CN1770439A - Cof用敷铜箔板以及cof用载置带 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种COF(膜上芯片型,chip on film)用敷铜箔板,可形成微细图案的电路,在Au-Sn共晶时可防止沉入导体的聚酰亚胺层,以及提供一种将上述COF用敷铜箔板加工而得的COF用载置带。本发明所提供的COF用敷铜箔板是在铜箔上设置聚酰亚胺层的敷铜箔板,聚酰亚胺层的厚度为5至20μm,以溶液形态涂布在铜箔上,并经干燥及硬化而得,在350℃下呈现非热塑性的特性,铜箔的厚度为5至50μm,表面粗糙度为0.5至1.5μm,具有:以一种以上选自Mo、Co、Ni或Zn的金属所处理的金属处理层,以及铬酸盐处理层(chromate treatment layer)与硅烷偶合剂处理层,铜-聚酰亚胺间的常温中的180。剥离强度(peel strength)为0.6kN/m以上。
Description
技术领域
本发明涉及一种COF(膜上芯片型,chip on film)用敷铜箔板以及将此敷铜箔板加工而得的COF用载置带(carrier tape)。
背景技术
COF是将半导体IC搭载于薄膜状电路板上的复合零件。COF大多使用在连接较大的刚性电路板或显示板。然后,薄膜状的电路板是由层积聚酰亚胺等的有机聚合物薄膜与铜箔的敷铜箔板(copper cladlaminate)所成。
薄膜状电路板所采用的方法是将感光性树脂层层积在敷铜箔板的铜箔面上,进行对应于所期待的电路图案的曝光,经使必要部分的感光性树脂产生光硬化、显影,将未曝光部分的感光性树脂去除之后,经蚀刻而去除无硬化阻剂覆盖的基板的被覆铜层,或经镀敷而在无硬化阻剂覆盖的部分析出镀敷金属。最后,经剥离而去除硬化阻剂而得到具有所期待的导体图案的电路板。感光性树脂的层积方法方面是有:将液态阻剂涂布、干燥的方法,以及将感光性树脂薄膜层积(laminate)的方法。
COF用的敷铜箔板方面,历来是主要使用将铜溅镀(sputtering)在聚酰亚胺树脂薄膜而得的聚酰亚胺敷铜箔板。以溅镀方式之时,由于金属层的针孔(pinhole)而使收率变差,故而期待能有一种无针孔的聚酰亚胺敷铜箔板。无针孔的敷铜箔板方面则有将压轧(rolling)铜箔或电解铜箔与聚酰亚胺积层者。该积层板虽经铸塑(casting)或层积方式在铜箔上层积聚酰亚胺而得,但为了提升接着力等,亦有在金属箔上形成热塑性聚酰亚胺层者。
另一方面,芯片的安装虽有由ACF(Anisotropic Conductive Film:各向异性导电膜)、NCP(Non-Conductive Paste:非导电胶)、超音波接合等在低温中安装的方式,至Au-Au接合、Au-Sn接合等在300℃以上的高温中安装的方式,但由在COF及TAB线的安装方式,或芯片与电路的连接可靠性的观点而言,一般多采用Au-Au接合、Au-Sn接合。
专利文献1:日本专利特开2004-207670号公报
专利文献2:日本专利特开2004-153194号公报
专利文献3:日本专利特开2004-128337号公报
专利文献4:日本专利特开2004-31685号公报
专利文献5:日本专利特开2001-315256号公报
专利文献6:日本专利特开2003-71984号公报
专利文献7:日本专利特开2003-23046号公报
在专利文献1记载一种COF用柔性印刷电路板(flexible print circuitboard),例如:在与安装绝缘层的半导体芯片侧的相反侧的面上,设置硅烷化合物、硅溶胶(silica sol)等脱模剂层。
