PL98068B1 - Sposob wytwarzania plytkowego krysztalu krzemowego - Google Patents
Sposob wytwarzania plytkowego krysztalu krzemowego Download PDFInfo
- Publication number
- PL98068B1 PL98068B1 PL1976187531A PL18753176A PL98068B1 PL 98068 B1 PL98068 B1 PL 98068B1 PL 1976187531 A PL1976187531 A PL 1976187531A PL 18753176 A PL18753176 A PL 18753176A PL 98068 B1 PL98068 B1 PL 98068B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- silicon
- temperature
- molten silicon
- mold
- casting mold
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 66
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 bung Chemical compound 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000037390 scarring Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
- B22D27/04—Influencing the temperature of the metal, e.g. by heating or cooling the mould
- B22D27/045—Directionally solidified castings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/605—Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia plytkowego krysztalu krzemowego, polegajacy na wlewaniu roztopionego krzemu do odpowied¬ niej formy i pozostawieniu go az do zastygnie¬ cia, przy zachowaniu pewnego gradientu tempera¬ tury.Wraz z kurczeniem sie zapasów i wzrostem cen na kopalne nosniki energii, coraz wiekszego zna¬ czenia nafaiera wytwarzanie energii przez bezpo¬ srednie przetworzenie energii slonecznej w ener¬ gie elektryczna, za pomoca ogniw slonecznych.Jakkolwiek ten sposób wytwarzania energii do¬ minuje juz dzisiaj w dziedzinie techniki satelitar¬ nej, to jego zastosowanie naziemne jest ograniczo¬ ne, ze wzgledu na wysoka cene tego rodzaju og¬ niw slonecznych. Najwieksze zainteresowanie wzbu¬ dzaja ogniwa krzemowe, przy czym okolo 1/3 kosz¬ tów tych ogniw stanowi sam uzyty krzem. Warun¬ kiem wiec racjonalnego wykorzystania energii slo¬ necznej jest zredukowanie kosztów wytwarzania pólprzewodników, a równiez kosztów dalszego wy¬ twarzania ogniw slonecznych.Wymagania jakie stawia sie krzemowi stosowa¬ nemu w ogind/wach slonecznych sa bardzo wysokie.Krzem taki powinien miec postac monokrysztalu doskonalego, to znaczy wolnego od defektów punk¬ towych, dyslokacji, blizniakowania, bledów uloze¬ nia plaszczyzn atomowych, dyslokacji srubowych, a takze zanieczyszczen chemicznych. Wspólczynnik sprawnosci ogniw slonecznych wytwarzanych z te¬ go rodzaju materialów waha sie pomiedzy j|p«:a 12%, podczas gdy teoretycznie mozliwy wynosi 22%. Poniewaz tarcze krzemowe sa zwykle ciete za pomoca pil diamentowych z pretów monokry- stalicznych wyzej wymienionej jakosci, prawie po¬ lowe tych pretów traci sie jako odpady. W celu zmniejszenia tych strat do ogniw slonecznych sto¬ suje sie jako material wyjsciowy monokrystalicz- ne tasmy krzemowe, otrzymywane sposobem EDFG io („odge defined film fed growth") firmy TYCO, przy czym wspólczynnik sprawnosci takich ogniw slonecznych wynosi okolo 10%. Ze wzgledu na koszty wytwarzania interesujace jest stosowanie krzemu polikrysitalicznegb. Ogniwa krzemowe do- tychczas wytwarzane z krzemu polikrystalicznego osiagaly jednak wspólczynnik sprawnosci wynosza¬ cy zaledwie 1%, a wiec 'nie interesujacy z ekono¬ micznego punktu widzenia.