JP3873133B2 - キャパシタ構造 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般にコンピュータ・チップ製造に関し、より詳細には、半導体基板上でMIM構造を作製する加工技法に関する。
【0002】
【従来の技術】
キャパシタ(コンデンサ)は、絶縁物材料によって分離された2枚の金属プレートで構成される。これらのデバイスは、半導体基板内に形成された回路内で広く使用されている。キャパシタを形成するための一般的なプロセスは、金属層を堆積し、絶縁物層を堆積し、第2の金属層を堆積し、最後にこの3層構造をエッチングして所望の場所にキャパシタを作製することによるものである。これはリソグラフィのマスキングを大量に要し、相補型金属酸化物半導体(CMOS)の加工では流れが悪く、ダマシン適用分野によっては実用的でないことがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、半導体基板内に金属・絶縁物・金属キャパシタ(MIM cap)構造を作製するための低コストで効率的なプロセスを提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、第1の金属層が基板のキャビティ内に堆積される。基板はシリコン、砒化ゲルマニウム、または何らかの他の材料でよいが、(ダマシン加工で考えられるような)二酸化シリコン層、または半導体デバイスの代替絶縁層でもよい。基板の性質に関わらず、本発明では、基板を半導体製作で使用される任意の材料であるものと見なす。第1金属層を堆積した後、上面を酸化して金属酸化物オーバー・コート層を形成する。酸化は、陽極酸化によって最適に実現できる。金属酸化物オーバー・コート層を形成した後で、窒化シリコンおよび酸化シリコン(たとえば、二酸化シリコン)などの追加絶縁層を追加できるが、第2の金属層を金属酸化物オーバー・コート層の上部に直接堆積することもできる。第1金属層と第2金属層は同じであることが好ましいが、製作する構成要素の要件を満たすため、異なる場合もある。これらのプロセスには、かなりの数の変形形態を使用できる。
【0005】
本発明の上記その他の目的、態様および利点は、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態についての以下の詳しい説明を読めば、よりよく理解できよう。
【0006】
【発明の実施の形態】
図1は、上面内にキャビティ12が形成された基板10を示す。基板10は、それだけには限らないが、シリコン、二酸化シリコン、砒化ゲルマニウムなどを含め、半導体製作で使用される材料とすることができる。図1に示す実施形態では、金属プラグ14がキャビティ12の下部に位置付けられているが、その他の接点構成が本発明の実施範囲内で使用できることを理解されたい。当然ながら、図1に示す構造全体を別の半導体基板(図示せず)の上部に載置できる。図1に示す構造は、典型的なダマシンCMOSバック・エンド・オブ・ライン(BEOL)基板として見ることができる。基板内にキャビティ12(凹部)を形成するためには、リソグラフィ・マスクが1つ必要なだけである。
【0007】
図2は、第1の金属層16が堆積された後であって、金属酸化物層18が第1金属層16の上部に形成された後の基板10を示す。堆積は、第1金属層が基板10の表面と共形となり、キャビティ12内へ降り、キャビティ側壁を上がって、基板10の上面を覆って延びるような化学気相堆積(CVD)技法または他のプロセスによって進めることができる。金属酸化物層18は、第1金属層16から形成する。したがって、金属酸化物層18は第1金属層16との適合性が一層高く、後続の加工条件の中で第1金属層に貼着し、分離しない可能性が高い。金属酸化物層18を形成することに適したプロセスは、陽極酸化によるものである。
【0008】
Berry等による「Thin Film Technology」, Van Nostrand Reinhold Co., 1968年に説明されているように、陽極酸化は、電解液内での金属陽極の電気化学酸化によって金属酸化物被膜を形成することである。陽極酸化可能な金属は、その陽極酸化物の整流特性のため、「バルブ金属」と呼ばれることが多い。陽極酸化中は、金属陽極が酸化され、形成された金属陽イオンが電解液内の水酸化物イオンの酸素と直接反応して連続的な非晶質膜を形成する。ワーク・ピースの陽極酸化に使用できる電解槽は、電解液、バルブ金属陽極、不活性な陰極、電源を具備する。ウェハ・スケールの陽極酸化は、電気めっきに使用されるものなど、従来湿式加工で使用されているツールを使用して実施できる。陽極と陰極は、両方の電極に電気接触を加えた状態で電解液に浸漬できる。
