DE19723067C1 - Verfahren zum einfachen Herstellen großer Kristallkörper - Google Patents
Verfahren zum einfachen Herstellen großer KristallkörperInfo
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Description
In Strahlungsdetektoren wie beispielsweise in der Angerkamera
oder in PET-Systemen werden Szintillatorplatten aus kri
stallinen Leuchtstoffen eingesetzt. Deren Herstellung erfor
dert zahlreiche Verfahrensschritte. Nach der Kristallisation
der Szintillatorkörper müssen diese in die benötigte Form zu
rechtgesägt und allseitig geschliffen werden. Anschließend
werden die Szintillatorkörper an eine Glasplatte optisch an
gekoppelt, hinter der dann mit geeigneten Photodetektoren das
Lumineszenzlicht gemessen werden kann.
Die Szintillatorkörper können in Form von plattenförmigen
Einkristallen erzeugt werden. Ein Herstellungsverfahren von
plattenförmigen Einkristallen ist beispielsweise aus DE 25 08
803 A1 bekannt. Dabei wird eine Schmelze in eine entsprechend
geformte Gießform eingebracht, in der das Erstarrenlassen der
Schmelze in einem Temperaturgradienten erfolgt.
Oft muß auf die Oberfläche der Gießform ein Stoff aufgebracht
werden, der die Haftung des hergestellten Kristalls mit der
Gießform unterbindet bzw. verhindert. Aus dem Derwent-Referat
Nr. 91-146121/20 (JP 03-083883 A) ist ein solches Verfahren
gekannt, bei dem die Oberfläche der Gießform imprägniert
wird.
Sollen aus leicht flüchtigen Substanzen Kristalle gezüchtet
werden, kann die Oberfläche der Schmelz- bzw. Kristallisati
onstiegel auch mit einem Stoff versehen sein. Der Stoff hat
dabei die Aufgabe, den Partialdruck der Substanz herabzuset
zen. Damit kann die Kristallisation bei einem niedrigeren äu
ßeren Druck stattfinden, als dies ohne den Stoff nötig wäre.
Ein derartiges Verfahren ist aus US 44 65 546 bekannt.
Da es sich bei den Leuchtstoffen teilweise um sehr feuchtig
keits- und bruchempfindliche Substanzen wie NaI oder CsI han
delt, werden die anderen Oberflächen der Szintillatorplatten
vor mechanischen Einwirkungen und vor Feuchtigkeit geschützt.
Dazu dient eine Kappe, vorzugsweise aus Aluminium. Diese Kap
pe kann auf der Innenseite mit einer Schicht zur besseren Re
flektion des Lumineszenzlichts versehen sein. Seitlich wird
der Luftspalt zwischen Szintillator und Kappe mit einem Gum
miring oder ähnlichem gegen das Eindringen von Feuchtigkeit
abgedichtet. Alle genannten Verfahrensschritte müssen in spe
ziellen Räumen mit feuchtigkeitsfreier Atmosphäre durchge
führt werden, um schädliche Einwirkungen von Feuchtigkeit auf
den Leuchtstoff zu verhindern.
Zur Herstellung der Kristallkörper für die Szintillator
platten ist aus der EP 0700454 ein Gießverfahren bekannt, bei
dem eine Schmelze in eine gekühlte Gießform fließt und dort
erstarrt. Für die Züchtung von Halogenidkristallen sind sta
bile Schmelzgefäße erforderlich, da bereits bei Anwesenheit
geringer Spuren von Wasser- oder Hydroxidmolekülen die Tie
gelwände von der Schmelze angegriffen werden. Dadurch haftet
die Schmelze nach dem Erstarren fest im Tiegel. Beim Abkühlen
können die durch die thermische Kontraktion der Schmelze auf
tretenden enormen Zugspannungen zur Zerstörung des Tiegels
führen. Dies verteuert das Verfahren.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein solches oder
ähnliches Verfahren zum Herstellen von Kristallkörpern dahin
gehend zu verbessern, daß damit auf kostengünstige und einfa
che Weise Einkristalle mit insbesondere großen Durchmessern
erzeugt werden können.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 ge
löst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sowie ein
damit hergestellter Kristallkörper sind weiteren Ansprüchen
zu entnehmen.
