CN1849697A - 具有动态温度控制的基片支架 - Google Patents

具有动态温度控制的基片支架 Download PDF

Info

Publication number
CN1849697A
CN1849697A CNA2004800216848A CN200480021684A CN1849697A CN 1849697 A CN1849697 A CN 1849697A CN A2004800216848 A CNA2004800216848 A CN A2004800216848A CN 200480021684 A CN200480021684 A CN 200480021684A CN 1849697 A CN1849697 A CN 1849697A
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat transfer
temperature
transfer element
substrate
base sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004800216848A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100440422C (zh
Inventor
R·J·斯蒂格
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN1849697A publication Critical patent/CN1849697A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100440422C publication Critical patent/CN100440422C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D5/00—Supports, screens, or the like for the charge within the furnace
    • F27D5/0037—Supports specially adapted for semi-conductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C23C16/466—Cooling of the substrate using thermal contact gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

用于等离子体处理装置的基片支架，包括金属传热元件，和叠加在其上的具有基片支承面的静电夹盘。传热元件包括一个或多个通道，流体通过该通道循环以便加热和/或冷却传热元件。该传热元件具有较小的热质，并可被流体快速地加热和/或冷却到预期的温度，以便在等离子体处理过程中快速地改变基片的温度。

Description

具有动态温度控制的基片支架
背景技术
等离子体处理装置被用于，例如半导体，绝缘体和金属材料的等离子体蚀刻，物理汽相沉积，化学汽相沉积(“CVD”)，物理汽相沉积(“PVD”)，离子注入，以及抗蚀剂的移除。
用于半导体材料处理的一种类型的等离子体处理装置包括反应室。待处理的基片被支承在基片支架上的反应室中。基片典型地通过基片夹具紧固在基片支架上。处理气体通过气体分配系统引入到反应室中。建立电场以便从处理气体中产生等离子体来处理基片。
发明内容
提供了一种基片支架。该基片支架可在基片的处理过程中对在其上支承有基片的支承面提供动态的温度控制。例如，基片支架在等离子体处理装置的等离子体蚀刻反应器中是有效的。
基片支架的优选实施例包括陶瓷部件，叠加在该陶瓷部件上的传热元件，以及叠加在传热元件上的静电夹盘。传热元件具有较小的热质。该传热元件包括至少一个流道，流体可被通过该流道循环以便加热和/或冷却该传热元件。静电夹盘具有支承面，其中基片可被静电地夹紧在该静电夹盘上。
基片支架优选地包括与流道流体连通的温度受控的流体源。基片支架优选地还包括传热气体源，其可操作地将传热气体供应至支承面和基片之间。任选的控制器可控制流体源和传热气体源的操作，以便控制供应至基片支架的流体和传热气体的参数。
传热元件优选地可通过供应至流道的流体被快速地加热和/或冷却。从而，基片支架可向基片支架上的基片提供动态的热控制。
对等离子体处理装置中的基片进行处理的方法的优选实施例包括，将基片支承在位于等离子体处理装置反应室的静电夹盘的支承面上，并且使流体通过至少一个位于静电夹盘下面的金属传热元件中的流道循环，以便控制基片的温度。该传热元件具有较小的热质。
附图说明
图1描绘了一示例性的等离子体反应器，在其中可使用一些实施例的基片支架。
图2是基片支架优选实施例的截面图。
图3是一顶视图，描绘了叠加在基片支架陶瓷部件上的具有较小热质的传热元件。
图4描绘了具有两片结构的传热元件的实施例。
图5是传热元件底座实施例的顶视图，示出了一流道。
