CN101937860A - 静电吸盘 - Google Patents

静电吸盘 Download PDF

Info

Publication number
CN101937860A
CN101937860A CN2010102750358A CN201010275035A CN101937860A CN 101937860 A CN101937860 A CN 101937860A CN 2010102750358 A CN2010102750358 A CN 2010102750358A CN 201010275035 A CN201010275035 A CN 201010275035A CN 101937860 A CN101937860 A CN 101937860A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrostatic chuck
main body
sleeve
slider
heat transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010102750358A
Other languages
English (en)
Inventor
T·布鲁克
T·佩德森
D·格里马尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intevac Inc
Original Assignee
Intevac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Intevac Inc filed Critical Intevac Inc
Publication of CN101937860A publication Critical patent/CN101937860A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明描述了用于静电吸盘的热传递气体导管的隔离体。所述隔离体包括套筒和位于套筒内的主体，以便在主体和套筒之间形成环状空间，其允许热传递气体的流动。所述主体定位成紧靠吸盘的圆盘，并且可以通过弹簧支撑在该位置。在套筒和圆盘之间设置硅密封件以防止在导管内形成等离子体。

Description

静电吸盘
技术领域
本发明涉及基板处理领域，并且尤其涉及一种静电吸盘。
背景技术
静电吸盘用来在处理期间静电固定基板(例如，在半导体处理期间将硅晶圆固定在腔内)。静电吸盘组件典型地包括由电介质覆盖的静电吸盘电极，其位于在冷却基部上。然后所述静电吸盘组件定位于阴极和隔离体上。静电吸盘组件定位于产生等离子体的等离子体腔内。等离子体是导电气态介质，其可以通过将诸如RF能量的电磁能量耦合到气体而形成。有几种不同的方法来产生等离子体并将基板固定到静电吸盘。例如，DC电压可以施加到静电吸盘电极而RF电压施加到阴极，或者DC电压可以施加到静电吸盘电极并且RF电压施加到静电吸盘电极和阴极两者。
也可以经由沿着静电吸盘组件延伸的导管和孔(孔通过电介质和电极以及导管通过冷却基体)将诸如氦气的热传递气体提供到基板背侧以将热量从基板带走。因为静电吸盘传送DC和RF功率给晶圆，所以在接近这些孔和导管处产生强烈的电场。这些电场对于产生等离子体和吸附晶圆是必要的。
电场能够穿透或者可以形成于静电吸盘组件中的导管和孔中。特别地，施加到静电吸盘电极上的电势可以在穿过静电吸盘组件的氦气孔或导管中或周围引起辉光放电或电弧的形成。当气体孔和导管延伸通过静电吸盘组件的静电吸盘电极时尤其是个问题，其中静电吸盘组件是由RF电压供电，例如，以在腔内点燃或维持等离子体。该RF电压可以穿透并耦合到穿过气体孔的气体从而在孔内产生等离子体。孔内的等离子体自孔壁溅蚀掉陶瓷颗粒，并可以进入和污染处理腔和/或晶圆。此外，等离子体可以加热孔或产生足够的电流来加热孔而在静电吸盘组件内产生过大的应力，这可能导致故障。此外，等离子体可以降低静电吸盘组件的反相断态(standoff)电压。
设计一种可以以低压降传输足够多的氦气，同时使得导电部件彼此隔离的静电吸盘组件成为有意义的挑战。主要的折衷在于传输足够的氦气到静电吸盘组件的表面和提供不允许氦气经由电子至原子通道点燃的间隙，其中该通道由穿透吸盘和吸盘中允许氦气移动的空隙的强场驱动。因此，希望具有一种能够减少在静电吸盘周围或者其中，例如，在延伸通过静电吸盘组件的孔或导管内的周围或其中形成等离子体的静电吸盘组件，同时还传输足量的热传递气体给基板。
