CN1663015A - 用于半导体处理反应器的喷头电极设计 - Google Patents

Abstract

一种半导体处理腔的电极组件，其中通过改进静电夹持结构而改进在背板和喷头电极之间的热传递，该组件包括与该喷头电极的表面相接触的柔性材料。该喷头电极通过与该喷头电极的外边缘相啮合的机械夹持结构可拆卸地附着到该背板上。该静电夹持结构与该喷头电极共面，以改进该背板和喷头电极之间的导热性。

Description

用于半导体处理反应器的喷头电极设计

技术领域

本申请要求2001年8月8日在美国提交的临时申请No.60/311,048的优先权；该申请的全部内容被包含于此以供参考。本发明涉及一种用于提高在半导体处理反应器中的热均匀性的喷头电极组件。具体来说，本发明涉及使用柔性导热静电卡子来可移动地卡住一个背板或散热片的电极板。本发明还涉及一种利用该喷头电极组件处理例如晶片这样的半导体基片的方法。

背景技术

真空处理腔通常通过把处理气体提供到该真空腔以及把一个射频电场施加到该气体上而用于化学汽相淀积(CVD)以及蚀刻基片上的材料。例如，平行板、变换器耦合的等离子体(TCP，也被称为ICP)以及电子回旋共振(ECR)反应器被公开于由本申请人所拥有的美国专利No.4,340,462、4,948,458和5,200,232中。在处理过程中，该基片被基片支架在该真空腔内定位。常规的基片支架包括机械卡子和静电卡子(ESC)，其在处理过程中把一个基片夹在一个基座上。该基座可以形成一个电极和散热器。机械卡子和ESC基片支架的例子在由本申请人拥有的美国专利No.5,262,029,5、740,016和5,671,116以及在美国专利No.6,292,346中公开。采用电极的形式的基片支架可以把射频(RF)功率提供到该腔体，例如在美国专利No.4,579,618中公开。

静电卡子通过产生在基片和该卡子之间的静电吸引力而把一个基片固定到一个基座上。一个电压被施加到在ESC中的一个或多个电极，从而分别在该基片和电极中感应相反极性的电荷。该相反电荷把该基片拉向该基座，从而保持该基片。

在一种单极设计中，该ESC包括一个电极、工件和它们之间的电介质。在用于一个单极ESC的普通操作模式中，该电极连接到一个DC电源的负极。该工件通过等离子体连接到“地”。在该方案中，在把该工件暴露于等离子体或其他返回路径之前，该工件不被固定地夹持。

在二极结构中，该ESC可以夹持该工件而不需要等离子体；该ESC的第二极提供返回路径。该结构使用直流电源的正负电势来夹持该工件。

一个三极ESC包含三个极。内部的两个极类似于二极结构，并且被用于夹持该工件。外部的极可以被用作为一个等离子体屏蔽或工件偏置拾取点(pickup point)。美国专利No.5,572,398公开一种使用容纳在一个非极性基底上的分离正负电极的三极静电夹子。

多极ESC使用定相到该电极的每个极的交流或直流电。施加到该电极的电压定相允许快速地夹持和释放。多极型ESC所需的供料和控制电路比单极、二极或三极结构更加复杂。该多级结构被用于使得在工件上累积的电荷最小化并且还有助于减小释放(de-clamping)的问题。

在处理例如晶片这样的半导体基片中所用的材料和处理是对温度极其敏感的。在基片中的过度温度波动可能损害系统性能并且损害所获得的半导体器件的特性。

为了促进在该基片和基片支架之间的传热，通常在尝试使用非常大的静电力或物理作用力来使得晶片表面最大程度上与该基片支架的支承表面实际接触。但是，由于该晶片和该支架之间的表面粗糙性，使得当两个表面被压在一起时，相互之间仅仅建立点接触；即，小的空隙(空穴)占据该界面的大部分区域。在低压处理条件下，该界面被抽气并且该空穴变为真空，这是非常好的热绝缘体。因此，在两个表面之间的热传递被主要限制为点接触。

为了提高在处理过程中在基片上的温度均匀性，例如氦气这样的高导热性的惰性气体被泵送到形成于该基片和支承表面之间的空隙。该传热气体作为在该基片和基片支架之间比真空更加有效的传热介质。

