PL98068B1 - Sposob wytwarzania plytkowego krysztalu krzemowego - Google Patents
Sposob wytwarzania plytkowego krysztalu krzemowego Download PDFInfo
- Publication number
- PL98068B1 PL98068B1 PL1976187531A PL18753176A PL98068B1 PL 98068 B1 PL98068 B1 PL 98068B1 PL 1976187531 A PL1976187531 A PL 1976187531A PL 18753176 A PL18753176 A PL 18753176A PL 98068 B1 PL98068 B1 PL 98068B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- silicon
- temperature
- molten silicon
- mold
- casting
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
- B22D27/04—Influencing the temperature of the metal, e.g. by heating or cooling the mould
- B22D27/045—Directionally solidified castings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/605—Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia plytkowego krysztalu krzemowego, polegajacy na wlewaniu roztopionego krzemu do odpowied¬ niej formy i pozostawieniu go az do zastygnie¬ cia, przy zachowaniu pewnego gradientu tempera¬ tury.Wraz z kurczeniem sie zapasów i wzrostem cen na kopalne nosniki energii, coraz wiekszego zna¬ czenia nafaiera wytwarzanie energii przez bezpo¬ srednie przetworzenie energii slonecznej w ener¬ gie elektryczna, za pomoca ogniw slonecznych.Jakkolwiek ten sposób wytwarzania energii do¬ minuje juz dzisiaj w dziedzinie techniki satelitar¬ nej, to jego zastosowanie naziemne jest ograniczo¬ ne, ze wzgledu na wysoka cene tego rodzaju og¬ niw slonecznych. Najwieksze zainteresowanie wzbu¬ dzaja ogniwa krzemowe, przy czym okolo 1/3 kosz¬ tów tych ogniw stanowi sam uzyty krzem. Warun¬ kiem wiec racjonalnego wykorzystania energii slo¬ necznej jest zredukowanie kosztów wytwarzania pólprzewodników, a równiez kosztów dalszego wy¬ twarzania ogniw slonecznych.Wymagania jakie stawia sie krzemowi stosowa¬ nemu w ogind/wach slonecznych sa bardzo wysokie.Krzem taki powinien miec postac monokrysztalu doskonalego, to znaczy wolnego od defektów punk¬ towych, dyslokacji, blizniakowania, bledów uloze¬ nia plaszczyzn atomowych, dyslokacji srubowych, a takze zanieczyszczen chemicznych. Wspólczynnik sprawnosci ogniw slonecznych wytwarzanych z te¬ go rodzaju materialów waha sie pomiedzy j|p«:a 12%, podczas gdy teoretycznie mozliwy wynosi 22%. Poniewaz tarcze krzemowe sa zwykle ciete za pomoca pil diamentowych z pretów monokry- stalicznych wyzej wymienionej jakosci, prawie po¬ lowe tych pretów traci sie jako odpady. W celu zmniejszenia tych strat do ogniw slonecznych sto¬ suje sie jako material wyjsciowy monokrystalicz- ne tasmy krzemowe, otrzymywane sposobem EDFG io („odge defined film fed growth") firmy TYCO, przy czym wspólczynnik sprawnosci takich ogniw slonecznych wynosi okolo 10%. Ze wzgledu na koszty wytwarzania interesujace jest stosowanie krzemu polikrysitalicznegb. Ogniwa krzemowe do- tychczas wytwarzane z krzemu polikrystalicznego osiagaly jednak wspólczynnik sprawnosci wynosza¬ cy zaledwie 1%, a wiec 'nie interesujacy z ekono¬ micznego punktu widzenia.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wy- twarzania krysztalów krzemowych w postaci ply¬ tek, które nadaja sie jako material wyjsciowy do wytwarzania ogniw slonecznych.Sposób wytwarzania plytkowego krysztalu krze¬ mowego, w których wlewa sie roztopiony krzem do odpowiedniej formy i nastepnie pozostawia sie go do zastygniecia przy zachowaniu pewnego gradien¬ tu temperatury, wedlug wynalazku polega na tym, ze po wlania roztopionego krzemu do odpowiednio uksztaltowanej formy odlewniczej., co najmniej jed- na z dwóch