图6描绘了根据另一优选实施例的基片支架的一部分。
具体实施方式
在基片(例如，半导体晶片，平板显示基片，绝缘体材料，或类似物)的等离子体处理过程中，通过蚀刻从基片上移除材料，或该材料尽可能均匀地沉积在基片上，以便由该经过处理的基片制造成的装置具有令人满意的电特性是合乎需要的。但是，当基片尺寸增加，而形成在该基片上的零件的尺寸减小时，这一目的愈加难以实现。
为了提高在等离子体处理装置中的基片等离子体处理的均匀性，控制蚀刻发生的基片暴露表面的温度是合乎需要的，在该暴露表面上物质被沉积(例如，通过CVD或PVD技术)，和/或从该暴露表面移除光致抗蚀剂。在等离子体蚀刻过程中，基片温度的变化，和/或在基片暴露表面上的化学反应速率的变化，可引起基片蚀刻速率的变化，还可导致蚀刻选择性和各向异性的变化。例如，如果晶片的温度升高到某一特定温度之上，可能会发生晶片损坏(例如光致抗蚀剂的损坏)，并可改变随温度变化的化学反应。在物质的沉积过程中，沉积率，以及沉积在基片上的物质的成分和特性，可通过改变沉积过程中基片的温度而发生显著的变化。
为了提高基片支架和保持在基片支架上的基片之间的热传导，基片支架可包括后部气体冷却系统。但是，传热气体的热传导性能依赖于基片支架的表面状况。由于表面状况可在处理过程中发生变化，传热气体从基片上移除热量的能力也可发生变化。
基片支架可包括用于在处理过程中移除热量的流体冷却系统。在这种系统中，流体流经一个或多个位于基片支架的金属壳体(“冷板”)内的流道以便加热或冷却该金属壳体，从而改变基片支架上基片的温度。壳体的加热速率或冷却速率与壳体的热容量，或“热质”C有关。壳体的热质等于壳体物质的比热容c，与壳体的质量m的乘积(即，C＝c·m)。因此，壳体的热质可通过改变其质量而加以改变，其中壳体的质量可通过改变其体积而实现。而且，为了将壳体的温度改变一个量ΔT，通过加热壳体需要添加至壳体的、或通过冷却壳体而从壳体放出的热量q，由下式给出：q＝c·m·ΔT。因此，当壳体热质增加时，必须添加至壳体或从壳体放出的热量也应增加，以便将壳体的温度改变一个量ΔT。
包括具有较大热质(例如，具有1.25英寸或更大厚度的金属冷板)冷板的基片支架，和具有较大液体流量的流体供应源，可将流体供应至冷板中的流道，以便在等离子体处理的过程中，将基片支架保持在一固定的温度。但是，已经确定了的是，由于大量的热量必须通过流体快速地添加至基片支架或从基片支架上移除，以便快速地改变基片支架的温度，因此这种基片支架不提供动态的温度控制能力。因此，具有这样的大热质的基片支架不会向基片支架上支承的基片提供充分响应的温度控制。
已经确定了，具有动态温度控制能力的基片支架，可通过使用具有较小热质的传热元件来提供，其允许传热元件被快速加热和/或冷却至所需的温度。
在优选实施例中，基片支架包括可操作地供应流体，以便将传热元件加热和/或冷却至所需温度的流体源。该传热元件包括至少一个流道，通过该流道，流体从流体源循环至传热元件或从传热元件循环回来，以便提高热传导率。流体源优选地可以加热和/或冷却少量流体。温度受控制的流体可被供应至传热元件，以便提供快速响应能力。基片支架表面的动态温度控制可通过具有较小热质的传热元件和具有快速响应能力的流体源的结合而得到提高。流体源优选地也可控制流体的精选的参数，例如流体的温度和/或流量。
在优选实施例中，基片支架包括传热气体源，其可操作地在基片支架的上表面和基片之间供应传热气体。
图1描绘了一示例性的等离子体反应器，优选实施例的基片支架可用于该反应器中。该等离子体反应器是电感耦合等离子体反应器。基片支架也可用在其它类型的等离子体反应器中，其中基片的温度控制在等离子体处理过程中是所需的。例如，基片支架可用于其它的电感耦合等离子体反应器的结构中、电子回旋加速器共振(“ECR”)、磁控管、以及电容性耦合等离子体反应器中。
图1所示的等离子体反应器包括反应室10，其包括具有静电夹盘34的基片支架12，该静电夹盘34静电地夹紧基片13，同样也向该基片施加RF偏压。该基片13可为，例如半导体晶片。聚焦环14用于增强基片13上的等离子体。能量源设于反应室10的顶部以激发处理气体而在反应室中产生等离子体。能量源可为，例如通过RF源19提供能源的天线18。反应室10包括真空泵装置，用于将反应室的内部保持为所需的压力。
绝缘体窗口20设于天线18和反应室10的内部之间。气体分配板22位于窗口20的下面，并且其包括将处理气体从气体供应源23传送至反应室10的开口。
在操作中，基片13被置于基片夹盘12的暴露的上表面上，并通过静电夹盘34静电地夹紧。传热气体优选地被引入至基片夹盘12的上表面和基片13之间，以便提高基片13和上表面之间的热传导。处理气体被供应至反应室10。通过向天线18供应RF源，在反应室10中产生了等离子体。
图2示出了基片支架40的优选实施例。基片支架40可被用于，例如，反应室10中。基片支架40包括底盖42，位于底盖42上的底座44，叠加在底座44上并包围住了一内部空间56的陶瓷部件46，叠加在陶瓷部件46上的较小质量的传热元件48，和叠加在传热元件48上的静电夹盘50。RF电源49借助于电导体51电连接到传热元件48以提供RF偏压。边缘环52叠加在陶瓷部件46上，并环绕在传热元件48和静电夹盘50周围。边缘环52可由石英，SiC，或类似物制成。基片70被示出支承在静电夹盘50上。