在专利文献2记载一种COF用电路板的制造方法,且该方法是具备:进行图案化(patterning)的光蚀显影(photo-lithography)步骤后,在绝缘层形成脱模剂层(release agent layer)的步骤。然后,除了记载该绝缘层是由将聚酰亚胺前驱物树脂溶液涂布或热压在导体层的热塑性树脂层以及绝缘薄膜所形成者,并记载有关绝缘层是由经热压的热硬化性树脂层以及绝缘薄膜所形成者。
在专利文献3记载一种COF的制造方法,该方法是具备:在绝缘胶带的表面进行绝缘性树脂的涂布的树脂涂布步骤;将半导体组件由绝缘性树脂的上加压而压接在电路图案上的半导体组件压接步骤;以及使绝缘性树脂硬化并将半导体组件压接于电路图案上成为电性连接状态下固着的树脂硬化步骤。
在专利文献4记载一种COF薄膜载置带的制造方法,该方法是具备:将补强薄膜粘贴在与绝缘层的导电层的相反侧的热压步骤;在宽度方向的两侧领域形成孔列(perforation)的步骤;再度进行补强薄膜与绝缘层的热压的步骤;在导电层上形成光阻图案并经由蚀刻而形成电路图案,同时在孔列的多个孔周围形成虚拟电路(dummy circuit)的步骤。
在专利文献5记载一种于HDD用、COF用等中所使用的柔性(可挠性)敷金属箔积层板,包括金属箔、热塑性聚酰亚胺层与耐热性基膜,并各自使用热塑性聚酰亚胺层具有150至300℃以下的玻璃化转变温度(glass transition temperature)与1%以下的吸水率的热塑性聚酰亚胺,耐热性基膜兼具有350℃以上的玻璃化转变温度与2%以下的吸水率的热塑性聚酰亚胺薄膜。
在专利文献6记载一种聚酰亚胺敷铜箔板,在非热塑性聚酰亚胺层的至少一面形成热塑性聚酰亚胺层,是于热塑性聚酰亚胺层的表面层积铜箔的聚酰亚胺敷铜箔板,与热塑性聚酰亚胺接合的铜箔厚度在5μm以下,并记载聚酰亚胺敷铜箔板使用于COF用等。
在专利文献7记载一种具有铜箔特征的COF用敷铜箔板。
通常,在以溅镀方式而得聚酰亚胺积层板的情况下,由于无须有热塑性树脂层,所以在300℃以上的芯片安装时,虽然没有发生金属线路沉没于聚酰亚胺层中的现象,却有如上所述的问题。将聚酰亚胺层经涂布或延压等而层积于铜箔时,为了提高铜箔与聚酰亚胺层间的接着力,则通常必须使用热塑性的聚酰亚胺,而有沉没现象等的问题。尤其,在安装使用COF制造步骤中的Au-Sn共晶的芯片时,由于暴露在高温、高压下,便有引起热变形、导体沉没于聚酰亚胺层的问题。在此,亦提案当将聚酰亚胺树脂或该前驱物溶液,以涂布法(亦称铸塑法,casting method)制造积层板之际,将铜箔粗糙化并发挥定锚(anchoring)效应,不使用热塑性的聚酰亚胺而提升接着强度。然而,该方法中,COF用材料需形成微细图案的电路,但却有阻碍此形成的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种COF用敷铜箔板,可形成微细图案的电路,并防止Au-Sn共晶时沉没于导体的聚酰亚胺层中。
本发明的COF用敷铜箔板是于铜箔上设置聚酰亚胺层的敷铜箔板,其特征是:聚酰亚胺层是以溶液状态涂布在铜箔上,并经干燥、硬化而得者;而在350℃下呈现非热塑性的特性,而且,铜箔的聚酰亚胺积层面的表面粗糙度(Rz)在0.5至1.5μm的范围,铜-聚酰亚胺间的常温下180度(折曲角度)的剥离强度(peel strength)为0.6kN/m以上。并且,本发明是将上述COF用敷铜箔板加工而得的COF用载置带。
