CN1801412A - 平面磁感应器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种平面磁感应器及其制造方法。该平面磁感应器包括：衬底上形成的绝缘氧化物磁层；与绝缘氧化物磁层的下表面分离而同时又完全嵌入到该绝缘氧化物磁层中的导电线圈；以及形成于绝缘氧化物磁层上的、用于保护该绝缘氧化物磁层的覆盖层。该绝缘氧化物磁层包括：下部绝缘氧化物磁层；以及在下部绝缘氧化物磁层上形成的上部绝缘氧化物磁层，由此该导电线圈完全嵌入到上部绝缘氧化物磁层中。根据本发明的平面磁感应器可实现良好的高频特性以及较高的感应系数，同时体积可有效减小。
Description
相关申请
本发明基于并要求2005年1月7日提交的韩国申请第2005-1833号的优先权，其披露的全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明通常涉及一种平面感应器及其制造方法，并且特别地，涉及一种平面磁感应器及其制造方法，其中该平面磁感应器可实现良好的高频特性和增强的感应系数并且体积也有所减小。
背景技术
感应器被应用于各种场合，例如，用于低噪声放大器、混频器、压控振荡器、匹配线圈、及其他类似的装置。特别地，平面感应器是通过在衬底上形成的薄膜的导电线圈而实现工作的感应器。该平面感应器可被应用到，例如，DC-DC转换器或噪声滤波器中。
最近，提出了各种技术用于在衬底上形成磁性材料和薄膜的导电线圈以提高平面感应器的性能。平面磁感应器的性能主要依赖于磁性材料(例如，用于感应器的软磁铁氧体)的特性。磁性材料必须在应用于高频时在高频区域中具有足够高的磁导率；在制造感应器的过程中必须能够防止热和机械地损坏；并且与导电线圈绝缘。已公开的韩国专利公开号第2003-0020603中公开了一种用于制造薄膜感应器的方法，其中，在铜线圈和软磁层之间形成有介电层。
图1是示出了普通的平面磁感应器100的结构的示意性剖面图。参照图1，普通的平面磁感应器100包括在衬底11上依次形成的下部软磁层12、下部介电层14、线圈形晶种层图样16a、以及导电线圈18。上部软磁层24在导电线圈18上形成。这些软磁层12和24由Fe或Co基的软磁性薄膜形成，并由此具有较低的特定阻抗。因此，为了防止导电线圈18的相邻线之间的电短路，如图1所示，在导电线圈18的线之间的间隙中形成有环氧树脂或SO2的非磁性介电层，并且还在导电线圈18的下面形成非磁性的介电层14。结果，由于介电层14和22的设置，感应器100的总体厚度相对增加。
图2a至图2d示出了制造普通平面磁感应器的方法的剖面图。首先，如图2a所示，将Fe或Co基的下部软磁层12以及下部介电层14沉积在绝缘衬底11上。随后，如图2b所示，在下部介电层14上形成包含Ni或类似元素的镀晶种层16。之后，如图2c所示，形成导电线圈18，并且形成晶种层图样16a，通过选择性地蚀刻镀晶种层16，使其具有与导电线圈18相同的图样。接下来，如图2d所示，在形成很厚的上部介电层22，并且使其变平从而使得导电线圈18完全嵌入其中之后，在其上形成Fe或Co基的上部软磁层24。这样，即可形成夹层结构形状的平面磁感应器100。
在上述普通的工艺中，由于Fe或Co基的上部软磁层12和24具有较低的特定阻抗，因此形成由氧化物或氮化物形成的绝缘层22以防止在导电线圈18的线之间的电短路。同样地，当在导电线圈18的线之间形成绝缘层22时，衬底遭受形成绝缘层22时所产生的热量影响，使得下部软磁层12的磁性降低。结果，绝缘层22和导电线圈18之间的粘接强度降低，从而造成分层。此外，由于绝缘层22需形成为具有预定的厚度或者其厚度需足够大以充分电绝缘，因此导电线圈18与软磁层12和24分开较大的距离，从而降低了感应系数并且降低了高频特性。此外，由于绝缘层14和22的设置使得感应器元件的总体厚度增加。