基片支架40包括入口58和出口60，它们与一个或多个设置在传热元件48中的流道流体连通。该入口58和出口60分别借助于供给管102和回流管104与流体源100流体连通。流体借助于供给管102从流体源100循环出来，并借助于入口58循环至传热元件48的流道，流经该流道，并借助于出口60和回流管104返回至流体源100。流体源100的操作优选地通过与流体源100控制连接的控制器200来控制。
底座44由金属，例如铝、铝合金、或类似物制成。该底座44电气接地。
在图2示出的实施例中，陶瓷部件46被固定至底座44。例如，金属插入物或类似物可被插入到陶瓷部件46中，以用于接收相配合的紧固件，例如螺栓、螺钉、或类似物，以便将陶瓷部件46紧固至底座44。陶瓷部件46由适当的材料制成，并且还被配置为具有足够的刚性以平衡作用在陶瓷部件46底表面62上的压力(典型地为大气压)。陶瓷部件46优选地具有足够高的模量(例如，至少15Mpsi)，以便在等离子体处理过程中抵抗弯曲。通过使陶瓷部件46的弯曲最小化，陶瓷部件46，叠加的传热元件48以及静电夹盘50的尺寸稳定性可在等离子体处理过程中得到维持。例如，陶瓷部件46在其最薄的部分可具有约1-4mm的厚度。在处理过程中，底座44可具有比传热元件48更高或更低的温度。陶瓷部件46优选地具有足够低的热传导率，以便将其与底座44热绝缘。另外，陶瓷部件46向由RF驱动的传热元件48提供与地面绝缘的RF。陶瓷部件46可由氧化铝(AL2O3)，或其它适当的材料制成。
在优选实施例中，陶瓷部件46的顶部具有被外围凸缘64包围的中心凹槽表面63。在陶瓷部件46被制造后，凹槽表面63可由机械加工过程来形成，例如磨铣，或类似过程。可替换地，凹槽表面63可由用于形成陶瓷部件46的过程形成，例如通过制模或铸造来形成。传热元件48设置于凹槽表面63上，优选地与凸缘64齐平。
传热元件48优选地胶着地粘合至陶瓷部件46的凹槽表面63。施加在陶瓷部件46和传热元件48之间的粘合剂优选地具有低热传导率，以便将传热元件48与陶瓷部件46热绝缘。该粘合剂优选地也具有足够的弹性，以便在半导体基片的等离子体处理过程中，调节在陶瓷部件46和传热元件48之间产生的热应力。粘合剂优选地为弹性材料，例如来自通用电气(General Electric)的可在室温下硬化的粘合剂，如RTV 133和RTV 167。
传热元件48优选地具有比凹槽表面63小的宽度，以便传热元件48的外缘与凸缘64横向地间隔开。例如，凹槽表面63可为圆形，且传热元件48也可为圆形并具有比凹槽表面63小的直径(图3)。静电夹盘50被安装在凸缘64和传热元件48上。例如，在处理300mm的晶片的情况下，静电夹盘50可具有约等于凹槽表面63和晶片直径大小的直径，例如，约298mm，以便静电夹盘50与凸缘64相接触。传热元件48可具有小于约298mm的直径，以便其与凸缘64间隔开。
如图4所示，传热元件48优选地包括基座72和位于其上的盖74。传热元件48可由具有足够传热特性的材料制成，例如铜、铜合金、铝、铝合金、和类似物。基座72和盖74优选地通过钎焊，或类似方式连接在一起，以便在它们之间提供流体密封。
基座72优选地具有约1/4英寸或更小的厚度，更为优选地具有约1/8英寸或更小的厚度。盖74优选地具有约1/6英寸或更小的厚度。基座72和盖74优选地具有约1/4英寸的最大结合厚度，更为优选地为约1/8英寸。
基座72包括在其中形成有一个或多个流道的顶表面73。图5示出了基座72的优选实施例，其包括圆形流道76。流体借助于入口58和供给管102引入到流道76，并且该流体借助于出口60和回流管104返回到流体源100。流道在基座72中可具有其它的布置，以便提供对传热元件48的温度控制。例如，流道可替换地具有螺旋线、之字形，或其它曲线。
基座72中的流道可具有各种截面形状，包括，例如，半圆形、圆形、矩形、正方形、其它多边形，和相似的形状。流道的横截面积可根据流过该流道的预期的流体体积流量，以及该流体的热传导能力加以选择，以便提供流道的预期容积。在优选实施例中，流道具有约1/32至约3/32英寸的宽度，和约1/32至约1/16英寸的深度。
基座72中的流道可由任何适当的方法来形成。例如，流道可在基座72形成后，例如通过机械加工过程形成于顶表面73中。可替换地，流道可在壳体的制造过程中，例如通过铸造、锻造、冲压、或其它方法来形成。
流体可为水(例如，去离子水)、乙二醇、硅油、水/乙二醇混合物和类似物。流体的冷却效果可通过使用不同的流体和/或不同流体的混合物，改变流体的流量，和/或改变引入到流道内的流体的温度来控制。流体温度优选地由流体源100来调节。