一些ESC设备被设计为使得传热气体逸出到周围的低压环境中(即，反应腔)的可能性最小化。在该设备中的支承表面可以具有直径约等于该晶片的直径的圆周上升缘以及覆盖该下方基座的支承表面的柔性电路。该柔性电路通常为容纳在一个柔性介电材料中的导电材料。该导电材料被构图以形成静电电极。该介电材料使得该导电材料与其他导电部件相绝缘并且还作为一个垫圈。一旦该晶片被夹住，则在该晶片和该边缘之间产生一个气体密封圈。这样，在该边缘处从晶片下方泄漏的导热气体被最小化。一个包含用于夹住基片的唇缘密封圈的静电基片支架在本申请人所拥有的美国专利No.5,805,408中公开。包含柔性电路的静电基片支架在美国专利No.6,278,600和6,033,478中公开。

如上文所述，可以通过背面的氦气压力和静电夹持技术获得适当的晶片温度控制。但是，除了晶片温度控制之外，对于过程可重复性和一致性来说希望执行与活动进程化学物质相接触的所有反应器表面的温度控制。各种上电极加热和冷却设计已经被开发并且用于半导体处理装置中，例如平行板电介质蚀刻器。具有改进的温度均匀性的反应腔部件在由本申请人所拥有的美国专利No.6,123,775中公开。

如在图1中示意地示出，在一些现有技术的设计中，该上电极板150通过垫圈120压在温控散热板110上。该电极150是从中央到其边缘具有均匀的厚度的平盘。通过把加热或冷却的流体循环通过在该板内的通道114而保持该散热板的温度。该散热板具有用于把气体提供到该处理腔的处理气体供应通道134。然后该气体被通过气室140排出，并且通过在该电极中的排气孔(未示出)，最终把该处理气体排放到该反应腔。根据该设计，在由外围机械卡子160直接施加作用力的位置处建立电极150和散热板110之间的大部分热接触。该技术的优点是作为一个可消耗部分的电极板与该散热板相分离。但是，其缺点是在该电极和散热板之间的有限周边接触导致在该电极中从中央到边缘的温度不均匀性。

如图2中所示，有限的热接触的该中央到边缘的温度不均匀性问题已经在使用可以接合或焊接到主要电极250的背板220的设计中解决。该电极板/背板组件使用夹持螺栓264保持与散热板210相接触。与以前的例子相同，通过在该板内的通道214循环流动的加热或冷却流体而保持该散热板210的温度。该散热板还具有处理气体供应通道234，用于把气体提供到处理腔。该气体被通过一个或多个水平分离的气室240而分布，并且通过在背板和该电极(未示出)中的散气孔254，以均匀地把该处理气体分散到该反应腔。但是，由于整个组件(电极板250和背板220)变为一个可消耗部分，这样的方法的实现是昂贵的。在由本申请人共同拥有的美国专利No.5,569,356中公开一种电极夹持组件，其中该电极被机械地和可移动地附着到该背板。

相应地，需要一种经济的电极设计，其提供改进的热均匀性。

发明内容

本发明提供一种电极方案，其通过把柔性材料置于两个接口之间而促进在背板和喷头电极板之间的热传递。该柔性材料与两个相邻的表面的表面不规则性相一致并且提供更好的热接触。该喷头电极包括一个静电卡子，其通过施加在该静电板和电极板之间的压力而改进热接触。

根据本发明的一个方面，用于把电极板保持在一个半导体处理腔中的装置包括具有电极板接收表面的背板；置于该电极板接收表面上的静电保持装置，该静电保持装置具有一个电极板支承表面；具有面对要被处理的基片的下表面和上接触表面的电极板；以及与该电极的外围相啮合并且把该上接触表面压在该电极板支承表面上的机械夹持部件。

本发明的静电保持装置可以包括第一介电层、置于所述第一介电层下方的导电层以及置于所述导电层下方的第二介电层。该第一和第二介电层由柔性材料所构成，例如硅酮或聚酰亚胺。该静电保持装置的导电层可以包括铝、铜、钛、钨、钼、镍、银、金、铱、铂、钌、氧化钌、石墨、氮化钛、氮化钛铝、碳化钛或其组合。