发明内容
包括在本发明中的下列发明内容是为了提供对本发明的一些方面和特征的基本理解。该发明内容不是本发明的广泛的概述而且同样地并不旨在具体确定本发明的关键或重要部分，或者描述本发明的范围。其唯一的目在于以简单的形式提出本发明的一些概念以作为以下提到的更详细描述的一个序言。
根据本发明的一方面，提供一种可定位于静电吸盘的热传递气体导管中的隔离体，所述隔离体包括套筒；以及主体，所述主体可定位于所述套筒中，以在所述主体和套筒之间形成环状空间，所述环状空间配置为传送热传递介质到静电吸盘的顶表面。
所述隔离体还可以包括弹簧，以将所述主体压在所述静电吸盘的陶瓷圆盘表面上。
所述隔离体还可以包括位于所述隔离体和静电吸盘之间的密封件。
所述密封件可以包括导热且电绝缘的硅树脂。
插件可以还包括传递狭缝，其配置为向静电吸盘的陶瓷圆盘中的传送孔供应热传递气体。
所述套筒和所述主体可以为陶瓷。
根据本发明的另一方面，提供一种静电吸盘，所述静电吸盘包括：基部；基部上方的电介质，所述电介质包括电极和电极上方的圆盘；所述圆盘中的多个孔；所述基部中的多个热传递导管，所述热传递导管与所述多个孔液体连通；以及所述多个热传递导管中的多个隔离体，所述多个隔离体的每一个包括套筒、主体以及位于所述套筒和主体之间的环状空间，所述环状空间配置为向所述多个孔传送热传递介质。
所述静电吸盘还可以包括位于每个套筒和圆盘之间的密封件。
所述密封件可以包括导热且电绝缘的硅树脂。
静电吸盘还可以包括基部中的多个弹簧，每个弹簧配置为将所述主体的顶表面定位成紧靠圆盘的底表面。
所述主体可以包括与所述多个孔液态连通的传递狭缝。
所述静电吸盘还可以包括位于所述传递狭缝和所述多个孔之间的充气增压部(plenum)，其中所述充气增压部与所述传递狭缝和所述多个孔液态连通。
所述多个隔离体可以为陶瓷。
根据本发明的另一方面，提供一种基板处理系统，其包括含有多个孔的圆盘；以及冷却基部，其包括多个热传递气体通道和位于多个热传递通道内的多个隔离体，所述热传递通道与热传递气体源液体连通，所述多个隔离体的每一个包括套筒、主体以及位于所述套筒和主体之间的环状空间，所述多个孔与所述多个隔离体中的每一个的环状空间液体连通。
所述基板处理系统还可以包括位于每个套筒和静电吸盘之间的密封件。
所述密封件可以包括导热且电绝缘的硅树脂。
所述基板处理系统还可以包括冷却基部中的多个弹簧，每个弹簧配置为将多个插件中的每一个的顶表面定位成紧靠所述圆盘。
所述多个隔离体中的每一个可以包括传递狭缝，以与所述环状空间和多个孔液体连通。
所述基板处理系统还可以包括充气增压部，其位于所述传递狭缝和多个孔之间并且与所述传递狭缝和多个孔液态连通。
所述多个插件可以为陶瓷。
附图说明
并入并且构成说明书的一部分的附图例示了本发明的实施例，并且与描述一起用于解释和示出本发明的原理。附图意在以图表的方式示出示意性实施例的主要特征。附图并不意在示出实际实施例的每个特性，也不意在示出元件的相对尺寸，并且附图不按比例绘制。
图1是根据本发明一个实施例的基板处理室的透视图；
图2A是根据本发明一个实施例的静电吸盘的侧视图；
图2B是根据本发明一个实施例的静电吸盘的顶视图；
图3是根据本发明一个实施例在静电吸盘的导管内具有隔离体的静电吸盘的详细侧视图；
图4A-4C是根据本发明一个实施例的隔离体的详细视图；以及
图5A-5C是根据本发明另一实施例的隔离体的详细视图。
具体实施方式
现在将参考图1详细描述本发明的实施例。图1示出了具有静电吸盘110的真空腔100。应该意识到，图1所示的配置仅仅是示例性的。真空腔100和静电吸盘110可以具有其它或者更少的部件，并且如本领域技术人员所已知的，所述部件的布置可以改变。
在图1中，晶圆101示出为紧固到真空腔100中的吸盘110。所示出的真空腔100配置用于等离子体处理(例如，在真空腔100中示出了等离子体103)。等离子体处理包括例如蚀刻、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等等。应该意识到，真空腔可以是包括静电吸盘的任何类型的真空腔，因此，可以在腔内执行其它处理。还应该意识到，真空腔可以是电容耦合等离子体(CCP)腔或者例如电感耦合等离子体(ICP)源腔。应用源以增加等离子体密度并且将离子能量与离子产生去耦合的真空腔通常被称为高密度等离子体(HDP)室。应该意识到，真空腔可以是HDP腔；示例性的HDP源包括微波、电感源和螺旋源。还应该意识到，HDP室无需将离子能量与离子产生去耦合。
