CS199607B2 - Semiconductor table silikon crystals for solar cells and method their manufacture - Google Patents

Semiconductor table silikon crystals for solar cells and method their manufacture Download PDF

Info

Publication number
CS199607B2
CS199607B2 CS757744A CS774475A CS199607B2 CS 199607 B2 CS199607 B2 CS 199607B2 CS 757744 A CS757744 A CS 757744A CS 774475 A CS774475 A CS 774475A CS 199607 B2 CS199607 B2 CS 199607B2
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
silicon
melt
temperature
solar cells
crystals
Prior art date
Application number
CS757744A
Other languages
English (en)
Inventor
Bernhardt Authier
Original Assignee
Wacker Chemitronic
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Chemitronic filed Critical Wacker Chemitronic
Publication of CS199607B2 publication Critical patent/CS199607B2/cs

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
    • B22D27/04—Influencing the temperature of the metal, e.g. by heating or cooling the mould
    • B22D27/045—Directionally solidified castings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/605—Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

Vynález se týká nových polovodičových deskových krystalů křemíku pro sluneční články a způsobu jejich výroby, nalitím taveniny křemíku do vhodné formy a následujícím ztuhnutím v teplotním spádu.
S přibývajícím nedostatkem a zdražováním fosilních nosičů energie stoupá neustále význam výroby energie přímou přeměnou slunečního1 záření na elektrickou energii slunečních článků. Zatímco tento způsob získávání energie je v rozsahu satelitních technik již dnes převládající formou, je využití na Zemi na základě vysoké ceny takových slunečních článků dosud velmi nepatrné. Největšímu zájmu se při tom těší křemíkové články, u kterých asi jednu třetinu ceny způsobuje použitý křemík. Podstatné snížení ceny polovodičového materiálu na jedné straně a na druhé straně také ceny, která je podmíněna dalším zpracováním slunečních článků, je ale předpokladem pro racionální zpracování sluneční energie.
Požadavky, které jsou kladeny na křemík ve slunečních článcích jsou velmi vysoké.
Křemík má být monokrystalický a tak perfektní, jak je to možné, to znamená, že nemá žádné bodové chyby, přimíiseniny, krystalové srůsty, „swirls“ nebo chemické znečištěniny. Účinnost slunečních článků · zho2 tavených z takovéhoto materiálu kolísá v rozmezí 10 ož 12 % oproti teoretické možnosti 22 1 * * * S %. Když se křemíkové desky musí odřezávat běžným způsobem z monokrystalových tyčí výše uváděné kvality, ztrácí se skoro 1 polovina této· tyče jako odřezky. Aby se tyto ztráty zamezily, usiluje se nyní o to, používat jako základní materiál monokrystalické křemíkové pásy, které se získávají podle EDFG-způsobu („edge defined film fed growth“) firmy TYCO, přičemž u takových slunečních článků se očekává účinnost asi 10 %.
Po stránce cenové je obzvláště zajímavý polykrystalický · křemík. · Sluneční články s polykrystalickým křemíkem mohou být ale vyrobeny dosud pouze s průmyslově · nezajímavou účinností 1 %. (Electronics, Apríl 4, 1974, str. 109).
Vynález se tedy zabývá úkolem vyrobit levné křemíkové krystaly, pokud možno ve formě desek, které mohou být použity jako základní materiál při výrobě slunečních článků.
Nyní byl nalezen způsob výroby deskových · křemíkových krystalů s určenou krystalovou orientací nalitím taveniny křemíku do vhodné formy a následujícím ztuhnutím v teplotním spádu, který je vyznačený tím, že po nalití křemíkové taveniny do· odpovída199607 jícím způsobem zformované·· · licí . formy, je alespoň jedna z obou větších navzájem · protilehlých hraničních ploch taveniny ve styku s plochou licí formy a tato styčná plocha s taveninou má teplotu 400 až 1200 °C, zatímco protilehlá hraniční plocha taveniny má teplotu nejméně o 200 až 1000 C vyšší, ale pod bodem tání křemíku, popřípadě za styku s další plochou licí formy, o teplotě pod 1200 cc.