该静电保持装置可以具有0.005至0.015英寸的厚度，并且可以具有二极或多极设计。最好，该静电保持装置可以进一步包括一个电阻加热元件，以提供该电极板的电阻加热。根据一个优选实施例，该电极板可以包括一个喷头电极和背板，并且静电保持装置可以包括至少一个气体端口，用于把一种处理气体提供到等离子体反应腔。该电极板可以包括单晶硅、石墨或碳化硅。最好，该静电保持装置的面积与该上接触表面的面积的比率大于80％。

本发明还涉及组装等离子体反应腔的喷头电极组件。该方法包括设置具有电极板接收表面的背板，并且一个静电保持装置具有粘合到该电极板接收表面的的上表面，该静电保持装置具有与该上表面相对的电极板支承表面。该方法进一步包括把具有上和下表面的一个喷头电极设置为使得该上表面面对该静电保持装置的下表面；把一个机械夹持部件与该喷头电极的外围相啮合，并且把该喷头电极的上表面的外围部分压在该静电保持装置的下表面的外围部分上；以及把电压提供到该静电保持装置，以把该喷头电极的上表面的内部部分静电吸引到该静电保持装置的下表面的内部部分上。

根据本发明的优选方法，该静电保持装置可以包括第一柔性介电层、置于所述第一柔性介电层下方的导电层以及置于所述导电层下方的第二柔性介电层，具有电极板支承表面的第二柔性介电层，使得当该喷头电极板被静电附着到该电极板支承表面时，该电极板支承表面与上接触表面相一致。该方法还包括设置背板、静电保持装置和喷头电极，使其包含把处理气体提供到该等离子体反应腔的至少一个处理气体端口。根据一种优选方法，该静电保持装置可以进一步包括提供喷头电极板的电阻加热的加热元件。

本发明还提供一种处理在等离子体反应腔中例如单晶片这样的半导体基片的方法。该方法包括把一个半导体基片传送到该等离子体反应腔；把处理气体提供到该等离子体反应腔；把一个电压提供到一个静电保持装置，以在该基片的处理过程中把一个电极板静电地吸引到一个电极板支承表面上；以及把电源提供到该电极，使得处理气体形成用于处理该基片的上表面的等离子体。该方法可以被用于蚀刻例如二氧化硅层这样的在该基片上的一个材料层。该方法还可以被用于在该基片上淀积一个材料层。该方法还包括把电能提供到在该静电保持装置，以在该基片的处理过程中加热该电极板。

附图说明

从下文结合附图对优选实施例的详细描述中，本发明的各个特征和优点将变得更加清楚，其中相同的参考标号表示相同的部件：

图1示出使用一个卡子把现有的电极板附着到一个背板的现有技术。

图2示出使用接合或焊接把现有的电极板附着到一个背板的现有技术。

图3示出根据本发明的静电喷头电极装置的截面视图。

图4示出在图3中所示的ESC元件的详细示图。

图5示出一种组合的ESC元件/加热器元件。

具体实施方式

本发明涉及一种用于例如等离子体蚀刻器这样的半导体处理装置的经济的喷头电极设计。该喷头设计可以通过提供在该喷头电极中的热均匀性、低成本和改进的处理一致性而克服现有的组件的缺点。例如，该喷头设计可以通过把一种柔性材料置于两个界面之间而改进背板和喷头电极板之间的热传递。在施加压力之下，该柔性材料与该电极板的表面不规则性相一致，对该背板提供更好的热接触，并且改进在该电极上的温度一致性。包含柔性材料的静电保持装置被用于提供静电力，其吸引该电极板为与该背板进行热接触。根据本发明一个实施例，该喷头电极板最初使用一个机械卡子与该背板相接触，并且通过激励该静电保持装置而与该背板进行良好的热接触。

由于面对要被处理的半导体基片(例如晶片)的喷头电极的温度可能通过改变处理化学物质或通过局部地改变在该晶片上的气体密度而间接地影响该处理结果，则对反应器设计希望在该喷头电极上控制和保持适当的温度均匀性。这在窄间隙(1至2cm)的平行板电介质等离子体蚀刻反应器中特别有利。

图3示出根据本发明一个实施例的静电喷头电极组件300的截面视图。该装置位于一个半导体基片处理系统中，例如平行板电介质等离子体蚀刻器(未示出)。该静电喷头电极组件300包括一个上板310，例如水冷铝或不锈钢板；温控背板(散热板)320，例如高纯度碳化硅背板；以及电极板350，例如单晶硅电极板。尽管该电极板可以被通电，但是上板310和电极板350被示出为相对于地电势。该背板320被通过上板310的上夹持螺栓312保持压在该上板上。该背板包括一个电极接收表面328，其与该电极板350同平面。如图所示，该背板320可以具有凹陷，以把该电极350容纳在该凹陷内。该电极板具有一个上接触表面358a和下表面358b，其被暴露在该处理腔中。

