JP2001185419A - 薄膜コイル素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コイル抵抗の低減を図ることができる新規な
薄膜コイル構造を有する薄膜コイル素子を提供する。 【解決手段】 面内にスパイラル状に形成された第１の
薄膜コイル１と、第１の薄膜コイル１と同一面内におい
て第１の薄膜コイル１に沿い隣接してスパイラル状に形
成される第２の薄膜コイル２と、第１の薄膜コイル１と
第２の薄膜コイル２の間に設けられた絶縁層３とを備え
ることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気デバイス及び
インダクタなどに用いることができる薄膜コイル素子及
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】コイル電流により誘導される磁界発生を
目的とする磁気デバイスやインダクタなどに用いられる
コイルとしては、表面に絶縁被覆が施された銅線を同心
円状に巻き付けた構造の巻線コイルが一般的に知られて
いる。このような巻線コイルでは、小型化を図るため微
細化するのに限界があった。微細化するのに適したコイ
ルとしては、基板上にスパイラル状の薄膜を形成した薄
膜コイルが従来から知られている。薄膜コイルは、巻線
コイルと比較して、体積が小さく、かつ高い精度でコイ
ルを形成できるという特徴を有している。

【０００３】薄膜コイルは、一般に、フォトリソプロセ
スを用いてレジスト感光材を所定のパターン形状に露光
してレジストフレームを形成し、このフレームの中に銅
などの良導体をめっきによりスパイラル状に形成するこ
とにより製造されている。レジストフレームを除去した
後、コイル間の絶縁性と強度を確保するため、コイル間
に有機材料などから構成される絶縁層が埋め込まれる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】以上のようにして形成
される薄膜コイルは、巻線コイルと比べて、コイルの断
面積を大きくすることが容易でないため、コイルの断面
積を大きくしてコイル抵抗を低減させることが困難であ
るという問題があった。特に、ターン数を増加させる
と、抵抗が著しく増大するため、ターン数を増やしかつ
抵抗を低減させたコイルにすることができないという問
題があった。

【０００５】本発明の目的は、このような従来の問題を
解消し得る新規な薄膜コイル構造を有する薄膜コイル素
子及びその製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜コイル素子
は、面内にスパイラル状に形成された第１の薄膜コイル
と、該第１の薄膜コイルと同一面内において該第１の薄
膜コイルに沿い隣接してスパイラル状に形成された第２
の薄膜コイルと、第１の薄膜コイルと第２の薄膜コイル
の間に設けられた絶縁層とを備えることを特徴としてい
る。

【０００７】本発明によれば、従来絶縁材料により埋め
込まれていた部分に、絶縁層を介して第２の薄膜コイル
が設けられる。従って、第１の薄膜コイル、第２の薄膜
コイル、及び絶縁層から形成される２重スパイラルコイ
ルの構造となる。

【０００８】本発明に従う限定的な局面においては、第
１の薄膜コイルと第２の薄膜コイルとが電気的に並列に
接続される。第１の薄膜コイルと第２の薄膜コイルとを
電気的に並列に接続することにより、第１の薄膜コイル
のみの場合に比べ、単位平面面積内に占めるコイル導体
の断面積を増加させることができるので、大幅な低抵抗
化を達成することができ、コイルの消費電力を抑制する
とともに、コイルへの印加電流量を増加させることがで
きる。特に、高周波磁界を誘導して発生させる場合、コ
イル全体の抵抗を低減することにより、コイル導体内部
における渦電流の発生を抑制することができ、効率良く
高周波磁界を発生させることができる。

【０００９】このような電気的接続は、例えば、コイル
の両端の電極部への接合部において行うことができる。
また、本発明に従う薄膜コイル素子においては、第１の
薄膜コイル、第２の薄膜コイル、及び絶縁層から形成さ
れる２重スパイラルコイルの表面をほぼ平坦に形成する
ことができる。