其中,聚酰亚胺层为单一层者使COF用敷铜箔板容易制造。而且,铜箔为无粗糙化的电解铜箔,而铜箔的聚酰亚胺积层侧的面含有:选自钼、钴、镍以及锌的组群的一种或一种以上的金属所处理的金属处理层,与铬酸盐处理层以及硅烷偶合剂处理层者有利于提高聚酰亚胺层与铜箔的接着强度。再且,上述金属处理层为以锌与镍作为必要成份的合金层,此可带来更高的接着强度。再者,铜箔的厚度在5至20μm的范围,且聚酰亚胺层的厚度如在5至50μm的范围时,便提升COF用载置带的使用性。
以下,更详细说明本发明。
COF用敷铜箔板是由铜箔与聚酰亚胺层所组成,铜箔可在单面,亦可在双面。
聚酰亚胺层虽可由单层或多层所组成,如为单层则易于制造。当由多层所组成时,理想的构造是在接着面侧具有为提高与铜箔间的接着强度的薄聚酰亚胺层,以及在表面侧具有于高温下呈现高弹性的厚聚酰亚胺层。此时的厚度比以1∶2至1∶100的范围为佳。并且,聚酰亚胺层较好是在350℃呈现非热塑性的特性,更优选是在400℃呈现非热塑性的特性。另外,当聚酰亚胺层由多层所组成时,则任何一层聚酰亚胺层均呈现上述特性。其中,非热塑性的特性是指储存弹性模量(storage modulus)呈现0.5GPa以上者。如储存模数过高则接着性有降低的倾向,因此,在上述条件下,以呈现3.0GPa以下者为佳。以下,将本发明中所使用的呈现非热塑性的特性的聚酰亚胺(层)也称的为非热塑性聚酰亚胺(层)或简单称为聚酰亚胺(层)。
本发明的COF用敷铜箔板是在铜箔上涂布聚酰亚胺或聚酰亚胺的前驱物溶液,并经由干燥、硬化并形成聚酰亚胺层而制造。双面具有铜箔的积层板是在该聚酰亚胺层的表面将铜箔(可具有聚酰亚胺层)经由热压而制造。
形成非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺虽无特别限制,但由特定的二胺与特定的四羧酸二酐所合成的聚酰亚胺可利于使用。该二胺的例可列举如:邻苯二胺、对苯二胺、间苯二胺、4,4′-二胺基苯醚、3,4′-二胺基二苯醚、3,3′-二胺基二苯醚、4,4′-二胺基联苯、4,4′-二胺基-2,2′-二甲基联苯、2,2-双[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、可具有烷基或烷氧基等取代基的4,4′-二胺基-N-苯甲酰基苯胺等。该等可单独使用或使用两种以上。亦可与其它的二胺并用,然上述二胺成分的使用量是以70%摩尔以上者为佳。
该特定的四羧酸二酐的例可列举如:均苯四甲酸二酐、3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐、2,2′,3,3′-联苯四羧酸等。该等可单独使用或使用两种以上。而且,亦可与其它的四羧酸二酐并用,然上述特定的四羧酸二酐的使用量是以70%摩尔以上者为佳。
再者,形成非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺则可使用市售的非热塑性聚酰亚胺膜的中间物的聚酰亚胺溶液或该前驱物溶液。可列举如:宇部兴产(股)公司的UPILEX(登记商标)S、SGA、SN;东丽·杜邦(股)公司的KAPTON(登记商标)H、V、EN;钟渊化学工业(股)公司的APICAL(登记商标)AH、NPI、HP等的中间物。聚酰亚胺层的厚度虽无特别限制,以2至100μm为佳,又以5至50μm为更佳。