【0009】
図3は、第2の金属層20が金属酸化物層18の上に被覆された後の基板10を示す。好ましくは第2金属層20が第1金属層16と同じとなるため、この第2金属層20もまた、金属酸化物層18に適合性がある利点を有し、貼着する能力が高まる。しかし、第1金属層と第2金属層が互いに異なる適用分野がおそらく数多くあろう。加えて、製作物によっては、第2金属層20の堆積前に、金属酸化物層の上部に追加絶縁層(図示せず)を堆積することが有利な可能性がある。たとえば、二酸化シリコンおよび窒化シリコンを堆積できる。
【0010】
図4は、たとえば化学的機械的研磨によって、上面の3層構造が除去された後の基板10を示す。他の技法を使用して基板10を図4に示すように平坦化することもできる。最終的には、好ましくは第1金属層を陽極酸化して形成される絶縁物によって分離された2枚の金属プレートを有するMIMcap構造が得られる。
【0011】
表1は、本発明の実施範囲内で第1および第2金属層として使用できる代表的な金属と、陽極酸化によって作製される対応する酸化物のリストである。
【表1】
第1金属層と第2金属層の金属は同じであることが好ましい。金属は、純粋な形態で、合金の組み合わせとして(たとえば、TiAl)、窒化物の形態で(たとえば、TaN)、またはその他の形態で堆積できる。指針となる原理は、陽極酸化材料が、陽極酸化前に存在した「親」材料によく固着する可能性が高いことである(たとえば、Ta2O5は、銅(Cu)など他の金属よりもTaNxまたはTaによく固着する可能性が高い)。必要とされる層が少ないため、製作が一層容易でもある。
【0012】
一般に容量値の式はC=8.85×10-12(kA/S)であり、Cは単位ファラドのキャパシタの値、kはプレート間の絶縁物の誘電率、Aは単位M2のプレートの共通面積、Sは単位Mのプレート間の間隔である。本発明のキャパシタは、ほぼどのようなサイズにもできるが、好ましくは5×5μm程度であろう。最大サイズは、平坦化能力(たとえば、CMP)に応じて決まる。CMPを使用してプレート面積が数平方ミリメートルの金属を平坦化することができるため、本発明のプレート面積は、数平方ミリメートルとすることができる。誘電体の厚みは、典型的には500Å前後とすることができる。一般に誘電絶縁層は50Åから1000Åの範囲にすべきである。
【0013】
例示のためにすぎないが、図1から4に示すプロセスは、以下のようにたどることができる。典型的なダマシンCMOS BEOLから始めて、単一のリソグラフィ・マスクを使用して誘電体内に凹部を形成し、これを金属ライン・レベルと共に行うことができる。MIM用の凹部は、深さ約2000Åである。次いで、TaNを厚さ1000Åで基板の上と凹部内に堆積できる。次いで、約250Åから300Åを陽極酸化してTaO5を形成する。次いで、TaNの別の層を厚さ約800Åで堆積する。CMPを使用して表面を研磨する。凹部に残ったものは、下にあるビアまたはスタッドが接触するTaNの下部プレートである。加えて、上部プレートを形成するTaNの薄い最終層を有するTaO5の薄い誘電体層がある。TaO5に加えて、SiNXおよび二酸化シリコンなど多層の絶縁物を堆積でき、これらの層の厚みは、デバイスの要件に応じて好ましくは50Åから100Å間の範囲とすることができる。これは、研磨を1ステップではなく2ステップで行い、それによってキャパシタの下部プレートを密封することが必要になろう。
【0014】
本発明は、多数の異なるデバイス形態と共に実施できる。たとえば、図5はカプセル化された銅プレートを示し、銅40が、上述したTaまたはいずれかの他の材料など、層42を形成する金属層でオーバー・コートされている。誘電体層44は陽極酸化によって形成し、第2の金属層がプレート46(除去エッチングまたは他の機構によって作製)を形成する。金属ビア50、52および54は、2枚のプレートに接する。他の例として、図6は積み重ねられたシングル・ダマシンを示し、銅60が、上述したTaまたは任意の他の材料などの金属層62内にカプセル化され、誘電体64が陽極酸化によって形成される。さらに他の例として、図7は、上述したTaまたはいずれかの他の材料などの金属層72でカプセル化された銅30を示す。