参照图2，静电夹盘50包括夹在绝缘材料中的导电电极(或用于双极操作的一对电极)。设置该电极以用于夹紧基片70。RF偏压将静电夹盘50电容性地耦合至基片70。传热元件48优选地具有平的上表面，以便提高耦合的均匀性。绝缘材料可为适当的陶瓷材料，如氧化铝或类似物。传导电极可由钨或类似物制成。静电夹盘50可具有例如约1mm的厚度。静电夹盘50具有这样的宽度，以便它的外缘与陶瓷材料46的凸缘64相接触。因此，不存在直接通向传热元件48的RF通道，这避免了电弧的产生。绝缘材料形成了用于支承基片70的静电夹盘的暴露表面。该暴露的表面优选地为圆形，以便与呈晶片形态的基片70的外形相配。
在示于图6的另一个优选实施例中，陶瓷部件146具有一平的表面147(即，非凹形的表面)，其中传热元件48置于该平的表面上。静电夹盘50叠加在传热元件48上。所示的晶片70定位在静电夹盘50上。内环80设置在表面147上并且包围该传热元件48、静电夹盘50和晶片70。边缘环52环绕在内环80周围。内环80优选地由与陶瓷部件146相同的材料(例如，铝)制成。传热元件48通过间隙82与内环80横向地间隔开。静电夹盘50与内环80相接触。
静电夹盘50优选地通过适当的粘合材料，例如弹性材料连接至传热元件48。粘合剂优选地包括材料，例如金属填料，提高其热传导率以便在静电夹盘50和在其下面的传热元件48之间提供足够的热传导。例如，粘合剂可包括至少一种金属或金属合金的颗粒以提高其传导率。
正如上文的说明，较大的金属冷板(典型地由铝制成)可具有1.25英寸或更大的厚度，和相应较大的热质。相反，传热元件48优选地具有等于这种较大冷板体积的约5-10％的体积。由于显著地减小了传热元件48的体积，需要从传热元件48移除或添加至该传热元件48以便将其温度改变一个给定的量的热量，与该较大的冷板相比，被显著地减小了。传热元件48优选地可以约0.25℃/秒至约2℃/秒的速率加热和/或冷却。与具有较大热质的较大冷板相比，这种冷板仅提供了高约1℃/分或更小的温度变化率。在等离子体处理过程中，传热元件48优选地可被控制为从约-20℃至约80℃的温度范围。
此外，由于传热元件48的较小热质，需要提供至传热元件48以便加热和/或冷却传热元件48至预期温度的流体的体积流量，与加热和/或冷却具有较大热质的较大冷板所需要的流体流量相比，显著地减少了。
基片支架40的优选实施例包括流体源100、传热气体源150(图6)和控制器200。如上所述，流体源100(图2)将流体供给导传热元件48中的流道。流体源100可包括热电冷却器(例如，珀耳帖效应(Peltier)冷却器)、换热器或类似物，以便将流体在选定温度和/或流量下供应至流道。流体源100可包括适当的泵装置。冷却器或类似物优选地位于传热元件48附近，以便缩短流体从流体源100流出的距离，从而减小流体通道内的需要被加热或冷却的流体体积，同样减小流体源的响应时间。
传热气体源将传热气体供应至传热气体通道。传热气体通过传热气体通道流至静电夹盘50的暴露表面，在该处，传热气体借助于形成在暴露表面中的开口和/或通道(未示出)分配到暴露表面和基片70的背面(图6)之间的交界面85。向基片支架的暴露表面提供区域冷却的适当的传热气体供应系统，公开在共同转让的，专利号为5,609,720的美国专利文献中，该文献被合并于此并且其全部内容被引为参考。传热气体可以是具有传热性能的任何气体，以便在等离子体处理过程中，足以将热量从基片传递出去。例如，传热气体可为氦或类似物。
控制器200可优选地控制流体源的操作，以便选择性地改变供应至流道的流体参数，并且也控制传热气体源150的操作，以便选择性地改变供应至传热气体通道的传热气体的参数。该控制器200优选地可控制流体源100的操作，以便控制由流体源供应至流道的流体的温度和/或流量，并控制传热气体源150的操作，以便控制供应至交界面部分的传热气体的流量和/或压力，从而在暴露表面上达到预期的温度。
控制器200优选地接收来自定位在基片支架40中的一个或多个温度传感器(未示出)的输入信号，以便测量在基片支架40的一个或多个选定位置上和/或基片上(例如，在背面)的温度。例如，可设置温度传感器以便测量靠近静电夹盘50的暴露表面的位置处的温度。温度传感器优选地提供实时温度测量，以便能启动对流体源100的操作的反馈控制，同样也启动对传热气体源150的操作的控制。控制器200可为手动操作，或被编程以便自动控制流体源100和传热气体源150的操作。
基片支架40可用在等离子体处理装置中，在该装置中，可执行各种等离子体的处理操作，包括等离子体蚀刻、物理汽相沉积、化学汽相沉积(CVD)、离子注入、和/或抗蚀剂移除。该等离子体处理操作可对各种基片材料，包括半导体、绝缘体和金属材料，加以执行。
基片支架40可提供动态、闭合的温度控制，这对于各种真空半导体处理是有用的。例如，这些特征对于在门电路和浅沟隔离(“STI”)蚀刻处理中进行精确的、可阶梯变化的温度控制是有用的。例如，在蚀刻过程中，基片支架40的温度可替换地可被倾斜(例如，直线地)，以便在基片中形成圆锥形的侧壁。快速改变基片温度的能力在各种处理，例如绝缘材料的蚀刻处理中是有效的，在该处理过程中，除非将热量从基片快速地移除，否则所使用的高电源密度可导致晶片快速的发生超温状态。
尽管本发明已经参照其特定的实施例而被详细地描述了，但是在不脱离所附权利要求的范围的情况下，作出各种变化和更改，以及等效物的使用，对于本领域的技术人员来说是显而易见的。