Das erfindungsgemäße Verfahren beruht auf der Idee, eine Aus
kleidung für eine Gießform bereitzustellen, die Schmelze ei
nes Stoffes darin zu einem Kristallkörper erstarren zu lassen
und den Kristallkörper anschließend zusammen mit der fest da
mit verbundenen Auskleidung aus der Gießform zu entnehmen.
Dies hat den Vorteil, daß die feste Haftung des Kristallkör
pers an der Auskleidung nun nicht mehr störend, sondern viel
mehr sogar erwünscht ist. Maßnahmen zur Verhinderung einer
Haftung des erstarrten Kristallkörpers an der Gießform sind
nicht mehr erforderlich. Trotzdem läßt sich der Kristallkör
per in einfacher Weise aus der Gießform entnehmen, wobei eine
Bruchgefahr weder für den Kristallkörper noch für die Gieß
form entsteht. Da nur die Auskleidung Kontakt zur Schmelze
erhält, muß nur die Auskleidung inert gegen die Schmelze aus
gestaltet sein. Die übrige Gießform ist daher bezüglich der
Materialauswahl allein auf die erforderliche mechanische Fe
stigkeit bei der Schmelzentemperatur beschränkt. Der Kri
stallkörper hingegen ist an allen Seiten mit Ausnahme der
Oberfläche fest mit der Auskleidung verbunden, die auf diese
Weise eine Schutzkappe für den Kristallkörper darstellt. Da
durch ist dieser weitgehend vor mechanischer Beschädigung und
auch vor Feuchtigkeitseinwirkung geschützt, was insbesondere
bei Kristallkörpern aus den hygroskopischen Alkalihalogeniden
von Vorteil ist. Mit der Schutzkappe ist auch die Weiterver
arbeitung des Kristallkörpers erleichtert, da eine Reihe von
sonst erforderlichen Schutzmaßnahmen und Bearbeitungsschrit
ten durch die Verwendung einer Schutzkappe bereits vorwegge
nommen sind.
Für die Materialauswahl der Auskleidung gilt zumindest, daß
sie gegenüber der Schmelze inert ist. Da die Auskleidung,
bzw. die Schutzkappe vorzugsweise am Kristallkörper ver
bleibt, kann sie durch geeignete Materialauswahl zusätzliche
funktionelle Aufgaben bei der geplanten Verwendung des Kri
stallkörpers übernehmen. Neben dem Schutz gegen mechanische
Beschädigung und eindringende Feuchtigkeit kann bei einem als
Szintillatorplatte eingesetzten Kristallkörper eine Schutz
kappe aus lichtreflektierendem Material vorgesehen sein, bzw.
lichtreflektierendes Material in die Auskleidung und damit in
die Schutzkappe mit eingebaut werden. Auf diese Weise kann im
Szintillator erzeugtes Lumineszenzlicht von der Schutzkappe
zurückgestreut werden, so daß das Lumineszenzlicht vollstän
dig an der noch freien Oberfläche des Kristallkörpers gesam
melt werden kann. Zum Schutz wird auch diese Oberfläche mit
einer Abdeckung versehen, die allerdings für das Lumineszenz
licht durchlässig sein muß. Vorzugsweise wird dazu eine
Glasplatte verwendet. Vor dem Aufbringen der Glasplatte wird
der Kristallkörper an der Oberfläche plan geschliffen und ge
gebenenfalls vergütet. Das Aufbringen der Glasplatte kann
durch Aufkleben erfolgen.
Zum Einbringen der reflektierenden Eigenschaften in die Aus
kleidung wird diese auf der Innenseite mit einer zusätzlichen
Reflektionsschicht versehen, die einen hohen Reflektionsgrad
für das Lumineszenzlicht, einen höheren Schmelz- oder Zerset
zungspunkt als die Schmelze des Szintillatormaterials und au
ßerdem chemische Stabilität gegen die Schmelze besitzt.