Při způsobu podle vynálezu se křemík roztaví za vakua nebo v inertní atmosféře, například v kelímku z křemenného skla a nalije se do formy vhodné pro zhotovení deskovitých tvarů, přičemž teplota křemíkové taveniny při nalévání má být výhodně v rozmezí 1450 až 1600 CC,
Jako licí formy přicházejí zásadně v úvahu otevřené i zavřené formy. Při výhodném postupu podle vynálezu se roztavený tekutý křemík nalije do nahoře otevřené deskovité kokily, jejíž spodní plocha je ve styku s jednou z obou hraničních ploch nalité taveniny a teplota této· spodní části je vhodným způsobem, například pomocí kovové desky, která je chlazena chladicí kapalinou, upravena na teplotu maximálně 1200 °C, výhodně na teplotu v rozmezí 600 až 1000 °C. Na volný povrch taveniny se působí teplotou, která je minimálně o 200 až 1000 °C vyšší, výhodně o 200 až 800 CC vyšší, než je teplota chlazené spodní plochy licí formy, ale leží pod bodem tání křemíku. Tohoto ohřátí se dosáhne například sálavým teplem, výhodně přiblížením grafitové desky, která je odpovídajícím způsobem zahřáta. Když se toto· sálavé teplo získává pomocí zahřáté grafitové desky, tak se nejlépe osvědčuje zahřát grafitovou desku, která se nachází přímo nad volnou plochou taveniny, na teplotu asi 1400 až 1550 °C.
Aby se předešlo smočení, doporučuje se kromě toho, aby postranní plochy taveniny, které jsou ve styku s postranními částmi licí formy, měly teplotu ležící pod 1200C'C, ale na druhé straně by měla teplota ležet co možná ještě nad hodnotou teploty větší styčné chlazené plochy, aby se pokud možno· omezil orientovaný růst tuhnoucích krystalů od postranní plochy dovnitř, ačkoliv je tím u větších desek postižen pouze úzký okraj.
Jako materiál na licí formy je možno· zvolit například nitrid křemíku, tělo formy z z nitridu křemíku nebo · grafitu preparované kysličníkem křemičitým nebo výhodně grafit.
Další varianta způsobu podle vynálezu spočívá v tom, že se použije licí forma, u které je tavenina ve styku s oběma většími protilehlými stěnami výhodně tak, že tyto plochy jsou uspořádány vertikálně a tavenina křemíku se nalévá do takto vytvořené štěrbiny. U tohoto provedení licí formy, která je rovněž výhodně zhotovena z grafitu, může mít teplejší styčná plocha licí formy s taveninou teplotu ležící níže než 1200 %, aby se zabránilo smočení taveniny. Když tedy teplota této· styčné plochy je například 1200 CC, tak se doporučuje, aby byla druhá styčná plocha chlazena na 200 až 1000 cc, výhodně asi na 400 až 800 °C, · neboť teplotní spád mezi . . oběma styčními plochami má podle vynálezu činit 200 až 1000 °C. Pro· postranní plochy při tom platí teplotní režim odpovídající uspořádání a úplně otevřené formy.
Principiálně je také možné pěstování s očkovacími krystaly, přičemž chlazená styčná plocha licí formy s taveninou se vyplní před nalitím taveniny křemíku křemíkovými deskovitými krystaly o · žádané krystalografické specifikaci. Jiná varianta spočívá v tom, že se dO' otevřené licí formy, u které je pouze jedna hraniční plocha · ve styku s taveninou, a to chlazená plocha licí formy, · přidává přerušovaně nebo kontinuálně shora · křemíková tavenina tak, že vždy v určitém okamžiku určí ztuhlý křemíkový podklad podmínky růstu pro dále nalévanou taveminu, se zřetelem na krystalografickou přednostní orientaci a deskovité krystaly narůstají jako tyče nebo pruty. Přívod tepla je při tom průběžně regulován, výhodně uvnitř rozmezí teplot podle vynálezu vhodným mechanickým nebo elektronickým regulátorem. Když se například povrch přidané křemíkové taveniny vystaví teplotě asi 1400 °C, například pomocí vhodného sálavého· tělesa, musí se potom spodní plocha licí · formy během růstu · křemíkových prutů silněji chladit, aby na čele tuhnutí, které se dostává do styku s nalévanou křemíkovou taveninou, byla podle vynálezu teplota 400 až max. 1200 cc. Zahřívání postranních povrchů musí být odpovídajícím způsobem regulováno, přičemž zóna, která se v určitém okamžiku nachází ve styku s kapalnou křemíkovou taveninou, má teplotu výhodně 1100 až 1200 °C.
