JPH04146663A - タンタル薄膜コンデンサ - Google Patents
タンタル薄膜コンデンサInfo
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- JPH04146663A JPH04146663A JP27104390A JP27104390A JPH04146663A JP H04146663 A JPH04146663 A JP H04146663A JP 27104390 A JP27104390 A JP 27104390A JP 27104390 A JP27104390 A JP 27104390A JP H04146663 A JPH04146663 A JP H04146663A
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Landscapes
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、タンタル薄膜コンデンサに関し、特に耐圧に
優れたタンタル薄膜コンデンサに関するものである。
優れたタンタル薄膜コンデンサに関するものである。
第２図に示すように、従来のタンタル薄膜コンデンサは
、陽極酸化により、Ｔ ａ ２０５膜を形成した後、対
向電極パターンを形成する上で上部電極は、引き出しパ
ターンを設け、ボンディング用端子ランドに接続した構
造となっていた。
、陽極酸化により、Ｔ ａ ２０５膜を形成した後、対
向電極パターンを形成する上で上部電極は、引き出しパ
ターンを設け、ボンディング用端子ランドに接続した構
造となっていた。
上述した、従来のタンタル薄膜コンデンサは、タンタル
系薄膜を所望のコンデンサパターンに形成した際、その
パターンの端段差部が表面部に比べ非常に粗くなり、酸
性溶液中で陽極酸化して、Ｔａ２ｅ５膜を形成した場合
表面部より端段差部のＴａ２ｅｓ膜形成が不均一な状態
であった。
系薄膜を所望のコンデンサパターンに形成した際、その
パターンの端段差部が表面部に比べ非常に粗くなり、酸
性溶液中で陽極酸化して、Ｔａ２ｅ５膜を形成した場合
表面部より端段差部のＴａ２ｅｓ膜形成が不均一な状態
であった。
最終的に上層に対向電極パターンを形成するため、特に
、上部電極引き出し部とＴａ２０５膜段差部で耐圧低下
が生じるという欠点があった。
、上部電極引き出し部とＴａ２０５膜段差部で耐圧低下
が生じるという欠点があった。
上述した従来のタンタル薄膜コンデンサに対し、本発明
は、対向電極パターンを形成する際、上部電極の引き出
しパターンを設けないタンタル薄膜コンデンサである。
は、対向電極パターンを形成する際、上部電極の引き出
しパターンを設けないタンタル薄膜コンデンサである。
即ち、最終的に形成する対向電極パターンの上部電極を
、引き出しパターンを形成せずにＴａ２０５膜表面部に
のみ形成した構造とし、接続は、金属細線を熱圧着法で
コンデンサの上部に直接ボンディングすることを特徴と
している。
、引き出しパターンを形成せずにＴａ２０５膜表面部に
のみ形成した構造とし、接続は、金属細線を熱圧着法で
コンデンサの上部に直接ボンディングすることを特徴と
している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明のタンタル薄膜コンデンサの一実施例
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
例えば、５ｉ０２膜２が１μ形成されたＳｉウェハー１
上にα−Ｔａ膜３をマグネトロンスパッタ法で約４００
０人形成し、該α−Ｔａ膜をフォトエツチング処理で所
望のコンデンサパターンに形成する。次に該コンデンサ
パターンのコンデンサとすべき部分を０．０１％クエン
酸溶液中で１００Ｖ２時間の定電圧で陽極酸化してＴａ
ｚＯ５膜４を形成する。次にマグネトロンスパッタ法で
ＡＪ−３ｉ（１％）膜を約０．８μ純Ａρ膜を約０．８
μを連続成膜して対向電極用導電性膜としフォトエツチ
ング処理により、下部電極５のパターンとＴａ２０５膜
４表面上にのみ、上部電極６のパターンを同時に形成す
る。最終的に２５０℃大気中で５時間の安定化熱処理を
旅し、タンタル薄膜コンデンサを形成した。これによっ
て、本発明は従来発生した上部電極引き出し部とＴ ａ
２０−膜段差部による耐圧低下を防止でき、かつ、コ
ンデンサ上部に直接ボンディングする為、上部電極引き
出し部及びボンディング用端子ランドが不要となり、小
型化することができた。
上にα−Ｔａ膜３をマグネトロンスパッタ法で約４００
０人形成し、該α−Ｔａ膜をフォトエツチング処理で所
望のコンデンサパターンに形成する。次に該コンデンサ
パターンのコンデンサとすべき部分を０．０１％クエン
酸溶液中で１００Ｖ２時間の定電圧で陽極酸化してＴａ
ｚＯ５膜４を形成する。次にマグネトロンスパッタ法で
ＡＪ−３ｉ（１％）膜を約０．８μ純Ａρ膜を約０．８
μを連続成膜して対向電極用導電性膜としフォトエツチ
ング処理により、下部電極５のパターンとＴａ２０５膜
４表面上にのみ、上部電極６のパターンを同時に形成す
る。最終的に２５０℃大気中で５時間の安定化熱処理を
旅し、タンタル薄膜コンデンサを形成した。これによっ
て、本発明は従来発生した上部電極引き出し部とＴ ａ
２０−膜段差部による耐圧低下を防止でき、かつ、コ
ンデンサ上部に直接ボンディングする為、上部電極引き
出し部及びボンディング用端子ランドが不要となり、小
型化することができた。
次に、第２の実施例として、高周波回路に使用されるタ
ンタル薄膜コンデンサについて第３図を用いて説明する
。例えば、表面が鏡面であるアルミナセラミック基板７
上に、α−Ｔａ膜３をマグネトロンスパッタ法により約
４０００人形成し、第１の実施例と同様にタンタル薄膜
コンデンサを形成した。第１の実施例を高周波回路に使
用した場合、Ｓｉウェハーとａ−’ｌ’ａ膜及びＴ ａ
２０ ｓ間のＳｉＯ２による浮遊容量が存在して、第
１の実施例を高周波回路に用いることは困難であったが
、表面が鏡面であるアルミナセラミック基板を用いるこ
とによって高周波回路にも使用できるタンタル薄膜コン
デンサを得ることができた。