【００１０】本発明に従うさらに限定された他の局面に
おいては、第１の薄膜コイル、第２の薄膜コイル、及び
絶縁層から形成される２重スパイラルコイルを、中間絶
縁層を介して、膜厚方向に積層させることができる。

【００１１】上記のようにして積層された２重スパイラ
ルコイルは、互いに電気的に並列に接続させることがで
きる。電気的に並列に接続させた場合、さらに全体とし
てのコイル断面積を増加させることができ、コイルの低
抵抗化をさらに図ることができる。

【００１２】また、上記の積層された２重スパイラルコ
イルは、互いに電気的に直列に接続させてもよい。電気
的に直列に接続させることにより、コイルのターン数を
増加させることができる。

【００１３】２重スパイラルコイルを膜厚方向に積層さ
せる際、下層に位置する２重スパイラルコイルの表面を
ほぼ平坦に形成することにより、その上に形成するレジ
スト膜の厚みを均一にすることができ、フォトリソグラ
フィーにおける精度を高めることができる。

【００１４】本発明の製造方法は、上記本発明の薄膜コ
イルを製造することができる方法であり、外側導体路部
分と内側導体路部分との間が所定の間隔に保たれている
ように基板上に第１の導体路をスパイラル状に形成して
第１の薄膜コイルを作製する工程と、第１の薄膜コイル
の第１の導体路の少なくとも側壁部分上に絶縁層を形成
する工程と、第１の薄膜コイルの第１の導体路の外側導
体路部分と内側導体路部分の間に上記絶縁層を介して第
２の導体路を形成することにより、第１の薄膜コイルに
沿うスパイラル状の第２の薄膜コイルを作製する工程と
を備えることを特徴としている。

【００１５】本発明の製造方法における限定された局面
においては、さらに、第１の薄膜コイルと第２の薄膜コ
イルを電気的に並列に接続する工程をさらに備えてい
る。本発明の製造方法に従うさらに限定された他の局面
においては、上記第２の薄膜コイルの作製工程が、外側
導体路部分と内側導体路部分の間に導電性シード層を形
成する工程と、導電性シード層を電極として第２の導体
路をめっきにより形成する工程とを備えている。

【００１６】なお、上記本発明の薄膜コイルは、上記本
発明の製造方法により製造されるものに限定されるもの
ではない。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１及び図２は、本発明に従う一
実施例の薄膜コイル素子を示す断面図及び平面図であ
る。基板４の上には、めっきのための導電性シード層５
が設けられている。導電性シード層５の上には、スパイ
ラル状に形成された第１の薄膜コイル１が設けられてい
る。

【００１８】図１及び図２に示すように、第１の薄膜コ
イル１と同一面内に、第１の薄膜コイル１に沿い隣接し
てスパイラル状に形成された第２の薄膜コイル２が設け
られている。第１の薄膜コイル１と第２の薄膜コイル２
の間には、これらのコイル間を電気的に絶縁するための
絶縁層３が設けられている。

【００１９】図２に示すように、第１の薄膜コイル１と
第２の薄膜コイル２は、それらの外側端部における接合
部８並びにそれらの内側端部における接合部１０におい
て、電気的に並列に接続されている。接合部８の周辺領
域は電極部７として用いられ、接合部１０の周辺領域は
電極部９として用いられる。

【００２０】第１の薄膜コイル１及び第２の薄膜コイル
２は、上述のように、それらの両端において電気的に並
列に接続されているので、第１の薄膜コイル１のみが設
けられている従来の薄膜コイル構造と比較して、単位面
積内に占める導体部分の断面積を増加させることができ
る。このため、薄膜コイル全体の低抵抗化を図ることが
できる。従って、コイルの消費電力を抑制することがで
きるとともに、コイルへの印加電流量を増加させること
ができる。特に、磁界変調方式の光磁気記録用薄膜磁気
ヘッドのコイルなどのように、高周波磁界を発生させる
ための薄膜コイルとして用いると、薄膜コイルを低抵抗
化することができるので、コイル導体内部における渦電
流の発生を抑制して渦電流損失を低減することができ、
効率良く高周波磁界を発生することができる。