发明内容
因此为解决上述问题而提出了本发明，本发明的目的在于提供一种平面磁感应器，其具有良好的高频特性以及增强的感应系数，并且体积有所减小。
本发明的另一个目的在于提供一种平面磁感应器的制造方法，其可实现良好的高频特性以及增强的感应系数。
根据本发明的一个方面，上述和其他的目的可以通过本发明提供的平面磁感应器来实现，该平面磁感应器包括：在衬底上形成的绝缘氧化物磁层；与绝缘氧化物磁层的下表面分开而同时完全嵌入到该绝缘氧化物磁层中的导电线圈；以及在绝缘氧化物磁层上形成的、用于保护该绝缘氧化物磁层的覆盖层。
绝缘氧化物磁层可包括：在衬底上形成的下部绝缘氧化物磁层；以及在下部绝缘氧化物磁层上形成的上部绝缘氧化物磁层。这样，在下部绝缘氧化物磁层上形成导电线圈，并且导电线圈可完全嵌入到上部绝缘氧化物磁层中。
绝缘氧化物磁层可包括氧化物磁性材料，该材料包含至少两种选自Fe、Ni、Zn、Mn、Mg、Co、Ba、和Sr组成的组中的元素。例如，绝缘氧化物磁层可由Ni-Zn铁氧体形成。包含如上所述元素的绝缘氧化物磁层具有较高的特定阻抗，从而呈现出充分的绝缘特性和较高的磁导率。
绝缘氧化物磁层可通过铁氧体镀形成。当绝缘氧化物磁层通过铁氧体镀形成时，该过程在大约100℃或更低的低温下进行，因此衬底或导电线圈基本上不会遭受热损坏，并且可用于制造衬底的材料种类也因此增加了。
覆盖层包含选自聚合材料、陶瓷材料、玻璃、硅树脂、或其组合物中的材料。特别地，覆盖层可包含诸如高抗化学性的聚酰亚胺的聚合材料。该覆盖层用于保护绝缘氧化物磁层由于外部撞击或与杂质物质接触而产生的损坏。通过该覆盖层可简单和安全地操作平面磁性感应器。
导电线圈可以是由铜制成的螺旋形线圈。导电线圈可通过电镀形成。在这种情况下，平面磁感应器还可包括镀晶种层图样，该图样与导电线圈的图样相同，并且形成于导电线圈的下面。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于制造平面磁感应器的方法，该方法包括：在衬底上形成下部绝缘氧化物磁层；在下部绝缘氧化物磁层上形成导电线圈；在导电线圈上直接形成上部绝缘氧化物磁层，以使导电线圈完全嵌入到上部绝缘氧化物磁层中；以及在上部绝缘氧化物磁层上形成覆盖层。上部和下部绝缘氧化物磁层可包含氧化物磁性材料，该材料包括至少两种选自Fe、Ni、Zn、Mn、Mg、Co、Ba、和Sr组成的组中的元素。
可通过电镀的方法形成导电线圈。这样，导电线圈的形成可包括：在下部绝缘氧化物磁层上形成线圈形状的光刻胶层图样；通过光刻胶图样形成线圈形状的镀晶种层图样；以及通过电镀在镀晶种层图样上形成导电线圈。镀晶种层图样可包含镍，而导电线圈可包含铜。
采用电镀方法形成导电线圈的另一种方法如下，导电线圈的形成包括：在下部绝缘氧化物磁层上形成镀晶种层；在镀晶种层上形成具有线圈形状图样的光刻胶层模具；通过采用作为掩模的光刻胶层模具进行电镀形成导电线圈；以及移除光刻胶层模具以及光刻胶层模具下面的镀晶种层的部分。
导电线圈的形成可包括：通过压力将金属薄膜覆盖到下部绝缘氧化物磁层上，以及在金属薄膜上进行选择性的化学蚀刻以形成线圈图样。
可通过丝网印刷的方法形成导电线圈。即，在下部绝缘氧化物磁层上形成用于线圈图样的网屏之后，采用作为印刷掩模的网屏印刷导电胶，因此在衬底上形成了导电图样。
可通过喷墨印刷方法形成导电线圈。即，在将浆状的导电胶印刷到下部绝缘氧化物磁层上之后，不采用网屏即在衬底上直接形成导电图样。
