JP3477460B2 - Ｃｏｆ用積層フィルム及びｃｏｆフィルムキャリアテープ - Google Patents
Ｃｏｆ用積層フィルム及びｃｏｆフィルムキャリアテープInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣあるいはＬＳ
Ｉなどの電子部品を実装するフィルムキャリアテープに
用いるＣＯＦ用積層フィルム及びＣＯＦフィルムキャリ
アテープに関する。
Ｉなどの電子部品を実装するフィルムキャリアテープに
用いるＣＯＦ用積層フィルム及びＣＯＦフィルムキャリ
アテープに関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクス産業の発達に伴い、Ｉ
Ｃ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子部
品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加してい
るが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望さ
れ、これら電子部品の実装方法として、最近ではＴＡＢ
テープ、Ｔ−ＢＧＡテープ、ＡＳＩＣテープ等の電子部
品実装用フィルムキャリアテープを用いた実装方式が採
用されている。特に、パーソナルコンピュータ、携帯電
話等のように、高精細化、薄型化、液晶画面の額縁面積
の狭小化が要望されている液晶表示素子（ＬＣＤ）を使
用する電子産業において、その重要性が高まっている。
Ｃ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子部
品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加してい
るが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望さ
れ、これら電子部品の実装方法として、最近ではＴＡＢ
テープ、Ｔ−ＢＧＡテープ、ＡＳＩＣテープ等の電子部
品実装用フィルムキャリアテープを用いた実装方式が採
用されている。特に、パーソナルコンピュータ、携帯電
話等のように、高精細化、薄型化、液晶画面の額縁面積
の狭小化が要望されている液晶表示素子（ＬＣＤ）を使
用する電子産業において、その重要性が高まっている。
【０００３】また、より小さいスペースで、より高密度
の実装を行う実装方法として、裸のＩＣチップをフィル
ムキャリアテープ上に直接搭載するＣＯＦ（チップ・オ
ン・フィルム）が実用化されている。
の実装を行う実装方法として、裸のＩＣチップをフィル
ムキャリアテープ上に直接搭載するＣＯＦ（チップ・オ
ン・フィルム）が実用化されている。
【０００４】このＣＯＦに用いられるフィルムキャリア
テープはデバイスホールを具備しないので、導体と絶縁
層とが予め積層された積層フィルムが用いられ、位置決
めパターンは導体のみに形成されるため、ＩＣチップの
配線パターン上への直接搭載の際の位置合わせは、絶縁
層を透過して視認される位置決めパターンを介して行わ
れる。
テープはデバイスホールを具備しないので、導体と絶縁
層とが予め積層された積層フィルムが用いられ、位置決
めパターンは導体のみに形成されるため、ＩＣチップの
配線パターン上への直接搭載の際の位置合わせは、絶縁
層を透過して視認される位置決めパターンを介して行わ
れる。
【０００５】このようなＣＯＦフィルムキャリアテープ
に用いられる銅箔積層フィルムとしては、ポリイミドフ
ィルムなどの絶縁フィルムにニッケルなどの密着強化層
をスパッタした後、銅メッキを施した積層フィルムがあ
る。このような銅メッキ積層フィルムでは、ポリイミド
フィルムが比較的透明であるので、ＩＣ搭載の際の位置
合わせが容易であるが、銅箔のピール強度が低い、耐マ
イグレーション性に劣るという問題がある。
に用いられる銅箔積層フィルムとしては、ポリイミドフ
ィルムなどの絶縁フィルムにニッケルなどの密着強化層
をスパッタした後、銅メッキを施した積層フィルムがあ
る。このような銅メッキ積層フィルムでは、ポリイミド
フィルムが比較的透明であるので、ＩＣ搭載の際の位置
合わせが容易であるが、銅箔のピール強度が低い、耐マ
イグレーション性に劣るという問題がある。
【０００６】このような問題のない積層フィルムとして