该电极350最好包括例如单晶硅、石墨或碳化硅这样的导电材料，其具有从中央到外边缘的均匀厚度。但是具有不均匀厚度和/或包含不同材料的电极还可以被用于根据本发明的电极组件。在一个优选实施例中，该电极是具有多个分离的气体释放通道354的喷头电极，其具有适用于提供由该电极通电的处理气体的尺寸和分布，以在该电极下方的反应腔中形成等离子体。

还参见图4，该装置进一步包括一个静电保持装置，例如ESC元件330。该ESC元件330包括嵌入在柔性介电材料332a、332b的薄层之间的一个薄的柔性导电元件(金属箔)336。ESC元件330被沿着接触表面338a置于该背板的电极接收表面328上，该ESC元件还具有一个相对的电极支承表面338b。该ESC元件330的接触表面338a通过粘合层(未示出)接合到背板的电极接收表面328上。该导电元件336通过经导线管316连接到一个直流电源(未示出)，该导线管316隔着电绝缘体318穿过该背板和上板。在压力下，该柔性介电材料与该电极板的表面不规则性相一致，并且促进该背板和电极板之间的热传递。

电极板350可移动地通过例如机械卡子360这样的任何适当技术保持压在背板320上。机械卡子360包括圆周夹持环362以及多个圆周间隔的夹持螺栓364。当啮合时，该夹持环362与该电极板的圆周相啮合，并且把该电极板的上接触表面358a压在ESC元件330的电极支承表面338b上。

置于电极和背板之间的薄柔性材料的使用需要足够的压力来使得该柔性介电材料与该电极的接触表面358a上存在的表面不规则性相一致，以提供在该电极和背板之间的更好的传热。使用一个静电卡子产生压力。相应地，通过使用静电力，电极板350被牢固地保持在该背板320上。通过采用在嵌入柔性介电材料332a，332b的薄层之间的薄导电元件336上的高直流电压而实现该表面之间的静电夹持。当来自外部电源的电压被施加到导电元件336时，在该薄导电元件的电极支承表面和电极板350之间产生静电力。该静电力把该电极板吸引为与ESC元件紧密接触。在静电感应的压力下，该柔性介电材料与该电极的上接触表面358a的表面不规则性相一致。当直流电压被施加到ESC元件时，该电极板和背板将保持良好的热接触。可以通过除去直流电压以及分离机械卡子360而从该背板上除去该电极板。

该ESC元件330可以包括按照任何适当的方式设置的单个元件或多个元件。在一个优选实施例中，该ESC元件330包括单个ESC元件，其被设置为使得该电极板的上接触表面358a与该ESC元件330的电极支承表面338b同平面。但是，该电极支承表面面积与该上接触表面的面积的比率可以同平面的情况，例如10至95％，大于50％，并且最好大于80％。希望在ESC元件和该电极之间具有同样多的面接触，以在两个部件之间提供更高的压力和更好的热接触。

实现这些目的的该电源和相关的电路是本领域普通技术人员显而易见的。例如，美国专利No.4,464,223公开把直流和射频功率提供到ESC用于支承工件的具体细节。

根据一个优选实施例上板310、背板320、ESC元件330和电极350分别包含通道或通路314、324、334和354，其允许来自一个处理气体源(未示出)的处理气体传送到反应腔380的内部。

在操作中，该等离子体蚀刻气体一般可以为碳氟化合物和/或氟代烃的混合物，例如CF4和CHF3，并且例如Ar和N₂这样的运载气体被传送到在该上板中的气体通道314，并且分散在该上板和散热板320之间的空隙中。该气体分别通过在背板320、ESC元件330和电极板350中的一系列通道或通路324、334、354。按照这种方式，该处理气体被均匀地分散在受到处理的晶片上，例如影响该晶片的均匀蚀刻。

该导电元件336最好为具有从5至500微米的均匀厚度的导电箔。该导电元件最好被遮蔽和蚀刻，以形成一个电极图案。但是，该导电元件可以是任何适当的金属或陶瓷导体，例如铝、铜、钛、钨、钼、镍、银、金、铱、铂、钌、氧化钌、石墨、氮化钛、氮化钛铝、碳化钛或者其组合。