ンタル薄膜コンデンサについて第３図を用いて説明する
。例えば、表面が鏡面であるアルミナセラミック基板７
上に、α−Ｔａ膜３をマグネトロンスパッタ法により約
４０００人形成し、第１の実施例と同様にタンタル薄膜
コンデンサを形成した。第１の実施例を高周波回路に使
用した場合、Ｓｉウェハーとａ−’ｌ’ａ膜及びＴ ａ
２０ ｓ間のＳｉＯ２による浮遊容量が存在して、第
１の実施例を高周波回路に用いることは困難であったが
、表面が鏡面であるアルミナセラミック基板を用いるこ
とによって高周波回路にも使用できるタンタル薄膜コン
デンサを得ることができた。
以上説明したように、本発明のタンタル薄膜コンデンサ
は、対向電極パターンを形成する際、上部電極パターン
を、引き出しパターンを設けることなく、Ｔ ａ ２０
５膜表面部にのみ形成するため、コンデンサ特性である
耐圧が保証され、品質の向上が図れる。又、引き出しパ
ターンがなく、しかもボンディング用端子ランドも不要
となり小型化が可能となる。尚、本発明で使用する基板
は、Ｓｉウェハーのみならず他の金属基板上に絶縁層を
形成した絶縁性基板又は、セラミック及びガラス等の絶
縁基板を当然適用しうるものである。
は、対向電極パターンを形成する際、上部電極パターン
を、引き出しパターンを設けることなく、Ｔ ａ ２０
５膜表面部にのみ形成するため、コンデンサ特性である
耐圧が保証され、品質の向上が図れる。又、引き出しパ
ターンがなく、しかもボンディング用端子ランドも不要
となり小型化が可能となる。尚、本発明で使用する基板
は、Ｓｉウェハーのみならず他の金属基板上に絶縁層を
形成した絶縁性基板又は、セラミック及びガラス等の絶
縁基板を当然適用しうるものである。
第１図は、本発明の第１の実施例であるタンタル薄膜コ
ンデンサの断面図で、第２図は、従来のタンタル薄膜コ
ンデンサの断面図である。第３図は、本発明の第２の実
施例であるタンタル薄膜コンデンサの断面図である。 １・・・・・・Ｓｉ基板、２・・・・・・ＳｉＯ２膜、
３・・・・・・α−Ｔａ膜、４・・・・・・Ｔ ａ ２
０ ｓ膜、５・・・・・・下部電極（ＡＡ−３ｉ（１％
）膜＋純ＡＡ膜）、６・・・・・・上部電極（ＡＩｌ−
３ｉ（１％）膜十純Ａｕ膜）、７・・・・・・アルミナ
セラミック基板。 代理人 弁理士 内 原 晋 箒 図 第 閏
ンデンサの断面図で、第２図は、従来のタンタル薄膜コ
ンデンサの断面図である。第３図は、本発明の第２の実
施例であるタンタル薄膜コンデンサの断面図である。 １・・・・・・Ｓｉ基板、２・・・・・・ＳｉＯ２膜、
３・・・・・・α−Ｔａ膜、４・・・・・・Ｔ ａ ２
０ ｓ膜、５・・・・・・下部電極（ＡＡ−３ｉ（１％
）膜＋純ＡＡ膜）、６・・・・・・上部電極（ＡＩｌ−
３ｉ（１％）膜十純Ａｕ膜）、７・・・・・・アルミナ
セラミック基板。 代理人 弁理士 内 原 晋 箒 図 第 閏
Claims (2)
- １．絶縁性基板上にタンタル薄膜コンデンサを形成する
上で、対向電極膜を不純物を含むＡｌ薄膜と、純Ａｌ薄
膜の２層構造にすることと、前記対向電極の上部電極の
引出しパターンを形成しない構造にしたことを特徴とす
るタンタル薄膜コンデンサ。 - ２．前記絶縁性基板は、ガラス，セラミックの基板ある
いは、シリコン又は金属基板上に絶縁層を形成した基板
であることを特徴とする請求項１記載のタンタル薄膜コ
ンデンサ。３．前記不純物を含むＡｌ薄膜は、Ｓｉ又は
、Ｃｕが不純物として含まれていることを特徴とする請
求項１記載のタンタル薄膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27104390A JPH04146663A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | タンタル薄膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27104390A JPH04146663A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | タンタル薄膜コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04146663A true JPH04146663A (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=17494608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27104390A Pending JPH04146663A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | タンタル薄膜コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04146663A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6992368B2 (en) | 2001-01-17 | 2006-01-31 | International Business Machines Corporation | Production of metal insulator metal (MIM) structures using anodizing process |
-
1990
- 1990-10-09 JP JP27104390A patent/JPH04146663A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6992368B2 (en) | 2001-01-17 | 2006-01-31 | International Business Machines Corporation | Production of metal insulator metal (MIM) structures using anodizing process |
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