真空腔100包括真空密闭外壳105。外壳105可以由铝、不锈钢或其它真空兼容材料制成。外壳105可以电接地，在这种情况下腔壁是阳极。设置狭缝阀106以允许晶圆进入真空密闭外壳105或从其中出来。还设置阀107以允许气体从处理气体源104进入到外壳105。电感线圈109可以设置在腔100附近并且由线圈电源111供电以从气体中形成等离子体。腔100还包括节流排气管112以排出气态副产品。
参考图1和图2A-2B，静电吸盘组件110包括电介质圆盘114和冷却基部115。电介质圆盘114包括由电介质118覆盖或者嵌入电介质118中的电极113，电介质118将电极113与基板101电隔离。电极113包括由铜、镍、铬、铝、钼、钨或者及其合金组成的金属层。应该意识到，静电吸盘组件110可以是单极、双极、或者多极吸盘。冷却基部115支撑电介质圆盘114，并且冷却基部115由耦合至隔离体117的阴极116来支撑。
热传递流体循环器150通过基部115中的通道152来使热传递流体循环，以便将热量传输到电介质圆盘114或从电介质圆盘114传输热量。一个或多个热传递气体导管154延伸通过冷却基部115，并且一个或多个热传递孔155延伸通过电介质圆盘114。连接到热传递气体源165的气体供应通道160向导管154供应热传递气体，导管154向孔155供应热传递气体。典型地，热传递气体是氦气或者氩气。气体导管154和孔155配置为向电介质圆盘114的顶表面170传送气体。提供到顶表面170的气体可以用来通过将热量传输到基板101或从基板101传输热量的方式来调节基板101的温度。在与300mm(12英寸)硅晶圆一起使用的静电吸盘组件110中，气体孔155出口的数量范围可以为从大约1个到大约200个，出口可以以环形配置定位于电介质圆盘114的圆周周围。
保持在电介质圆盘114上的基板101覆盖且密封电介质114的边缘，以便减少来自电介质圆盘114外围边缘的热传递气体的泄漏。电介质114还可以包括台面结构(mesas)162，确定台面结构162的大小并且将其分布成使基板支撑(stand off)，以便允许热传递气体均匀分布，使得基本上基板101的整个表面均匀地被加热或冷却。
回头参考图1，吸盘电极113连接到DC电源120。连接到RF电源124的RF匹配网络121连接到阴极116。应该意识到，可以使用不同的静电吸盘组件，其中DC电源和RF匹配网络以及RF电源可以以不同于图1中的配置连接到电极和/或阴极。应该意识到，可以使用多个RF电源来激发等离子体。在一个示例中，第一RF电源可以以第一频率操作，而第二RF电源可以以第二频率操作。RF功率的频率范围可以是大约100kHZ和100MHZ之间的任意值或范围。
在操作中，机械臂(未示出)通过狭缝阀106移动晶圆101到腔100内。然后，或者吸附电压施加到晶圆且等离子体被激发，或者等离子体被激发并且吸附电压被施加。通过使用DC电源120向电极113提供电压来向晶圆101施加所述吸附电压。所述吸附电压被设置为足够高的值，以便在晶圆和吸盘之间产生防止在随后的处理步骤中晶圆移动的静电力。例如吸附电压可以是大约-5000V到+5000V之间的任意值或范围(例如，对于库伦力吸盘来说为-5000V到+5000V，以及对于JR型吸盘来说为-1000V到+1000V，等等)。RF电源124向阴极116施加RF电压并且线圈电源111向电感线圈109供应RF功率以在腔100中激发等离子体103。
在晶圆101被吸附之后，在腔100内执行一个或多个半导体制造工艺步骤，例如在晶圆上沉积或者蚀刻薄膜。在完成半导体制造工艺之后，不再吸附晶圆，然后可以从腔中移出以进行其它处理。
参考图3-5，隔离体300位于每个气体导管154中以减少或防止由导管154提供的气体形成等离子体。这种静电吸盘组件110对于在高密度等离子体环境中固定晶圆是有用的。高密度等离子体通常包含更高的离子密度。典型地，薄等离子体鞘套中的带电等离子体物质具有超过1000eV的离子能量。隔离体300减少或者一起阻止在导管154的周围或内部形成等离子。