本发明提供了一种方法，用于提高高频特性以及平面磁感应器的感应系数，同时降低其厚度。为此目的，代替导电线圈的线之间的、由氧化物或氮化物介电材料形成的非磁性绝缘层的形成，导电线圈被嵌入到绝缘氧化物磁性材料中。同样地，由于在本发明中省去了非磁性绝缘层的形成工序，因此由于非磁性绝缘层形成过程中产生的热量而造成的磁性下降、残余应力的产生、以及薄膜之间的粘接强度的减弱等问题均得到了有效解决。
附图说明
本发明的上述及其它目的、特征将在以下结合附图的详细说明中更加清楚明白，其中：
图1是示出了普通平面磁感应器的剖面图；
图2a至2d是示出了普通平面磁感应器的制造方法的剖面图；
图3是示出了根据本发明的一个实施例的平面磁感应器的剖面图；
图4至9是示出了根据本发明的一个实施例的平面磁感应器的制造方法的剖面图；
图10至14是示出了根据本发明的另一个实施例的平面磁感应器的制造方法的剖面图；
图15和16是示出了根据本发明的再一个实施例的平面磁感应器的制造方法的剖面图。
具体实施方式
以下将参考附图对本发明的优选实施例进行详细描述。然而，应该指出，本发明的实施例可进行各种修改，而并不局限于在此所描述的实施例。通过本发明的实施例的描述，本领域的技术人员可以更好地理解本发明。附图中，为清楚起见，本发明的各元件的形状和尺寸均被放大。并且所有附图中，相同的元件采用相同的参考标号表示。
图3是示出了根据本发明的一个实施例的平面磁感应器500的剖面图。参照图3，在衬底51上形成绝缘氧化物磁层54，并且将导电线圈58完全嵌入到绝缘氧化物磁层54中。导电线圈58与绝缘氧化物磁层54的下表面分开，从而使得绝缘氧化物磁层54存在于导电线圈58的下面。在绝缘氧化物磁层54上形成有覆盖层60，以防止绝缘氧化物磁层54由于外部撞击或与杂质物质接触而损坏。通过电镀形成导电线圈58，并且导电线圈58的下面形成有导电晶种层图样56。除了电镀之外，导电线圈58的形成可通过如下的各种方法，如丝网印刷、覆盖金属薄膜等。特别地，当通过丝网印刷或覆盖金属薄膜形成导电线圈58时，不需要使用导电晶种层图样56。为了确保较低的特定阻抗和足够的感应系数，导电线圈58可为由铜制成的螺旋形线圈。导电线圈58也可具有包括长方形、正方形、圆形等多种形状在内的各种形状。
不同于普通的磁性感应器，上述结构的平面磁性感应器500并没有设置分离的非磁性绝缘层14或22(参见图2)。取而代之地，根据本发明的平面磁性感应器500采用绝缘氧化物磁性材料作为绝缘氧化物磁层54的材料，以使导电线圈58的线彼此绝缘。绝缘氧化物磁层54可由氧化物磁性材料形成，而该材料包含至少两种选自Fe、Ni、Zn、Mn、Mg、Co、Ba、和Sr组成的组中的元素。由于该绝缘氧化物磁层54与普通的金属软磁层相比具有较高的特定阻抗，因此绝缘氧化物磁层54具有极好的电绝缘性。因此，绝缘氧化物磁层54直接接触导电线圈58，并在导电线圈58的相邻线之间提供足够的电绝缘。绝缘氧化物磁层54表现出较高的磁导率以及足够的绝缘特性。由于该绝缘氧化物磁层54与完全嵌入在其中的导电线圈58接触，该平面磁感应器500具有极好的品质因数以及较高的电感系数。此外，由于平面磁性感应器500不设有分离的非磁性绝缘层14或22(参见图1)，因此可减少感应器500的厚度，从而使得感应器元件尺寸减小。
绝缘氧化物磁层54可具有如下所述的双层结构。即，绝缘氧化物磁层54可包括：在衬底51和镀晶种层图样56之间形成的下部绝缘氧化物磁层52(参见图9)；以及在下部绝缘氧化物磁层52上形成的上部绝缘氧化物磁层53(参见图9)，从而使得导电线圈58完全被嵌入到上部绝缘氧化物磁层53中。在绝缘氧化物磁层54上形成的覆盖层60用来防止绝缘氧化物磁层54由于外部撞击或与杂质物质接触而产生的损坏，并且可包含例如较高抗化学性的聚酰亚胺。