酸化タンタルなどの陽極酸化された誘電体層74があり、たとえばタンタルからなる上部金属プレート76を有する。酸化タンタル74は、Taプレート76の側壁を陽極酸化して作製できる。上部プレート76は、二酸化シリコンなどの絶縁周辺部78内に位置付ける。図8から10は、デュアル・ダマシン・デバイスを示す。図8では、下部プレート80をTaNの共形堆積によって作製できる。後続の陽極酸化により誘電体82を形成し、金属上部プレート84が誘電体82によって画定された空間内に堆積される。金属上部プレート84は、Taまたは上記で指摘したいずれかの金属など任意の金属とすることができる。図9は、金属ライナ86が誘電体82の上部に追加され、残りの部分が異なる金属88で充填された変形形態を示す(たとえば、図9はTa、酸化タンタル、銅インレイ(inlay)を有するTaレイアップ(layup)を有するビアを示すことができる)。図10は、ビア・レベルを使用して上部プレートを形成した積み重ねデュアル・ダマシン構成を示す。
【0015】
以上本発明をその好ましい実施形態に関して述べたが、修正を加えれば、添付の特許請求の範囲の精神および範囲内で本発明を実施できることを当業者なら理解するであろう。
【0016】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【0017】
(1)基板内にキャパシタ構造を形成するための方法であって、
基板の上面の上と前記上面上のキャビティ内に第1の金属層を堆積するステップと、
前記第1金属層の上部上の金属酸化物層を、前記金属酸化物層を形成するための前記第1金属層内の金属を使用して形成するステップと、
前記金属酸化物層の上に第2の金属層を堆積するステップとを含む方法。
(2)前記形成するステップが、前記第1金属層を陽極酸化することによって行われる請求項1に記載の方法。
(3)前記2つの堆積するステップと前記形成するステップで前記キャビティより上に延びる3層構造が作製され、前記基板の前記上面より上から前記3層構造を除去するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
(4)前記除去するステップが化学的機械的研磨によって行われる請求項3に記載の方法。
(5)前記第1および第2金属層が同一である請求項1に記載の方法。
(6)前記第1および第2金属層がAl、Sb、Bi、Hf、Nb、Ta、Ti、W、YおよびZrからなる群、同金属の合金から選択され、前記第1および第2金属層が同じであることも異なることもできる請求項1に記載の方法。
(7)前記第1および第2金属層が金属窒化物の形態で存在する請求項6に記載の方法。
(8)前記形成するステップが、50Åないし1000Åの範囲の厚みを有する金属酸化物層を形成するように行われる請求項1に記載の方法。
(9)前記金属酸化物層上に絶縁層を追加するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
(10)前記第1および第2金属層が合金の形態で存在する請求項6に記載の方法。
(11)半導体基板内のキャパシタ構造であって、
前記半導体基板のキャビティ内に位置付けられる第1の金属層と、
前記第1金属層上に位置付けられ、前記第1金属層と同じ金属で形成される金属酸化物層と、
前記金属酸化物層上に位置付けられる第2の金属層とを含むキャパシタ構造。
(12)前記金属酸化物層が陽極酸化された第1金属層である請求項11に記載のキャパシタ構造。
(13)前記第1金属層および第2金属層が同一である請求項11に記載のキャパシタ構造。
(14)前記第1および第2金属層がAl、Sb、Bi、Hf、Nb、Ta、Ti、W、YおよびZrからなる群、同金属の合金から選択され、前記第1および第2金属層が同じであることも異なることもできる請求項11に記載のキャパシタ構造。
(15)前記第1および第2金属層のうち少なくとも1つが窒化物として存在する請求項14に記載のキャパシタ構造。
(16)前記第1および第2金属層のうち少なくとも1つが合金として存在する請求項14に記載のキャパシタ構造。
【図面の簡単な説明】
【図1】上面内にキャビティを有するパターン付き基板の横断面図である。
【図2】第1の金属下部層(たとえば、TaN)と酸化物層(たとえば、TaNを陽極酸化して作製したTaO5)とを有する図1のパターン付き基板の横断面図である。
【図3】酸化物層上に第2の金属層を堆積した図2のパターン付き基板の横断面図である。