Aby se způsobem podle vynálezu získaly křemíkové krystaly určité dotace, obohacuje se křemíková tavenina před nalitím do licí formy odpovídajícími dotačními látkami, například prvky III. a V. skupiny periodické soustavy prvků, jako je bor, hliník, galium, indium, arzén, antimon nebo fosfor.
Popsaný způsob podle vynálezu pro přípravu deskových křemíkových krystalů určené krystalové orientace se dá vhodným, přizpůsobením teplotních parametrů přeměnit také na výrobu odpovídajících deskových krystalů jiných polovodičových látek, které mají tu vlastnost, že se při tuhnutí roztahují, jako je například germanium, gallumarzenid nebo galiumfosfid.
Deskové křemíkové krystaly vyrobené způsobem podle vynálezu mají ve směru kratší osy vytvořenou kolumnární strukturu z monokrystalických krystalových oblastí s krystalografickou přednostní orientací a mají polovodiči vlastnosti. Když se do taveniny přidá před nalitím do licí formy dotační látka, tak se mimořádně homogenně rozdělí, bez radiálních nebo axiálních gradientů.
Pro použití takových křemíkových krystalů jako základních látek v polovodičové technice, zvláště pro elektronické konstrukční prvky je výhodné přidávat do taveniny tolik dotačních látek, aby křemíkové krystaly obsahovaly 5 x 1014 až 5 x 1018 ato-’ mů dotační látky v jednom krychlovém centimetru.
Deskové křemíkové krystaly podle vynálezu vynikají vysokou dobou životnosti minoritního nosiče. Jako základní materiál pro sluneční články dává předpoklady pro jejich podstatné zlevnění. Co se týče dosažené účinnosti přes 10 o/o, jsou většinou minimálně rovnocenné s dosud používanými monokrystalickými materiály, při podstatně nižších výrobních nákladech. Účinnost se dá ještě zvýšit speciálním odleptáním povrchu, neboť krystalové oblasti narostlé na povrchu ve směru 10 0 jsou leptáním silněji napadány než ostatní oblasti. Takto zcela specificky zdrsněné povrchy mají alespoň částečně účinek černých článků s podstatně zesílenou absorpcí světla a tím mají také zvýšenou účinnost.
Příklad 1
V křemenném kelímku se roztaví 1000 g vysoce čistého polykrystalického křemíku, který byl infundován 2 x 1015 atomy boru, tavenina se vyhřeje na teplotu 1500 CC a nalije se do vhodné formy.
Licí forma sestává z cylindrického grafitového bloku o průměru 200 mm, ve kterém byla vyfrézována dutina o rozměrech 100 xlOO x 70 mm. Před nalitím křemíkové taveniny byla tálo licí forma zahřáta induktivně vyhřívanou grafitovou sálavou rourou, současně ale bylo dno formy chlazeno měděnou deskou chlazenou vodou, takže povrch dna, tedy plocha licí formy, která je ve styku s taveninou s větším styčným povrchem, má teplotu asi 800 °C. Volný povrch nalité křemíkové taveniny je naproti tomu vystaven působení tepelného záření grafitové desky zahřáté asi na 1500 CC, která se nachází asi 2 cm nad povrchem taveniny.
Za těchto tepelných podmínek se ztuhlá křemíková tavenina bez smočení grafitové formy pomalu v průběhu několika hodin ochladí na teplotu místnosti, aby se neindukovalo tepelné pnutí.
Takovým způsobem vyrobené deskové křemíkové krystaly mají kolumnární strukturu z monokrystaliokých krystalických oblastí, kolmou ke větším plochám, tedy ve směru kratší osy.
Pro výrobu slunečních článků se z těchto desek uříznou diamantovou pilou, běžnou v polovodičové technice desky o tloušťce asi 500 μιη. Získané desky mají kolmo к povrchu uspořádanou kolumnární strukturu z monokrystalických krystalových oblastí. Sluneční články zhotovené běžným způsobem z těchto desek mají účinnost 10 až 11 °/o.
Příklad 2