wiekszych, przeciwleglych powierzchni 98 0683 98068 4 ograniczajacych roztopiony krzem pozostawia sie w zetknieciu z forma odlewnicza, przy czym jedna z powierzchni stykajacych sie z roztopionym krze¬ mem utrzymuje sie w temperaturze nie wyzszej niz 1200°C, a przeciwlegla powierzchnie ogranicza¬ jaca roztopiony krzem poddaje sie dzialaniu tem¬ peratury co najmniej 200° do 1000°C, lecz nizszej od temperatury topnienia* krzemu, lub w przypadku zetkniecia- z powierzchnia dalszej formy odlewni¬ czej, poddaje sie ja dzialaniu temperatury nizszej od 1200°C.Krzem stosowany w (sposobie wedlug wynalaz¬ ku roztapia sie w tyglu korzystnie kwarcowym, w prózni lub w atmosferze gazu obojetnego- i od¬ lewa do formy korzystnie grafitowej przystosowa¬ nej do wytwarzania korpusów plytkowych, przy czym temperatura roztopionego krzemu podczas odlewania wynosi korzystnie 1450—1600°C.Aby sposobem wedlug wynalazku otrzymac krysztaly krzemu o odpowiedniej zawartosci do¬ mieszek, roztopiony krzem przed odlaniem do for¬ my odlewniczej domieszkuje sie odpowiednio na przyklad borem, glinem, indem albo arsenem, ga¬ lem, antymonem, albo fosforem.Stosuje sie równiez otwarte jak i zamkniete for¬ my odlewnicze. W korzystnym opracowaniu spo¬ sobu wedlug wynalazku roztopiony krzem odlewa sie do otwartej kokili o czworokatnym przekroju, której powierzchnia denna styka sie z jedna z dwu duzych powierzchni ograniczajacych odlany rozto¬ piony krzem. Kokila jest utrzymywana w tempe¬ raturze najwyzej 1200°C, a korzystnie pomiedzy 600 a 1000°C, na przyklad za pomoca plyty meta¬ lowej omywanej chlodziwem, podczas gdy na swo¬ bodna powierzchnie górna roztopionego krzemu odtealywuje sie na przyklad cieplem promienio¬ wania poprzez zblizenie odpowiednio rozgrzanej plyty grafitowej, utrzymujac te powierzchnie w temperaturze co najmniej 2.0Ó do 1000°C, a ko¬ rzystnie 200 * do 800°C, wyzszej od temperatury chlodzonej powierzchni dennej formy odlewniczej, lecz ponizej temperatury topnienia krzemu. W przypadku wytwarzania ciepla promieniowania za pomoca odpowiednio rozgrzanej plyty grafitowej, korzystnym jest utrzymywanie plyty grafitowej, utrzymywanej bezposrednio ponad swobodna, gór¬ na powierzchnia roztopionego krzemu, w tempe¬ raturze okolo 1400 do 1550°C.W celu unikniecia usieciowania zaleca sie utrzy¬ mywanie powierzchni bocznych okalajacych po¬ wierzchnie stykowe formy odlewniczej z jedna wieksza powierzchnia ograniczajaca roztopiony krzem w temperaturze nizszej od 1200°C, przy czym temperatura ta powinna byc wyzsza od tem¬ peratury chlodzonej wiekszej powierzchni styko¬ wej, aby uniemozliwic rozrost krysztalów zasty¬ gajacego krzemu ukierunkowany od powierzchni bocznych do wewnatrz formy, nawet jezeli w przy¬ padku wiekszych plyt dotyczy to tylko waskiego ich obrzeza. Korzystnie temperatura powierzchni bocznych wynosi wiec 1100 do prawie 1200°C.Formy odlewnicze wytwarza sie na przyklad z azotku krzemu, korzystnie tez korpusy form wy¬ tworzone z azotku krzemu lub grafitu preparuje sie krzemionka, albo tez formy odlewnicze wytwa¬ rza sie z grafitu.W odmiennym rozwiazaniu wedlug wynalazku 'stosuje sie forme odlewnicza, która obydwoma wiekszymi przeciwleglymi powierzchniami ogra¬ niczajacymi styka sie z roztopionym krzemem, ko¬ rzystnie dzieki temu, ze powierzchnie te sa usy¬ tuowane pionowo, a roztopiony krzem wlewa sie do formy przez jedna ze szczelin bocznych. W tej postaci formy, która korzystnie równiez jest wy¬ twarzana z grafitu, cieplejsza powierzchnia for¬ my odlewniczej stykajaca sie z roztopionym krze¬ mem, ma równiez temperature nizsza od 1200°C, aby nie dopuscic do usieciowania krzemu. Jezeli utrzymywana temperatura tej powierzchni styko¬ wej siega 1(200°C, to zaleca sie ochlodzenie drugiej powierzchni stykowej od 200 do 1000°C, a korzyst¬ nie okolo 400 do 800°C, poniewaz spadek tempe¬ ratury pomiedzy dwoma tymi powierzchniami sty¬ kowymi wedlug wynalazku powinien wynosic 200 do 1000°C. Temperatura powierzchni bocznych jest taka sama jak w przypadku otwartych form.Zasadniczo mozliwe jest równiez hodowanie (krysztalów za pomoca krysztalów zaszczepiaja¬ cych, przy czym w tym przypadku chlodzona po¬ wierzchnie stykowa formy odlewniczej, ta która ma stykac sie z roztopionym krzemem, przed od¬ laniem do formy roztopionego krzemu, pokrywa sie cienka plytka stanowiaca krysztal krzemu o zadanej strukturze krystalograficznej. Inny wa¬ riant tego sposobu polega na tym, ze w otwartych formach odlewniczych,, w których tylko jedna z wiekszych powierzchni ograniczajacych roztopio¬ ny krzem styka sie z chlodzona powierzchnia for¬ my odlewniczej, roztopiony krzem wprowadza sie do formy od góry w sposób ciagly lub porcjami.Na skutek tego stwardniala warstwa podloza krze¬ mu kazdorazowo okresla warunki rozrostu dla do¬ lewanego roztopionego krzemu co do jego uprze- wilejcwanej orientacji krystalograficznej i plytko¬ we krysztaly krzemu rozrastaja sie w postaci be¬ lek i pretów. Przebieg zmian temperatury w gra¬ nicach wyznaczonych w sposobie wedlug wyna¬ lazku reguluje sie w sposób ciagly za pomoca od¬ powiednich mechanicznych, lub elektronicznych urzadzen sterujacych, dzialajacych wedlug pro¬ gramu. Jezeli wiec gónna powierzchnie ciagle do¬ lewanego roztopionego krzemu utrzymuje sie na przyklad w temperaturze okolo 1400°C stosujac odpowiedni korpus- wypromieniowywujacy cieplo, to dolna powierzchnie tej formy odlewniczej pod¬ czas rozrastania sie belek krzemowych chlodzi sie silniej w tym celu, aby na granicy zestalania sie krzemu pozostajacej w zetknieciu z dolewanym roztopionym krzemem panowala temperatura 400 do najwyzej 1200°C. Równiez odpowiednio reguluje sie temperature powierzchni bocznych formy i tak temperatura cieklego roztopionego w strefach obrzezinych wynosi korzystnie od 1100°C do nieco mniej niz 1200°C.Sposób wedlug wynalazku umozliwiajacy otrzy¬ mywanie plytkowych krysztalów krzemu o okre¬ slonej orientacji krystalograficznej po dokonaniu pewnych zmian parametrów temperaturowych na¬ daje sie do wytwarzania odpowiednich plytkowych 40 45 50 53 60! 5 98068 6 krysztalów innych pólprzewodników, które maja wlasnosc rozszerzania sie przy zestalaniu sie, jak na przyklad german, arsenek galu lub fosforek ga¬ lu.Krysztaly krzemu formowane plytkowe otrzy¬ mane sposobem wedlug wynalazku maja struktu¬ re kolumnowa powstala w kierunku najkrótszej osi z obszarów monokrystalicznych o uprzywilejo¬ wanej orientacji krystalograficznej i sa krysztala¬ mi pólprzewodnikowymi. W przypadku wprowa¬ dzenia domieszek do roztopionego krzemu przed odlaniem go do formy odlewniczej,, uzyskuje sie niezwykle jednorodne rozproszenie tych domie¬ szek w krzemie zarówno w kierunku promienio¬ wym jak i poosiowym. Tego rodzaju krysztaly krzemowe nadaja sie do stosowania w przemysle elektronicznym jako material wyjsciowy, zwlasz¬ cza na elementy pólprzewodnikowe, jezeli zawie- .raja 5 • 1014 do.5'1018 atomów domieszek na cm3, przy czym domieszki te dodaje sie do roztopione¬ go krzemu.Plytkowe krysztaly krzemu