【００２１】図３〜図５は、図１及び図２に示す実施例
の薄膜コイルを製造するための工程の一例を示す断面図
である。図３（ａ）に示すように、基板４の上に、めっ
き用の導電性シード層５を形成する。基板４としては、
非導電性基板が好ましく用いられ、例えば、チタン酸カ
ルシウム、アルミナ、シリコンなどの基板を用いること
ができる。導電性シード層５としては、銅、金などの金
属層または合金層を形成することが好ましく、例えば、
スパッタリング法により形成することができる。

【００２２】導電性シード層５の上に、レジスト層１１
を形成する。次に、スパイラル状（コイル形状）に加工
した露光マスク１２をレジスト層１１の上に配置し、露
光する。

【００２３】図３（ｂ）に示すように、露光後現像処理
を行い、レジストフレーム１１を形成する。レジストフ
レーム１１はスパイラル状（コイル形状）に形成されて
おり、図３（ｂ）に示すように、本実施例ではその断面
が逆台形状に形成されている。

【００２４】図３（ｃ）に示すように、次に、電気めっ
き法により、レジストフレーム１１の間の導電性シード
層５が露出している部分の上に、銅などからなる導体層
１を形成する。この導体層１が、第１の薄膜コイル１と
なる。次にレジストフレーム１１を除去し、図３（ｄ）
に示すように、導電性シード層５の上に第１の薄膜コイ
ル１のみが残された状態にする。

【００２５】図４（ｅ）に示すように、次に、第１の薄
膜コイル１の外側端部１ａの上にレジスト層１３ａを形
成し、内側端部１ｂの上にレジスト層１３ｂを形成す
る。これらのレジスト層１３ａ及び１３ｂは、第１の薄
膜コイル１の表面部分を露出させて電極部を形成するた
めに設ける。

【００２６】図４（ｆ）に示すように、次に、第１の薄
膜コイル１及び露出している導電性シード層５並びにレ
ジスト層１３ａ及び１３ｂの上に、絶縁層３を形成す
る。絶縁層３は、例えば、アルミナまたはＳｉＯ₂ など
から形成することができる。その厚みは、例えば５００
ｎｍとすることができる。絶縁層３は、例えばスパッタ
リング法により形成することができる。この場合、第１
の薄膜コイル１の側壁部の上にも均一に形成されるよう
に、スパッタリング装置内で基板を自転させながら公転
させることが好ましい。

【００２７】次に、レジスト層１３ａ及び１３ｂを除去
し、コイルの両端部１ａ及び１ｂにおいて、第１の薄膜
コイル１の表面を露出させ、それぞれ電極部７及び電極
部９を形成する。

【００２８】図４（ｈ）に示すように、次に、第１の薄
膜コイル１の間の底部及び第１の薄膜コイル１の上方面
の上の絶縁層３の上に、めっきのための導電性シード層
６を形成する。導電性シード層６は、例えば銅、金など
の金属層または合金層などから形成することができる。

【００２９】図５（ｉ）に示すように、次に、斜め入射
角を有するイオンビームを照射することにより、第１の
薄膜コイル１の上方の導電性シード層６のみを除去す
る。イオンビームの入射角としては、例えば８０度とす
ることができる。