V křemenném kelímku se roztaví 20 g vysoce čistého polykrystalického křemíku, který byl infundován 2 x 1015 atomy boru, tavenina se zahřeje na teplotu 1550 CC a nalije se do licí formy.
Licí forma sestává z grafitového bloku o průřezu 150 x 150 mm a výšce 200 mm. Grafitový bloik byl ve středu podél své delší osy rozříznut na dva díly, přičemž jeden díl se štěrbinovitě vyfrézoval podle požadavků na geometrii lité křemíkové desky. Oba díly se potom opět sešroubují dohromady pomocí grafitových šroubů, takže hladká plocha druhého dílu grafitového bloku uzavírá štěrbinovité vyfrézování prvního dílu. Na horním konci byla štěrbina opatřena nálevkovitým otvorem.
Oba díly licí formy se nyní během nalévání taveniny vyhřejí na dvě rozdílné teploty tak, že mezi oběma většími protilehlými plochami štěrbiny se vytvoří teplotní spád. Teplota jedné plochy přitom činí asi 400 CC a teplota protilehlé plochy je asi 1100 QC. Za těchto podmínek ztuhne tavenina v kolumnární struktuře s v podstatě paralelně uspořádanými monokrystalickými krystalovými oblastmi к teplotnímu gradientu.
Po ochlazení se může křemíková deska, bez smočení grafitové formy, z formy vyjmout. Tenká vrstva, nacházející se při ztuhnutí na teplejší straně křemíkové destičky, se odstraní odleptáním. Sluneční články vyrobené známým způsobem z křemíkových destiček měly účinnost 8 až 10 %.
Příklad 3a
V kelímku z křemenného skla se roztaví 1000 gramů vysoce čistého polykrystalického křemíku, který se dotuje 2 x 1015 atomy gallia, ohřeje se na teplotu 1500 °C a nalije se do licí formy.
Příklad 3b
V kelímku z křemenného skla se roztaví 1000 gramů vysoce čistého polykrystalického křemíku, který byl dotován 3 x 1015 atomů hliníku (vyšší koeficient odpaření), tavenina se zahřeje na teplotu 1500 °C a nalije se do licí formy.
Příklad 3c
V kelímku z křemenného skla se roztaví 1000 gramů vysoce čistého polykrystalického křemíku, který byl dotován 1 x 1015 atomy fosforu, tavenina se zahřeje na teplotu 1500 CC a nalije se do licí formy.
Příklad 3d
V kelímku z křemenného skla se roztaví 1000 g vysoce čistého polykrystalického kře
1996 míku, který byl dotován 1 x 1015 atomy antimonu, tavenina se zahřeje na teplotu 1500° Celsia a nalije se do licí formy.
Příklad 3e
V kelímku z křemenného· skla se roztaví 1000 g vysoce čistého polykrystalického křemíku, který byl dotován 1 x 1015 atomy arzénu, tavenina se zahřeje na teplotu 1500 °C a nalije se do licí formy.
Licí formy jsou ve všech případech z válcovitého· grafitového· bloku o průměru 200 ' milimetrů, ze kterého je vyfrézována dutina o rozměrech 100 x 100 x 70 mm. Před nalitím křemíkové taveniny se licí forma zahřeje induktivním ohřevem pomocí grafitové sálavé roury, současně se ale dno formy ochlazuje pomocí vodou chlazené měděné desky, takže plocha dna formy, která přichází do styku s větší hraniční plochou taveniny, má teplotu asi 800 °C. Volný povrch nalité křemíkové taveniny se naproti tomu vystaví tepelnému ohřevu grafitové desky zahřáté na teplotu 1500 cc, která se nachází asi 2 cm nad povrchem taveniny.
Za těchto tepelných podmínek (odpovídajících příkladu 1) ztuhne různě dotované křemíkové taveniny na desky, bez smočení grafitové formy. Aby nevznikalo· žádné pnutí, ochladí se destičky pomalu, v průběhu několika hodin, na teplotu místnosti.
Tímto způsobem připravené destičkové křemíkové krystaly mají kolumnární strukturu z monokrystalových krystalických oblastí, vytvořenou kolmo· k většímu povrchu, tedy ve směru nejkratší osy.
Pro výrobu slunečních· článků se z těchto· desek uříznou diamantovou pilou, běžnou v polovodičové technice, desky o· tloušťce asi 500 μΐη. Získané desky mají nezávisle na dotační látce kolmo· k povrchu uspořádanou kolumnární strukturu z monokrystal^ých krystalových oblastí. Sluneční články zhotovené z těchto desek mají bez ohledu na druh použité dotační látky účinnost průměrně 10 °/o.