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wy- twarzania krysztalów krzemowych w postaci ply¬ tek, które nadaja sie jako material wyjsciowy do wytwarzania ogniw slonecznych.Sposób wytwarzania plytkowego krysztalu krze¬ mowego, w których wlewa sie roztopiony krzem do odpowiedniej formy i nastepnie pozostawia sie go do zastygniecia przy zachowaniu pewnego gradien¬ tu temperatury, wedlug wynalazku polega na tym, ze po wlania roztopionego krzemu do odpowiednio uksztaltowanej formy odlewniczej., co najmniej jed- na z dwóch wiekszych, przeciwleglych powierzchni 98 0683 98068 4 ograniczajacych roztopiony krzem pozostawia sie w zetknieciu z forma odlewnicza, przy czym jedna z powierzchni stykajacych sie z roztopionym krze¬ mem utrzymuje sie w temperaturze nie wyzszej niz 1200°C, a przeciwlegla powierzchnie ogranicza¬ jaca roztopiony krzem poddaje sie dzialaniu tem¬ peratury co najmniej 200° do 1000°C, lecz nizszej od temperatury topnienia* krzemu, lub w przypadku zetkniecia- z powierzchnia dalszej formy odlewni¬ czej, poddaje sie ja dzialaniu temperatury nizszej od 1200°C.Krzem stosowany w (sposobie wedlug wynalaz¬ ku roztapia sie w tyglu korzystnie kwarcowym, w prózni lub w atmosferze gazu obojetnego- i od¬ lewa do formy korzystnie grafitowej przystosowa¬ nej do wytwarzania korpusów plytkowych, przy czym temperatura roztopionego krzemu podczas odlewania wynosi korzystnie 1450—1600°C.Aby sposobem wedlug wynalazku otrzymac krysztaly krzemu o odpowiedniej zawartosci do¬ mieszek, roztopiony krzem przed odlaniem do for¬ my odlewniczej domieszkuje sie odpowiednio na przyklad borem, glinem, indem albo arsenem, ga¬ lem, antymonem, albo fosforem.Stosuje sie równiez otwarte jak i zamkniete for¬ my odlewnicze. W korzystnym opracowaniu spo¬ sobu wedlug wynalazku roztopiony krzem odlewa sie do otwartej kokili o czworokatnym przekroju, której powierzchnia denna styka sie z jedna z dwu duzych powierzchni ograniczajacych odlany rozto¬ piony krzem. Kokila jest utrzymywana w tempe¬ raturze najwyzej 1200°C, a korzystnie pomiedzy 600 a 1000°C, na przyklad za pomoca plyty meta¬ lowej omywanej chlodziwem, podczas gdy na swo¬ bodna powierzchnie górna roztopionego krzemu odtealywuje sie na przyklad cieplem promienio¬ wania poprzez zblizenie odpowiednio rozgrzanej plyty grafitowej, utrzymujac te powierzchnie w temperaturze co najmniej 2.0Ó do 1000°C, a ko¬ rzystnie 200 * do 800°C, wyzszej od temperatury chlodzonej powierzchni dennej formy odlewniczej, lecz ponizej temperatury topnienia krzemu. W przypadku wytwarzania ciepla promieniowania za pomoca odpowiednio rozgrzanej plyty grafitowej, korzystnym jest utrzymywanie plyty grafitowej, utrzymywanej bezposrednio ponad swobodna, gór¬ na powierzchnia roztopionego krzemu, w tempe¬ raturze okolo 1400 do 1550°C.W celu unikniecia usieciowania zaleca sie utrzy¬ mywanie powierzchni bocznych okalajacych po¬ wierzchnie stykowe formy odlewniczej z jedna wieksza powierzchnia ograniczajaca roztopiony krzem w temperaturze nizszej od 1200°C, przy czym temperatura ta powinna byc wyzsza od tem¬ peratury chlodzonej wiekszej powierzchni styko¬ wej, aby uniemozliwic rozrost krysztalów zasty¬ gajacego krzemu ukierunkowany od powierzchni bocznych do wewnatrz formy, nawet jezeli w przy¬ padku wiekszych plyt dotyczy to tylko waskiego ich obrzeza. Korzystnie temperatura powierzchni bocznych wynosi wiec 1100 do prawie 1200°C.Formy odlewnicze wytwarza sie na przyklad z azotku krzemu, korzystnie tez korpusy form wy¬ tworzone z azotku krzemu lub grafitu preparuje sie krzemionka, albo tez formy odlewnicze wytwa¬ rza sie z grafitu.W odmiennym rozwiazaniu wedlug wynalazku 'stosuje sie forme odlewnicza, która obydwoma wiekszymi przeciwleglymi powierzchniami ogra¬ niczajacymi styka sie z roztopionym krzemem, ko¬ rzystnie dzieki temu, ze powierzchnie te sa usy¬ tuowane pionowo, a roztopiony krzem wlewa sie do formy przez jedna ze szczelin bocznych. W tej postaci formy, która korzystnie równiez jest wy¬ twarzana z grafitu, cieplejsza powierzchnia for¬ my odlewniczej stykajaca sie z roztopionym krze¬ mem, ma