该柔性介电材料可以是适合真空处理的任何适当的电绝缘材料，例如RTV、Kapton、硅酮、聚酰亚胺、聚酮、聚醚酮、聚砜、聚碳酸酯、聚苯乙烯、尼龙、聚氯乙烯、聚丙烯、聚醚酮、聚醚砜、聚乙烯、对苯二酸盐、氟乙烯、丙烯、共聚物、纤维素、甘油三醋酸酯、橡胶等等。形成共形层的适当材料包括聚酰亚胺。聚酰亚胺具有足够的弹性，以在静电夹持压力下略为形变，因此提供增强的热传递。聚酰亚胺还提供良好的耐热性和优良的绝缘性。例如，聚酰亚胺具有从3000到3500V/密尔的高绝缘击穿强度，其允许使用使得该静电吸引力最大化的薄层。聚酰亚胺还具有超过100℃的温度耐热性最好具有超过200℃的温度的耐热性，允许使用该夹子用于高温处理。最好，该共形介电材料还具有高导热性，至少约为0.10W/mK，使得该电极板与该背板之间具有良好的热接触。该ESC元件330的厚度小于0.1，最好小于0.05，并且更好小于或等于0.01英寸。

根据本发明的另一个实施例，该ESC单元可以优选地包含置于上方或下方并且与ESC导电单元电绝缘的加热器单元，以均匀地加热该电极板。参见图5，其中示出一个组合的ESC元件/加热器元件530。元件530包含夹在薄柔性介电层532a和532b之间的薄导电元件536。另外，该ESC元件进一步包括埋在层532b下方的加热器元件538。ESC元件530和电极板550还分别包括通道或通路534和554，用于把处理气体传送到该反应腔。

适当的加热器电极图案的具体细节在由本申请人所拥有的美国专利No.5,880,922中示出，其主题内容被包含于此以供参考。如果需要的话，该加热器电极可以包含分为一个以上的加热器区域的螺旋线圈。例如，一个加热器可以包括一个内部绕组，并且另一个加热器可以包括一个外部绕组。该组合的ESC元件/加热器元件可以被用于均匀地加热该电极板到所需的温度和/或在处理过程中补偿在该电极板上的不均匀热分布。该柔性介电层分布来自该加热器的热量，从而用于间接电阻加热该电极板。最好，该电阻加热元件包含尺寸对应于在该电极板的尺寸的平面形状，以在该电极板的背面上提供相对均匀的热流通量。该组合ESC元件/加热器元件的厚度最好为从0.005至0.015英寸之间。该电阻加热元件与一个加热器电源(未示出)相连接，以加热该加热器。

本发明的静电夹持元件可以用各种方式来制造。例如通过均衡地把该组件层的预先组装的叠层均衡地压在一起而把所有具有金属夹持电极和/或加热器电极的电介质柔性层同时接合在一起。另一个方法包括形成一个柔性介电层和导电层的叠层，在该导电层上的构图和蚀刻电极图案，以形成一个静电夹持元件，并且把该静电夹持元件叠加在一个背板的电极接收表面上。

该导电元件可以通过任何适当的处理而被提供在介电柔性薄片上。例如，钨这样的导电膏可以在聚酰亚胺薄片上印刷所需的图案。另外，该导电元件层可以被淀积和随后蚀刻，以提供夹持电极或加热器电极的所需图案。在导电元件层336和536的情况中，该图案可以包括一个交替环，其具有与0.0008英寸厚的电介质薄片的平面相垂直的高度以及与大约10mm的电介质薄片的平面相平行的宽度，并且该环可以相距大约0.5mm的间隔。

通过允许该电极板和背板保持为可分离的部分，本发明的静电夹持元件有利地减小上电极板的可消耗成本。另外，本发明的静电夹持元件在该电极板和背板之间提供良好的热传递，因此在处理过程中在上电极上提供良好的温度均匀性。另外，本发明的静电夹持元件对上电极保持良好的RF接地。

在多晶片处理或单晶片处理中，根据本发明的装置对于例如等离子体蚀刻、淀积等等这样的晶片处理是有用的。例如，该装置可以用于蚀刻或淀积BPSG、例如热二氧化硅或热解氧化物这样的氧化物以及光刻胶材料。