【００３０】図５（ｊ）に示すように、次に、第１の薄
膜コイル１の間の導電性シード層６を電極として、電気
めっき法により、銅などからなる第２の薄膜コイル２を
形成する。図５（ｊ）示すように、第２の薄膜コイル２
は、第１の薄膜コイルの外側導体路部分１ａと、内側導
体路部分１ｂの間に、絶縁層３を介して形成される。な
お、本願明細書において、外側導体路部分とは、スパイ
ラル状の導体路の近接する一対の導体路部分において相
対的に外側に位置する導体路部分を意味し、内側導体路
部分とは相対的に内側に位置する導体路部分を意味す
る。従って、図５（ｊ）において、導体路部分１ａ及び
１ｂの間の関係では、導体路部分１ａが外側導体路部分
であり、導体路部分１ｂが内側導体路部分である。ま
た、導体路部分１ｂ及び１ｃにおいては、導体路部分１
ｂが外側導体路部分であり、導体路部分１ｃが内側導体
路部分となる。

【００３１】なお、第１の薄膜コイル１と第２の薄膜コ
イル２は、図２に示すように、その両端の接合部８及び
１０において電気的に接続されている。従って、第１の
薄膜コイル１と第２の薄膜コイル２は電気的に並列に接
続されている。このような電気的な接続は、接合部８及
び接合部１０において、絶縁層３を形成しないことによ
り行うことができる。具体的には、例えば、図４（ｅ）
及び（ｆ）に示すレジスト層１３ａ及び１３ｂを、この
ような接合部８及び１０の側壁部分を覆うように形成し
ておき、絶縁層３を形成した後、レジスト層１３ａ及び
１３ｂを除去することにより、接合部８及び１０におい
て絶縁層３を形成しないようにすることができる。

【００３２】次に、電極７及び９に、それぞれアルミ配
線または銅配線などからなる電流リードを接続し、さら
に第１の薄膜コイル１及び第２の薄膜コイル２の上をコ
イルの保護及び絶縁のため絶縁層で被覆し、薄膜コイル
素子とすることができる。

【００３３】図６及び図７は、本発明に従う他の実施例
の薄膜コイル素子を示す平面図及び模式的断面図であ
る。本実施例の薄膜コイル素子は、磁界変調方式の光磁
気記録用薄膜磁気ヘッドの薄膜コイル素子である。

【００３４】図６及び図７を参照して、チタン酸カルシ
ウムからなる基板４の上には、ＮｉＦｅからなる下部磁
性膜２３（厚さ３μｍ）が形成されている。下部磁性膜
２３は、１．５ｍｍ×１．３ｍｍの矩形状となるように
形成されている。下部磁性膜２３の上には、絶縁層１９
が形成されている。絶縁層１９は、レジスト材料（商品
名「ＴＨＢ−５４２Ｐ」、日本合成ゴム社製）をアニー
ル処理することにより形成されている。

【００３５】絶縁層１９の上には、第１薄膜コイル１、
第２薄膜コイル２、及び絶縁層３からなる２重スパイラ
ルコイル２０が形成されている。なお、第１の薄膜コイ
ル１、第２の薄膜コイル２、及び絶縁層３は、図３〜図
５に示す製造工程と同様の方法により形成することがで
きる。銅からなる第１の薄膜コイル１及び第２の薄膜コ
イル２の膜厚はそれぞれ２０μｍ及び１９．５μｍと
し、コイルの線幅（厚み方向における中央部の幅）はそ
れぞれ２０μｍとした。アルミナからなる絶縁層３の膜
厚は５００ｎｍとした。また、第１薄膜コイル１及び第
２薄膜コイル２のターン数は、それぞれ１２ターンであ
る。なお、図７においては、第１の薄膜コイル１をめっ
きにより形成するための導電性シード層、及び第２の薄
膜コイル２をめっきにより形成するための導電性シード
層を図示省略している。第１の薄膜コイル１を形成する
ための銅からなる導電性シード層（厚さ２００ｎｍ）
は、絶縁層１９の上に形成される。また、第２の薄膜コ
イル２を形成するための銅からなる導電性シード層（厚
さ２００ｎｍ）は、第１の薄膜コイル１の間の底部の絶
縁層３の上に形成される。