równiez temperature nizsza od 1200°C, aby nie dopuscic do usieciowania krzemu. Jezeli utrzymywana temperatura tej powierzchni styko¬ wej siega 1(200°C, to zaleca sie ochlodzenie drugiej powierzchni stykowej od 200 do 1000°C, a korzyst¬ nie okolo 400 do 800°C, poniewaz spadek tempe¬ ratury pomiedzy dwoma tymi powierzchniami sty¬ kowymi wedlug wynalazku powinien wynosic 200 do 1000°C. Temperatura powierzchni bocznych jest taka sama jak w przypadku otwartych form.Zasadniczo mozliwe jest równiez hodowanie (krysztalów za pomoca krysztalów zaszczepiaja¬ cych, przy czym w tym przypadku chlodzona po¬ wierzchnie stykowa formy odlewniczej, ta która ma stykac sie z roztopionym krzemem, przed od¬ laniem do formy roztopionego krzemu, pokrywa sie cienka plytka stanowiaca krysztal krzemu o zadanej strukturze krystalograficznej. Inny wa¬ riant tego sposobu polega na tym, ze w otwartych formach odlewniczych,, w których tylko jedna z wiekszych powierzchni ograniczajacych roztopio¬ ny krzem styka sie z chlodzona powierzchnia for¬ my odlewniczej, roztopiony krzem wprowadza sie do formy od góry w sposób ciagly lub porcjami.Na skutek tego stwardniala warstwa podloza krze¬ mu kazdorazowo okresla warunki rozrostu dla do¬ lewanego roztopionego krzemu co do jego uprze- wilejcwanej orientacji krystalograficznej i plytko¬ we krysztaly krzemu rozrastaja sie w postaci be¬ lek i pretów. Przebieg zmian temperatury w gra¬ nicach wyznaczonych w sposobie wedlug wyna¬ lazku reguluje sie w sposób ciagly za pomoca od¬ powiednich mechanicznych, lub elektronicznych urzadzen sterujacych, dzialajacych wedlug pro¬ gramu. Jezeli wiec gónna powierzchnie ciagle do¬ lewanego roztopionego krzemu utrzymuje sie na przyklad w temperaturze okolo 1400°C stosujac odpowiedni korpus- wypromieniowywujacy cieplo, to dolna powierzchnie tej formy odlewniczej pod¬ czas rozrastania sie belek krzemowych chlodzi sie silniej w tym celu, aby na granicy zestalania sie krzemu pozostajacej w zetknieciu z dolewanym roztopionym krzemem panowala temperatura 400 do najwyzej 1200°C. Równiez odpowiednio reguluje sie temperature powierzchni bocznych formy i tak temperatura cieklego roztopionego w strefach obrzezinych wynosi korzystnie od 1100°C do nieco mniej niz 1200°C.Sposób wedlug wynalazku umozliwiajacy otrzy¬ mywanie plytkowych krysztalów krzemu o okre¬ slonej orientacji krystalograficznej po dokonaniu pewnych zmian parametrów temperaturowych na¬ daje sie do wytwarzania odpowiednich plytkowych 40 45 50 53 60! 5 98068 6 krysztalów innych pólprzewodników, które maja wlasnosc rozszerzania sie przy zestalaniu sie, jak na przyklad german, arsenek galu lub fosforek ga¬ lu.Krysztaly krzemu formowane plytkowe otrzy¬ mane sposobem wedlug wynalazku maja struktu¬ re kolumnowa powstala w kierunku najkrótszej osi z obszarów monokrystalicznych o uprzywilejo¬ wanej orientacji krystalograficznej i sa krysztala¬ mi pólprzewodnikowymi. W przypadku wprowa¬ dzenia domieszek do roztopionego krzemu przed odlaniem go do formy odlewniczej,, uzyskuje sie niezwykle jednorodne rozproszenie tych domie¬ szek w krzemie zarówno w kierunku promienio¬ wym jak i poosiowym. Tego rodzaju krysztaly krzemowe nadaja sie do stosowania w przemysle elektronicznym jako material wyjsciowy, zwlasz¬ cza na elementy pólprzewodnikowe, jezeli zawie- .raja 5 • 1014 do.5'1018 atomów domieszek na cm3, przy czym domieszki te dodaje sie do roztopione¬ go krzemu.Plytkowe krysztaly krzemu otrzymane sposobem wedlug wynalazku odznaczaja sie duza zywotno¬ scia mniejszosciowych nosników pradu. Stosowa¬ nie ich jako materialu wyjsciowego do produkcji ogniw slonecznych umozliwia