otrzymane sposobem wedlug wynalazku odznaczaja sie duza zywotno¬ scia mniejszosciowych nosników pradu. Stosowa¬ nie ich jako materialu wyjsciowego do produkcji ogniw slonecznych umozliwia znaczne obnizenie kosztów ich wytwarzania. Jezeli przyjac za doce¬ lowy wspólczynnik sprawnosci ogniw slonecznych przekraczajacy 10%, to krysztaly te sa równowaz¬ ne jakosciowo wiekszosci dotychczas stosowanych materialów monokrystalicznych, a przy tym ich koszty wytwarzania sa znacznie nizsze.Wspólczynnik sprawnosci zwieksza sie poprzez specjalne trawienie powierzchniowe, poniewaz na przyklad obszary krystaliczne, które narastaly wzdluz osi krystalograficznej 100, ulegaja silniej¬ szemu powierzchniowemu wytrawieniu niz inne obszary. Powierzchnie takie uczyniono chropowa¬ tymi w ten zupelnie specyficzny sposób wykazuja, co najmniej czesciowo, wlasciwosci ciala doskona¬ le czarnego, to jest wykazuja znacznie silniejsza absorpcje swiatla, zwiekszajac przez to dodatkowo wspólczynnik sprawnosci.Przyklad I. W tyglu kwarcowym stopiono 1000 g krzemu polikrystalicznego o wysokiej czy¬ stosci domieszkowanego atomami boru w ilosci 2 • 1015, nastepnie podgrzewano go do temperatury 1500°C i odlewano do formy odlewniczej.Forme odlewnicza stanowi walcowy blok grafi¬ towy o srednicy 200 mm, w którym jest wyfrezo¬ wana wneka ksztaltujaca o wymiarach 100X100X X70 mm .Forme odlewnicza przed odlaniem do niej roztopionego krzemu nagrzewano przez pro¬ mieniowanie cieplne za pomoca rurki grafitowej ogrzewanej indukcyjnie, równoczesnie jednak dno formy chlodzono za' pomoca plyty miedzianej, chlodzonej woda, na skutek czego powierzchnia spodnia^ a wiec ta powierzchnia formy odlewni¬ czej, która wchodzi w styk z jedna z wiekszych powierzchni ograniczajacych roztopiony krzem, ma temperature okolo 800°C.Górna wolna powierzchnia wlanego do formy roztopionego krzemu jest poddawana dzialaniu promieniowania cieplnego plyty grafitowej roz¬ grzanej do temperatury 1500°C, umieszczonej w odleglosci okolo 2 cm ponad górna powierzchnia roztopionego krzemu. Roztopiony krzem w tych warunkach termicznych zestala sie do postaci ply¬ ty, nie zwilzajac formy grafitowej i chlodzi sie do temperatury pokojowej w ciagu wielu godzin, aby nie wprowadzac naprezen termicznych.Plytkowy krysztal krzemu wytworzony w ten sposób, ma strukture kolumnowa, na która skla¬ daja sie monokrysztaly rozrosle w kierunku pio-? nowym do wiekszej powierzchni górnej, a wiec w kierunku najkrótszej osi.W celu wytworzenia ogniw slonecznych plyte te tnie sie na tarcze o grubosci okolo 500 mikronów za pomoca pil diamentowych powszechnie stoso¬ wanych w technice pólprzewodnikowej. Otrzyma¬ ne tarcze cechuje struktura kolumnowa, na która skladaja sie monokrystaliczine obszary krystalo¬ graficzne, zorientowane prostopadle do powierzch¬ ni tarcz. Ogniwa sloneczne wytworzone w znany sposób z tych tarcz odznaczaja sie wspólczynni¬ kiem sprawnosci wynoszacym 10% do ll°/o.Przyklad II. W tyglu kwarcowym stopiono g polikrystalicznego krzemu, domieszkowanego atomami boru w ilosci 2 • 1015, nastepnie nagrze¬ wano do temperatury 1550°C i odlano do formy odlewniczej.Forme odlewnicza korzystnie wykonano z bloku grafitowego, który w przekroju poprzecznym ma wymiary 150X150 mm, przy czym jego wysokosc wynosi 200 mm. Blok grafitowy rozcieto wzdluz osi podluznej na dwie czesci. W jednej z nrch wy- frezowano szczeline, której geometria odpowiada geometrii plyty krzemowej. Obie te czesci zlaczo¬ no za pomoca srub grafitowych, tak