如图3所示，隔离体300包括套筒304，其位于冷却基部115中的热传递气体导管中。主体308设置在套筒304中，使得在套筒304和主体308之间形成环状空间312。在一个实施例中，主体308以接近线线配合(line-to-line fit)的方式位于套筒304中(例如直径50微米)。环状空间312流体耦合至气体供应导管154，使得热传递气体通过主体308的底部进行馈送，以便允许热传递气体导入环状空间312。因此，环状空间312足够大以在抑制电弧电势的同时允许足够的氦气流量。
套筒304和主体308可以由任何电介质材料制成，包括陶瓷以及热塑性或热固性聚合物。示例性聚合物包括但不限于聚酰亚胺、聚甲醛、聚乙醛、聚四氟乙烯、聚醚酰亚胺、和硅树脂等等。应该意识到，能够使用具有高隔离电压、低电介质常数、高电阻的聚合物。示例性适用的陶瓷材料包括但不限于Al2O3、AlN、SiO2、Si3N4等等。
如图4和5中详细所示，在主体308的顶表面318上设置传递狭缝316，以便允许热传递气体从环状空间312传送到充气增压部320，所述充气增压部320形成在主体308的顶表面318和电介质圆盘114的底表面之间。在一个实施例中，充气增压部320大约100微米深且直径为几毫米。图4A-4C示出了传递狭缝316通常为管状的实施例，而图5A-5C示出了传递狭缝316通常为多边形的实施例。应该意识到，传递狭缝316的配置可以与图4和5示出那些配置不同。
回头参考图3，孔155被设置成通过电介质圆盘114，以便经由充气增压部320和环状空间312从隔离体300传送热传递气体到晶圆101。在一个实施例中，孔155的直径大约为100至大约1000微米。
可以将弹簧机构328设置成使主体308的顶表面318定位成紧靠圆盘114的底表面330。弹簧328配置为帮助对主体308的顶表面318和圆盘114之间的充气增压部320进行密封。
设置密封件334以将套筒304密封到冷却基部115。在一个实施例中，密封件334是导热且电绝缘的硅树脂密封件。应该意识到，密封件334可以是电绝缘且导热的其它柔性材料。在组装期间，可以在套筒304的顶部和圆盘114的底面330之间设置小的间隙，以允许在套筒304的顶表面331和圆盘114的底表面330之间的硅树脂(或其它密封材料)的渗透。在一个实施例中，从隔离体300的底部(例如冷却基部115)设置对硅树脂(或其它密封材料)的凹陷，以在组装期间从套筒304的内径去除过多的硅树脂。传递狭缝316允许热传递气体传输，不被密封件334阻塞。在一个实施例，密封件334的厚度大约是100-200微米。
在使用中，热传递气体通过主体308的底部处的冷却基部115进入环状空间312。热传递气体通过环状空间312向上传输且通过传递狭缝316进入到充气增压部320。然后，热传递气体流经充气增压部320，进入到圆盘114的孔155。由于隔离体300的顶部经由密封件334和弹簧328密封，防止了靠近主体308的顶部的电子激发，传递狭缝316允许氦气通过硅密封件334进入到充气增压部320并且随后进入孔155，而不会影响隔离体300的电弧抑制。
因为本发明的实施例提供改进的电性能同时也向晶圆传送了足够热传递气体，所以本发明的实施例是有利的。例如，如上所示的隔离体在每孔传送多于2sccm的热传递气体(例如，氦气)时，可以提供+/-3KV的电反相断态(亦即，比起传统静电吸盘设计，反相断态电压增加50％)。
应该意识到，隔离体300还可以包括等离子体去活化材料，所述等离子体去活化材料能够减少活性，并且因此防止临近在晶圆101下的气体导管154形成等离子体。等离子体去活化材料可以包括多孔的或高表面积材料，其通过限制动能和/或驱散气体物质的电荷来防止形成等离子体，所述气体物质的电荷可以在导管中变得离子化。
应该理解的是，这里描述的过程和技术本质上不涉及任何特定设备并且可以通过部件的任何适当结合来实现。此外，可以根据这里描述的教导来使用各种类型的通用用途设备。本发明已经结合特定示例进行了描述，其所有方面旨在是示例性的而非限制性的。本领域技术人员将意识到为实践本发明，许多不同组合将都是适当的。
而且，考虑到这里所公开的本发明的说明和实践，本发明的其它实现方式对于本领域技术人员来说将是显而易见的。所描述的实施例的各方面和/或部件可以单独使用或任意结合使用。说明书和示例旨在被认为是示例性的，本发明的真实范围和精神由所附的权利要求书表示。