图4至9是示出了根据本发明的一个实施例的平面磁感应器的制造方法的剖面图。在本实施例中，通过电镀形成导电线圈。
首先，参照图4，由聚酰亚胺或FR4形成的衬底51上形成有下部绝缘氧化物磁层52。下部绝缘氧化物磁层52可包含氧化物磁性材料，该材料包含至少两种选自Fe、Ni、Zn、Mn、Mg、Co、Ba、和Sr组成的组中的元素。例如，下部绝缘氧化物磁层52可由Ni-Zn铁氧体形成。由于下部绝缘氧化物磁层52具有较高的特定阻抗，因此其具有足够的电绝缘性。
接下来，参照图5，在下部绝缘氧化物磁层52上形成线圈形状的光刻胶图样30。可通过各种已知的曝光和显影工序形成线圈形状的光刻胶图样30。通过光刻胶层图样30曝光的下部绝缘氧化物磁层52的部分构成一区域，在该区域上通过随后的工序形成镀晶种层图样。
随后，如图6所示，通过采用作为掩模的光刻胶层图样30的无电镀，在由光刻胶层图样30曝光的下部绝缘氧化物磁层52的部分上形成有镍镀层。由此，包含镍的线圈形状的镀晶种层图样56在下部绝缘氧化物磁层52上形成。镀晶种层图样56作为晶种层，用于在随后的工序中形成导电线圈。
然后，参照图7，通过采用镀晶种层图样56通过电镀在镀晶种层图样56上形成铜镀层。结果，在镀晶种层图样56上形成由铜形成的导电线圈58。如上所述，由于下部绝缘氧化物磁层52具有较高的特定阻抗，因此导电晶种层图样56的线彼此绝缘，即使得在下部绝缘氧化物磁层52上直接形成镀晶种层图样56和导电线圈58。
之后，参见图8，在上述形成的导电线圈58上形成上部绝缘氧化物磁层53，以使导电线圈58完全嵌入到上部绝缘氧化物磁层53中。优选地，为了增强导电线圈58和上部绝缘氧化物磁层53之间的粘接力，在形成上部绝缘氧化物磁层53之前，通过软蚀刻工艺使导电线圈58的表面变得粗糙。与下部绝缘氧化物磁层52相同，上部绝缘氧化物磁层53可包含氧化物磁性材料，该材料包含至少两种选自Fe、Ni、Zn、Mn、Mg、Co、Ba、和Sr组成的组中的元素。例如，上部绝缘氧化物磁层53可由Ni-Zn铁氧体形成。同样地，上部和下部绝缘氧化物磁层53和52由绝缘氧化物磁性材料形成，因此导电线圈58的线彼此绝缘。
最后，如图9所示，在上部绝缘氧化物磁层53的上方形成聚酰亚胺的覆盖层60，从而完成根据本发明实施例的平面磁性感应器。覆盖层60用来保护绝缘氧化物磁层52和53。覆盖层60优选地由具有抗化学性的聚合物形成。例如，覆盖层60可由聚酰亚胺或环氧树脂形成。除了这些材料之外，覆盖层60可由聚合材料、陶瓷材料、玻璃、硅树脂、或其混合物来形成。
在本实施例中，通过铁氧体镀形成上部和下部绝缘氧化物磁层52和53。铁氧体镀的方法是一种通过使用氧化性溶液以及含有金属元素的反应溶液形成绝缘氧化物磁性材料层的方法，其中该氧化性溶液是上部和下部绝缘氧化物磁层52和53的原材料。例如，在氧化性溶液和反应溶液形成液滴之后，将该液滴喷涂在衬底上，从而形成氧化物磁层。采用该铁氧体镀的方法，可在大约100℃或更低的低温下形成绝缘氧化物磁层。由此，当形成绝缘氧化物磁层52和53时，衬底51或导电线圈58基本上不会遭受热损坏，并且增加了可用于制造衬底51的材料种类。此外，采用铁氧体镀，由于很容易地控制绝缘氧化物磁层52和53的厚度，因此可形成具有均匀厚度的绝缘氧化物磁层52和53。