Claims (31)

1、一种用在等离子体处理装置的反应室中的基片支架，该基片支架包括：
陶瓷部件；
叠加在陶瓷部件上的金属传热元件，该金属传热元件具有约1/4英寸的最大厚度，该金属传热元件包括至少一个流道，流体可通过该流道被循环以便加热和/或冷却传热元件；和
叠加在传热元件上的静电夹盘，该静电夹盘具有用于在等离子体处理装置的反应室中支承基片的支架表面。
2、如权利要求1所述的基片支架，其中传热元件具有约1/8英寸的最大厚度。
3、如权利要求1所述的基片支架，其中至少一个流道具有约1/32至约3/32英寸的宽度，和约1/32至约1/16英寸的深度。
4、如权利要求1所述的基片支架，还包括一温度受控的流体源，其与至少一个流道流体连通。
5、如权利要求4所述的基片支架，其中该温度受控的流体源包括可操作地将流体的温度改变至一选定温度的珀尔帖效应(Peltier)冷却器。
6、如权利要求4所述的基片支架，还包括：
传热气体源，其可操作地将传热气体供应至支架表面和基片之间；以及
控制器，其(i)可操作地控制通过至少一个流道循环的流体的体积流量和/或温度，和/或(ii)控制被供应至支架表面和基片之间的传热气体的流量和/或压力。
7、如权利要求1所述的基片支架，其中传热元件包括具有至少一个流道的底座，和叠加在该底座上的盖。
8、如权利要求1所述的基片支架，其中：
陶瓷部件包括凹槽表面和外围凸缘，该陶瓷部件在凹槽表面处具有约1-4mm的厚度；该传热元件设置在凹槽表面上并且与凸缘横向地间隔开；并且
该静电夹盘与该凸缘相接触。
9、如权利要求1所述的基片支架，还包括一陶瓷环，其叠加在陶瓷部件上并环绕在传热元件和静电夹盘周围，该传热元件与陶瓷环横向地间隔开，该静电夹盘与陶瓷环相接触。
10、如权利要求1所述的基片支架，还包括电连接到传热元件的RF电源。
11、如权利要求1所述的基片支架，还包括一位于陶瓷部件和传热元件之间的弹性体接头，和位于传热元件和静电夹盘之间的弹性体接头。
12、包括权利要求1所述的基片支架的等离子体处理装置。
13、热控制等离子体处理装置中的基片的方法，包括：
将基片置于根据权利要求1的基片支架的支承面上，其中该基片支架位于等离子体处理装置的反应室中；
将处理气体引入反应室中；
从反应室的处理气体中产生等离子体；
处理基片；以及
使流体通过至少一个流道循环，以便在基片的处理过程中将传热元件的温度控制在一选定的温度。
14、如权利要求13所述的方法，还包括：
将具有第一温度的流体通过至少一个流道循环，以便在基片的处理过程中将传热元件的温度控制到第一温度；并且
将具有第二温度的流体通过至少一个流道循环，以便在基片的处理过程中将传热元件的温度控制到第二温度；
其中传热元件的温度(i)从第一温度斜面式地降到第二温度，或(ii)从第一温度阶梯式地改变为第二温度。
15、用于基片处理装置中的基片支架，包括：
温度受控的流体源；
陶瓷部件；
叠加在陶瓷部件上的金属传热元件，该传热元件包括至少一个与流体源流体连通的流道，并且流体可通过该流道循环，以便以约0.25-2℃/秒的速率加热和/或冷却传热元件；和
叠加在传热元件上的静电夹盘，该静电夹盘具有用于在等离子体处理装置的反应室中支承基片的支承面。
16、如权利要求15所述的基片支架，其中传热元件具有约1/8英寸的最大厚度。
17、如权利要求15所述的基片支架，还包括：
传热气体源，其可操作地将传热气体供应至支承面和基片之间；和
控制器，其可操作地控制流体源和传热气体源的操作。
18、如权利要求15所述的基片支架，其中传热元件包括具有至少一个流道的底座，和叠加在该底座上的盖。
19、如权利要求15所述的基片支架，其中陶瓷部件包括凹槽表面和外围凸缘，传热元件设置在凹槽表面上并与该凸缘横向地间隔开，以及静电夹盘与凸缘相接触。
20、如权利要求15所述的基片支架，还包括陶瓷环，其叠加在陶瓷部件上并环绕在传热元件和静电夹盘的周围，传热元件与该陶瓷环横向地间隔开，静电夹盘与该陶瓷环相接触。
21、如权利要求15所述的基片支架，还包括电连接到传热元件的RF电源。
22、如权利要求15所述的基片支架，还包括位于陶瓷部件和传热元件之间的弹性体接头，和位于传热元件和静电夹盘之间的弹性体接头。
23、包括权利要求15的基片支架的等离子体处理装置。
24、热控制等离子体处理装置中的基片的方法，包括：
将基片置于根据权利要求15的基片支架的支承面上，其中该基片支架位于等离子体处理装置的反应室中；
将处理气体引入反应室中；
从反应室的处理气体中产生等离子体；
处理基片；以及
使流体从流体源通过至少一个流道循环，以便在基片的处理过程中将传热元件的温度控制在一选定的温度。
25、如权利要求24所述的方法，还包括：
将具有第一温度的流体通过至少一个流道循环，以便在基片的处理过程中将传热元件的温度控制到第一温度；并且
将具有第二温度的流体通过至少一个流道循环，以便在基片的处理过程中将传热元件的温度控制到第二温度；
其中传热元件的温度(i)从第一温度斜面式地降到第二温度，或(ii)从第一温度阶梯式地变为第二温度。
26、处理等离子体处理装置中的基片的方法，包括：
将基片支承在静电夹盘的支承面上，其中该静电夹盘位于等离子体处理装置的反应室中；
对该基片进行等离子体处理；以及
将流体通过至少一个流道循环以便控制基片的温度，其中该流道延伸通过位于静电夹盘下面的金属传热元件，该传热元件具有约1/4英寸的最大厚度。
27、如权利要求26所述的方法，其中传热元件具有约1/8英寸的最大厚度，并且至少一个流道具有约1/32至约3/32英寸的宽度，和约1/32至1/16英寸的深度。
28、如权利要求26所述的方法，还包括在基片的等离子体处理过程中，将传热气体供应至支承面和基片之间。
29、如权利要求26所述的方法，还包括将RF电施加到传热元件。
30、如权利要求26所述的方法，其中传热元件由流体以约0.25-2℃/秒的速率加热和/或冷却。
31、如权利要求26所述的方法，还包括：
将具有第一温度的流体通过至少一个流道循环，以便在基片的处理过程中将传热元件的温度控制到第一温度；以及
将具有第二温度的流体通过至少一个流道循环，以便在基片的处理过程中将传热元件的温度控制到第二温度；
其中传热元件的温度(i)从第一温度斜面式地降到第二温度，或(ii)从第一温度阶梯式地变为第二温度。
CNB2004800216848A 2003-06-30 2004-06-28 具有动态温度控制的基片支架 Expired - Fee Related CN100440422C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/608,091 US7993460B2 (en) 2003-06-30 2003-06-30 Substrate support having dynamic temperature control
US10/608,091 2003-06-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1849697A true CN1849697A (zh) 2006-10-18
CN100440422C CN100440422C (zh) 2008-12-03

