35) zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Hei­ zung (13, 40′, 40′′) aufweisende Aufschmelzge­ fäß (25) in einem Stütz­ tiegel (51) aufgenommen ist, der aus Graphitwerk­ stoff besteht und eine abdeckbare Überlaufein­ richtung (47′) aufweist, über die das Schmelzgut von oben her in ein thermisch isoliertes (53) oder beheizbares Auslaufrohr (35) eingeleitet wird.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das granulatartige Chargengut (37) aus einem Vorratsbehälter für Chargengut über ein an diesem angeschlossenes Zuführrohr (23) dem Auf­ schmelzgefäß zugeführt wird.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das im Aufschmelzgefäß (25) aufgeschmolzene Chargengut dem Schmelztiegel (14) durch ein thermisch isoliertes oder beheizbares Auslaufrohr (35) aus Quarz zugeführt wird.

4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufschmelzgefäß (25) aus Quarz (SiO₂) und/oder Si gebildet ist.

5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Überlaufeinrichtung (47′) eine Abdeckeinrich­ tung (38) aufweist.

6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Überlaufeinrichtung (47′) das Aufschmelz­ gefäß (25) in eine Ringkammer (36) zur Aufnahme des Chargenguts (37) unterteilt.

7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Überlaufeinrichtung (47′) konzentrisch im Aufschmelzgefäß (25) angeordnet ist.

8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorher­ gehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, daß das Zuführrohr (23 konzentrisch über einer Auslaßöffnung (39) der Überlaufeinrich­ tung (47′) angeordnet ist.

9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufschmelzgefäß (25) über eine Widerstands- oder eine Induktionsheizung (40′′) beheizbar ist.

10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß dem Aufschmelzgefäß (25) ein Inertgas zuführbar ist zur Abführung von Si oder SiO-Staub.

11. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizung (13, 40′, 40′′) zwischen dem Stütz­ tiegel (29) oder Schmelztiegel (14) und einer ringförmig angeordneten, äußeren, aus Graphit ge­ bildeten Isolierung (16 bzw. 50) angeordnet ist.

12. Verwendung einer Vorrichtung nach einem oder meh­ reren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß als Chargenmaterial Silizium verwendet wird.