は、銅箔にポリイミドフィルムを塗布法により積層した
キャスティングタイプや、銅箔に熱可塑性樹脂・熱硬化
性樹脂などを介し絶縁フィルムを熱圧着した熱圧着タイ
プの積層フィルムがある。
は、銅箔にポリイミドフィルムを塗布法により積層した
キャスティングタイプや、銅箔に熱可塑性樹脂・熱硬化
性樹脂などを介し絶縁フィルムを熱圧着した熱圧着タイ
プの積層フィルムがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、キャス
ティングタイプ・熱圧着タイプの積層フィルムでは、銅
箔をエッチングで除去した領域の絶縁層の銅箔に接して
いた表面が光を乱反射してしまい、絶縁層を透過して銅
パターンが認識できないという問題があった。
ティングタイプ・熱圧着タイプの積層フィルムでは、銅
箔をエッチングで除去した領域の絶縁層の銅箔に接して
いた表面が光を乱反射してしまい、絶縁層を透過して銅
パターンが認識できないという問題があった。
【０００８】従って、位置合わせを確実に行うために
は、銅箔のパターンエッチングの後、位置合わせパター
ンに対応してレーザ加工やエッチングにより絶縁層に位
置合わせに必要な孔を後加工しなければならず、コスト
高になるという問題があった。
は、銅箔のパターンエッチングの後、位置合わせパター
ンに対応してレーザ加工やエッチングにより絶縁層に位
置合わせに必要な孔を後加工しなければならず、コスト
高になるという問題があった。
【０００９】本発明は、このような事情に鑑み、ピール
強度や耐マイグレーション性などの問題がなく、ＩＣチ
ップやプリント基板などの実装の際の位置合わせも良好
に行うことができるＣＯＦ用積層フィルム及びＣＯＦフ
ィルムキャリアテープを提供することを課題とする。
強度や耐マイグレーション性などの問題がなく、ＩＣチ
ップやプリント基板などの実装の際の位置合わせも良好
に行うことができるＣＯＦ用積層フィルム及びＣＯＦフ
ィルムキャリアテープを提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の第１の態様は、導体層上に直接キャスティング又は
熱圧着により絶縁層を設けて当該導体層と当該絶縁層と
が積層された構造となったＣＯＦ用積層フィルムであっ
て、前記導体層の前記絶縁層と接する面の表面粗さＲｚ
が０．１〜１．８μｍであり、且つ前記導体層をエッチ
ングした領域の前記絶縁層の光透過率が５０％以上であ
ることを特徴とするＣＯＦ用積層フィルムにある。
明の第１の態様は、導体層上に直接キャスティング又は
熱圧着により絶縁層を設けて当該導体層と当該絶縁層と
が積層された構造となったＣＯＦ用積層フィルムであっ
て、前記導体層の前記絶縁層と接する面の表面粗さＲｚ
が０．１〜１．８μｍであり、且つ前記導体層をエッチ
ングした領域の前記絶縁層の光透過率が５０％以上であ
ることを特徴とするＣＯＦ用積層フィルムにある。
【００１１】 かかる第１の態様では、導体層の表面粗
さを所定の範囲とすることにより、絶縁層の光透過率を
５０％以上とすることができるので、ＩＣチップ等の実
装の際の位置合わせを良好に行うことができる。
さを所定の範囲とすることにより、絶縁層の光透過率を
５０％以上とすることができるので、ＩＣチップ等の実
装の際の位置合わせを良好に行うことができる。
【００１２】 本発明の第２の態様は、第１の態様にお
いて、前記導体層が銅箔であることを特徴とするＣＯＦ
用積層フィルムにある。
いて、前記導体層が銅箔であることを特徴とするＣＯＦ
用積層フィルムにある。
【００１３】 かかる第２の態様では、銅箔の表面粗さ
が所定の範囲であるので、その上に形成された絶縁層の
光透過率を５０％以上とすることができる。
が所定の範囲であるので、その上に形成された絶縁層の
光透過率を５０％以上とすることができる。
【００１４】本発明の第３の態様は、第１又は２の態様
において、前記絶縁層が、ポリイミド前駆体樹脂溶液を
塗布した後、乾燥・硬化することにより形成されたもの
であることを特徴とするＣＯＦ用積層フィルムにある。
において、前記絶縁層が、ポリイミド前駆体樹脂溶液を
塗布した後、乾燥・硬化することにより形成されたもの
であることを特徴とするＣＯＦ用積層フィルムにある。
【００１５】かかる第３の態様では、ポリイミドからな