Claims (2)

  1. PŘEDMĚT
    1. Polovodičové deskové křemíkové krystaly pro sluneční články, vyznačené tím, že ve směru nejkratší osy je vytvořena kolumnární struktura z monokrystalických krystalových oblastí a obsah atomů dotačních látek ze III. skupiny periodického systému prvků, jako je například bor, hliník nebo gallium, nebo z V. skupiny periodického systému prvků, jako· je například fosfor, arzén nebo antimon, činí 5 x 1014 až 5 x 1018.
  2. 2. Způsob výroby polovodičových deskových křemíkových krystalů pro sluneční články podle bodu 1, nalitím křemíkové taveniny do formy a následujícím ztuhnutím v teplotním spádu, vyznačený tím, že po· nalití křemíkové taveniny o teplotě 1450 až ynAlezu
    1600 cc s obsahem dotačních látek ze III. skupiny periodlokého systému prvků, jako jsou například bor, hliník a gallium, nebo z V. skupiny periodického systému prvků, jako jsou například fosfor, arzén a antimon, do tvarované licí formy, je alespoň jedna z obou větších navzájem protilehlých hraničních ploch taveniny ve styku s plochou licí formy a tato styčná plocha s taveninou má teplotu v rozmezí 400 až 1200 cc, zatímco protilehlá hraniční plocha taveniny je vystavena teplotě o 200 až 1000 °C vyšší, přičemž je pod bodem tání křemíku, popřípadě je za styku s další plochou licí formy o teplotě pod 1200 °C.
CS757744A 1975-02-28 1975-11-17 Semiconductor table silikon crystals for solar cells and method their manufacture CS199607B2 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2508803A DE2508803C3 (de) 1975-02-28 1975-02-28 Verfahren zur Herstellung plattenförmiger Siliciumkristalle mit Kolumnarstruktur