本发明中所使用的铜箔是由铜或含90%以上的铜合金所成,其厚度虽无特别限制,以3至30μm为佳,又以5至20μm为更佳。铜箔可为电解铜箔或压轧铜箔,但以电解铜箔为适用。然后,该铜箔适合为未经粗糙化处理者。
为改善与聚酰亚胺层的接着性,铜箔表面(所谓与聚酰亚胺层相接的面)宣实施表面处理。该表面处理宜在铜箔表面经由依序设置金属处理层、铬酸盐处理层以及硅烷偶合剂处理层而进行。
设置金属处理层的方法是使至少一种选自Mo、Co、Ni以及Zn的金属(较佳者是以Zn、Ni的两者为必要金属)附着于铜箔表面。该金属的附着量约为1至50μg/cm2左右,而以5至50μg/cm2左右为佳。Zn、Ni的两者为必要金属时,Zn为1至5μg/cm2,Ni为1至15μg/cm2,较佳者是使Ni/(Ni+Zn)的比成为0.70以上。使金属附着的方法则可使用电或化学的镀敷法(plating method)、真空或化学的蒸镀法等习知的方法。
设置铬酸盐处理层的方法则可使用:将设有金属处理层的铜箔浸渍于重铬酸钠溶液并使的通电的阴极处理等习知的方法。设置硅烷偶合剂处理层的方法则可使用:将含有3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(3-glycidoxypropyltrimethoxysilane)等硅烷偶合剂的溶液以喷雾法等涂布在设有铬酸盐处理层的铜箔,并将此干燥等的习知方法。
本发明中所使用的铜箔表面(经表面处理的情况时,是指经表面处理后的表面),其粗糙度(Rz)在0.5至1.5μm的范围。当表面粗糙度(Rz)小于该范围时,便有无法得到良好的接着强度等的问题,如大于该范围时,便容易产生难以形成微细电路等的问题。
本发明的COF用敷铜箔板是使用将非热塑性聚酰亚胺或前驱物的溶液(以下亦称为清漆:vamish)涂布在铜箔表面,并使干燥、硬化的方法而制造。涂布清漆的方法可采用:狭缝式涂布(die coater)、双辊筒涂布(comma coater)、滚轮涂布(roller coater)、凹版涂布(gravure coater)、幕联式涂布(curtain coater)、喷雾涂布(spray coater)等习知的方法。此时,可依需要而涂布多层。使涂布的清漆干燥、硬化的方法可使用一般的加热干燥炉。干燥炉的环境则可利用空气、惰性气体(氮气、氩气)等。干燥、硬化的温度适用于60至400℃左右的温度范围,硬化是将聚酰亚胺前驱物进行至成为聚酰亚胺为止。另外,在必须薄化铜箔厚度之时,以相同厚度将部分的铜箔依蚀刻处理等而去除,便做成既定厚度的铜箔厚度。
如此所得的本发明的COF用敷铜箔板的铜-聚酰亚胺间的常温中的180度(折曲角度)剥离强度需有0.6kN/m以上的必要。较佳的剥离强度在0.8至2.0kN/m的范围。如此的剥离强度可经由从如上述的聚酰亚胺选择适当的聚酰亚胺,或从铜箔或铜箔的表面处理条件选择适当的铜箔或处理条件而获得。其中,180度(折曲角度)剥离强度在具体上是依实施例所记载的条件而测定。
由COF用敷铜箔板而制造COF用载置带的方法可依照习知的方法而适当选择使用。例如:将COF用敷铜箔板切成既定宽度的薄膜,在薄膜两侧设孔列之后,于铜箔面侧设置感光性树脂层,通过可得既定电路的屏蔽并曝光,接着,进行蚀刻处理并去除未曝光部份或曝光部分的任一者。其次,以残余树脂层作为光阻(resist),将露出的铜箔经蚀刻处理而形成电路图案,之后经由去除阻剂而制成COF用载置带等的方法。
发明的效果