znaczne obnizenie kosztów ich wytwarzania. Jezeli przyjac za doce¬ lowy wspólczynnik sprawnosci ogniw slonecznych przekraczajacy 10%, to krysztaly te sa równowaz¬ ne jakosciowo wiekszosci dotychczas stosowanych materialów monokrystalicznych, a przy tym ich koszty wytwarzania sa znacznie nizsze.Wspólczynnik sprawnosci zwieksza sie poprzez specjalne trawienie powierzchniowe, poniewaz na przyklad obszary krystaliczne, które narastaly wzdluz osi krystalograficznej 100, ulegaja silniej¬ szemu powierzchniowemu wytrawieniu niz inne obszary. Powierzchnie takie uczyniono chropowa¬ tymi w ten zupelnie specyficzny sposób wykazuja, co najmniej czesciowo, wlasciwosci ciala doskona¬ le czarnego, to jest wykazuja znacznie silniejsza absorpcje swiatla, zwiekszajac przez to dodatkowo wspólczynnik sprawnosci.Przyklad I. W tyglu kwarcowym stopiono 1000 g krzemu polikrystalicznego o wysokiej czy¬ stosci domieszkowanego atomami boru w ilosci 2 • 1015, nastepnie podgrzewano go do temperatury 1500°C i odlewano do formy odlewniczej.Forme odlewnicza stanowi walcowy blok grafi¬ towy o srednicy 200 mm, w którym jest wyfrezo¬ wana wneka ksztaltujaca o wymiarach 100X100X X70 mm .Forme odlewnicza przed odlaniem do niej roztopionego krzemu nagrzewano przez pro¬ mieniowanie cieplne za pomoca rurki grafitowej ogrzewanej indukcyjnie, równoczesnie jednak dno formy chlodzono za' pomoca plyty miedzianej, chlodzonej woda, na skutek czego powierzchnia spodnia^ a wiec ta powierzchnia formy odlewni¬ czej, która wchodzi w styk z jedna z wiekszych powierzchni ograniczajacych roztopiony krzem, ma temperature okolo 800°C.Górna wolna powierzchnia wlanego do formy roztopionego krzemu jest poddawana dzialaniu promieniowania cieplnego plyty grafitowej roz¬ grzanej do temperatury 1500°C, umieszczonej w odleglosci okolo 2 cm ponad górna powierzchnia roztopionego krzemu. Roztopiony krzem w tych warunkach termicznych zestala sie do postaci ply¬ ty, nie zwilzajac formy grafitowej i chlodzi sie do temperatury pokojowej w ciagu wielu godzin, aby nie wprowadzac naprezen termicznych.Plytkowy krysztal krzemu wytworzony w ten sposób, ma strukture kolumnowa, na która skla¬ daja sie monokrysztaly rozrosle w kierunku pio-? nowym do wiekszej powierzchni górnej, a wiec w kierunku najkrótszej osi.W celu wytworzenia ogniw slonecznych plyte te tnie sie na tarcze o grubosci okolo 500 mikronów za pomoca pil diamentowych powszechnie stoso¬ wanych w technice pólprzewodnikowej. Otrzyma¬ ne tarcze cechuje struktura kolumnowa, na która skladaja sie monokrystaliczine obszary krystalo¬ graficzne, zorientowane prostopadle do powierzch¬ ni tarcz. Ogniwa sloneczne wytworzone w znany sposób z tych tarcz odznaczaja sie wspólczynni¬ kiem sprawnosci wynoszacym 10% do ll°/o.Przyklad II. W tyglu kwarcowym stopiono g polikrystalicznego krzemu, domieszkowanego atomami boru w ilosci 2 • 1015, nastepnie nagrze¬ wano do temperatury 1550°C i odlano do formy odlewniczej.Forme odlewnicza korzystnie wykonano z bloku grafitowego, który w przekroju poprzecznym ma wymiary 150X150 mm, przy czym jego wysokosc wynosi 200 mm. Blok grafitowy rozcieto wzdluz osi podluznej na dwie czesci. W jednej z nrch wy- frezowano szczeline, której geometria odpowiada geometrii plyty krzemowej. Obie te czesci zlaczo¬ no za pomoca srub grafitowych, tak wiec gladka powierzchnia drugiej czesci grafitowej zamykala szczelinowate wyfrezowanie. W górnej swej cze¬ sci szczelina jest rozszerzona lejkowato w otwór wlewowy. Obie te czesci formy odlewniczej utrzy¬ mywano w róznych temperaturach podczas odle¬ wania roztopionego krzemu, na skutek czego po¬ miedzy dwiema wiekszymi, przeciwleglymi