Family

ID=33540476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004800216848A Expired - Fee Related CN100440422C (zh) 2003-06-30 2004-06-28 具有动态温度控制的基片支架

Country Status (8)

Country Link
US (2) US7993460B2 (zh)
EP (1) EP1644962A4 (zh)
JP (2) JP5053632B2 (zh)
KR (3) KR20060025586A (zh)
CN (1) CN100440422C (zh)
MY (1) MY151676A (zh)
TW (1) TWI338931B (zh)
WO (1) WO2005006400A2 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102918641A (zh) * 2010-05-24 2013-02-06 朗姆研究公司 用于半导体衬底支撑件的温度控制的装置和方法
CN105603376A (zh) * 2008-11-12 2016-05-25 朗姆研究公司 由液体控制的多区基片支座改进的基片温度控制
CN106637132A (zh) * 2015-10-29 2017-05-10 沈阳拓荆科技有限公司 循环媒介自动控温、热传导气体传导温度的晶圆反应台
CN111979530A (zh) * 2020-08-28 2020-11-24 湖南红太阳光电科技有限公司 Pecvd设备的加热系统、加热控制方法及pecvd设备

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8382942B2 (en) * 2003-03-21 2013-02-26 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for reducing substrate backside deposition during processing
US7993460B2 (en) 2003-06-30 2011-08-09 Lam Research Corporation Substrate support having dynamic temperature control
US6976782B1 (en) * 2003-11-24 2005-12-20 Lam Research Corporation Methods and apparatus for in situ substrate temperature monitoring
US7436645B2 (en) 2004-10-07 2008-10-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
US7648914B2 (en) 2004-10-07 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Method for etching having a controlled distribution of process results
US7544251B2 (en) * 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
WO2006094162A2 (en) * 2005-03-03 2006-09-08 Applied Materials, Inc. Method for etching having a controlled distribution of process results
JP4647401B2 (ja) 2005-06-06 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板保持台、基板温度制御装置及び基板温度制御方法
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US7528392B2 (en) 2006-11-27 2009-05-05 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for low-temperature ion implantation
JP4450245B2 (ja) * 2007-06-07 2010-04-14 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
KR101508026B1 (ko) * 2007-10-31 2015-04-08 램 리써치 코포레이션 컴포넌트 바디와 액체 냉각제 사이의 열 전도도를 제어하기 위해 가스 압력을 이용하는 온도 제어 모듈
WO2009086013A2 (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
US8989837B2 (en) 2009-12-01 2015-03-24 Kyma Medical Technologies Ltd. Methods and systems for determining fluid content of tissue
US8352015B2 (en) * 2008-05-27 2013-01-08 Kyma Medical Technologies, Ltd. Location tracking of a metallic object in a living body using a radar detector and guiding an ultrasound probe to direct ultrasound waves at the location
US9265438B2 (en) 2008-05-27 2016-02-23 Kyma Medical Technologies Ltd. Locating features in the heart using radio frequency imaging
US20100144140A1 (en) * 2008-12-10 2010-06-10 Novellus Systems, Inc. Methods for depositing tungsten films having low resistivity for gapfill applications
US8129270B1 (en) 2008-12-10 2012-03-06 Novellus Systems, Inc. Method for depositing tungsten film having low resistivity, low roughness and high reflectivity
US9548228B2 (en) 2009-08-04 2017-01-17 Lam Research Corporation Void free tungsten fill in different sized features
US9034768B2 (en) * 2010-07-09 2015-05-19 Novellus Systems, Inc. Depositing tungsten into high aspect ratio features
US8124531B2 (en) 2009-08-04 2012-02-28 Novellus Systems, Inc. Depositing tungsten into high aspect ratio features
US10256142B2 (en) 2009-08-04 2019-04-09 Novellus Systems, Inc. Tungsten feature fill with nucleation inhibition
WO2012011065A1 (en) 2010-07-21 2012-01-26 Kyma Medical Technologies Ltd. Implantable radio-frequency sensor
JP5781803B2 (ja) * 2011-03-30 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法及びプラズマ処理システム
US8520360B2 (en) 2011-07-19 2013-08-27 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with wafer backside plasma assisted dechuck
US20130240144A1 (en) * 2012-03-13 2013-09-19 Applied Materials, Inc. Fast response fluid temperature control system
TWI602283B (zh) 2012-03-27 2017-10-11 諾發系統有限公司 鎢特徵部塡充
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8970114B2 (en) 2013-02-01 2015-03-03 Lam Research Corporation Temperature controlled window of a plasma processing chamber component
US9287147B2 (en) 2013-03-14 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Substrate support with advanced edge control provisions
US9082826B2 (en) 2013-05-24 2015-07-14 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for void-free tungsten fill in three-dimensional semiconductor features
JP6159172B2 (ja) * 2013-06-26 2017-07-05 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法及びプラズマ処理装置
US9859145B2 (en) 2013-07-17 2018-01-02 Lam Research Corporation Cooled pin lifter paddle for semiconductor substrate processing apparatus
EP4075597A1 (en) 2013-10-29 2022-10-19 Zoll Medical Israel Ltd. Antenna systems and devices and methods of manufacture thereof
EP4233711A3 (en) 2014-02-05 2023-10-18 Zoll Medical Israel Ltd. Apparatuses for determining blood pressure
US20150228514A1 (en) * 2014-02-12 2015-08-13 Axcelis Technologies, Inc. Multi Fluid Cooling System for Large Temperature Range Chuck
US11259715B2 (en) 2014-09-08 2022-03-01 Zoll Medical Israel Ltd. Monitoring and diagnostics systems and methods
WO2016115175A1 (en) 2015-01-12 2016-07-21 KYMA Medical Technologies, Inc. Systems, apparatuses and methods for radio frequency-based attachment sensing
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
CN104835761A (zh) * 2015-04-27 2015-08-12 沈阳拓荆科技有限公司 一种边缘出气的可控温加热盘
JP6655310B2 (ja) 2015-07-09 2020-02-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
TWI808334B (zh) * 2015-08-06 2023-07-11 美商應用材料股份有限公司 工件握持器
US9972504B2 (en) 2015-08-07 2018-05-15 Lam Research Corporation Atomic layer etching of tungsten for enhanced tungsten deposition fill
US9978610B2 (en) 2015-08-21 2018-05-22 Lam Research Corporation Pulsing RF power in etch process to enhance tungsten gapfill performance
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
KR102447723B1 (ko) * 2016-03-18 2022-09-27 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 기판 열처리 장치
US10648080B2 (en) * 2016-05-06 2020-05-12 Applied Materials, Inc. Full-area counter-flow heat exchange substrate support
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10566211B2 (en) 2016-08-30 2020-02-18 Lam Research Corporation Continuous and pulsed RF plasma for etching metals
US10725485B2 (en) * 2016-12-15 2020-07-28 Lam Research Corporation System and method for calculating substrate support temperature
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
KR102439617B1 (ko) * 2017-06-27 2022-09-05 주식회사 미코세라믹스 본딩 헤드 및 이를 갖는 본딩 장치
US10199252B2 (en) * 2017-06-30 2019-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal pad for etch rate uniformity
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
WO2019030746A1 (en) 2017-08-10 2019-02-14 Zoll Medical Israel Ltd. SYSTEMS, DEVICES AND METHODS FOR PHYSIOLOGICAL MONITORING OF PATIENTS