【００３６】２重スパイラルコイル２０の上には、コイ
ルを保護し絶縁するための絶縁層１８が設けられてい
る。絶縁層１８は、絶縁層１９と同様にレジスト材料を
アニール処理することにより形成されている。

【００３７】図６及び図７に示すように、２重スパイラ
ルコイル２０の中心部には、主磁極１４が設けられてい
る。また、２重スパイラルコイル２０の周囲には、図６
に示すように四方に補助磁極１５ａ〜１５ｄが設けられ
ている。これらの磁極は、いずれも２重スパイラルコイ
ル２０と電気的に絶縁されて設けられている。図７に示
すように、主磁極１４の内部には絶縁層２１が設けられ
ており、補助磁極１５ｂ及び１５ｄの内部には、それぞ
れ絶縁層２２ｂ及び２２ｄが設けられている。図６に示
す補助磁極１５ａ及び１５ｃの内部にも同様に絶縁層が
設けられている。これらの磁極内部の絶縁層は、各磁極
層の抵抗を高め、渦電流による損失を低減するために設
けられている。

【００３８】図６及び図７に示すように、２重スパイラ
ルコイル２０の内側端部の電極部９には電極リード１７
が取り付けられており、外側端部の電極部７には電極リ
ード１６が取り付けられている。

【００３９】以上のようにして得られる薄膜コイル素子
のコイルの両端部に、３Ｖの電圧を印加したところ、
２．５Ａの電流が流れた。この結果、コイルの抵抗は
１．２Ωであることが確認された。

【００４０】比較として、図６及び図７において第２の
薄膜コイル２として示す部分が絶縁材料から形成されて
いる従来の薄膜コイル素子について、同様にして、コイ
ルの両端部に３Ｖの電圧を印加したところ、１．２〜
１．３Ａの電流しか流れず、コイルの抵抗は約２．４Ω
であった。このことから、本発明に従う実施例の薄膜コ
イル素子は、コイルの低抵抗化を図ることができる素子
構造であることが確認された。

【００４１】図８は、本発明に従うさらに他の実施例の
薄膜コイル素子を示す断面図である。本実施例では、上
記の２重スパイラルコイルが、中間絶縁層を介して、膜
厚方向に積層されている。

【００４２】図８を参照して、基板３４の上には、導電
性シード層３５が設けられており、導電性シード層３５
の上には、第１の薄膜コイル３１、第２の薄膜コイル３
２、及び絶縁層３３からなる２重スパイラルコイル３７
が設けられている。この２重スパイラルコイル３７は、
上記と同様にして形成することができる。第２の薄膜コ
イル３２間の底部には第２の薄膜コイル３２をめっきに
より形成するための導電性シード層３６が設けられてい
る。

【００４３】２重スパイラルコイル３７の上には、中間
絶縁層４０が設けられている。中間絶縁層４０の上に
は、導電性シード層５５が設けられている。導電性シー
ド層５５の上には、第１の薄膜コイル５１、第２の薄膜
コイル５２、及び絶縁層５３からなる２重スパイラルコ
イル５７が設けられている。２重スパイラルコイル５７
も、上記と同様にして形成することができる。第２の薄
膜コイル５２間の底部には、第２の薄膜コイル５２をめ
っきにより形成するための導電性シード層５６が設けら
れている。

【００４４】２重スパイラルコイル３７の中心の電極部
３９と、２重スパイラルコイル５７の中心の電極部５９
は、中間絶縁層４０を貫通して設けらるコンタクトホー
ル４１により電気的に接続されている。

【００４５】図９は、図８に示す２重スパイラルコイル
３７及び５７が、互いに電気的に直列に接続される場合
の素子構造を示す平面図である。図９に示すように、下
方の２重スパイラルコイル３７の中心には電極部３９が
設けられており、外側のコイル端部には電極部３８が設
けられている。上方の２重スパイラルコイル５７の中心
には電極部５９が設けられており、コイル端部には電極
部５８が設けられている。上述のように、下方の２重ス
パイラルコイル３７の電極部３９は、中間絶縁層４０を
通り、上方の２重スパイラルコイル５７の電極部５９に
電気的に接続されている。また、上方の２重スパイラル
コイル５７は、下方の２重スパイラルコイル３７と逆方
向のスパイラル形状を有している。

【００４６】下方の２重スパイラルコイル３７の電極部
３８から入った電流は、第１の薄膜コイル３１及び第２
の薄膜コイル３２を通り、中心の電極部３９から、中間
絶縁層４０を貫通して、上方の２重スパイラルコイル５
７の電極部５９に入り、第１の薄膜コイル５１及び第２
の薄膜コイル５２内を流れ、電極部５８から出力され
る。

【００４７】図９に示すような２重スパイラルコイルの
直列接続構造とすることにより、薄膜コイル素子の平面
の面積を増加させることなく、コイルのターン数を増加
させることができる。

【００４８】図１０は、図８に示す２重スパイラルコイ
ル３７及び５７を電気的に並列に接続した薄膜コイル素
子を示す平面図である。本実施例では、上方の２重スパ
イラルコイル５７が、下方の２重スパイラルコイル３７
と同じ方向のスパイラル形状を有している。下方の２重
スパイラルコイル３７の外側端部の電極部３８と、上方
の２重スパイラルコイル５７の外側端部の電極部６０
は、中間絶縁層４０を貫通して電気的に接続されてい
る。また、下方の２重スパイラルコイル３７の中心の電
極部３９と、上方の２重スパイラルコイル５７の中心の
電極部５９は、中間絶縁層４０を貫通して電気的に接続
されている。従って、第１の薄膜コイル３１、第２の薄
膜コイル３２、第１の薄膜コイル５１、及び第２の薄膜
コイル５２が全て電気的に並列に接続されている。

【００４９】図１０に示すように下方の２重スパイラル
コイル３７と上方の２重スパイラルコイル５７を電気的
に並列に接続することにより、単位平面面積あたりの導
体部の断面積をさらに増加させることができ、さらにコ
イル抵抗を低減させることができる。従って、コイルの
消費電力をさらに抑制することができるとともに、コイ
ルへの印加電流量をさらに増加させることができる。

【００５０】

【発明の効果】本発明は、新規な薄膜コイル構造を提供
するものであり、光磁気記録用の磁気ヘッドや、ハード
ディスク用薄膜磁気ヘッド（磁気抵抗効果型ヘッドを含
む）、並びに薄膜インダクタに用いるコイル等に適用す
ることができるものであり、コイル抵抗の低減、コイル
ターン数の増加、並びに小型化、低背化などを図ること
ができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の従う一実施例の薄膜コイル素子を示す
断面図。