po¬ wierzchniami szczeliny powstaje gradient tempe¬ ratury. Temperatura jednej z tych powierzchni wynosila okolo 400°C, podczas gdy temperatura przeciwleglej powierzchni wynosila 1100°C. Krzem zestalony w tych warunkach cechuje struktura kolumnowa o monokrystalicznych obszarach kry¬ stalograficznych, zorientowanych zasadniczo rów¬ nolegle do gradientu temperatury.Po ochlodzeniu wyjeto z formy plyte krzemowa, przy czym nie stwierdzono zwilzenia formy grafi¬ towej. Z plyty krzemowej usunieto za pomoca trawienia cienka warstwe, która podczas zestala¬ nia znajdowala sie po stronie formy o wyzszej temperaturze. Wspólczynnik sprawnosci ogniw slonecznych wytworzonych znanym sposobem z tej plyty krzemowej wynosi 8% do 10*/o. PL PL PL
Claims (4)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania plytkowego krysztalu krzemowego, w którym wlewa sie roztopiony krzem do odpowiedniej formy i nastepnie pozo-, stawia sie go az do zastygniecia w pewnym gra- 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 6098068 diemcie temperatury, znamienny tym, ze po odla¬ niu roztopionego krzemu do odpowiednio uksztal¬ towanej formy odlewniczej co najmniej jedna z dwóch wiekszych, przeciwleglych powierzchni o- graniczajacych roztopiony krzem utrzymuje sie w zetknieciu z jedna z powierzchni formy odlewni¬ czej, przy czym jedna z powierzchni stykajacych sie z roztopionym krzemem utrzymuje sie w tem¬ peraturze nie wyzszej niz 12,0-0°C, a przeciwlegla powierzchnie ograniczajaca roztopiony krzem pod¬ daje sie dzialaniu temperatury wynoszacej co naj¬ mniej 200° do 1000°C, lecz nizszej od temperatury 8 topnienia krzemu, lub w przypadku zetkniecia z powierzchnia dalszej formy odlewniczej, poddaje sie dzialaniu temperatury nizszej od 1200°C.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie forme wykonana z grafitu.
3. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze temperature roztopionego krzemu podczas odlewa¬ nia go do formy odlewniczej utrzymuje sie w gra¬ nicach 1450° do 1600°C.
4. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze do roztopionego krzemu przed odlaniem go do formy odlewniczej wprowadza sie domieszki. DN-3, zam. 337/78 Cena 45 zl PL PL PL
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2508803A DE2508803C3 (de) | 1975-02-28 | 1975-02-28 | Verfahren zur Herstellung plattenförmiger Siliciumkristalle mit Kolumnarstruktur |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL98068B1 true PL98068B1 (pl) | 1978-04-29 |
Family
ID=5940115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL1976187531A PL98068B1 (pl) | 1975-02-28 | 1976-02-26 | Sposob wytwarzania plytkowego krysztalu krzemowego |
Country Status (24)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4382838A (pl) |
JP (1) | JPS5330988B2 (pl) |
AU (1) | AU499586B2 (pl) |
BE (1) | BE839008A (pl) |
CA (1) | CA1061688A (pl) |
CH (1) | CH604884A5 (pl) |
CS (1) | CS199607B2 (pl) |
DD (1) | DD122478A5 (pl) |
DE (1) | DE2508803C3 (pl) |
DK (1) | DK145828C (pl) |
ES (1) | ES445617A1 (pl) |
FR (1) | FR2302132A1 (pl) |
GB (1) | GB1539244A (pl) |
HU (1) | HU172435B (pl) |
IL (1) | IL47862A (pl) |
IN (1) | IN143325B (pl) |
IT (1) | IT1053650B (pl) |
NL (1) | NL177612C (pl) |
PL (1) | PL98068B1 (pl) |
RO (1) | RO72156A (pl) |
SE (1) | SE408760B (pl) |
SU (1) | SU695531A3 (pl) |
YU (1) | YU291675A (pl) |
ZA (1) | ZA757846B (pl) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2745247C3 (de) * | 1977-10-07 | 1980-03-13 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren und Vorrichtung zur semikontinuierlichen Herstellung von Siliciumformkörpern |