根据以上所述的方法，导电线圈58的线之间将不再形成非磁性绝缘层。取而代之地，形成绝缘氧化物磁层52和53以使得整个导电线圈54嵌入其中。绝缘氧化物磁层52和53具有较高的阻抗和磁导率。因此，导电线圈58的线彼此充分绝缘。从而可防止内部导电体之间的漏电，同时抑制涡电流。结果，根据本发明的平面磁感应器的感应系数L和品质因数Q均获得了提高，同时实现了良好的高频特性。此外，由于没有分别形成非磁层，因此在形成非磁层过程中由于高温而产生的问题(例如，磁层性能的下降；由于在冷却时热膨胀系数的差异而产生的薄膜之间的粘接力的削弱；以及分层等问题)被消除了，从而增强了感应器元件的可靠性。此外，由于不形成较厚的绝缘层22(参见图1)，因此可以减小感应器元件的尺寸。
图10至14是示出了根据本发明的另一个实施例的平面磁感应器的制造方法的剖面图。
首先，参照图10，通过铁氧体镀在衬底101上形成下部绝缘氧化物磁层102。随后，通过无电镀在下部绝缘氧化物磁层102上形成镀晶种层106。下部绝缘氧化物磁层102由与上述的绝缘氧化物磁层52和53相同的材料形成。
然后，如图11所示，在镀晶种层106上形成线圈形状的光刻胶层模具130。通过光刻胶层模具130被曝光的镀晶种层106的部分构成一区域，在该区域上通过随后的工序形成导电线圈。在将光刻胶层沉积在镀晶种层106上之后，可通过线圈形状的光掩模通过将镀晶种层106曝光并显影形成光刻胶层模具130。
然后，如图12所示，在通过光刻胶层模具130曝光的镀晶种层106的部分上通过采用光刻胶层模具130进行电镀而形成铜镀层。结果，在其上形成铜镀层的导电线圈108。此时，通过采用含有例如硫酸铜(CuSO4)的电镀液进行电镀形成厚度大约为50μm的导电线圈108。
然后，参照图13，采用剥离器将光刻胶层模具130移除，并且通过蚀刻溶液将模具130下方的镀晶种层106的部分(没有镀铜的晶种层160的部分)移除。结果，形成具有与导电线圈108相同的线圈图样的镀晶种层图样106a。
然后，如图14所示，通过上述形成的导电线圈108上通过铁氧体镀形成上部绝缘氧化物磁层103。这样，导电线圈108完全嵌入到上部绝缘氧化物磁层103中。为了增强导电线圈108和上部绝缘氧化物磁层103之间的粘接力，在形成上部绝缘氧化物磁层103之前，通过软蚀刻增加导电线圈108的表面粗糙度。最后，在上部绝缘氧化物磁层103上形成聚酰亚胺的覆盖层110以防止上部和下部绝缘氧化物磁层102和103损坏，从而完成平面磁感应器。
在上述的实施例中，通过电镀形成导电线圈58和108。然而，应该指出本发明并不局限于该方法，根据本发明的导电线圈可以通过其它方法形成。例如，根据本发明的导电线圈可通过覆盖金属薄膜、丝网印刷、或喷墨印刷等方法来形成。
图15和16是示出了根据本发明的再一个实施例的平面磁感应器的制造方法的剖面图。在本实施例中没有采用镀晶种层。
首先，参照图15，在衬底201上形成的下部绝缘氧化物磁层202上形成有铜的导电线圈208。例如通过将铜薄膜压缩并覆盖到下部绝缘氧化物磁层上，并随后选择性地蚀刻铜薄膜来形成导电线圈208。可通过众所周知的光刻法来进行选择性地蚀刻。即，在形成光刻胶层(未示出)之后，其中该光刻胶层具有位于连接到衬底201的铜薄膜上的线圈图样，采用蚀刻溶液(例如FeCl3)通过作为蚀刻掩模的光刻胶层蚀刻该铜薄膜。结果，如图15所示，获得了由铜形成的导电线圈208。
可选择地，可通过丝网印刷形成导电线圈208。即，在下部绝缘氧化物磁层202上形成具有与导电线圈的线圈图样相对图样的网屏之后，通过作为印刷掩模的网屏将导电胶印刷在下部绝缘氧化物磁层202上，并随后进行干燥，从而形成导电图样208。同样地，由于通过覆盖金属薄膜或丝网印刷而形成导电线圈208，因此不再需要镀晶种层的分离。