【図4】基板から上部3層構造を研磨した後の図3のパターン付き基板の横断面図である。
【図5】本発明によるMIM構造の一例の横断面図である。
【図6】本発明によるMIM構造の他の例の横断面図である。
【図7】金属酸化物がカプセル化された酸化シリコン層内に位置付けられた、本発明によるMIM構造の他の例の横断面図である。
【図8】ビア・レベルを使用して上部プレートを形成したデュアル・ダマシン構造の横断面図である。
【図9】ビア・レベルを使用して上部プレートを形成したデュアル・ダマシン構造の横断面図である。
【図10】ビア・レベルを使用して上部プレートを形成したデュアル・ダマシン構造の横断面図である。
【符号の説明】
10 基板
12 キャビティ
14 プラグ
16 第1金属層
18 金属酸化物層
20 第2金属層
40 銅
42 層
44 誘電体層
46 プレート
50 金属ビア
52 金属ビア
54 金属ビア
60 銅
62 金属層
64 誘電体
70 銅
72 金属層
74 酸化タンタル
76 上部プレート
78 絶縁周辺部
80 下部プレート
82 誘電体
84 金属上部プレート
86 金属ライナ
88 金属
Claims (12)
- (イ)基板の表面に設けられたキャビティと、
(ロ)前記キャビティ内に設けられた第1金属層と、
(ハ)該第1金属層内に設けられ該第1金属層により全面が囲まれている銅の層と、
(ニ)前記第1金属層の上面に設けられ、該第1金属層の金属の陽極酸化物である誘電体層と、
(ホ)該誘電体層の表面に設けられた第2金属層とを有するキャパシタ構造。 - 前記第1金属層及び前記第2金属層の材料が、Al、Sb、Bi、Hf、Nb、Ta、Ti、W、YおよびZrからなる群から選択された材料、又は該材料の合金であることを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ構造。
- 前記第1金属層及び前記第2金属層の材料がTaNであり、前記金属の酸化物が酸化タンタルであることを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ構造。
- 前記第1金属層および第2金属層の材料が同じであることを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ構造。
- 前記誘電体層と前記第2金属層との間に、SiNx及び二酸化シリコンの多層絶縁層が設けられていることを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ構造。
- (イ)基板の表面に設けられたキャビティと、
(ロ)前記キャビティ内に設けられたTaからなる第1金属層と、
(ハ)該第1金属層内に設けられ該第1金属層により全面が囲まれている銅の層と、
(ニ)前記第1金属層の上面に設けられ、該第1金属層の金属の陽極酸化物である酸化タンタルからなる誘電体層と、
(ホ)該誘電体層の表面に設けられたTaからなる第2金属層とを有するキャパシタ構造。 - 前記誘電体層と前記第2金属層との間に、SiNx及び二酸化シリコンの多層絶縁層が設けられていることを特徴とする、請求項6に記載のキャパシタ構造。
- (イ)基板の表面に設けられたキャビティと、
(ロ)該キャビティの底部の一部分に露出するように前記基板内に設けられた金属ビアと、
(ハ)前記金属ビアに接続するように前記キャビティ内に設けられた第1金属層と、
(ニ)該第1金属層内に設けられ該第1金属層により全面が囲まれている銅の層と、
(ホ)前記第1金属層上に設けられ、該第1金属層の金属の陽極酸化物である誘電体層と、
(ヘ)該誘電体層上に設けられた第2金属層とを有するキャパシタ構造。 - 前記第1金属層及び前記第2金属層の材料が、Al、Sb、Bi、Hf、Nb、Ta、Ti、W、YおよびZrからなる群から選択された材料、又は該材料の合金であることを特徴とする請求項8に記載のキャパシタ構造。
- 前記第1金属層及び前記第2金属層の材料がTaNであり、前記金属の酸化物が酸化タンタルであることを特徴とする請求項8に記載のキャパシタ構造。
- 前記第1金属層および第2金属層の材料が同じであることを特徴とする、請求項8に記載のキャパシタ構造。
- 前記誘電体層と前記第2金属層との間に、SiNx及び二酸化シリコンの多層絶縁層が設けられていることを特徴とする、請求項8に記載のキャパシタ構造。
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