Claims (20)

1.一种可定位于静电吸盘的热传递气体导管中的隔离体，包括：
套筒；以及
主体，所述主体可定位于所述套筒中，以在所述主体和所述套筒之间形成环状空间，所述环状空间配置为向所述静电吸盘的顶表面传送热传递介质。
2.根据权利要求1所述的隔离体，还包括弹簧，以将所述主体压在所述静电吸盘的电介质圆盘的表面上。
3.根据权利要求1所述的隔离体，还包括位于所述套筒和所述静电吸盘之间的密封件。
4.根据权利要求3所述的隔离体，其中，所述密封件包括导热且电绝缘的硅树脂。
5.根据权利要求1所述的隔离体，其中，所述主体还包括传递狭缝，所述传递狭缝配置为向所述静电吸盘的电介质圆盘中的传送孔供应所述热传递气体。
6.根据权利要求1所述的隔离体，其中，所述套筒和所述主体为电介质。
7.一种静电吸盘，包括：
冷却基部；
位于所述冷却基部上方的圆盘，所述圆盘包括电极和至少部分围绕所述电极的电介质；
所述圆盘中的多个孔；
所述冷却基部中的多个热传递导管，所述热传递导管与所述多个孔液体连通；
所述多个热传递导管中的多个隔离体，所述多个隔离体中的每一个包括套筒、主体以及所述套筒和所述主体之间的环状空间，所述环状空间配置为向所述多个孔传送热传递介质。
8.根据权利要求7所述的静电吸盘，还包括位于每个所述套筒和所述圆盘之间的密封件。
9.根据权利要求7所述的静电吸盘，其中，所述密封件包括导热且电绝缘的硅树脂。
10.根据权利要求7所述的静电吸盘，还包括所述基部中的多个弹簧，每个弹簧配置为将所述主体的顶表面定位成紧靠所述圆盘的底表面。
11.根据权利要求7所述的静电吸盘，其中，所述主体还包括与所述多个孔液体连通的传递狭缝。
12.根据权利要求11所述的静电吸盘，还包括位于所述传递狭缝和所述多个孔之间的充气增压部，并且其中所述充气增压部与所述传递狭缝和所述多个孔液体连通。
13.根据权利要求7所述的静电吸盘，其中，所述多个隔离体为陶瓷。
14.一种基板处理系统，包括：
包括多个孔的圆盘；以及
冷却基部，所述冷却基部包括多个热传递气体通道和所述多个热传递通道中的多个隔离体，所述热传递气体通道与热传递气体源液体连通，所述多个隔离体中的每一个包括套筒、主体以及所述套筒和所述主体之间的环状空间，所述多个孔与所述多个隔离体中的每一个的环状空间液体连通。
15.根据权利要求14所述的基板处理系统，还包括位于每个所述套筒和所述静电吸盘之间的密封件。
16.根据权利要求15所述的基板处理系统，其中，所述密封件包括导热且电绝缘的硅树脂。
17.根据权利要求14所述的基板处理系统，还包括所述冷却基部中的多个弹簧，每个弹簧配置为将多个插塞中的每一个的顶表面定位成紧靠所述圆盘。
18.根据权利要求14所述的基板处理系统，其中，所述多个插塞中的每一个包括与所述环状空间和所述多个孔液体连通的传递狭缝。
19.根据权利要求18所述的基板处理系统，还包括位于所述传递狭缝和所述多个孔之间的充气增压部，所述空间增压部与所述传递狭缝和所述多个孔液体连通。
20.根据权利要求14所述的基板处理系统，其中，所述多个隔离体为陶瓷。
CN2010102750358A 2009-06-30 2010-06-30 静电吸盘 Pending CN101937860A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/495,252 2009-06-30
US12/495,252 US20100326602A1 (en) 2009-06-30 2009-06-30 Electrostatic chuck