る絶縁層を有する積層フィルムとなる。
る絶縁層を有する積層フィルムとなる。
【００１６】本発明の第４の態様では、第１又は２の態
様において、前記絶縁層が、前記導体層に熱圧着された
熱可塑性樹脂層及び絶縁フィルムにより形成されたもの
であることを特徴とするＣＯＦ用積層フィルムにある。
様において、前記絶縁層が、前記導体層に熱圧着された
熱可塑性樹脂層及び絶縁フィルムにより形成されたもの
であることを特徴とするＣＯＦ用積層フィルムにある。
【００１７】かかる第４の態様では、熱可塑性樹脂層及
び絶縁フィルムにより絶縁層が導体層上に形成される。
び絶縁フィルムにより絶縁層が導体層上に形成される。
【００１８】本発明の第５の態様は、第１又は２の態様
において、前記絶縁層が、前記導体層に熱圧着された熱
硬化性樹脂層及び絶縁フィルムにより形成されたもので
あることを特徴とするＣＯＦ用積層フィルムにある。
において、前記絶縁層が、前記導体層に熱圧着された熱
硬化性樹脂層及び絶縁フィルムにより形成されたもので
あることを特徴とするＣＯＦ用積層フィルムにある。
【００１９】かかる第５の態様では、熱硬化性樹脂層及
び絶縁フィルムにより絶縁層が導体層上に形成される。
び絶縁フィルムにより絶縁層が導体層上に形成される。
【００２０】本発明の第６の態様は、第１〜５の何れか
の態様のＣＯＦ用積層フィルムを用いたことを特徴とす
るＣＯＦフィルムキャリアテープにある。
の態様のＣＯＦ用積層フィルムを用いたことを特徴とす
るＣＯＦフィルムキャリアテープにある。
【００２１】かかる第６の態様では、位置合わせのピー
ル強度や耐マイグレーション性などの問題がなく、ＩＣ
チップやプリント基板などの実装の際の位置合わせも良
好に行うことができるＣＯＦフィルムキャリアテープが
実現される。
ル強度や耐マイグレーション性などの問題がなく、ＩＣ
チップやプリント基板などの実装の際の位置合わせも良
好に行うことができるＣＯＦフィルムキャリアテープが
実現される。
【００２２】 本発明では、導体層の表面粗さを所定の
範囲とすることにより、絶縁層の光透過率を５０％以上
とすることができるので、ＩＣチップ等の実装の際の位
置合わせを良好に行うことができるが、好ましくは、５
５％以上、さらに好ましくは７０％以上であるのがよ
い。さらに精度よい位置合わせができるからである。
範囲とすることにより、絶縁層の光透過率を５０％以上
とすることができるので、ＩＣチップ等の実装の際の位
置合わせを良好に行うことができるが、好ましくは、５
５％以上、さらに好ましくは７０％以上であるのがよ
い。さらに精度よい位置合わせができるからである。
【００２３】ここで、光透過率は、吸光光度計を用いて
測定されるものである。すなわち、導体層をエッチング
した絶縁層を適当な大きさに切り出して光度計に光源に
対して垂直になるようにセットして測定する。
測定されるものである。すなわち、導体層をエッチング
した絶縁層を適当な大きさに切り出して光度計に光源に
対して垂直になるようにセットして測定する。
【００２４】また、かかる光透過率は、ＩＣチップ等の
実装時に画像処理する際に使用する光源の波長の領域で
有していればよいが、一般的には、可視領域、例えば、
波長４００〜８００ｎｍ程度の領域が使用される。しか
しながら、絶縁層が、例えば、ポリイミドなどの二重結
合を有する材料からなるフィルムの場合には、５００ｎ
ｍ以下に大きな吸収を有するので、一般的には、６００
〜７００ｎｍの波長の光を中心とするＣＣＤカメラ等で
画像認識処理されるので、この範囲での光透過率が問題
とされる。
実装時に画像処理する際に使用する光源の波長の領域で
有していればよいが、一般的には、可視領域、例えば、
波長４００〜８００ｎｍ程度の領域が使用される。しか
しながら、絶縁層が、例えば、ポリイミドなどの二重結
合を有する材料からなるフィルムの場合には、５００ｎ
ｍ以下に大きな吸収を有するので、一般的には、６００
〜７００ｎｍの波長の光を中心とするＣＣＤカメラ等で
画像認識処理されるので、この範囲での光透過率が問題
とされる。
【００２５】このような光透過率の絶縁層とするために
は、導体層の絶縁層側の表面粗さＲｚを０．１〜１．８
μｍの範囲、特に、０．１〜１．３μｍの範囲とするの
が好ましい。なお、表面粗さＲｚは、「１０点平均粗