依照本发明,即可提供一种无针孔,经Au-Au接合或Au-Sn接合,即使在芯片安装时,电路偏移亦少的COF用敷铜箔板。而因应需要亦可提供一种可底部充填(underfill)的COF用敷铜箔板。
附图说明
图1是呈示将IC芯片安装在COF用载置带的例的概念图。
符号说明
1IC芯片
2凸块
3聚酰亚胺层
4电路
具体实施方式
图1是呈示将IC芯片安装在COF用载置带的例的概念图,IC芯片1的经镀金的凸块(bump)2是呈示与COF用载置带的聚酰亚胺层3上形成的电路4(可做成将COF用敷铜箔板的铜箔经电路加工所得的镀锡等)的接合状态。此时,为了以350至400℃左右的高温热压,压着部的聚酰亚胺层3的厚度则由原先厚度T1沉没至成为T2。该厚度的差T1-T2可望尽可能的小。
实施例
以下,是依实施例而更详细说明本发明。
实施例中所使用的简略语是如下所述。
PMDA:均苯四甲酸二酐
BPDA:3,3′,4,4′-联苯四羧酸
m-TB:4,4′-二胺基-2,2′-二甲基联苯
BAPP:2,2-双[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷
DAPE:4,4′-二胺基二苯醚
MABA:4,4′-二胺基-2′-二甲氧基-N-苯甲酰基苯胺
DMAc:二甲基乙酰胺
合成例1:
将21.78g(102.63×10-3mol)的m-TB以及13.70g(68.42×10-3mol)的DAPE加入于425g的DMAc,并置于1L分离瓶中一边搅拌使的溶解。接着,将29.55g(135.49×10-3mol)的PMDA与9.96g(33.87×10-3mol)的BPDA以逐次少量投入该溶液中并进行聚合反应,得到高粘度的聚酰亚胺前驱物溶液A。
合成例2:
将6651.3g(25.85mol)的MABA以及3450.9g(17.23mol)的DAPE加入于110.5Kg的DMAc,并置于130L的不锈钢容器中一边搅拌使的溶解。接着,将9266.2g(42.48mol)的PMDA以逐次少量投入该溶液中并进行聚合反应,得到高粘度的聚酰亚胺前驱物溶液B。
合成例3:
将1294.43g(3.153mol)的BAPP溶解于17386g的DMAc后,将708.49g(3.248mol)的PMDA投入该溶液中并进行聚合反应,得到高粘度的聚酰亚胺前驱物溶液C。
将各合成例中所得的聚酰亚胺前驱物溶液在耐热玻璃板进行刮棒涂布以使转化成酰亚胺后的薄膜厚度成为40μm,并在130℃下进行5分钟的干燥。之后,将其各投入真空恒温槽中,分别在200℃、300℃、350℃下进行30分钟的热处理,并从玻璃板剥离而得到厚度40μm的聚酰亚胺薄膜。将所得的聚酰亚胺薄膜以差热扫描量热仪(DSC:Differential scanning calorimetry)分析以及热机械分析仪(TMA:ThermalMechanical Analysis)测定Tg,并以动态热机分析法(DMA:DynamicMechanical Analysis)进行粘弹性测定。
由合成例1的聚酰亚胺前驱物溶液A所得的聚酰亚胺A并无观察到Tg,是350℃中储存模数为1GPa的非热塑性聚酰亚胺。
由合成例2的聚酰亚胺前驱物溶液B所得的聚酰亚胺B并无观察到Tg,是350℃中储存模数为1GPa的非热塑性聚酰亚胺。
由合成例3的聚酰亚胺前驱物溶液C所得的聚酰亚胺C观察到在300℃至350℃之间的Tg,是350℃中储存模数为0.1GPa的热塑性聚酰亚胺。
处理例1:
准备平均厚度为18μm的无粗糙化电解铜箔,将该表面在30℃的稀硫酸中去除油成分与表面的氧化皮膜。再者,使用由硫酸镍、焦磷酸锌、焦磷酸钾所成的电镀液,使铜箔面的镍-锌合金层电解。
处理例2:
准备平均厚度为18μm的无粗糙化电解铜箔,将该表面在30℃的稀硫酸中去除油成分与表面的氧化皮膜。再者,使用由硫酸镍、焦磷酸锌、焦磷酸钾、硫酸钴所成的电镀液,使铜箔面的钴-镍-锌合金层电解。
处理例3:
准备平均厚度为18μm的无粗糙化电解铜箔,将该表面在30℃的稀硫酸中去除油成分与表面的氧化皮膜。再者,使用由硫酸镍、焦磷酸锌、焦磷酸钾所成的电镀液,使铜箔面的镍-锌合金层电解。
处理例4:
再将形成处理例1至3所得金属处理层的铜箔进行水洗,使用无水铬酸钠二水合物2g/L、pH值4、浴温30℃的电解溶液,以电流密度1A/dm2通电5秒钟,形成电解铬酸盐处理层。
处理例5:
将处理例4所得3种类的经铬酸盐处理的铜箔进行水洗,在0.1wt%γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷水溶液的硅烷偶合剂中浸渍10秒钟后立即在80℃下干燥,并形成硅烷偶合剂处理层。由于所得的表面处理铜箔是由形成处理例1至3所得的金属处理层的3种类的铜箔所得者,因而依序称为表面处理铜箔1、2、3。
对于表面处理铜箔1至3方面,该表面粗糙度Rz是根据JIS B0601-1994「作为表面粗糙的定义」的5.0+点平均粗糙为定义,以触针式表面粗糙度计KLA(丹克尔公司制造)的P-15测定该测定长度为0.8mm、测定速度为20μm/秒,荷重为2g。其结果,表面处理铜箔1及2的Rz均为0.8μm,表面处理铜箔3的Rz为2.5μm。
实施例1:
将聚酰亚胺前驱物溶液A在表面处理铜箔1进行刮棒涂布(barcoating)以使转化成酰亚胺后的薄膜厚度成为40μm,并在130℃下进行5分钟的干燥。之后,将其投入真空恒温槽中,各在200℃、300℃、350℃下进行30分钟的热处理,而得到厚度40μm的敷铜箔板。将该敷铜箔板的铜箔表面以光学显微镜观察,查看5μm以上的针孔以及由针孔所引起的表面凹陷。其结果,针孔以及凹处的个数(称为针孔等的数)为0个/cm2。
将该敷铜箔板于硫酸浓度5.0g/l、过氧化氢50g/l、铜浓度20g/l的蚀刻液中,全面均匀地淋浴1分钟,得到导体厚度8.0μm、聚酰亚胺层厚度40μm的COF用敷铜箔板。
将该COF用敷铜箔板的铜箔加工为宽度1mm的电路,在测定由聚酰亚胺的180。剥离强度时,为1.0kN/m。再者,该电路即使在热风烤箱中以150℃、168小时处理后,亦不过为0.5kN/m。经确认为可实用者。
实施例2至3以及比较例1至4:
除了示于表1中的表面处理铜箔种类以及聚酰亚胺前驱物溶液的种类以外,与实施例1的相同处理,得到COF用敷铜箔板。对于所得的COF用敷铜箔板方面,将与实施例1相同评价的结果示于表1。另外,在表1中,铜箔的种类表示表面处理铜箔种类、聚酰亚胺的种类表示聚酰亚胺前驱物溶液的种类。剥离强度中前表示加热处理前的剥离强度,剥离强度中后是表示经150℃、168小时的加热处理后的剥离强度。微细加工性表示50μm间距加工的精密度。变形量表示以下述方法测验的量。
比较例5:
市售的依溅镀法的无接着剂敷铜箔板方面,将与上述相同评价的结果示于表1。另外将该无接着剂敷铜箔板的聚酰亚胺层在由33.5g的水、33.5g的氢氧化钾、11g的乙二胺、22g的乙二醇所成的70℃水溶液中浸渍3小时,而得到导体层,在测定成为与聚酰亚胺的界面的导体层表面的粗糙度Rz时,为0.8μm。