Für die Reflektionsschicht sind insbesondere weiße Pigmente
geeignet, beispielweise Aluminiumoxid, Titanoxid oder Barium
sulfat. Ebenfalls geeignet sind Pulver oder Folien aus geeig
neten Metallen, wie beispielsweise Silber, Platin oder Iridi
um.
Vorzugsweise wird für die Reflektionsschicht ein feinkörniges
Pulver mit Korngrößen unter 0,1 mm verwendet. Dieses kann als
loses Pulver in die Auskleidung eingeschüttet, eingeblasen
oder eingepreßt werden. Möglich ist es jedoch auch, das re
flektierende Pulver für die Reflektionsschicht mit einem Bin
demittel zu versehen und in Form einer Paste oder eines
Schlickers in die Auskleidung einzubringen. Als Bindemittel
werden vorzugsweise kohlenstofffreie Substanzen eingesetzt,
beispielsweise silikatische Materialien, insbesondere Wasser
glas. Kohlenstoffhaltige Substanzen sind zu vermeiden, da sie
beispielsweise beim Herstellen von Alkalihalogenidschmelzen
in der dazu notwendigen sauerstoffarmen Atmosphäre zu Kohlen
stoff reduziert werden, was zur Bildung schwarzer Überzüge
und zur Beeinträchtigung der Lichtreflektion führen kann.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird die Aus
kleidung auf ihrer Außenseite mit einer weiteren Schutz
schicht versehen, die nach dem Herausnehmen des Kristallkör
pers aus der Gießform die Außenseite der Schutzkappe bildet.
Die Schutzschicht dient als Feuchtigkeitssperre und/oder zur
Verbesserung der mechanischen Stabilität und zur Verhinderung
oberflächlicher Beschädigungen des Kristallkörpers. Die
Schutzschicht besteht vorzugsweise aus einem Metall oder ei
ner Legierung, die ebenfalls einen höheren Schmelzpunkt als
das Szintillatormaterial aufweist. In Kombination mit einer
Auskleidung, die gegen Dampf oder Schmelze des Szintillator
materials undurchlässig ist, braucht die Schutzschicht nicht
chemisch inert gegen die Schmelze zu sein. Sie kann in Form
einer Folie in die Gießform eingebracht werden. Möglich ist
es jedoch auch, die Schutzschicht in anderer Weise zu erzeu
gen, beispielsweise durch Aufdampfen oder Abscheiden auf der
Oberfläche der Gießform, durch Einbringen in pasteuser oder
pulverartiger Form oder durch einen beliebigen anderen
schichterzeugenden Prozeß.
Die Auskleidung kann ein- oder mehrschichtig sein. Zum Erzeu
gen der Auskleidung kann dabei jede Schicht einzeln in die
Gießform eingebracht werden. Es ist aber auch möglich, eine
Auskleidung mit dem gewünschten Schichtaufbau außerhalb der
Gießform herzustellen, beispielsweise ein Laminat oder eine
gegebenenfalls mehrfach beschichtete Folie.
Vorzugsweise wird die Auskleidung formschlüssig in die Gieß
form eingepaßt. Dazu wird sie vor dem Einpassen in die ge
wünschte äußere Form gebracht. Bei einer flexiblen Folie,
beispielsweise bei einer gegebenenfalls beschichteten Gra
phitfolie kann dies durch Falten erfolgen. Bei metallischen
Folien sind auch andere Formgebungsverfahren einsetzbar, etwa
ein Tiefziehprozeß. Ein außerhalb der Gießform durchgeführter
Formgebungsprozeß für die Auskleidung kann auch von einem
Ausgangsmaterial starten, das in kleinteiliger Form, bei
spielsweise als Flocken oder Körner vorliegt. Diese werden
dazu in ein- oder mehrschichtiger loser Schüttung in eine
Form eingebracht und anschließend durch Pressen oder Walzen
verdichtet. Gegebenenfalls wird dabei ein Bindemittel zuge
setzt, um einen festen Verbund in der Auskleidung zu gewähr
leisten. Das Verdichten wird dabei vorzugsweise in einem ei
genen Werkzeug durchgeführt. Möglich ist dies jedoch auch di
rekt in der Gießform.