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS199607B2 true CS199607B2 (en) 1980-07-31

Family

ID=5940115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS757744A CS199607B2 (en) 1975-02-28 1975-11-17 Semiconductor table silikon crystals for solar cells and method their manufacture

Country Status (24)

Country Link
US (1) US4382838A (cs)
JP (1) JPS5330988B2 (cs)
AU (1) AU499586B2 (cs)
BE (1) BE839008A (cs)
CA (1) CA1061688A (cs)
CH (1) CH604884A5 (cs)
CS (1) CS199607B2 (cs)
DD (1) DD122478A5 (cs)
DE (1) DE2508803C3 (cs)
DK (1) DK145828C (cs)
ES (1) ES445617A1 (cs)
FR (1) FR2302132A1 (cs)
GB (1) GB1539244A (cs)
HU (1) HU172435B (cs)
IL (1) IL47862A (cs)
IN (1) IN143325B (cs)
IT (1) IT1053650B (cs)
NL (1) NL177612C (cs)
PL (1) PL98068B1 (cs)
RO (1) RO72156A (cs)
SE (1) SE408760B (cs)
SU (1) SU695531A3 (cs)
YU (1) YU291675A (cs)
ZA (1) ZA757846B (cs)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2745247C3 (de) * 1977-10-07 1980-03-13 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren und Vorrichtung zur semikontinuierlichen Herstellung von Siliciumformkörpern
JPS5460584A (en) * 1977-10-24 1979-05-16 Agency Of Ind Science & Technol Solar battery using silicon ribbon crystal
JPS54121086A (en) * 1978-03-14 1979-09-19 Agency Of Ind Science & Technol Forming method of silicon plate
DE2850805C2 (de) * 1978-11-23 1986-08-28 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Herstellen von scheiben- oder bandförmigen Siliziumkristallen mit Kolumnarstruktur für Solarzellen
DE2850790C2 (de) * 1978-11-23 1987-02-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Herstellen von scheiben- oder bandförmigen Siliziumkristallen mit Kolumnarstruktur für Solarzellen
DE2927086C2 (de) * 1979-07-04 1987-02-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Herstellen von platten- oder bandförmigen Siliziumkristallkörpern mit Säulenstruktur für Solarzellen
DE2929669A1 (de) 1979-07-21 1981-01-29 Licentia Gmbh Gemisch eines loesungsmittels fuer die galvanische abscheidung
DE3019635A1 (de) * 1980-05-22 1981-11-26 SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München Verbesserung eines verfahrens zur herstellung von platten-, band- oder folienfoermigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen
DE3019653A1 (de) * 1980-05-22 1981-11-26 SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München Verbesserung eines verfahres zur herstellung von platten-, band- oder folienfoermigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen
EP0055318B1 (en) * 1980-12-31 1985-10-23 Solarex Corporation Method of producing semicrystalline silicon and products formed thereby
JPS57160174A (en) * 1981-03-30 1982-10-02 Hitachi Ltd Thin film solar battery
DE3226931A1 (de) * 1982-07-19 1984-01-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, fuer die fertigung von solarzellen verwendbaren bandfoermigen siliziumkoerpern
DE3310827A1 (de) * 1983-03-24 1984-09-27 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur herstellung von grobkristallinem silicium
EP0124284B1 (en) * 1983-03-30 1987-10-21 Hoxan Corporation Method of fabricating polycrystalline silicon wafer and fabrication tray used therefor
DE3427465A1 (de) * 1984-07-25 1986-01-30 Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren und vorrichtung zur taktweisen herstellung von siliciumformkoerpern
JPS6193614A (ja) * 1984-10-15 1986-05-12 Nec Corp 半導体単結晶基板
US5116456A (en) * 1988-04-18 1992-05-26 Solon Technologies, Inc. Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form
DE4018967A1 (de) * 1990-06-13 1991-12-19 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zum giessen von siliciumbloecken mit kolumnarstruktur als grundmaterial fuer solarzellen
WO1994028205A1 (de) * 1993-05-25 1994-12-08 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung grossflächiger kristalliner salzkörper und dazu geeignete vorrichtung
JP3596828B2 (ja) * 1995-07-17 2004-12-02 キヤノン株式会社 基体の製造方法
DE19723067C1 (de) * 1997-06-02 1998-12-24 Siemens Ag Verfahren zum einfachen Herstellen großer Kristallkörper
US6313398B1 (en) * 1999-06-24 2001-11-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Ga-doped multi-crytsalline silicon, Ga-doped multi-crystalline silicon wafer and method for producing the same
DE19934940C2 (de) * 1999-07-26 2001-12-13 Ald Vacuum Techn Ag Vorrichtung zum Herstellen von gerichtet erstarrten Blöcken und Betriebsverfahren hierfür
US8021483B2 (en) * 2002-02-20 2011-09-20 Hemlock Semiconductor Corporation Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods
FR2853913B1 (fr) † 2003-04-17 2006-09-29 Apollon Solar Creuset pour un dispositif de fabrication d'un bloc de materiau cristallin et procede de fabrication
US7344594B2 (en) * 2004-06-18 2008-03-18 Memc Electronic Materials, Inc. Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material
US7465351B2 (en) * 2004-06-18 2008-12-16 Memc Electronic Materials, Inc. Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material
US7691199B2 (en) * 2004-06-18 2010-04-06 Memc Electronic Materials, Inc. Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material
BRPI0706659A2 (pt) * 2006-01-20 2011-04-05 Bp Corp North America Inc métodos de fabricação de silìcio moldado e de célula solar, células solares, corpos e wafers de silìcio multicristalinos ordenados geometricamente continuos
DE102006055055A1 (de) * 2006-11-22 2008-05-29 Eos Gmbh Electro Optical Systems Vorrichtung zum schichtweisen Herstellen eines dreidimensionalen Objekts
JP5309539B2 (ja) * 2007-07-12 2013-10-09 住友化学株式会社 精製シリコンの製造方法
CN101755077A (zh) * 2007-07-20 2010-06-23 Bp北美公司 从籽晶制造浇铸硅的方法和装置
WO2009014957A2 (en) * 2007-07-20 2009-01-29 Bp Corporation North America Inc. Methods for manufacturing cast silicon from seed crystals
WO2009015168A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Bp Corporation North America Inc. Methods for manufacturing geometric multi-crystalline cast materials
WO2009015167A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Bp Corporation North America Inc. Methods for manufacturing monocrystalline or near-monocrystalline cast materials
JP5125973B2 (ja) * 2007-10-17 2013-01-23 住友化学株式会社 精製シリコンの製造方法
TW201012978A (en) * 2008-08-27 2010-04-01 Bp Corp North America Inc Apparatus and method of use for a casting system with independent melting and solidification