JPS5460584A (en) * | 1977-10-24 | 1979-05-16 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar battery using silicon ribbon crystal |
JPS54121086A (en) * | 1978-03-14 | 1979-09-19 | Agency Of Ind Science & Technol | Forming method of silicon plate |
DE2850790C2 (de) * | 1978-11-23 | 1987-02-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von scheiben- oder bandförmigen Siliziumkristallen mit Kolumnarstruktur für Solarzellen |
DE2850805C2 (de) * | 1978-11-23 | 1986-08-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von scheiben- oder bandförmigen Siliziumkristallen mit Kolumnarstruktur für Solarzellen |
DE2927086C2 (de) * | 1979-07-04 | 1987-02-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von platten- oder bandförmigen Siliziumkristallkörpern mit Säulenstruktur für Solarzellen |
DE2929669A1 (de) | 1979-07-21 | 1981-01-29 | Licentia Gmbh | Gemisch eines loesungsmittels fuer die galvanische abscheidung |
DE3019635A1 (de) * | 1980-05-22 | 1981-11-26 | SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München | Verbesserung eines verfahrens zur herstellung von platten-, band- oder folienfoermigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen |
DE3019653A1 (de) * | 1980-05-22 | 1981-11-26 | SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München | Verbesserung eines verfahres zur herstellung von platten-, band- oder folienfoermigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen |
ATE16203T1 (de) * | 1980-12-31 | 1985-11-15 | Solarex Corp | Verfahren zur herstellung von semikristallinischem silizium und erzieltes produkt. |
JPS57160174A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-02 | Hitachi Ltd | Thin film solar battery |
DE3226931A1 (de) * | 1982-07-19 | 1984-01-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, fuer die fertigung von solarzellen verwendbaren bandfoermigen siliziumkoerpern |
DE3310827A1 (de) * | 1983-03-24 | 1984-09-27 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung von grobkristallinem silicium |
DE3466901D1 (en) * | 1983-03-30 | 1987-11-26 | Hoxan Kk | Method of fabricating polycrystalline silicon wafer and fabrication tray used therefor |
DE3427465A1 (de) * | 1984-07-25 | 1986-01-30 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren und vorrichtung zur taktweisen herstellung von siliciumformkoerpern |
JPS6193614A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Nec Corp | 半導体単結晶基板 |
US5116456A (en) * | 1988-04-18 | 1992-05-26 | Solon Technologies, Inc. | Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form |
DE4018967A1 (de) * | 1990-06-13 | 1991-12-19 | Wacker Chemitronic | Verfahren und vorrichtung zum giessen von siliciumbloecken mit kolumnarstruktur als grundmaterial fuer solarzellen |
EP0700454B1 (de) * | 1993-05-25 | 1998-07-22 | Siemens Medical Systems, Inc. | Verfahren zur herstellung grossflächiger kristalliner salzkörper und dazu geeignete vorrichtung |
JP3596828B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2004-12-02 | キヤノン株式会社 | 基体の製造方法 |
DE19723067C1 (de) * | 1997-06-02 | 1998-12-24 | Siemens Ag | Verfahren zum einfachen Herstellen großer Kristallkörper |
US6313398B1 (en) * | 1999-06-24 | 2001-11-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Ga-doped multi-crytsalline silicon, Ga-doped multi-crystalline silicon wafer and method for producing the same |
DE19934940C2 (de) * | 1999-07-26 | 2001-12-13 | Ald Vacuum Techn Ag | Vorrichtung zum Herstellen von gerichtet erstarrten Blöcken und Betriebsverfahren hierfür |
US8021483B2 (en) * | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