wiec gladka powierzchnia drugiej czesci grafitowej zamykala szczelinowate wyfrezowanie. W górnej swej cze¬ sci szczelina jest rozszerzona lejkowato w otwór wlewowy. Obie te czesci formy odlewniczej utrzy¬ mywano w róznych temperaturach podczas odle¬ wania roztopionego krzemu, na skutek czego po¬ miedzy dwiema wiekszymi, przeciwleglymi po¬ wierzchniami szczeliny powstaje gradient tempe¬ ratury. Temperatura jednej z tych powierzchni wynosila okolo 400°C, podczas gdy temperatura przeciwleglej powierzchni wynosila 1100°C. Krzem zestalony w tych warunkach cechuje struktura kolumnowa o monokrystalicznych obszarach kry¬ stalograficznych, zorientowanych zasadniczo rów¬ nolegle do gradientu temperatury.Po ochlodzeniu wyjeto z formy plyte krzemowa, przy czym nie stwierdzono zwilzenia formy grafi¬ towej. Z plyty krzemowej usunieto za pomoca trawienia cienka warstwe, która podczas zestala¬ nia znajdowala sie po stronie formy o wyzszej temperaturze. Wspólczynnik sprawnosci ogniw slonecznych wytworzonych znanym sposobem z tej plyty krzemowej wynosi 8% do 10*/o. PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL
Claims (1)
1.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2508803A DE2508803C3 (de) | 1975-02-28 | 1975-02-28 | Verfahren zur Herstellung plattenförmiger Siliciumkristalle mit Kolumnarstruktur |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL98068B1 true PL98068B1 (pl) | 1978-04-29 |
Family
ID=5940115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1976187531A PL98068B1 (pl) | 1975-02-28 | 1976-02-26 | Sposob wytwarzania plytkowego krysztalu krzemowego |
Country Status (24)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4382838A (pl) |
| JP (1) | JPS5330988B2 (pl) |
| AU (1) | AU499586B2 (pl) |
| BE (1) | BE839008A (pl) |
| CA (1) | CA1061688A (pl) |
| CH (1) | CH604884A5 (pl) |
| CS (1) | CS199607B2 (pl) |
| DD (1) | DD122478A5 (pl) |
| DE (1) | DE2508803C3 (pl) |
| DK (1) | DK145828C (pl) |
| ES (1) | ES445617A1 (pl) |
| FR (1) | FR2302132A1 (pl) |
| GB (1) | GB1539244A (pl) |
| HU (1) | HU172435B (pl) |
| IL (1) | IL47862A (pl) |
| IN (1) | IN143325B (pl) |
| IT (1) | IT1053650B (pl) |
| NL (1) | NL177612C (pl) |
| PL (1) | PL98068B1 (pl) |
| RO (1) | RO72156A (pl) |
| SE (1) | SE408760B (pl) |
| SU (1) | SU695531A3 (pl) |
| YU (1) | YU291675A (pl) |
| ZA (1) | ZA757846B (pl) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2745247C3 (de) * | 1977-10-07 | 1980-03-13 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren und Vorrichtung zur semikontinuierlichen Herstellung von Siliciumformkörpern |
| JPS5460584A (en) * | 1977-10-24 | 1979-05-16 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar battery using silicon ribbon crystal |
| JPS54121086A (en) * | 1978-03-14 | 1979-09-19 | Agency Of Ind Science & Technol | Forming method of silicon plate |
| DE2850805C2 (de) * | 1978-11-23 | 1986-08-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von scheiben- oder bandförmigen Siliziumkristallen mit Kolumnarstruktur für Solarzellen |
| DE2850790C2 (de) * | 1978-11-23 | 1987-02-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von scheiben- oder bandförmigen Siliziumkristallen mit Kolumnarstruktur für Solarzellen |
| DE2914506A1 (de) | 1979-04-10 | 1980-10-16 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von grossflaechigen, plattenfoermigen siliziumkristallen mit kolumnarstruktur |
| DE2927086C2 (de) * | 1979-07-04 | 1987-02-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von platten- oder bandförmigen Siliziumkristallkörpern mit Säulenstruktur für Solarzellen |