可选择地，可通过喷墨印刷形成导电线圈208。即，通过喷墨印刷法将浆状的导电胶印刷在下部绝缘氧化物磁层202上之后，不需要网屏，导电图样208即可直接在衬底上形成。
接下来，如图16所示，在上述形成的导电线圈208上形成上部绝缘氧化物磁层203，以将导电线圈208完全嵌入到上部绝缘氧化物磁层203中。最后，在上部绝缘氧化物磁层203上形成聚酰亚胺的覆盖层210，以完成平面磁感应器。
以下将参照示例对根据本发明的平面磁感应器的特性进行描述。
示例
(本发明的示例)
在本发明的示例中，通过无电镀形成镍的镀晶种层，并随后进行电镀，从而形成导电铜线圈(参见图4至9)。首先，通过旋转喷涂式的铁氧体镀法在聚酰亚胺衬底上形成大约10μm厚的Ni-Zn铁氧体层。该Ni-Zn铁氧体层形成下部绝缘氧化物磁层52。随后，通过无电镀在Ni-Zn铁氧体层上形成包含镍的镀晶种层图样56，并且通过电镀在镀晶种层图样56上形成大约50μm厚的铜镀层。铜镀层形成导电线圈图样58。随后，在线圈图样58上形成大约60μm厚的包括Ni-Zn铁氧体层的上部绝缘氧化物磁层53，以将导电线圈图样58完全嵌入到其中。通过在磁层53上堆积大约35μm厚的聚酰亚胺层形成覆盖层60，这样即完成平面磁感应器。该平面磁感应器的尺寸为5.0mm×5.0mm。
(比较例)
制造普通的平面磁感应器作为比较例(参见图2a至2d)，并且将其特性与发明示例的平面磁感应器的特性进行比较。首先，在FR4绝缘衬底11上形成具有FeTaN/Ti双膜结构的下部软磁层12。并且在其上形成1μm厚的包含SiO2的下部绝缘层14。在下部绝缘层14上形成包含镍的镀晶种层12，然后通过光刻胶层模具和电镀法在其上形成50μm厚的导电铜线圈18。在导电线圈18上形成包含SiO2的上部绝缘层22以使导电线圈18完全嵌入到其中。随后，在其上形成包含与下部软磁层12相同材料的上部软磁层24，从而完成普通平面磁感应器。该普通平面磁感应器的尺寸为5.3mm×6.3mm。
为了比较发明的示例和比较例中的感应器的特性，测量其感应系数和品质因数。在工作频率为1MHz下测量品质因数。测量结果如下表。
表1
| 特性 | 本发明示例 | 比较例 |
| 感应系数μH品质因数尺寸(mm×mm) | 1.855305.0×5.0 | 0.9903.55.3×6.5 |
如表1中所示，本发明示例的平面磁感应器与比较例相比具有更高的感应系数和品质因数。因此，本发明示例的平面磁感应器可作为用于电源的感应器，并且在RF应用中可表现出极好的高频特性。
从上述可明显地看出，不同于具有在导线线圈的线之间形成的非磁性绝缘层的普通平面磁感应器，本发明的绝缘氧化物磁层形成为使得导电线圈被完全嵌入到其中，从而实现了极好的高频特性并具有极高的感应系数。此外，由于根据本发明的平面磁感应器没有形成非磁层，因此可以防止非磁性绝缘层形成过程中产生的热量而导致的磁性降低、残余应力的产生、以及薄膜之间粘接强度减弱等问题。从而，降低了感应器的次品率，同时增加了感应器元件的可靠性。
此外，由于省去了非磁性绝缘层的形成，因此降低了工艺过程的总数，降低了制造成本和时间，并且降低了平面感应器的厚度。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (17)
1.一种平面磁感应器，包括：
绝缘氧化物磁层，形成于衬底上；
导电线圈，与所述绝缘氧化物磁层的下表面分离，同时又被完全地嵌入到所述绝缘氧化物磁层中；以及
覆盖层，形成于所述绝缘氧化物磁层上用于保护所述绝缘氧化物磁层。
2.根据权利要求1所述的感应器，其中，所述绝缘氧化物磁层包括：所述衬底上形成的下部绝缘氧化物磁层；以及所述下部绝缘氧化物磁层上形成的上部绝缘氧化物磁层，由此，所述导电线圈形成于所述下部绝缘氧化物磁层上，同时又完全被嵌入到所述上部绝缘氧化物磁层中。