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101937860A true CN101937860A (zh) 2011-01-05

Family

ID=43379441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010102750358A Pending CN101937860A (zh) 2009-06-30 2010-06-30 静电吸盘

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20100326602A1 (zh)
JP (1) JP2011091361A (zh)
KR (1) KR20110001989A (zh)
CN (1) CN101937860A (zh)
TW (1) TW201103101A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103907181A (zh) * 2011-09-30 2014-07-02 Toto株式会社 静电吸盘
CN105575872A (zh) * 2016-02-26 2016-05-11 上海华力微电子有限公司 改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构及方法
CN106165070A (zh) * 2014-05-12 2016-11-23 东京毅力科创株式会社 加热器供电机构和载置台的温度控制方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008052216B3 (de) * 2008-10-17 2010-05-20 Johann Wolfgang Goethe-Universität Plasma-Induktionsschalter und Verfahren zum Schalten hoher Spannungen
WO2012090782A1 (ja) * 2010-12-27 2012-07-05 株式会社クリエイティブ テクノロジー ワーク加熱装置及びワーク処理装置
TWI456688B (zh) * 2011-08-05 2014-10-11 Advanced Micro Fab Equip Inc 一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構及方法
US10770270B2 (en) 2016-06-07 2020-09-08 Applied Materials, Inc. High power electrostatic chuck with aperture-reducing plug in a gas hole
US10535505B2 (en) * 2016-11-11 2020-01-14 Lam Research Corporation Plasma light up suppression
JP6490754B2 (ja) * 2017-07-12 2019-03-27 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
JP7458195B2 (ja) * 2020-02-10 2024-03-29 東京エレクトロン株式会社 載置台、プラズマ処理装置及びクリーニング処理方法
US11950660B2 (en) 2021-09-21 2024-04-09 Rebekah Bevin Footwear cleats device

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6074512A (en) * 1991-06-27 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners
US5478429A (en) * 1993-01-20 1995-12-26 Tokyo Electron Limited Plasma process apparatus
US5542559A (en) * 1993-02-16 1996-08-06 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus
US5636098A (en) * 1994-01-06 1997-06-03 Applied Materials, Inc. Barrier seal for electrostatic chuck
US5639334A (en) * 1995-03-07 1997-06-17 International Business Machines Corporation Uniform gas flow arrangements
US5605603A (en) * 1995-03-29 1997-02-25 International Business Machines Corporation Deep trench process
US5644467A (en) * 1995-09-28 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Method and structure for improving gas breakdown resistance and reducing the potential of arcing in a electrostatic chuck
US6095084A (en) * 1996-02-02 2000-08-01 Applied Materials, Inc. High density plasma process chamber
US5720818A (en) * 1996-04-26 1998-02-24 Applied Materials, Inc. Conduits for flow of heat transfer fluid to the surface of an electrostatic chuck
US6108189A (en) * 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
US6074488A (en) * 1997-09-16 2000-06-13 Applied Materials, Inc Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring
US5903428A (en) * 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
US6572814B2 (en) * 1998-09-08 2003-06-03 Applied Materials Inc. Method of fabricating a semiconductor wafer support chuck apparatus having small diameter gas distribution ports for distributing a heat transfer gas
US6151203A (en) * 1998-12-14 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Connectors for an electrostatic chuck and combination thereof
US6490146B2 (en) * 1999-05-07 2002-12-03 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method
US6310755B1 (en) * 1999-05-07 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having gas cavity and method
US20020036881A1 (en) * 1999-05-07 2002-03-28 Shamouil Shamouilian Electrostatic chuck having composite base and method
US6462928B1 (en) * 1999-05-07 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved electrical connector and method
US6320736B1 (en) * 1999-05-17 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Chuck having pressurized zones of heat transfer gas
US6273958B2 (en) * 1999-06-09 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Substrate support for plasma processing
US6500299B1 (en) * 1999-07-22 2002-12-31 Applied Materials Inc. Chamber having improved gas feed-through and method
US20020022403A1 (en) * 1999-08-06 2002-02-21 Wing L. Cheng Connectors for an eletrostatic chuck
US6490144B1 (en) * 1999-11-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Support for supporting a substrate in a process chamber
US6370006B1 (en) * 2000-02-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a plurality of gas inlet channels
US6478924B1 (en) * 2000-03-07 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Plasma chamber support having dual electrodes
JP4592916B2 (ja) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置
US20040081439A1 (en) * 2000-05-04 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Actively-controlled electrostatic chuck heater
US6494958B1 (en) * 2000-06-29 2002-12-17 Applied Materials Inc. Plasma chamber support with coupled electrode
US6736668B1 (en) * 2000-09-15 2004-05-18 Arnold V. Kholodenko High temperature electrical connector
US6642489B2 (en) * 2001-01-09 2003-11-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improving exhaust gas consumption in an exhaust conduit
US6581275B2 (en) * 2001-01-22 2003-06-24 Applied Materials Inc. Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits
US6795292B2 (en) * 2001-05-15 2004-09-21 Dennis Grimard Apparatus for regulating temperature of a process kit in a semiconductor wafer-processing chamber
US20030010292A1 (en) * 2001-07-16 2003-01-16 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with dielectric coating
US6490145B1 (en) * 2001-07-18 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
US6538872B1 (en) * 2001-11-05 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having heater and method
US7510665B2 (en) * 2003-08-15 2009-03-31 Applied Materials, Inc. Plasma generation and control using dual frequency RF signals
US7431857B2 (en) * 2003-08-15 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Plasma generation and control using a dual frequency RF source
US7838430B2 (en) * 2003-10-28 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Plasma control using dual cathode frequency mixing
US20090086401A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Intevac, Inc. Electrostatic chuck apparatus
US20090086400A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Intevac, Inc. Electrostatic chuck apparatus
US7813103B2 (en) * 2007-10-11 2010-10-12 Applied Materials, Inc. Time-based wafer de-chucking from an electrostatic chuck having separate RF BIAS and DC chucking electrodes
US8363378B2 (en) * 2009-02-17 2013-01-29 Intevac, Inc. Method for optimized removal of wafer from electrostatic chuck
US20120138230A1 (en) * 2010-12-06 2012-06-07 Terry Bluck Systems and methods for moving web etch, cvd, and ion implant