| DE2929669A1 (de) | 1979-07-21 | 1981-01-29 | Licentia Gmbh | Gemisch eines loesungsmittels fuer die galvanische abscheidung |
| DE3019635A1 (de) * | 1980-05-22 | 1981-11-26 | SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München | Verbesserung eines verfahrens zur herstellung von platten-, band- oder folienfoermigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen |
| DE3019653A1 (de) * | 1980-05-22 | 1981-11-26 | SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München | Verbesserung eines verfahres zur herstellung von platten-, band- oder folienfoermigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen |
| DE3071204D1 (en) * | 1980-12-31 | 1985-11-28 | Solarex Corp | Method of producing semicrystalline silicon and products formed thereby |
| JPS57160174A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-02 | Hitachi Ltd | Thin film solar battery |
| DE3226931A1 (de) * | 1982-07-19 | 1984-01-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, fuer die fertigung von solarzellen verwendbaren bandfoermigen siliziumkoerpern |
| DE3310827A1 (de) * | 1983-03-24 | 1984-09-27 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung von grobkristallinem silicium |
| DE3466901D1 (en) * | 1983-03-30 | 1987-11-26 | Hoxan Kk | Method of fabricating polycrystalline silicon wafer and fabrication tray used therefor |
| DE3427465A1 (de) * | 1984-07-25 | 1986-01-30 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren und vorrichtung zur taktweisen herstellung von siliciumformkoerpern |
| JPS6193614A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Nec Corp | 半導体単結晶基板 |
| US5116456A (en) * | 1988-04-18 | 1992-05-26 | Solon Technologies, Inc. | Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form |
| DE4018967A1 (de) * | 1990-06-13 | 1991-12-19 | Wacker Chemitronic | Verfahren und vorrichtung zum giessen von siliciumbloecken mit kolumnarstruktur als grundmaterial fuer solarzellen |
| EP0700454B1 (de) * | 1993-05-25 | 1998-07-22 | Siemens Medical Systems, Inc. | Verfahren zur herstellung grossflächiger kristalliner salzkörper und dazu geeignete vorrichtung |
| JP3596828B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2004-12-02 | キヤノン株式会社 | 基体の製造方法 |
| DE19723067C1 (de) * | 1997-06-02 | 1998-12-24 | Siemens Ag | Verfahren zum einfachen Herstellen großer Kristallkörper |
| US6313398B1 (en) * | 1999-06-24 | 2001-11-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Ga-doped multi-crytsalline silicon, Ga-doped multi-crystalline silicon wafer and method for producing the same |
| DE19934940C2 (de) * | 1999-07-26 | 2001-12-13 | Ald Vacuum Techn Ag | Vorrichtung zum Herstellen von gerichtet erstarrten Blöcken und Betriebsverfahren hierfür |
| US8021483B2 (en) * | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
| FR2853913B1 (fr) * | 2003-04-17 | 2006-09-29 | Apollon Solar | Creuset pour un dispositif de fabrication d'un bloc de materiau cristallin et procede de fabrication |
| US7344594B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-03-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
| US7465351B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-12-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
| US7691199B2 (en) * | 2004-06-18 | 2010-04-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
| KR20130133883A (ko) | 2006-01-20 | 2013-12-09 | 에이엠지 아이디얼캐스트 솔라 코포레이션 | 광전 변환 소자용 단결정 캐스트 실리콘 및 단결정 캐스트 실리콘 바디들을 제조하는 방법 및 장치 |