3.根据权利要求1所述的感应器，其中，所述绝缘氧化物磁层包含氧化物磁性材料，所述氧化物磁性材料包含至少两种选自Fe、Ni、Zn、Mn、Mg、Co、Ba、和Sr组成的组中的元素。
4.根据权利要求3所述的感应器，其中，所述绝缘氧化物磁层由Ni-Zn铁氧体形成。
5.根据权利要求1所述的感应器，其中，所述绝缘氧化物磁层通过铁氧体镀形成。
6.根据权利要求1所述的感应器，其中，所述覆盖层包含选自聚合材料、陶瓷材料、玻璃、硅树脂、或其混合物中的材料。
7.根据权利要求6所述的感应器，其中，所述覆盖层包含聚酰亚胺。
8.根据权利要求1所述的感应器，其中，所述导电线圈是由铜形成的螺旋形线圈。
9.根据权利要求1所述的感应器，其中，通过电镀形成所述导电线圈，并且所述平面磁感应器还包括镀晶种层图样，所述镀晶种层图样具有与所述导电线圈相同的图样，并且形成于所述导电线圈的下面。
10.一种平面磁感应器的制造方法，包括：
在衬底上形成下部绝缘氧化物磁层；
在所述下部绝缘氧化物磁层上形成导电线圈；
在所述导电线圈上直接形成上部绝缘氧化物磁层，以使所述导电线圈完全地被嵌入到所述上部绝缘氧化物磁层中；以及
在所述上部绝缘氧化物磁层上形成覆盖层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述上部和下部绝缘氧化物磁层包含氧化物磁性材料，所述氧化物磁性材料包含至少两种选自Fe、Ni、Zn、Mn、Mg、Co、Ba、和Sr组成的组中的元素。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，通过电镀形成所述导电线圈。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述导电线圈的形成包括：
在所述下部绝缘氧化物磁层上形成线圈形状的光刻胶层图样；
通过采用所述光刻胶图样形成线圈形状的镀晶种层；以及
通过电镀在所述镀晶种层图样上形成所述导电线圈。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述导电线圈的形成包括：
在所述下部绝缘氧化物磁层上形成所述镀晶种层；
在所述镀晶种层上形成具有线圈形状图样的光刻胶层模具；
通过采用作为掩模的光刻胶层模具进行电镀形成所述导电线圈；以及
移除所述光刻胶层模具和在所述光刻胶层模具下面的所述镀晶种层的部分。
15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述导电线圈的形成包括：
通过压力将金属薄膜覆盖到所述下部绝缘氧化物磁层上；以及
在所述金属薄膜上进行选择性的化学蚀刻以形成线圈图样。
16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述导电线圈的形成包括：
在所述下部绝缘氧化物磁层上形成用于线圈图样的网屏；以及
通过采用所述作为印刷掩模的网屏，在所述下部绝缘氧化物磁层上印刷导电胶。
17.根据权利要求10所述的方法，其中，所述导电线圈的形成包括：
通过喷墨印刷将浆状的导电胶印刷在所述下部绝缘氧化物磁层上。
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| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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