FR2853913B1 (fr) * | 2003-04-17 | 2006-09-29 | Apollon Solar | Creuset pour un dispositif de fabrication d'un bloc de materiau cristallin et procede de fabrication |
US7465351B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-12-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
US7344594B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-03-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
US7691199B2 (en) * | 2004-06-18 | 2010-04-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
KR101470814B1 (ko) | 2006-01-20 | 2014-12-09 | 에이엠지 아이디얼캐스트 솔라 코포레이션 | 광전 변환 소자용 단결정 캐스트 실리콘 및 단결정 캐스트 실리콘 바디들을 제조하는 방법 및 장치 |
DE102006055055A1 (de) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | Eos Gmbh Electro Optical Systems | Vorrichtung zum schichtweisen Herstellen eines dreidimensionalen Objekts |
JP5309539B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2013-10-09 | 住友化学株式会社 | 精製シリコンの製造方法 |
US8440157B2 (en) * | 2007-07-20 | 2013-05-14 | Amg Idealcast Solar Corporation | Methods and apparatuses for manufacturing cast silicon from seed crystals |
EP2183412A2 (en) * | 2007-07-20 | 2010-05-12 | BP Corporation North America Inc. | Methods for manufacturing cast silicon from seed crystals |
US8709154B2 (en) | 2007-07-25 | 2014-04-29 | Amg Idealcast Solar Corporation | Methods for manufacturing monocrystalline or near-monocrystalline cast materials |
US8591649B2 (en) | 2007-07-25 | 2013-11-26 | Advanced Metallurgical Group Idealcast Solar Corp. | Methods for manufacturing geometric multi-crystalline cast materials |
JP5125973B2 (ja) * | 2007-10-17 | 2013-01-23 | 住友化学株式会社 | 精製シリコンの製造方法 |
TW201012978A (en) * | 2008-08-27 | 2010-04-01 | Bp Corp North America Inc | Apparatus and method of use for a casting system with independent melting and solidification |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD73033A (pl) * | ||||
US1251951A (en) * | 1917-06-18 | 1918-01-01 | W G Armstrong Whitworth And Company Ltd | Casting steel ingots. |
US2402839A (en) * | 1941-03-27 | 1946-06-25 | Bell Telephone Labor Inc | Electrical translating device utilizing silicon |
FR957542A (pl) * | 1941-04-04 | 1950-02-23 | ||
GB592303A (en) * | 1941-05-27 | 1947-09-15 | Western Electric Co | Light sensitive device |
NL111507C (pl) * | 1956-10-31 | |||
LU31951A1 (pl) * | 1956-12-24 | |||
NL226823A (pl) * | 1957-04-15 | 1900-01-01 | ||
US3012865A (en) * | 1957-11-25 | 1961-12-12 | Du Pont | Silicon purification process |
US3494709A (en) * | 1965-05-27 | 1970-02-10 | United Aircraft Corp | Single crystal metallic part |
US3567526A (en) * | 1968-05-01 | 1971-03-02 | United Aircraft Corp | Limitation of carbon in single crystal or columnar-grained nickel base superalloys |
US3763926A (en) * | 1971-09-15 | 1973-10-09 | United Aircraft Corp | Apparatus for casting of directionally solidified articles |
US3900943A (en) * | 1973-06-07 | 1975-08-26 | Dow Corning | Silicon semiconductor device array and method of making same |
-
1975
- 1975-02-28 DE DE2508803A patent/DE2508803C3/de not_active Expired
- 1975-08-04 IL IL47862A patent/IL47862A/xx unknown
- 1975-08-06 HU HU75WA00000316A patent/HU172435B/hu unknown
- 1975-08-12 DD DD187809A patent/DD122478A5/xx unknown
- 1975-10-27 NL NLAANVRAGE7512544,A patent/NL177612C/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-10-30 DK DK488675A patent/DK145828C/da not_active IP Right Cessation
- 1975-11-17 YU YU02916/75A patent/YU291675A/xx unknown
- 1975-11-17 CS CS757744A patent/CS199607B2/cs unknown
- 1975-11-22 IN IN2231/CAL/1975A patent/IN143325B/en unknown
- 1975-12-08 SU SU752196602A patent/SU695531A3/ru active
- 1975-12-09 RO RO7584140A patent/RO72156A/ro unknown
- 1975-12-17 ZA ZA757846A patent/ZA757846B/xx unknown