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US10548239B1 (en) * 2018-10-23 2020-01-28 Google Llc Cooling electronic devices in a data center
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
CN112786422B (zh) * 2019-11-08 2024-03-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种聚焦环、等离子体处理器及方法
CN111276430B (zh) * 2020-01-20 2023-02-14 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体设备中的温控装置及半导体设备
KR102572570B1 (ko) * 2021-07-02 2023-08-29 광운대학교 산학협력단 멀티존 열전달 구조물을 이용한 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6060060A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 株式会社日立製作所 鉄道車両の扉開閉装置
US5225663A (en) * 1988-06-15 1993-07-06 Tel Kyushu Limited Heat process device
JPH03190125A (ja) 1989-12-19 1991-08-20 Fujitsu Ltd ドライエッチング装置
US5221403A (en) * 1990-07-20 1993-06-22 Tokyo Electron Limited Support table for plate-like body and processing apparatus using the table
US5192849A (en) * 1990-08-10 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Multipurpose low-thermal-mass chuck for semiconductor processing equipment
JPH05226292A (ja) 1992-02-13 1993-09-03 Tokyo Electron Yamanashi Kk プラズマ処理開始方法
KR0164618B1 (ko) * 1992-02-13 1999-02-01 이노우에 쥰이치 플라즈마 처리방법
KR100238629B1 (ko) * 1992-12-17 2000-01-15 히가시 데쓰로 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치
US6544379B2 (en) * 1993-09-16 2003-04-08 Hitachi, Ltd. Method of holding substrate and substrate holding system
TW277139B (zh) * 1993-09-16 1996-06-01 Hitachi Seisakusyo Kk
US5900103A (en) * 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
US5548470A (en) * 1994-07-19 1996-08-20 International Business Machines Corporation Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity
US5671116A (en) * 1995-03-10 1997-09-23 Lam Research Corporation Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof
US5609720A (en) * 1995-09-29 1997-03-11 Lam Research Corporation Thermal control of semiconductor wafer during reactive ion etching
US6231776B1 (en) * 1995-12-04 2001-05-15 Daniel L. Flamm Multi-temperature processing
US6108189A (en) * 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
JP3360265B2 (ja) * 1996-04-26 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JPH1074600A (ja) * 1996-05-02 1998-03-17 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
DE69719108D1 (de) 1996-05-02 2003-03-27 Tokyo Electron Ltd Plasmabehandlungsgerät
US6046439A (en) * 1996-06-17 2000-04-04 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US6170428B1 (en) * 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
US5849076A (en) * 1996-07-26 1998-12-15 Memc Electronic Materials, Inc. Cooling system and method for epitaxial barrel reactor
TW334609B (en) * 1996-09-19 1998-06-21 Hitachi Ltd Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same
US5835334A (en) * 1996-09-30 1998-11-10 Lam Research Variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition
EP0945896B1 (en) * 1996-10-11 2005-08-10 Tokyo Electron Limited Plasma etching method
JPH10220909A (ja) * 1996-12-03 1998-08-21 Komatsu Ltd 流体温度制御装置
JPH10284360A (ja) * 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
US6189483B1 (en) * 1997-05-29 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Process kit
US6077357A (en) * 1997-05-29 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Orientless wafer processing on an electrostatic chuck
US6083344A (en) * 1997-05-29 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-zone RF inductively coupled source configuration
JPH1140654A (ja) 1997-07-17 1999-02-12 Kokusai Electric Co Ltd 基板保持構造
US6007635A (en) * 1997-11-26 1999-12-28 Micro C Technologies, Inc. Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing
US6138745A (en) * 1997-09-26 2000-10-31 Cvc Products, Inc. Two-stage sealing system for thermally conductive chuck
US5983644A (en) * 1997-09-29 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Integrated bake and chill plate
JP3980187B2 (ja) * 1998-07-24 2007-09-26 日本碍子株式会社 半導体保持装置、その製造方法およびその使用方法
US6280584B1 (en) * 1998-07-29 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Compliant bond structure for joining ceramic to metal
KR100317829B1 (ko) * 1999-03-05 2001-12-22 윤종용 반도체 제조 공정설비용 열전냉각 온도조절장치
US6635580B1 (en) * 1999-04-01 2003-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Apparatus and method for controlling wafer temperature in a plasma etcher
US6184504B1 (en) * 1999-04-13 2001-02-06 Silicon Thermal, Inc. Temperature control system for electronic devices
US6179921B1 (en) * 1999-04-19 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Backside gas delivery system for a semiconductor wafer processing system
US6490146B2 (en) * 1999-05-07 2002-12-03 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method
US6310755B1 (en) * 1999-05-07 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having gas cavity and method
AU5448200A (en) * 1999-05-27 2000-12-18 Matrix Integrated Systems, Inc. Rapid heating and cooling of workpiece chucks
JP2001102435A (ja) * 1999-07-28 2001-04-13 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
US6474986B2 (en) * 1999-08-11 2002-11-05 Tokyo Electron Limited Hot plate cooling method and heat processing apparatus
US6451157B1 (en) * 1999-09-23 2002-09-17 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6377437B1 (en) * 1999-12-22 2002-04-23 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
JP3921913B2 (ja) 2000-03-13 2007-05-30 株式会社日立製作所 ウエハ処理装置およびウエハ製造方法
JP2001267403A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Nhk Spring Co Ltd 半導体ウェハの加熱／冷却装置
JP3448737B2 (ja) * 2000-05-25 2003-09-22 住友重機械工業株式会社 ウエハーチャック用冷却板及びウエハーチャック
KR20010111058A (ko) * 2000-06-09 2001-12-15 조셉 제이. 스위니 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법
WO2002017384A1 (en) 2000-08-23 2002-02-28 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck temperature control method and system
JP3920015B2 (ja) * 2000-09-14 2007-05-30 東京エレクトロン株式会社 Ｓｉ基板の加工方法
US6800173B2 (en) * 2000-12-15 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Variable gas conductance control for a process chamber
JP4493863B2 (ja) * 2001-01-25 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法および静電チャックの除電方法
JP4593007B2 (ja) * 2001-05-23 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 載置装置
US6529686B2 (en) * 2001-06-06 2003-03-04 Fsi International, Inc. Heating member for combination heating and chilling apparatus, and methods
JP3971603B2 (ja) * 2001-12-04 2007-09-05 キヤノンアネルバ株式会社 絶縁膜エッチング装置及び絶縁膜エッチング方法
JP4493251B2 (ja) * 2001-12-04 2010-06-30 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャックモジュールおよび基板処理装置
US20070051471A1 (en) * 2002-10-04 2007-03-08 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for stripping
US20040163601A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Masanori Kadotani Plasma processing apparatus
US7993460B2 (en) 2003-06-30 2011-08-09 Lam Research Corporation Substrate support having dynamic temperature control