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD73033A (cs) *
US1251951A (en) * 1917-06-18 1918-01-01 W G Armstrong Whitworth And Company Ltd Casting steel ingots.
US2402839A (en) * 1941-03-27 1946-06-25 Bell Telephone Labor Inc Electrical translating device utilizing silicon
NL63276C (cs) * 1941-04-04
GB592303A (en) * 1941-05-27 1947-09-15 Western Electric Co Light sensitive device
BE562066A (cs) * 1956-10-31
LU35658A1 (cs) * 1956-12-24
NL226823A (cs) * 1957-04-15 1900-01-01
US3012865A (en) * 1957-11-25 1961-12-12 Du Pont Silicon purification process
US3494709A (en) * 1965-05-27 1970-02-10 United Aircraft Corp Single crystal metallic part
US3567526A (en) * 1968-05-01 1971-03-02 United Aircraft Corp Limitation of carbon in single crystal or columnar-grained nickel base superalloys
US3763926A (en) * 1971-09-15 1973-10-09 United Aircraft Corp Apparatus for casting of directionally solidified articles
US3900943A (en) * 1973-06-07 1975-08-26 Dow Corning Silicon semiconductor device array and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
YU291675A (en) 1982-05-31
DK145828B (da) 1983-03-14
DK145828C (da) 1983-08-29
DD122478A5 (cs) 1976-10-12
IN143325B (cs) 1977-11-05
HU172435B (hu) 1978-08-28
DK488675A (da) 1976-08-29
US4382838A (en) 1983-05-10
ES445617A1 (es) 1977-10-01
IL47862A (en) 1978-07-31
DE2508803A1 (de) 1976-09-09
NL177612B (nl) 1985-05-17
NL7512544A (nl) 1976-08-31
BE839008A (fr) 1976-08-27
ZA757846B (en) 1976-11-24
DE2508803B2 (de) 1978-03-09
RO72156A (ro) 1981-03-30
IT1053650B (it) 1981-10-10
CH604884A5 (cs) 1978-09-15
SE7602574L (sv) 1976-08-30
CA1061688A (en) 1979-09-04
AU8766475A (en) 1977-06-23
AU499586B2 (en) 1979-04-26
IL47862A0 (en) 1975-11-25
PL98068B1 (pl) 1978-04-29
FR2302132B1 (cs) 1980-08-14
JPS5330988B2 (cs) 1978-08-30
NL177612C (nl) 1985-10-16
GB1539244A (en) 1979-01-31
FR2302132A1 (fr) 1976-09-24
SE408760B (sv) 1979-07-09
SU695531A3 (ru) 1979-10-30
DE2508803C3 (de) 1982-07-08
JPS51101466A (cs) 1976-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CS199607B2 (en) Semiconductor table silikon crystals for solar cells and method their manufacture
US5431869A (en) Process for the preparation of polycrystalline silicon ingot
JP5493092B2 (ja) 酸化ガリウム単結晶の製造方法および酸化ガリウム単結晶
CN100378257C (zh) 磷化铟基板、磷化铟单晶及其制造方法
US7442255B2 (en) Crucible for a device for producing a block of crystalline material and method for producing same
JP5425421B2 (ja) モールディングおよび方向性結晶化によって半導体物質のウェハを製造する方法
TW201840918A (zh) 形成具有經改善之電阻率控制之單晶矽錠之方法
JP2007019209A (ja) 太陽電池用多結晶シリコンおよびその製造方法
KR20120114293A (ko) 반도체 물질 제품의 엑소캐스팅 방법
JP4060106B2 (ja) 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材
JP7394332B2 (ja) 鉄ガリウム合金の単結晶インゴットの育成方法およびその加工方法、鉄ガリウム合金の単結晶インゴット
JP6387797B2 (ja) シリコン部品用シリコン結晶の製造方法
JPS58217419A (ja) 多結晶シリコン棒の製造方法および装置
US4561930A (en) Process for the production of coarsely crystalline silicon
KR20130126643A (ko) 열적 활성 몰드를 이용한 반도체 물질의 지지되지 않은 제품의 제조방법
JPS5899115A (ja) 多結晶シリコンインゴツトの鋳造方法
JP3633212B2 (ja) 単結晶成長方法
Govinda Rajan et al. Synthesis and single crystal growth of gallium phosphide by the liquid encapsulated vertical Bridgman technique
KR930002959B1 (ko) 주조법에 의한 태양전지용 다결정 규소 주괴 제조방법
Bagai et al. Growth of dislocation-free bulk silicon crystals
JPH07291781A (ja) 単結晶成長方法
JPH0725533B2 (ja) シリコン多結晶インゴツトの製造方法
Azarenkov et al. Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
JPH0233680B2 (cs)
Authier Silicon crystals: Process for manufacturing wafer-like silicon crystals with a columnar structure