【表1】
铜箔种类与Rz(μm) | 聚酰亚胺种类 | 针孔等的个数(个/cm2) | 剥离强度(kN/m)前后 | 微细加工性 | 变形量(μm) | |
实施例1 | 1(0.8) | A | 0 | 10.5 | 良好 | 1 |
实施例2 | 2(0.8) | A | 0 | 10.8 | 良好 | 1 |
实施例3 | 1(0.8) | B | 0 | 10.6 | 良好 | 1 |
比较例1 | 1(0.8) | C | 0 | 1.21.0 | 良好 | 4 |
比较例2 | 3(2.5) | A | 0 | 1.50.6 | 部分短路 | - |
比较例3 | 1(0.8) | A | 0 | 0.50.1 | 电路剥离 | - |
比较例4 | 1(0.8) | A | 0 | 0.50.1 | 电路剥离 | - |
比较例5 | (0.8) | >10 | 0.80.4 | 欠缺部分电路 | - |
实施例4:
在实施例1至3中所得3种类的敷铜箔板方面,切成宽度35mm之后以冲孔(punching)形成孔列。其次,使用光蚀显影法将负型光阻剂涂布干燥,在铜箔上形成光阻层,介由50μm间距的COF用光罩曝光,并进行显影,将光阻层图案化。接着,将光阻层的图案作为屏蔽,铜箔层在氯化亚铁水溶液中溶解去除并形成铜箔的图案。再者,光阻层是以碱性水溶液去除。观察所得的导体层图案时,得到无短路、断线、剥离等良好的薄膜载置带。将所得电路在硫酸水溶液中进行酸洗后,于Shipley公司制造的Tinposit LT-34中实施镀锡,而得到完成镀锡的薄膜载置带。
之后,将具有金凸块的IC安装在薄膜载置带之内引脚部(innerleads)。安装是使用芝浦株式会社制造的覆晶焊接机(flip chip bonder)「TFC-2100」,焊接头(bonding head tool)温度为400℃、载物台(stage)温度为100℃、接合压力是使平均1凸块的荷重成为20gf而进行。
其次,观察安装IC的COF薄膜载置带的剖面,如图1所示的T1(薄膜厚度)-T2(安装部薄膜厚度)=T3(因安装的树脂变形量)而测定。在本实施例中,任一变形量T3均为1μm,内引脚与凸块的连接状态良好。
Claims (6)
1.一种COF用敷铜箔板,是在铜箔上设置聚酰亚胺层的敷铜箔板,聚酰亚胺层是以溶液形态涂布在铜箔上,并经干燥及硬化而得,在350℃下呈现非热塑性的特性,而且,铜箔的聚酰亚胺积层面的表面粗糙度(Rz)在0.5至1.5μm的范围,铜-聚酰亚胺间的常温下180度的剥离强度为0.6kN/m以上。
2.根据权利要求1所述的COF用敷铜箔板,其中,聚酰亚胺层为单层。
3.根据权利要求1或2所述的COF用敷铜箔板,其中,铜箔为无粗糙化的电解铜箔,铜箔的聚酰亚胺积层侧的面含有:选自钼、钴、镍以及锌所成组群的一种以上的金属所处理的金属处理层,与铬酸盐处理层以及硅烷偶合剂处理层。
4.根据权利要求3所述的COF用敷铜箔板,其中,该金属处理层是以锌与镍作为必要成份的合金层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的COF用敷铜箔板,其中,铜箔的厚度在5至20μm的范围,且聚酰亚胺层的厚度在5至50μm的范围。
6.一种COF用载置带,是将根据权利要求1至5中任一项所述的COF用敷铜箔板加工而得。
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