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105603376A (zh) * 2008-11-12 2016-05-25 朗姆研究公司 由液体控制的多区基片支座改进的基片温度控制
CN102918641A (zh) * 2010-05-24 2013-02-06 朗姆研究公司 用于半导体衬底支撑件的温度控制的装置和方法
CN102918641B (zh) * 2010-05-24 2015-06-10 朗姆研究公司 用于半导体衬底支撑件的温度控制的装置和方法
CN106637132A (zh) * 2015-10-29 2017-05-10 沈阳拓荆科技有限公司 循环媒介自动控温、热传导气体传导温度的晶圆反应台
CN106637132B (zh) * 2015-10-29 2020-01-10 沈阳拓荆科技有限公司 循环媒介自动控温、热传导气体传导温度的晶圆反应台
CN111979530A (zh) * 2020-08-28 2020-11-24 湖南红太阳光电科技有限公司 Pecvd设备的加热系统、加热控制方法及pecvd设备
CN111979530B (zh) * 2020-08-28 2022-10-18 湖南红太阳光电科技有限公司 Pecvd设备的加热系统、加热控制方法及pecvd设备

Also Published As

Publication number Publication date
EP1644962A2 (en) 2006-04-12
JP5053632B2 (ja) 2012-10-17
KR20060025586A (ko) 2006-03-21
KR20120066683A (ko) 2012-06-22
US8747559B2 (en) 2014-06-10
US7993460B2 (en) 2011-08-09
JP2012099825A (ja) 2012-05-24
JP2007529102A (ja) 2007-10-18
EP1644962A4 (en) 2010-11-17
CN100440422C (zh) 2008-12-03
TW200507158A (en) 2005-02-16
TWI338931B (en) 2011-03-11
WO2005006400A3 (en) 2006-04-13
KR101476566B1 (ko) 2014-12-24
US20040261721A1 (en) 2004-12-30
US20110262315A1 (en) 2011-10-27
MY151676A (en) 2014-06-30
WO2005006400A2 (en) 2005-01-20
KR20130049819A (ko) 2013-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100440422C (zh) 具有动态温度控制的基片支架
KR101643828B1 (ko) 반도체 처리를 위한 평면형 열적 존을 갖는 열적 플레이트
JP5006200B2 (ja) 半導体処理の均一性を改善するための熱伝達システム
CN100474521C (zh) 温控热边缘环组件，包含该组件的装置及其用途
US6094334A (en) Polymer chuck with heater and method of manufacture
CN100388434C (zh) 半导体处理用的基板保持结构和等离子体处理装置
JP5921952B2 (ja) 電極アッセンブリ
US8709162B2 (en) Active cooling substrate support
US20080156440A1 (en) Surface processing apparatus
KR980011810A (ko) 플라즈마 반응기에 유용한 탄화규소 화합물
KR19980063671A (ko) 기판의 균일 가열을 위한 기판 지지부재
JP2000508119A (ja) 温度制御された半導体の基板ホルダ
CN1663015A (zh) 用于半导体处理反应器的喷头电极设计
US20200185248A1 (en) Cryogenic electrostatic chuck
CN112136202B (zh) 用于在等离子体增强化学气相沉积腔室中抑制寄生等离子体的设备
US20030089457A1 (en) Apparatus for controlling a thermal conductivity profile for a pedestal in a semiconductor wafer processing chamber
JPH10223621A (ja) 真空処理装置
US20070215284A1 (en) Plasma processing apparatus and electrode assembly for plasma processing apparatus
JPH07183277A (ja) 処理装置
US8052364B2 (en) Coupling member and plasma processing apparatus
JP4890313B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置
TW202326797A (zh) 用於減少邊緣電弧的可更換靜電卡盤外環
JPH03295231A (ja) 表面処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081203

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee