CN1771603A - 半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属－绝缘体－金属电容器 - Google Patents
半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属－绝缘体－金属电容器 Download PDFInfo
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Abstract
根据公开的实施例，一种复合金属－绝缘体－金属(MIM)电容器，包括下MIM电容器的下电极，所述下MIM电容器的所述下电极位于半导体芯片的下互连金属层中。所述复合MIM电容器还包括所述下MIM电容器的上电极，所述下MIM电容器的所述上电极位于下层间介质内，其中所述下层间介质分隔所述下互连金属层与上互连金属层。所述上MIM电容器的下电极位于所述上互连金属层中。所述上MIM电容器的上电极位于所述上层间介质内，所述上层间介质再位于所述上互连金属层上。所述下MIM电容器的所述上电极连接至所述上MIM电容器的所述下电极，而所述下MIM电容器的所述下电极连接至所述上MIM电容器的所述上电极。
Description
技术领域
本发明一般涉及半导体制造领域。更具体地说，本发明涉及半导体芯片中电容器的制造领域。
背景技术
高性能混合信号和RF电路需要高密度集成电容器。可考虑金属-绝缘体-金属(“MIM”)电容器，以用于在半导体芯片上的集成混合信号和RF电路的制造中。不利地是，常规MIM电容器具有低电容密度，并且由于RF和混合信号应用需要高电容值，因此常规MIM电容器所占用的芯片面积太大，导致对于制造者和使用者来说芯片成本的增加。
常规MIM电容器在施加电压下的电容值可用下面的等式1表示：
C(V)＝C0(1+aV+bV2) (等式1)其中C0为当电容器电极两端之间的电压为零时的电容器的电容值，V为电容器两电极之间的电压，a为线性系数，b为二次电压系数。如等式1所示，在施加电压下的电容值取决于其“电压系数”，即其线性和二次电压系数。大电压系数引起不希望的电容变化。在常规MIM电容器中，当减小介质厚度以增大电容密度时，MIM电容器的电压系数不利地增大。从而，当减小介质厚度时，常规MIM电容器的电压系数的不希望的增加，以及由MIM电容器板的大芯片面积的占用，是在将MIM电容器用于混合信号和RF应用中的显著缺点。
因此，存在用于混合信号和RF应用中的高密度MIM电容器的需要，其中，MIM电容器的电容值也较少地取决于施加到电容器电极上的电压。
发明内容
本发明目的在于在半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合MIM电容器。本发明提出并解决现有技术中用于混合信号和RF应用中的高密度MIM电容器的需要，其中，MIM电容器的电容值也较少地取决于施加到电容器电极上的电压。
根据本发明的一个实施例，一种复合MIM电容器，包括下MIM电容器的下电极，所述下MIM电容器的所述下电极位于半导体芯片的下互连金属层中。所述复合MIM电容器还包括所述下MIM电容器的上电极，所述下MIM电容器的所述上电极位于下层间介质内，其中所述下层间介质分隔所述下互连金属层与上互连金属层。所述上MIM电容器的下电极位于所述上互连金属层中。所述上MIM电容器的上电极位于所述上层间介质内，所述上层间介质再位于所述上互连金属层上。
所述下MIM电容器的所述上电极连接至所述上MIM电容器的所述下电极，而所述下MIM电容器的所述下电极连接至所述上MIM电容器的所述上电极；从而形成本发明的具有降低的电压相关性的高密度复合MIM电容器的实施例。对于现有技术中的普通技术人员来说，在阅览了以下详细的说明和结合附图后，本发明的其它特征和优点将变得更加显而易见。
附图说明
图1示出了根据本发明的一个实施例的代表性结构的截面图，该代表性结构包括代表性复合MIM电容器。
图2示出了根据本发明的一个实施例的图1的代表性复合MIM电容器的示意图。
图3示出了流程图，示出了为实现本发明的实施例所采取的步骤。
具体实施方式
本发明目的在于半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合MIM电容器。虽然关于具体实施例说明了本发明，但如在此所附的权利要求书所限定的，本发明的原理显然可应用于在此所述的本发明的具体说明的实施例以外。并且，在本发明的说明中，为了不使本发明的创造性方面难于理解，已略去特定细节。所略去的细节在现有技术中的普通技术人员的知识范围内。
本申请的附图及其结合的详细说明目的仅仅在于本发明的代表性实施例。为保持简洁，利用本发明原理的本发明的其它实施例没有在本申请中具体说明，也没有通过本附图具体示出。
图1示出了根据本发明的一个实施例的半导体芯片的部分截面图，该半导体芯片包括代表性复合MIM电容器，该复合MIM电容器具有与上MIM电容器并联连接的下MIM电容器。如图1所示，结构100包括为两个MIM电容器形成电极的金属板124、金属板120、金属板122，以及金属板130。在结构100中，金属板124和金属板120形成“下”MIM电容器的两个电极，而金属板122和金属板130形成“上”MIM电容器的两个电极。应注意，为了本申请的目的，“下”MIM电容器定义为较接近层间介质108(即较接近未示出的衬底表面)的MIM电容器，而“上”MIM电容器定义为距层间介质108较远(即距未示出的衬底表面较远)的MIM电容器。
图1也示出了，金属板124位于层间介质108上互连金属层107中，并且其(即金属板124)可包括铝、铜，或其它合适的金属。可通过现有技术公知的方式沉积并构图互连金属层形成金属板124。在一个实施例中，金属板124是“金属叠层(metal stack)”，包括在例如铝的中心部分上的例如氮化钛、氮化钽、钛和/或钽的叠层。此外，该叠层中的顶层可在氧、氮，或氢化学物中调整。例如，金属板124可具有在约0.3微米与约0.9微米之间的厚度。在本实施例中，互连金属层107可以是半导体芯片中的第二互连金属层。在其它实施例中，互连金属层107可以是半导体芯片中的第一、第三、第四，或更高的互连金属层。金属板124形成下MIM电容器的“下”电极。应注意，为了本申请的目的，“下”电极定义为较接近层间介质108(即较接近未示出的衬底表面)的电极。
图1还示出了，介质部分132位于金属板124上。为了增大MIM电容，介质部分132可包括氧化硅、氮化硅、五氧化钽、氧化铝、氧化铪、氧化锆、硅酸锆铝、硅酸铪、硅酸铪铝，或其它具有较高介电常数的介质。例如，介质部分132可具有在约200.0埃与约600.0埃之间的厚度，并且可以现有技术中公知的方式，通过沉积并构图高k介质材料层形成。
图1也示出了，金属板120位于介质部分132上，并且可包括例如氮化钛或氮化钽。例如，金属板120可具有在约1000.0埃与约3000.0埃之间的厚度。金属板120可以现有技术中公知的方式，通过沉积并构图氮化钛或氮化钽层形成。可利用例如物理气相沉积(“PVD”)或化学气相沉积(“CVD”)技术沉积氮化钛或氮化钽层。金属板120形成下MIM电容器的“上”电极。应注意，为了本申请的目的，“上”电极定义为距层间介质108较远(即距未示出的衬底表面较远)的电极。也应注意，与金属板124不同，金属板120并不在互连金属层中形成。换句话说，金属板120在通常没有金属板存在的层间介质110内形成。
如图1所示，层间介质110位于互连金属层107上。为降低寄生层间电容，层间介质110可包括具有低介电常数的介质，即“低k介质”，例如多孔氧化硅、氟化非晶质碳、含氟聚合物、聚对二甲苯(parylene)、聚亚芳香醚(Polyarylene ether)、硅倍半氧烷(silsesquioxane)、氟化二氧化硅，或类金刚石碳。可选地，层间介质110可包括现有技术中公知的氧化硅。可以现有技术中公知的方式，例如通过利用CVD方法制造形成层间介质110。层间介质110可具有在约0.5微米与约2.0微米之间的厚度。
图1还示出了，过孔114和118位于层间介质110中。具体地说，过孔114位于金属板120上，并与其接触，而过孔118位于金属板124上，并与其接触。可通过标准的过孔蚀刻方法蚀刻层间介质110形成过孔114和118，并且可用合适的导电材料，例如钨或铜填充过孔。
图1也示出了，金属板122和金属部分128分别位于过孔114和过孔118上互连金属层115中。在本实施例中，互连金属层115可以是半导体芯片中的第三互连金属层。在其它实施例中，互连金属层115可以是半导体芯片中的第二、第四、第五，或更高的互连金属层。金属板122和金属部分128可包括铝、铜，或其它合适的金属。金属板122和金属部分128可以现有技术中公知的方式，通过沉积并构图互连金属层制成。在一个实施例中，金属板122为“金属叠层”，包括，在例如铝的中心部分上的例如氮化钛、氮化钽、钛和/或钽的叠层。此外，该叠层中的顶层可在氧、氮，或氢化学物中调整。金属板122，即上MIM电容器的下电极通过过孔114电连接至金属板120，即下MIM电容器的上电极，而金属部分128通过过孔118电连接至金属板124，即下MIM电容器的下电极。除了作为下MIM电容器的下电极外，如将在下面详述的，金属板124也可用作复合MIM电容器的一个接线端。
图1还示出了，介质部分134位于金属板122上，并且其(即介质部分134)在成分、厚度，以及形成上可与介质部分132基本上类似。图1也示出了，金属板130位于介质部分134上，并且其(即金属板130)在成分、厚度，以及形成上可与金属板120基本上类似。金属板130形成上MIM电容器的上电极。有利地，在通常没有金属板存在的层间介质112内形成金属板130。
图1还示出了，层间介质112位于互连金属层115上，并且其(即层间介质112)在成分、厚度，以及形成上与层间介质110基本上类似。图1也示出了，过孔116和过孔119位于层间介质112中。具体地说，过孔116位于金属板130上，并与其接触，而过孔119位于金属部分128上，并与其接触。过孔116和119在成分和形成上与过孔114和118基本上类似。
图1还示出了，金属部分126位于过孔116和过孔119上互连金属层121中。在本实施例中，互连金属层121可以是半导体芯片中的第四互连金属层。在其它实施例中，互连金属层121可以是半导体芯片中的第三、第五、第六，或更高的互连金属层。金属部分126可包括铝、铜，或其它合适的金属，并可以现有技术中公知的方式，通过沉积并构图互连金属层形成。金属部分126通过过孔116电连接至金属板130，即上MIM电容器的上电极，并且通过过孔119电连接至金属部分128，即复合MIM电容器的一个接线端。从而，金属板130，即上MIM电容器的上电极，通过过孔116、金属部分126、过孔119、金属部分128，以及过孔118电连接至金属板124，即下MIM电容器的下电极。在其它实施例中，可在互连金属层121上形成一个或多个MIM电容器，并适当地连接至在互连金属层121下形成的MIM电容器。
如上所述，下MIM电容器的下电极，即金属板124，电连接至上MIM电容器的上电极，即金属板130，并且下MIM电容器的上电极，即金属板120，电连接至上MIM电容器的下电极，即金属板122。从而，下MIM电容器与上MIM电容器并联连接，以形成复合MIM电容器，其中电连接至金属板120的金属板122可用作复合MIM电容器的第一接线端。同样地，电连接至金属板124和130的金属部分128可用作复合MIM电容器的第二接线端。可选地，金属板124本身或电连接至金属板124和130的金属部分126可用作复合MIM电容器的第二接线端。
从而，通过由上和下MIM电容器的并联结合形成复合MIM电容器，并通过将上和下MIM电容器构造为垂直于芯片表面，本发明实现了复合MIM电容器，该复合MIM电容器具有通过利用互连金属层之间充分可用的空间有利地增大的电容值。
因此，如上所述，本发明有利地实现了复合MIM电容器，该复合MIM电容器具有比仅利用芯片的横向空间的MIM电容器显著增大的密度。本发明还有利地实现了复合MIM电容器，如下面将具体说明的，该复合MIM电容器具有降低的电压相关性的电容值。
图2示出了与图1的结构100中的代表性复合MIM电容器相对应的示意图。如图2所示，图200包括并联配置的MIM电容器236和MIM电容器238。MIM电容器236包括分别与图1的结构100的金属板120和金属板124类似的上电极220和下电极224。MIM电容器238包括分别与图1的结构100的金属板130和金属板122类似的上电极230和下电极222。
MIM电容器236的上电极220在节点234处电连接至MIM电容器238的下电极222，以形成复合MIM电容器的第一接线端。同样地，MIM电容器236的下电极224在节点232处电连接至MIM电容器238的上电极230，以形成复合MIM电容器的第二接线端。如果，例如，对MIM电容器236的上电极220施加电压“Va”，也对MIM电容器238的下电极222施加电压“Va”。同样地，如果对MIM电容器236的下电极224施加电压“Vb”，也对MIM电容器238的上电极230施加电压“Vb”。其结果是，在上例中，MIM电容器236两端之间的电压为“(Va-Vb)”，而MIM电容器238两端之间的电压为“(Vb-Va)”。因此，MIM电容器236和238两端之间的电压大小相等，但极性相反。
如上所述，MIM电容器，例如图2中的MIM电容器236的电容值可由以下等式确定：
C(V)＝C0(1+aV+bV2) 等式(1)其中“C0”为当电容器电极两端之间的电压为零时的电容器的电容值，“V”为对电容器电极两端之间施加的电压，“a”为线性系数，“b”为二次系数，“C(V)”为当对电容器电极两端之间施加电压“V”时电容器的电容值。
通过如上所述并联配置连接两个电容器，例如图2中的MIM电容器236和238，各电容器两端之间的电压大小相等而极性相反。从而，在电压“V”下，两个电容器，例如MIM电容器236及238的总电容可由以下等式确定：
CT(V)＝C1(1+aV+bV2)+C2(1-aV+bV2) 等式(2)
为简化以上等式的意义，通过假定选择用以制造C1和C2的材料及该材料的厚度，以使C1和C2具有基本上相等的电容值，可对其(即等式(2))加以简化。在这种情况下，可简化等式(2)形成以下等式：
CT(V)＝2C0(1+bV2) 等式(3)
从而，通过制造C1和C2，以使C1和C2具有基本上相等的电容值，则实际上可消除等式(2)中的线性系数项“C1aV-C2aV”。其结果是，本发明有利地实现了复合MIM电容器，即C1与C2并联连接，该复合MIM电容器具有显著降低的电压相关性的总电容值。
在本发明的其它实施例中，并联连接多于两个具有基本上相等的电容值的MIM电容器，并联连接的MIM电容器的总电容的电压相关性的降低量由并联连接的MIM电容器的数量是偶数或奇数确定。在包括偶数个并联连接的MIM电容器的实施例中，制造偶数个并联连接的MIM电容器，以使各MIM电容器具有基本上相等的电容值，则在施加电压“V”下的并联连接的MIM电容器的总电容值可由以下等式确定：
CTeven(V)＝nC0(1+bV2) 等式(4)
其中“n”为偶数，表示并联连接的MIM电容器的数量。
在包括奇数个并联连接的MIM电容器的本发明的实施例中，制造奇数个MIM电容器，以使各MIM电容器具有基本上相等的电容值，则在施加电压“V”下的并联连接的MIM电容器的总电容值可由以下等式确定：
CTodd(V)＝mC0(1+(a/m)V+bV2) 等式(5)其中“m”为偶数，表示并联连接的MIM电容器的数量。从而，如等式(4)和(5)所示，本发明实现了复合MIM电容器，该复合MIM电容器通过并联的偶数个MIM电容器或并联的奇数个MIM电容器的连接，实现了电容的电压相关性的显著降低。然而，在利用偶数个并联连接的MIM电容器的实施例中，电压相关性的降低较大。
图3示出了流程图300，说明了根据本发明的一个实施例制造图1的结构100中的复合MIM电容器的方法的步骤。流程图300中已略去了对于现有技术中的普通技术人员而言显而易见的特定细节和特征。例如，如现有技术中公知的，一个步骤可由一个或多个子步骤构成，或者可以包括特殊装置或材料。流程图300中所示的步骤302至318足以说明本发明的一个实施例，本发明的其它实施例可利用与流程图300中所示的不同的步骤。应注意，在晶片上进行流程图300中所示的处理步骤，其中在步骤302之前，该晶片包括第一层间介质层，例如，图1所示的层间介质108。
在流程图300中的步骤302，在第一层间介质层，即层间介质108上沉积第一互连金属层。第一互连金属层，即例如互连金属层107，可在半导体芯片的互连金属层二中。在第一互连金属层上沉积下MIM电容器介质层，该下MIM电容器介质层包括较高k介质材料，例如氧化硅、氮化硅、五氧化钽、氧化铝、氧化铪、氧化锆、硅酸锆铝、硅酸铪、硅酸铪铝。在步骤304，在下MIM电容器介质层上沉积并构图包括例如氮化钛或氮化钽的下MIM电容器金属，以形成下MIM电容器的上电极，即金属板120。也构图下MIM电容器介质层，以形成介质部分132。
在步骤306，构图第一互连金属层，以形成下MIM电容器的下电极，即金属板124。在步骤308，在下MIM电容器的上和下电极上，即分别在金属板120和124上沉积第二层间介质层，即层间介质110。第二层间介质层可包括多孔氧化硅、氟化非晶质碳、含氟聚合物、聚对二甲苯、聚亚芳香醚、硅倍半氧烷、氟化二氧化硅、类金刚石碳，或其它合适的低k介质材料。可选地，层间介质110可包括现有技术中公知的氧化硅。在第二层间介质层，即层间介质110中形成过孔114，该过孔114在下MIM电容器的上电极，即金属板120上，并与其接触。在第二层间介质层，即层间介质110中形成过孔118，该过孔118在下MIM电容器的下电极，即金属板124上，并与其接触。过孔114和过孔118可通过标准的过孔蚀刻方法蚀刻第二层间介质层形成，并且可用导电材料，例如钨或铜填充。
在步骤310，在第二层间介质层上沉积第二互连金属层，即互连金属层115，并在第二互连金属层上沉积上MIM电容器介质层。第二互连金属层可包括例如铝，上MIM电容器介质层可包括例如氧化硅、氮化硅、五氧化钽、氧化铝、氧化铪、氧化锆、硅酸锆铝、硅酸铪、硅酸铪铝，或其它较高k的介质材料。第二互连金属层可在例如半导体芯片的互连金属层三中。在步骤312，在上MIM电容器介质层上沉积并构图包括例如氮化钛或氮化钽的上MIM电容器金属层，以形成上MIM电容器的上电极，即金属板130。也构图上MIM电容器介质层，以形成介质部分134。
在步骤314，构图第二互连金属层，以形成金属部分128和上MIM电容器的下电极，即金属板122。上MIM电容器的下电极，即金属板122通过过孔114电连接至下MIM电容器的上电极，即金属板120。金属部分128通过过孔118电连接至下MIM电容器的下电极，即金属板124。
在步骤316，在金属板130、金属板122，以及金属部分128上沉积第三层间介质层，即层间介质112。第三层间介质层可包括多孔氧化硅、氟化非晶质碳、含氟聚合物、聚对二甲苯、聚亚芳香醚、硅倍半氧烷、氟化二氧化硅、类金刚石碳，或其它低k介质材料。然后在第三层间介质层中形成过孔116，该过孔116在上MIM电容器的上电极，即金属板130上，并与其接触，并且在第三层间介质层中形成过孔119，该过孔119在金属部分128上，并与其接触。过孔116和过孔119可通过标准的过孔蚀刻方法蚀刻第三层间介质层形成，并且可用导电材料，例如钨或铜填充。
在步骤318，在第三层间介质层，即层间介质112上沉积并构图第三互连金属层，即互连金属层121，以形成金属部分126。第三互连金属层可在例如半导体芯片的互连金属层四中。金属部分126在过孔116和过孔119上形成，并与其接触。从而，通过过孔116、过孔119、金属部分128，以及过孔118，金属部分126将上MIM电容器的上电极，即金属板130，电连接至下MIM电容器的下电极，即金属板124。流程图300所述的代表性方法的结果是，通过下MIM电容器与上MIM电容器并联连接，形成复合MIM电容器，并且垂直于芯片表面设置该复合MIM电容器。
因此，如上所述，本发明有利地实现了复合MIM电容器，当与仅利用芯片的横向空间的MIM电容器相比较时，该复合MIM电容器具有显著增大的密度。本发明还有利地实现了复合MIM电容器，如上所述，该复合MIM电容器具有降低的电压相关性的电容值。由本发明的代表性实施例的以上说明，表明了为实施本发明的构思，可利用各种技术，而不脱离其范围。例如，金属板120和金属板130可具有相同的“足印(footprint)”或尺寸，这允许将公共的掩膜用于制造金属板120和金属板130，以降低掩膜制造成本。此外，虽然具体参考特定的实施例说明了本发明，但现有技术中普通的技术人员将认可，只要不脱离本发明的精神和范围，可以在形式上和细节上进行修改。同样地，所述实施例在所有方面应视为说明性的而非限制性的。也应理解，本发明并不限于这里说明的具体实施例，只要不脱离本发明的范围，可以进行多种重新安排、修改，以及替换。
从而，在半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合MIM电容器已说明完毕。
Claims (22)
1.一种在半导体芯片中的复合电容器，所述复合电容器包括：
下电容器的下电极，所述下电容器的所述下电极位于所述半导体芯片中的下互连金属层中；
所述下电容器的上电极，所述上电极位于下层间介质层内，所述下层间介质层分隔所述下互连金属层和上互连金属层；
上电容器的下电极，所述上电容器的所述下电极位于所述半导体芯片中的所述上互连金属层中；
所述上电容器的上电极，所述上电极位于上层间介质层内，所述上层间介质层位于所述上互连金属层上；
所述下电容器的所述上电极连接至所述上电容器的所述下电极；
所述下电容器的所述下电极连接至所述上电容器的所述上电极，因此所述复合电容器为所述下电容器与所述上电容器的并联结合。
2.根据权利要求1的复合电容器，其中所述下电容器的所述上电极通过至少一个过孔连接至所述上电容器的所述下电极。
3.根据权利要求1的复合电容器，其中所述下电容器的所述下电极通过至少一个过孔连接至所述上电容器的所述上电极。
4.根据权利要求1的复合电容器，还包括位于所述下电容器的所述下电极与所述上电极之间的高k介质。
5.根据权利要求4的复合电容器，其中所述高k介质选自氧化硅、氮化硅、五氧化钽、氧化铝、氧化铪、氧化锆、硅酸锆铝、硅酸铪，以及硅酸铪铝。
6.根据权利要求1的复合电容器，还包括位于所述上电容器的所述下电极与所述上电极之间的高k介质。
7.根据权利要求6的复合电容器，其中所述高k介质选自氧化硅、氮化硅、五氧化钽、氧化铝、氧化铪、氧化锆、硅酸锆铝，硅酸铪，以及硅酸铪铝。
8.根据权利要求1的复合电容器，其中所述下层间介质层和所述上层间介质层包括低k介质。
9.根据权利要求8的复合电容器，其中所述低k介质选自多孔氧化硅、氟化非晶质碳、含氟聚合物、聚对二甲苯、聚亚芳香醚(Polyarylene ether)、硅倍半氧烷(silsesquioxane)、氟化二氧化硅，以及类金刚石碳。
10.根据权利要求1的复合电容器，还包括：
第一金属部分，位于所述上互连金属层中，所述第一金属部分连接至所述下电容器的所述下电极和所述上电容器的所述上电极。
11.根据权利要求10的复合电容器，其中所述第一金属部分通过至少一个过孔连接至所述下电容器的所述下电极。
12.根据权利要求10的复合电容器，其中所述第一金属部分通过多个过孔和第二金属部分连接至所述上电容器的所述上电极，所述第二金属部分位于所述上层间介质层上。
13.根据权利要求1的复合电容器，其中所述下电容器的所述上电极和所述上电容器的所述上电极包括选自氮化钛和氮化钽的金属。
14.一种在半导体芯片中制造复合电容器的方法，所述方法包括以下步骤：
沉积下互连金属层；
在所述下互连金属层上形成下电容器的上电极；
构图所述下互连金属层，以形成所述下电容器的下电极；
沉积上互连金属层；
在所述上互连金属层上形成上电容器的上电极；
构图所述上互连金属层，以形成所述上电容器的下电极。
15.根据权利要求14的方法，还包括通过至少一个过孔将所述下电容器的所述上电极连接至所述上电容器的所述下电极的步骤。
16.根据权利要求14的方法，还包括通过至少一个过孔将所述下电容器的所述下电极连接至所述上电容器的所述上电极的步骤。
17.根据权利要求14的方法，还包括在所述下电容器的所述下电极与所述上电极之间形成高k介质的步骤。
18.根据权利要求17的方法，其中所述高k介质选自氧化硅、氮化硅、五氧化钽、氧化铝、氧化铪、氧化锆、硅酸锆铝、硅酸铪，以及硅酸铪铝。
19.根据权利要求14的方法，还包括在所述上电容器的所述下电极与所述上电极之间形成高k介质的步骤。
20.根据权利要求19的方法，其中所述高k介质选自氧化硅、氮化硅、五氧化钽、氧化铝、氧化铪、氧化锆、硅酸锆铝、硅酸铪，以及硅酸铪铝。
21.根据权利要求14的方法，其中所述下电容器的所述上电极和所述上电容器的所述上电极包括选自氮化钛和氮化钽的金属。
22.根据权利要求14的方法，其中利用公共的掩膜制造所述下电容器的所述上电极和所述上电容器的所述上电极。
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|---|---|---|---|
| US10/410,937 US6680521B1 (en) | 2003-04-09 | 2003-04-09 | High density composite MIM capacitor with reduced voltage dependence in semiconductor dies |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7943476B2 (en) | 2007-10-16 | 2011-05-17 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Stack capacitor in semiconductor device and method for fabricating the same including one electrode with greater surface area |
| CN102341910A (zh) * | 2009-03-17 | 2012-02-01 | 高通股份有限公司 | 用于金属-氧化物-金属电容器的高电容绝缘体的选择性制造 |
| CN102570994A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-11 | 沈阳中科微电子有限公司 | 射频功率放大器 |
| CN104103636A (zh) * | 2014-07-07 | 2014-10-15 | 武汉芯泰科技有限公司 | 一种片上变压器 |
| CN105074915A (zh) * | 2013-02-19 | 2015-11-18 | 高通股份有限公司 | 互补后端制程(beol)电容器 |
| CN106688095A (zh) * | 2014-09-10 | 2017-05-17 | 高通股份有限公司 | 与解耦电容器结合的来自第二级中部制程层的电容器 |
| CN107591388A (zh) * | 2017-09-01 | 2018-01-16 | 格科微电子（上海）有限公司 | 金属层‑绝缘层‑金属层电容器及其形成方法 |
| CN110137156A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-08-16 | 西交利物浦大学 | 一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件及制备方法 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7291897B2 (en) * | 2003-10-30 | 2007-11-06 | Texas Instruments Incorporated | One mask high density capacitor for integrated circuits |
| KR100549002B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2006-02-02 | 삼성전자주식회사 | 복층 엠아이엠 커패시터를 갖는 반도체소자 및 그것을제조하는 방법 |
| CN100359689C (zh) * | 2004-08-13 | 2008-01-02 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Cmos器件上的金属-绝缘体-金属电容的制造方法 |
| KR100640628B1 (ko) * | 2005-01-10 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 자기정렬 콘택 플러그 형성 방법 |
| KR100809321B1 (ko) * | 2005-02-01 | 2008-03-05 | 삼성전자주식회사 | 다중 ｍｉｍ 캐패시터 및 이의 제조 방법 |
| US7508062B2 (en) * | 2005-03-11 | 2009-03-24 | Lsi Corporation | Package configuration and manufacturing method enabling the addition of decoupling capacitors to standard package designs |
| FR2890783B1 (fr) * | 2005-09-12 | 2007-11-30 | St Microelectronics | Circuit electronique integre incorporant un condensateur |
| US7371677B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-05-13 | Freescale Semiconductor, Inc. | Laterally grown nanotubes and method of formation |
| US7483258B2 (en) * | 2005-12-13 | 2009-01-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | MIM capacitor in a copper damascene interconnect |
| US7763923B2 (en) * | 2005-12-29 | 2010-07-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metal-insulator-metal capacitor structure having low voltage dependence |
| US8169014B2 (en) * | 2006-01-09 | 2012-05-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Interdigitated capacitive structure for an integrated circuit |
| JP2007266500A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | タッチアップｃｍｐ用スラリーおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2008171886A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100815969B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2008-03-24 | 주식회사 동부하이텍 | 엠아이엠(ｍｉｍ) 캐패시터와 그의 제조방법 |
| US20090014832A1 (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-15 | Peter Baumgartner | Semiconductor Device with Reduced Capacitance Tolerance Value |
| GB0714065D0 (en) * | 2007-07-20 | 2007-08-29 | X Fab Uk Ltd | A capacitor, and a method of manufacturing a capacitor |
| JP2009111013A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US8445913B2 (en) | 2007-10-30 | 2013-05-21 | Spansion Llc | Metal-insulator-metal (MIM) device and method of formation thereof |
| KR100957881B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2010-05-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 엠아이엠 캐패시터 |
| US8101495B2 (en) | 2008-03-13 | 2012-01-24 | Infineon Technologies Ag | MIM capacitors in semiconductor components |
| US8008162B2 (en) | 2008-11-19 | 2011-08-30 | Micron Technology, Inc. | Select devices including an open volume, memory devices and systems including same, and methods for forming same |
| US9793338B2 (en) * | 2010-07-16 | 2017-10-17 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Capacitor structures for semiconductor device |
| CN102437023B (zh) * | 2011-11-30 | 2014-04-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种多层金属-氧化物-金属电容的制作方法 |
| US8759947B2 (en) * | 2012-03-27 | 2014-06-24 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Back-side MOM/MIM devices |
| US10515949B2 (en) * | 2013-10-17 | 2019-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated circuit and manufacturing method thereof |
| KR102494126B1 (ko) * | 2016-04-26 | 2023-02-02 | 삼성전자주식회사 | 커패시터를 포함하는 반도체 소자 |
| US11222945B2 (en) * | 2017-12-29 | 2022-01-11 | Texas Instruments Incorporated | High voltage isolation structure and method |
| US10964778B2 (en) * | 2018-02-22 | 2021-03-30 | Texas Instruments Incorporated | Precision capacitor |
| JP6711375B2 (ja) * | 2018-07-30 | 2020-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、電気光学装置及び電子機器 |
| US11908888B2 (en) | 2021-09-23 | 2024-02-20 | International Business Machines Corporation | Metal-insulator-metal capacitor structure supporting different voltage applications |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH118354A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Nec Corp | 強誘電体容量および強誘電体メモリ |
| US6200629B1 (en) * | 1999-01-12 | 2001-03-13 | United Microelectronics Corp. | Method of manufacturing multi-layer metal capacitor |
| KR100587662B1 (ko) * | 1999-05-27 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 커패시터 및 그 제조방법 |
| JP3967544B2 (ja) * | 1999-12-14 | 2007-08-29 | 株式会社東芝 | Ｍｉｍキャパシタ |
| US6617208B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-09-09 | Texas Instruments Incorporated | High capacitance damascene capacitors |
| US6838717B1 (en) * | 2000-08-31 | 2005-01-04 | Agere Systems Inc. | Stacked structure for parallel capacitors and method of fabrication |
| AU2001296609A1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-04-15 | Broadcom Corporation | High-density metal capacitor using dual-damascene copper interconnect |
| JP3586638B2 (ja) * | 2000-11-13 | 2004-11-10 | シャープ株式会社 | 半導体容量装置 |
| JP3895126B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2007-03-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US6710425B2 (en) * | 2001-04-26 | 2004-03-23 | Zeevo, Inc. | Structure to increase density of MIM capacitors between adjacent metal layers in an integrated circuit |
| JP2003051501A (ja) * | 2001-05-30 | 2003-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6897164B2 (en) * | 2002-02-14 | 2005-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Aperture masks for circuit fabrication |
| US6746914B2 (en) * | 2002-05-07 | 2004-06-08 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Metal sandwich structure for MIM capacitor onto dual damascene |
| KR100480469B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2005-04-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자내 커패시터 제조방법 |
| US6919233B2 (en) * | 2002-12-31 | 2005-07-19 | Texas Instruments Incorporated | MIM capacitors and methods for fabricating same |
-
2003
- 2003-04-09 US US10/410,937 patent/US6680521B1/en not_active Expired - Lifetime
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-
2009
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7943476B2 (en) | 2007-10-16 | 2011-05-17 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Stack capacitor in semiconductor device and method for fabricating the same including one electrode with greater surface area |
| CN102341910A (zh) * | 2009-03-17 | 2012-02-01 | 高通股份有限公司 | 用于金属-氧化物-金属电容器的高电容绝缘体的选择性制造 |
| US9245881B2 (en) | 2009-03-17 | 2016-01-26 | Qualcomm Incorporated | Selective fabrication of high-capacitance insulator for a metal-oxide-metal capacitor |
| CN102570994A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-11 | 沈阳中科微电子有限公司 | 射频功率放大器 |
| CN105074915A (zh) * | 2013-02-19 | 2015-11-18 | 高通股份有限公司 | 互补后端制程(beol)电容器 |
| CN105074915B (zh) * | 2013-02-19 | 2018-03-30 | 高通股份有限公司 | 互补后端制程(beol)电容器 |
| CN104103636A (zh) * | 2014-07-07 | 2014-10-15 | 武汉芯泰科技有限公司 | 一种片上变压器 |
| CN104103636B (zh) * | 2014-07-07 | 2016-08-24 | 武汉芯泰科技有限公司 | 一种片上变压器 |
| CN106688095A (zh) * | 2014-09-10 | 2017-05-17 | 高通股份有限公司 | 与解耦电容器结合的来自第二级中部制程层的电容器 |
| CN106688095B (zh) * | 2014-09-10 | 2019-03-29 | 高通股份有限公司 | 与解耦电容器结合的来自第二级中部制程层的电容器 |
| CN107591388A (zh) * | 2017-09-01 | 2018-01-16 | 格科微电子（上海）有限公司 | 金属层‑绝缘层‑金属层电容器及其形成方法 |
| CN110137156A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-08-16 | 西交利物浦大学 | 一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件及制备方法 |
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