| DE102006055055A1 (de) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | Eos Gmbh Electro Optical Systems | Vorrichtung zum schichtweisen Herstellen eines dreidimensionalen Objekts |
| JP5309539B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2013-10-09 | 住友化学株式会社 | 精製シリコンの製造方法 |
| JP5380442B2 (ja) | 2007-07-20 | 2014-01-08 | エイエムジー・アイデアルキャスト・ソーラー・コーポレーション | 種結晶から鋳造シリコンを製造するための方法および装置 |
| EP2505695A3 (en) * | 2007-07-20 | 2013-01-09 | AMG Idealcast Solar Corporation | Methods for manufacturing cast silicon from seed crystals |
| WO2009015168A1 (en) | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Bp Corporation North America Inc. | Methods for manufacturing geometric multi-crystalline cast materials |
| US8709154B2 (en) | 2007-07-25 | 2014-04-29 | Amg Idealcast Solar Corporation | Methods for manufacturing monocrystalline or near-monocrystalline cast materials |
| JP5125973B2 (ja) * | 2007-10-17 | 2013-01-23 | 住友化学株式会社 | 精製シリコンの製造方法 |
| TW201012978A (en) * | 2008-08-27 | 2010-04-01 | Bp Corp North America Inc | Apparatus and method of use for a casting system with independent melting and solidification |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD73033A (pl) * | ||||
| US1251951A (en) * | 1917-06-18 | 1918-01-01 | W G Armstrong Whitworth And Company Ltd | Casting steel ingots. |
| US2402839A (en) * | 1941-03-27 | 1946-06-25 | Bell Telephone Labor Inc | Electrical translating device utilizing silicon |
| FR957542A (pl) * | 1941-04-04 | 1950-02-23 | ||
| GB592303A (en) * | 1941-05-27 | 1947-09-15 | Western Electric Co | Light sensitive device |
| NL111507C (pl) * | 1956-10-31 | |||
| LU35658A1 (pl) * | 1956-12-24 | |||
| NL226823A (pl) * | 1957-04-15 | 1900-01-01 | ||
| US3012865A (en) * | 1957-11-25 | 1961-12-12 | Du Pont | Silicon purification process |
| US3494709A (en) * | 1965-05-27 | 1970-02-10 | United Aircraft Corp | Single crystal metallic part |
| US3567526A (en) * | 1968-05-01 | 1971-03-02 | United Aircraft Corp | Limitation of carbon in single crystal or columnar-grained nickel base superalloys |
| US3763926A (en) * | 1971-09-15 | 1973-10-09 | United Aircraft Corp | Apparatus for casting of directionally solidified articles |
| US3900943A (en) * | 1973-06-07 | 1975-08-26 | Dow Corning | Silicon semiconductor device array and method of making same |
-
1975
- 1975-02-28 DE DE2508803A patent/DE2508803C3/de not_active Expired
- 1975-08-04 IL IL47862A patent/IL47862A/xx unknown
- 1975-08-06 HU HU75WA00000316A patent/HU172435B/hu unknown
- 1975-08-12 DD DD187809A patent/DD122478A5/xx unknown
- 1975-10-27 NL NLAANVRAGE7512544,A patent/NL177612C/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-10-30 DK DK488675A patent/DK145828C/da not_active IP Right Cessation
- 1975-11-17 CS CS757744A patent/CS199607B2/cs unknown
- 1975-11-17 YU YU02916/75A patent/YU291675A/xx unknown
- 1975-11-22 IN IN2231/CAL/1975A patent/IN143325B/en unknown
- 1975-12-08 SU SU752196602A patent/SU695531A3/ru active
- 1975-12-09 RO RO7584140A patent/RO72156A/ro unknown
- 1975-12-17 ZA ZA757846A patent/ZA757846B/xx unknown
- 1975-12-18 AU AU87664/75A patent/AU499586B2/en not_active Expired
-
1976
- 1976-01-26 US US05/652,359 patent/US4382838A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-01-28 JP JP829876A patent/JPS5330988B2/ja not_active Expired
- 1976-02-10 CA CA245,345A patent/CA1061688A/en not_active Expired