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103907181A (zh) * 2011-09-30 2014-07-02 Toto株式会社 静电吸盘
CN103907181B (zh) * 2011-09-30 2016-11-16 Toto株式会社 静电吸盘
CN106165070A (zh) * 2014-05-12 2016-11-23 东京毅力科创株式会社 加热器供电机构和载置台的温度控制方法
CN106165070B (zh) * 2014-05-12 2019-08-13 东京毅力科创株式会社 加热器供电机构和载置台的温度控制方法
CN105575872A (zh) * 2016-02-26 2016-05-11 上海华力微电子有限公司 改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构及方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110001989A (ko) 2011-01-06
US20100326602A1 (en) 2010-12-30
TW201103101A (en) 2011-01-16
JP2011091361A (ja) 2011-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101937860A (zh) 静电吸盘
US11450509B2 (en) Inductive plasma source with metallic shower head using b-field concentrator
CN108109897B (zh) 等离子体处理系统
CN101553900B (zh) 包括用于减少聚合物沉积的rf吸收材料的等离子体限制环
US8559159B2 (en) Electrostatic chuck and methods of use thereof
KR102092623B1 (ko) 플라스마 처리 장치
US9398680B2 (en) Immersible plasma coil assembly and method for operating the same
US11560626B2 (en) Substrate processing chamber
TW201442143A (zh) 用於沉積腔室之基板支撐夾具冷卻
TW202121578A (zh) 低溫靜電吸盤
US20200286717A1 (en) Electrostatic chuck for high bias radio frequency (rf) power application in a plasma processing chamber
JP2023518463A (ja) 耐アーク性冷却剤導管付き基板支持アセンブリ
CN111095476B (zh) 用于等离子体处理设备的冷却聚焦环
TW202143377A (zh) 用於射頻環境的冷卻的基板支撐組件
WO2021021831A1 (en) Sheath and temperature control of process kit
KR102655866B1 (ko) 정전 척 (electrostatic chuck, ESC) 페데스탈 전압 분리
WO2019182709A1 (en) Isolated backside helium delivery system
KR20230041766A (ko) 기판 지지체의 리프트 핀 인터페이스
JP2024518449A (ja) 極低温マイクロゾーン静電チャックコネクタアセンブリ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110105