【図２】本発明の従う一実施例の薄膜コイル素子を示す
平面図。

【図３】図１及び図２に示す実施例の薄膜コイル素子を
製造する工程を示す断面図。

【図４】図１及び図２に示す実施例の薄膜コイル素子を
製造する工程を示す断面図。

【図５】図１及び図２に示す実施例の薄膜コイル素子を
製造する工程を示す断面図。

【図６】本発明に従う他の実施例の薄膜コイル素子を示
す平面図。

【図７】本発明に従う他の実施例の薄膜コイル素子を示
す模式的断面図。

【図８】本発明に従うさらに他の実施例の薄膜コイル素
子を示す断面図。

【図９】図８に示す実施例において、２重スパイラルコ
イルを直列に接続した薄膜コイル素子を示す平面図。

【図１０】図８に示す実施例において、２重スパイラル
コイルを並列に接続した薄膜コイル素子を示す平面図。

【符号の説明】

１…第１の薄膜コイル ２…第２の薄膜コイル ３…絶縁層 ４…基板 ５，６…導電性シード層 ７，９…電極部 ８，１０…接合部 １４…主磁極 １５ａ〜１５ｄ…補助磁極 １６，１７…電極リード ３４…基板 ３５，３６，５５，５６…導電性シード層 ３１，５１…第１の薄膜コイル ３２，５２…第２の薄膜コイル ３３，５３…絶縁層 ３９，５９…電極部 ４０…中間絶縁層 ４１…コンタクトホール ５８，６０…電極部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉川 秀樹 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 吉岡 功一 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 石原 宏三 大阪府大東市三洋町１番１号 三洋電子部 品株式会社内 (72)発明者 堀元 重浩 大阪府大東市三洋町１番１号 三洋電子部 品株式会社内 (72)発明者 本郷 政紀 大阪府大東市三洋町１番１号 三洋電子部 品株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 BA36 DA04 DA07 5D075 AA03 CC04 CF03 5E070 AA01 AB03 AB10 CB12 CB13 CB20 CC10

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 面内にスパイラル状に形成された第１の
   薄膜コイルと、 前記第１の薄膜コイルと同一面内において前記第１の薄
   膜コイルに沿い隣接してスパイラル状に形成された第２
   の薄膜コイルと、 前記第１の薄膜コイルと前記第２の薄膜コイルの間に設
   けられた絶縁層とを備えることを特徴とする薄膜コイル
   素子。
2. 【請求項２】 前記第１の薄膜コイルと前記第２の薄膜
   コイルとが電気的に並列に接続されていることを特徴と
   する請求項１に記載の薄膜コイル素子。
3. 【請求項３】 前記電気的接続が、コイル両端の電極部
   への接合部でなされていることを特徴とする請求項２に
   記載の薄膜コイル素子。
4. 【請求項４】 前記第１の薄膜コイル、前記第２の薄膜
   コイル、及び前記絶縁層から形成される２重スパイラル
   コイルの表面がほぼ平坦に形成されていることを特徴と
   する請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜コイル素
   子。
5. 【請求項５】 前記第１の薄膜コイル、前記第２の薄膜
   コイル、及び前記絶縁層から形成される２重スパイラル
   コイルが、中間絶縁層を介して、膜厚方向に積層されて
   いることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記
   載の薄膜コイル素子。
6. 【請求項６】 前記積層された２重スパイラルコイル
   が、電気的に並列に接続されていることを特徴とする請
   求項５に記載の薄膜コイル素子。
7. 【請求項７】 前記積層された２重スパイラルコイル
   が、電気的に直列に接続されていることを特徴とする請
   求項５に記載の薄膜コイル素子。
8. 【請求項８】 外側導体路部分と内側導体路部分との間
   が所定の間隔に保たれるように基板上に第１の導体路を
   スパイラル状に形成して第１の薄膜コイルを作製する工
   程と、 前記第１の薄膜コイルの第１の導体路の少なくとも側壁
   部分上に絶縁層を形成する工程と、 前記第１の薄膜コイルの第１の導体路の外側導体路部分
   と内側導体路部分の間に前記絶縁層を介して第２の導体
   路を形成することにより、前記第１の薄膜コイルに沿う
   スパイラル状の第２の薄膜コイルを作製する工程とを備
   えることを特徴とする薄膜コイル素子の製造方法。
9. 【請求項９】 前記第１の薄膜コイルと前記第２の薄膜
   コイルを電気的に並列に接続する工程をさらに備えるこ
   とを特徴とする請求項８に記載の薄膜コイル素子の製造
   方法。
10. 【請求項１０】 前記第２の薄膜コイルの作製工程が、
    前記外側導体路部分と前記内側導体路部分の間に導電性
    シード層を形成する工程と、前記導電性シード層を電極
    として前記第２の導体路をめっきにより形成する工程と
    を備えることを特徴とする請求項８または９に記載の薄
    膜コイル素子の製造方法。