- 1976-02-26 SE SE7602574A patent/SE408760B/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-02-26 IT IT48294/76A patent/IT1053650B/it active
- 1976-02-26 PL PL1976187531A patent/PL98068B1/pl unknown
- 1976-02-27 CH CH247176A patent/CH604884A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-02-27 GB GB7772/76A patent/GB1539244A/en not_active Expired
- 1976-02-27 BE BE164701A patent/BE839008A/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-02-27 ES ES445617A patent/ES445617A1/es not_active Expired
- 1976-02-27 FR FR7605549A patent/FR2302132A1/fr active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1061688A (en) | 1979-09-04 |
| DK145828B (da) | 1983-03-14 |
| BE839008A (fr) | 1976-08-27 |
| HU172435B (hu) | 1978-08-28 |
| AU499586B2 (en) | 1979-04-26 |
| FR2302132A1 (fr) | 1976-09-24 |
| IT1053650B (it) | 1981-10-10 |
| DK145828C (da) | 1983-08-29 |
| AU8766475A (en) | 1977-06-23 |
| RO72156A (ro) | 1981-03-30 |
| DE2508803A1 (de) | 1976-09-09 |
| DE2508803C3 (de) | 1982-07-08 |
| YU291675A (en) | 1982-05-31 |
| NL177612B (nl) | 1985-05-17 |
| SE408760B (sv) | 1979-07-09 |
| SU695531A3 (ru) | 1979-10-30 |
| ES445617A1 (es) | 1977-10-01 |
| CS199607B2 (en) | 1980-07-31 |
| JPS51101466A (pl) | 1976-09-07 |
| NL7512544A (nl) | 1976-08-31 |
| NL177612C (nl) | 1985-10-16 |
| DD122478A5 (pl) | 1976-10-12 |
| IN143325B (pl) | 1977-11-05 |
| GB1539244A (en) | 1979-01-31 |
| JPS5330988B2 (pl) | 1978-08-30 |
| ZA757846B (en) | 1976-11-24 |
| IL47862A0 (en) | 1975-11-25 |
| DK488675A (da) | 1976-08-29 |
| US4382838A (en) | 1983-05-10 |
| FR2302132B1 (pl) | 1980-08-14 |
| IL47862A (en) | 1978-07-31 |
| SE7602574L (sv) | 1976-08-30 |
| CH604884A5 (pl) | 1978-09-15 |
| DE2508803B2 (de) | 1978-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL98068B1 (pl) | Sposob wytwarzania plytkowego krysztalu krzemowego | |
| US4330358A (en) | Method of producing plate- or tape-shaped silicon crystal bodies having crystalline pillar-like structures therein, equivalent to _crystalline columnar structures, for large surface solar cells | |
| US3857436A (en) | Method and apparatus for manufacturing monocrystalline articles | |
| US4622211A (en) | Apparatus for solidification with resistance heater and magnets | |
| US7601618B2 (en) | Method for producing semi-conditioning material wafers by moulding and directional crystallization | |
| Bennett et al. | Single crystals of exceptional perfection and uniformity by zone leveling | |
| Ciszek et al. | Directionally solidified solar-grade silicon using carbon crucibles | |
| US4243471A (en) | Method for directional solidification of silicon | |
| US20100148403A1 (en) | Systems and Methods For Manufacturing Cast Silicon | |
| JP2009149452A (ja) | 半導体結晶成長方法 | |
| KR101074304B1 (ko) | 금속 실리콘과 그 제조 방법 | |
| JP4060106B2 (ja) | 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材 | |
| JP2007019209A (ja) | 太陽電池用多結晶シリコンおよびその製造方法 | |
| US4561930A (en) | Process for the production of coarsely crystalline silicon | |
| US8951345B2 (en) | High temperature support apparatus and method of use for casting materials | |
| CN105263859B (zh) | 硅锭的制造方法以及硅锭 | |
| JP3674736B2 (ja) | 板状単結晶の製造方法 | |
| JP3018738B2 (ja) | 単結晶製造装置 | |
| Dutta et al. | Bulk growth of GaSb and Ga 1-x In x Sb | |
| JP2721708B2 (ja) | 結晶製造用るつぼ | |
| Kuroda et al. | Czochralski growth of square silicon single crystals | |
| KR930002959B1 (ko) | 주조법에 의한 태양전지용 다결정 규소 주괴 제조방법 | |
| JPS62119198A (ja) | 磁場印加単結晶回転引き上げ装置 | |
| JPS609656B2 (ja) | 多結晶シリコン半導体の製造方法 | |
| JP2977297B2 (ja) | 結晶製造方法 |