- 1975-12-18 AU AU87664/75A patent/AU499586B2/en not_active Expired
-
1976
- 1976-01-26 US US05/652,359 patent/US4382838A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-01-28 JP JP829876A patent/JPS5330988B2/ja not_active Expired
- 1976-02-10 CA CA245,345A patent/CA1061688A/en not_active Expired
- 1976-02-26 PL PL1976187531A patent/PL98068B1/pl unknown
- 1976-02-26 IT IT48294/76A patent/IT1053650B/it active
- 1976-02-26 SE SE7602574A patent/SE408760B/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-02-27 BE BE164701A patent/BE839008A/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-02-27 GB GB7772/76A patent/GB1539244A/en not_active Expired
- 1976-02-27 FR FR7605549A patent/FR2302132A1/fr active Granted
- 1976-02-27 ES ES445617A patent/ES445617A1/es not_active Expired
- 1976-02-27 CH CH247176A patent/CH604884A5/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
YU291675A (en) | 1982-05-31 |
DK488675A (da) | 1976-08-29 |
AU499586B2 (en) | 1979-04-26 |
ZA757846B (en) | 1976-11-24 |
IL47862A (en) | 1978-07-31 |
GB1539244A (en) | 1979-01-31 |
SE7602574L (sv) | 1976-08-30 |
RO72156A (ro) | 1981-03-30 |
HU172435B (hu) | 1978-08-28 |
AU8766475A (en) | 1977-06-23 |
CA1061688A (en) | 1979-09-04 |
DE2508803B2 (de) | 1978-03-09 |
CH604884A5 (pl) | 1978-09-15 |
JPS5330988B2 (pl) | 1978-08-30 |
BE839008A (fr) | 1976-08-27 |
FR2302132A1 (fr) | 1976-09-24 |
ES445617A1 (es) | 1977-10-01 |
FR2302132B1 (pl) | 1980-08-14 |
SE408760B (sv) | 1979-07-09 |
SU695531A3 (ru) | 1979-10-30 |
NL177612C (nl) | 1985-10-16 |
DE2508803C3 (de) | 1982-07-08 |
DK145828B (da) | 1983-03-14 |
DD122478A5 (pl) | 1976-10-12 |
IT1053650B (it) | 1981-10-10 |
DK145828C (da) | 1983-08-29 |
DE2508803A1 (de) | 1976-09-09 |
CS199607B2 (en) | 1980-07-31 |
JPS51101466A (pl) | 1976-09-07 |
NL7512544A (nl) | 1976-08-31 |
IL47862A0 (en) | 1975-11-25 |
US4382838A (en) | 1983-05-10 |
IN143325B (pl) | 1977-11-05 |
NL177612B (nl) | 1985-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
PL98068B1 (pl) | Sposob wytwarzania plytkowego krysztalu krzemowego | |
Bennett et al. | Single crystals of exceptional perfection and uniformity by zone leveling | |
Fujiwara | Crystal growth behaviors of silicon during melt growth processes | |
CN103046116B (zh) | 形成板的装置 | |
US3857436A (en) | Method and apparatus for manufacturing monocrystalline articles | |
Ciszek et al. | Directionally solidified solar-grade silicon using carbon crucibles | |
Brown et al. | Growth of Bismuth‐Antimony Single‐Crystal Alloys | |
JP2007019209A (ja) | 太陽電池用多結晶シリコンおよびその製造方法 | |
Jurisch et al. | Vertical Bridgman growth of binary compound semiconductors | |
EP0218088B1 (de) | Verfahren zur gerichteten Erstarrung von Metallschmelzen | |
CN105951172A (zh) | N型/p型单晶硅晶锭的制造方法 | |
Hársy et al. | Direct synthesis and crystallization of GaSb | |
EP0087426A1 (en) | LATERAL EPITAXIC GROWTH THROUGH Vaccinated ESTABLISHMENT. | |
Ohachi et al. | Growth of α-Ag2S and α-Ag2Se single crystals in a solid/vapour system | |
DE3532142A1 (de) | Verfahren zum aufschmelzen und gerichteten erstarren von metallen | |
JP3674736B2 (ja) | 板状単結晶の製造方法 | |
JP3018738B2 (ja) | 単結晶製造装置 | |
Dutta et al. | Bulk growth of GaSb and Ga 1-x In x Sb | |
JP5701287B2 (ja) | ドーパント材、半導体基板、太陽電池素子、およびドーパント材の製造方法 | |
JP2977297B2 (ja) | 結晶製造方法 | |
KR930002959B1 (ko) | 주조법에 의한 태양전지용 다결정 규소 주괴 제조방법 | |
JPH04243168A (ja) | 太陽電池基板の製造方法 | |
JPS5938184B2 (ja) | サフアイヤ単結晶の製造方法 | |
Govinda Rajan et al. | Synthesis and single crystal growth of gallium phosphide by the liquid encapsulated vertical Bridgman technique | |
JPS62119198A (ja) | 磁場印加単結晶回転引き上げ装置 |