上文描述本发明的原理、优选实施例和工作模式。但是，本发明不限于所讨论的特定实施例。因此，上述实施例可以被作为说明性而不是限制性的，应当知道本领域的普通技术人员可以对这些实施例作出各种变形而不脱离如下权利要求中所定义的本发明的范围。

Claims (22)

1.一种用于在等离子体反应腔中保持电极板的装置，其中包括：

具有电极板接收表面的背板；

置于所述电极板接收表面上的静电保持装置，该静电保持装置具有一个电极板支承表面；以及

具有面对要被处理的基片的下表面和上接触表面的电极板，该静电保持装置可以操作为把该上接触表面压在该电极板接收表面上。

2.根据权利要求1所述的装置，其中进一步包括机械夹持部件，其啮合该电极的外边缘并且把该上接触表面压在该电极板支承表面上。

3.根据权利要求1所述的装置，其中该静电保持装置包括第一介电层、置于所述第一介电层下方的导电层以及置于所述导电层下方的第二介电层，该第一和第二介电层由柔性材料所构成。

4.根据权利要求3所述的装置，其中该第一和第二介电层包括硅酮或聚酰亚胺。

5.根据权利要求3所述的装置，其中该导电层包括铝、铜、钛、钨、钼、镍、银、金、铱、铂、钌、氧化钌、石墨、氮化钛、氮化钛铝、碳化钛或其组合。

6.根据权利要求3所述的装置，其中进一步至少一个延伸通过该第一介电层、导电层和第二介电层的处理气体端口。

7.根据权利要求1所述的装置，其中该静电保持装置具有0.005至0.015英寸的厚度。

8.根据权利要求1所述的装置，其中该静电保持装置具有二极或多极设计。

9.根据权利要求1所述的装置，其中该静电保持装置进一步包括一个电阻加热元件。

10.根据权利要求1所述的装置，其中该电极板包括一个喷头电极和背板，并且该静电保持装置包括至少一个处理气体端口，通过该端口可以把处理气体提供到该等离子体反应腔。

11.根据权利要求1所述的装置，其中该电极板包括单晶硅、石墨或碳化硅。

12.根据权利要求1所述的装置，其中该静电保持装置与该上接触表面的至少80％的总表面面积相接触。

13.一种组装等离子体反应腔的喷头电极组件的方法，其中包括：

通过把一个静电保持装置的上表面接合到一个背板的下表面，从而把具有上和下表面的背板附着到该静电保持装置；

把具有上和下表面的一个喷头电极设置为使得该上表面面对该静电保持装置的下表面；

把一个机械夹持部件与该喷头电极的外围相啮合，并且把该喷头电极的上表面的外围部分压在该静电保持装置的下表面的外围部分上；以及

把电压提供到该静电保持装置，以把该喷头电极的上表面的内部部分静电吸引到该静电保持装置的下表面的内部部分上。

14.根据权利要求13所述的方法，其中该静电保持装置包括第一柔性介电层、置于所述第一柔性介电层下方的导电层以及置于所述导电层下方的第二柔性介电层，所述第二柔性介电层与该喷头电极的上表面相一致。

15.根据权利要求13所述的方法，其中该背板、静电保持装置和喷头电极包括把处理气体提供到该等离子体反应腔的至少一个处理气体端口。

16.根据权利要求13所述的方法，其中该静电保持装置进一步包括加热该喷头电极的电阻加热元件。

17.根据权利要求13所述的方法，其中该静电保持装置与该喷头电极之间的接触面积比至少为80％。

18.一种处理在等离子体反应腔中的半导体基片的方法，其中包括：

把一个半导体基片传送到该等离子体反应腔；

把处理气体通过一个喷头电极提供到该等离子体反应腔；以及

把电压提供到一个静电保持装置，其把该喷头电极静电夹持到一个温控部件。

19.根据权利要求18所述的方法，其中该方法包括蚀刻在该半导体基片上的一个材料层。

20.根据权利要求18所述的方法，其中该方法包括蚀刻在该半导体基片上的二氧化硅层。

21.根据权利要求18所述的方法，其中该方法包括把一个材料层淀积在该半导体基片上。

22.根据权利要求18所述的方法，其中该方法包括把电能提供到在该静电保持装置中，以加热该喷头电极。

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