Der Kristallkörper und die fest damit verbundene Schutzkappe
können ohne Beschädigung der Oberfläche aus der Gießform ent
nommen werden. Ein Nachbearbeiten der an der Gießform anlie
genden Oberfläche ist daher nicht nötig. In einer Ausgestal
tung der Erfindung wird die Gießform sowohl zur Formgebung
des Kristallkörpers als auch zur Prägung der Oberfläche ein
gesetzt. Durch entsprechende Ausgestaltung der Innenwand der
Gießform kann die Oberfläche der Schutzkappe und gegebenen
falls auch des Kristallkörpers mit einem Muster versehen wer
den. Dieses kann regelmäßig sein und zur Herstellung einer
bestimmten Oberflächenrauhigkeit dienen. Möglich ist es je
doch auch, dies bildgebend und zur Darstellung von Informa
tionen einzusetzen. Dabei können alphanumerische Zeichen, die
beispielsweise eine Seriennummer, Anwendungs- und Sicher
heitshinweise oder den Herstellnamen enthalten, unauslösch
lich auf die Schutzkappe bzw. den Kristallkörper übertragen
werden.
In einer Ausgestaltung der Erfindung wird vor dem Einbringen
der Auskleidung in die Gießform ein die Reibung und/oder die
Haftung verminderndes Trennmittel aufgebracht. Dieses verhin
dert ein Ankleben des Leuchtstoffs an der Gießform, wenn es
während des Verfahrens dennoch zu einem Austreten von Schmel
ze durch die Auskleidung hindurch kommt. Zum Aufbringen des
Trennmittels wird die Gießform innen beispielsweise durch
Aussprühen oder Auspinseln mit einer Suspension aus feinkör
nigem Graphit überzogen. Im Gegensatz zur Auskleidung wird
die Trennschicht nicht Bestandteil der Schutzkappe bzw. des
damit verbundenen Kristallkörpers.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei
spielen und der dazugehörigen fünf Figuren näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine
Gießform während der Durchführung des Verfahrens.
Fig. 2 zeigt eine Gießform mit einer mehrschichtigen Aus
kleidung anhand eines schematischen Querschnitts.
Fig. 3 zeigt einen Kristallkörper mit Schutzkappe.
Fig. 4 zeigt eine Szintillatorplatte und
Fig. 5 zeigt die Herstellung einer mehrschichtigen Ausklei
dung.
Zur Herstellung einer Szintillatorplatte aus Alkalihalogenid
für eine Angerkamera wird eine Gießform GF aus keramischem
Material, insbesondere aus Schamotte hergestellt. Sie besitzt
hier einen rechteckigen Querschnitt und eine Wandstärke, die
ausreichend ist, dem hydrostatischen Druck der Alkalihaloge
nidschmelze zu wiederstehen.
Die Innenwand der Gießform GF wird nun formschlüssig mit ei
ner Auskleidung A versehen. Im Ausführungsbeispiel erfolgt
dies durch Einlegen einer Graphitfolie einer Stärke von 0,5
mm. Die Folie wird in den Ecken der Gießform so gefaltet, daß
die rechteckige Gießform mit der ursprünglich ebenen Folie an
Boden und an den Wänden ausgekleidet wird.
Zur Herstellung eines Kristallkörpers wird nun Alkalihaloge
nidschmelze S gegebenfalls kontinuierlich in die mit der Aus
kleidung A versehen Gießform GF eingebracht. Durch gerichtete
Erstarrung, im Ausführungsbeispiel vom Boden der Gießform
ausgehend, bildet sich der Kristallkörper KK aus. Ist die
Schmelze S vollständig zum Kristallkörper KK erstarrt und ab
gekühlt, wird dieser mitsamt der Auskleidung A aus der Gieß
form entnommen.
Fig. 2 zeigt eine Gießform mit mehrschichtiger Auskleidung.
Diese umfaßt als äußerste Schicht eine Schutzschicht SS, hier
ein 0,1 mm starkes Stahlblech, eine Graphitfolie G einer
Stärke von 0,5 mm und als innerste Schicht eine Reflektor
schicht RS, die feinkörnige Pigmentteilchen mit Korngrößen
unter 0,1 µm enthält. Möglich sind jedoch auch Korngrößen bis
maximal 10 µm.
Durch Einbringen von Schmelze, Erstarren zu einem Kristall
körper und Herausnehmen des Letzteren mitsamt der Auskleidung
aus der Gießform wird der in Fig. 3 dargestellte Kristall
körper KK mit der Schutzkappe SK erhalten. Die gegebenenfalls
mehrschichtige Schutzkappe SK umgibt und schützt den Kri
stallkörper auf allen Seiten bis auf die Oberfläche O, die in
der Fig. 3 idealisiert planar dargestellt ist. Zur weiteren
Verarbeitung des Kristallkörpers zu einer Szintillatorplatte
wird die Oberfläche O abgeschliffen und durch ein optisches
Gel oder ähnliches mit einer Glasplatte GP verklebt. Fig. 4
zeigt die so erhaltene fertige Szintillatorplatte. Während
der Verarbeitung und später bei der Benutzung wird der Kri
stallkörper durch die Schutzkappe geschützt.
Fig. 5 zeigt eine Möglichkeit zur Herstellung einer mehr
schichtigen Auskleidung A. Dazu wird in eine Form F, welche
die Gießform GF sein kann, das für die Auskleidung verwendete
Material M1, M2, M3 in Flockenform als lose Schüttung einge
bracht. Die hier dargestellten drei Schichten umfassen Mate
rial M1 für die Schutzschicht, Graphitflocken M2 und Pigment
pulver M3. Mit Hilfe eines Preßstempels P wird durch uniaxia
les Verpressen unter gegebenenfalls erhöhter Temperatur das
lose aufgeschüttete Material für die Auskleidung A verdich
tet.
In einer nicht dargestellten Ausführungsform wird eine mehr
schichtige Auskleidung durch Beschichten eines festen Materi
als erzeugt, wobei zum Beispiel eine als Schutzschicht S die
nende Metallfolie durch Pulverbeschichten und anschließendes
Verdichten mit einer Graphitschicht und darüber mit einer
Pigment enthaltenden Reflektorschicht versehen wird.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die Zahl der Prozeß
schritte, das Bruchrisiko und damit die Abfallmenge und die
Herstellkosten gegenüber konventionellen Verfahren zur Her
stellung von Kristallkörpern gesenkt. Beim Weiterverarbeiten
der Kristallkörper zu Szintillatorplatten entfällt das Ab
dichten gegen eine Schutzkappe. Durch die Verringerung der
Prozeßschritte wird die Zeit verkürzt, in welcher hygroskopi
sche Szintillatormaterialien in Trockenräumen oder geschütz
ten Atmosphären verweilen müssen. Dadurch werden die Kosten
weiter gesenkt.
Die Reflektorschichten können dicht am Kristallkörper anlie
gen, so daß sie eine bessere Reflektionswirkung entfalten
können als bei herkömmlichen Szintillatoren, bei denen sich
ein Luftspalt zwischen Szintillator und Schutzkappe befindet.
Die ohne Luftspalt dicht anliegende Schutzkappe behindert
auch die laterale Ausbreitung von Feuchtigkeit, die sich bei
herkömmlichen Szintillatoren über Luftspalte zwischen Kri
stallkörper und Schutzkappe schnell über die gesamte Fläche
ausbreiten kann, wenn es einmal zu einer punktförmigen Un
dichtigkeit der Schutzkappe kommt. Dies erhöht die durch
schnittliche Lebensdauer erfindungsgemäß hergestellter Szin
tillatorplatten gegenüber konventionell hergestellten.
Die Erfindung ist auch zum Herstellen anderer nicht aus
Leuchtstoffen bestehender Kristallkörper geeignet und insbe
sondere für Materialien, die besonders bruch- oder feuchtig
keitsempfindlich sind und für die bislang aufwendige Gießfor
men erforderlich waren.
Claims (14)
1. Verfahren zum Herstellen eines Kristallkörpers (KK) aus
einer Schmelze (S) mit den Schritten
- 1. Vorsehen einer Gießform (GF)
- 2. Auskleiden der Gießform mit einer Auskleidung(A)
- 3. Einbringen einer Schmelze in die Gießform
- 4. Erstarren der Schmelze zu einem Kristallkörper (KK) in der Gießform
- 5. Herausnehmen aus der Gießform des Kristallkörpers mitsamt der fest damit verbundenen Auskleidung, die als Schutzkap pe (SK) für den Kristallkörper dient.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
- 1. bei dem die Schmelze (S) eines Leuchtstoffs eingesetzt wird
- 2. bei dem der Kristallkörper (KK) zu einer Szintillatorplatte weiterverarbeitet wird,
- 3. bei dem die Schutzkappe (SK) als funktioneller Bestandteil der Szintillatorplatte am Kristallkörper verbleibt.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
bei dem für die Auskleidung (A) ein Reflektormaterial verwen
det wird, welches ausgewählt ist aus einem weißen Pigment
oder einem Metall.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3,
bei dem ein pulverförmiges Material (M1, M2, M3) mit einer Kör
nung kleiner 0,1 mm zum Herstellen der Auskleidung (A) ver
wendet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-4,
bei dem die Auskleidung (A) aus einem den hygroskopischen Ei
genschaften des Kristallkörpers (KK) entsprechend hinreichend
feuchtigkeitsdichten Material erzeugt wird, so daß ein Kri
stallkörper mit einer feuchtigkeitsdichten Schutzkappe (SK)
erhalten wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5,
bei dem zur Auskleidung (A) eine Folie verwendet wird,
die in die Gießform (GF) eingelegt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-6,
bei dem die Auskleidung (A) außerhalb der Gießform (GF) er
zeugt und dabei so vorgeformt wird, daß sie formschlüssig in
die Gießform einpaßbar ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-7,
bei dem für die Auskleidung (A) ein gegenüber der Schmelze
inertes Material verwendet wird, welches ausgewählt ist aus
Graphit, Silikat oder Edelmetall.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-8,
bei dem eine mehrschichtige Auskleidung (A) erzeugt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-9,
bei dem zwischen Gießform (GF) und Auskleidung (A) ein Rei
bung und/oder Haftung verminderndes Trennmittel vorgesehen
wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-10,
bei dem die nicht von der Schutzkappe (SK) bedeckte Oberflä
che des Kristallkörpers (KK) nach dem Herausnehmen aus der
Gießform (GF) vergütet und mit einer Abdeckung (GP) versehen
wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-11,
bei dem die Auskleidung (A) durch Beschichten der Innenober
fläche der Gießform (GF) erzeugt wird.
13. Kristallkörper (KK) mit einer dicht anliegenden und fest
mit dem Kristallkörper verbundenen Schutzkappe (SK), herge
stellt in einem Verfahren nach einem der vorangehenden An
sprüche.
14. Verwendung eines nach einem der Ansprüche 1 bis 12 herge
stellten Kristallkörpers (KK) als Szintillatorplatte.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19723067A DE19723067C1 (de) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | Verfahren zum einfachen Herstellen großer Kristallkörper |
US09/132,547 US6149748A (en) | 1997-06-02 | 1998-08-11 | Method of manufacturing large crystal bodies |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19723067A DE19723067C1 (de) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | Verfahren zum einfachen Herstellen großer Kristallkörper |
US09/132,547 US6149748A (en) | 1997-06-02 | 1998-08-11 | Method of manufacturing large crystal bodies |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19723067C1 true DE19723067C1 (de) | 1998-12-24 |
Family
ID=26037066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19723067A Expired - Fee Related DE19723067C1 (de) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | Verfahren zum einfachen Herstellen großer Kristallkörper |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6149748A (de) |
DE (1) | DE19723067C1 (de) |
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