さ」であり、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に準じて測定され
る。
は、導体層の絶縁層側の表面粗さＲｚを０．１〜１．８
μｍの範囲、特に、０．１〜１．３μｍの範囲とするの
が好ましい。なお、表面粗さＲｚは、「１０点平均粗
さ」であり、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に準じて測定され
る。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態にＣＯＦ
用積層フィルム及びＣＯＦフィルムキャリアテープを実
施例に基づいて説明する。
用積層フィルム及びＣＯＦフィルムキャリアテープを実
施例に基づいて説明する。
【００２７】図１には、一実施形態に係るＣＯＦ用積層
フィルムを示す。図１に示すように、ＣＯＦ用積層フィ
ルム１０は、銅箔からなる導体１１とポリイミドフィル
ムからなる絶縁層１２とからなる。絶縁層１２は、導体
１１上に塗布法により形成されたものであり、界面には
接着層などは存在せず、絶縁層１２の光透過率が、例え
ば、波長６００ｎｍ程度で５０％以上ある。なお、光透
過率が５０％以上である波長は特に限定されず、ＩＣ搭
載の際の画像処理に使用する光源の波長で５０％以上あ
ればよいことはいうまでもない。
フィルムを示す。図１に示すように、ＣＯＦ用積層フィ
ルム１０は、銅箔からなる導体１１とポリイミドフィル
ムからなる絶縁層１２とからなる。絶縁層１２は、導体
１１上に塗布法により形成されたものであり、界面には
接着層などは存在せず、絶縁層１２の光透過率が、例え
ば、波長６００ｎｍ程度で５０％以上ある。なお、光透
過率が５０％以上である波長は特に限定されず、ＩＣ搭
載の際の画像処理に使用する光源の波長で５０％以上あ
ればよいことはいうまでもない。
【００２８】本発明でいう光透過率は、ＣＯＦ用積層フ
ィルム１０から導体１１をエッチング等で除去した領域
の光透過率であり、このような光透過率を有することに
より、ＩＣチップの搭載の際の位置合わせが容易とな
る。
ィルム１０から導体１１をエッチング等で除去した領域
の光透過率であり、このような光透過率を有することに
より、ＩＣチップの搭載の際の位置合わせが容易とな
る。
【００２９】ここで、導体１１としては、銅の他、金、
銀などを使用することもできるが、銅箔が一般的であ
る。また、銅箔としては、電解銅箔、圧延銅箔など何れ
も使用することができるが、絶縁層１２を設ける側の表
面粗さＲｚが０．１〜１．８μｍのものを用いるのが好
ましい。これは、この上に絶縁層１２を形成し、導体１
１を除去した際の絶縁層１２の光透過率が５０％以上と
なるからである。
銀などを使用することもできるが、銅箔が一般的であ
る。また、銅箔としては、電解銅箔、圧延銅箔など何れ
も使用することができるが、絶縁層１２を設ける側の表
面粗さＲｚが０．１〜１．８μｍのものを用いるのが好
ましい。これは、この上に絶縁層１２を形成し、導体１
１を除去した際の絶縁層１２の光透過率が５０％以上と
なるからである。
【００３０】導体１１の厚さは、一般的には、１〜７０
μｍであり、好ましくは、５〜３５μｍである。
μｍであり、好ましくは、５〜３５μｍである。
【００３１】一方、絶縁層１２としては、ポリイミドの
他、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルサルホ
ン、液晶ポリマーなどを用いることができるが、特に、
ビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミドを用いるの
が好ましい。なお、絶縁層１２の厚さは、一般的には、
１２．５〜７５μｍであり、好ましくは、１２．５〜５
０μｍである。
他、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルサルホ
ン、液晶ポリマーなどを用いることができるが、特に、
ビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミドを用いるの
が好ましい。なお、絶縁層１２の厚さは、一般的には、
１２．５〜７５μｍであり、好ましくは、１２．５〜５
０μｍである。
【００３２】このＣＯＦ用積層フィルム１０は、図２に
示すように、表面処理をして表面粗さＲｚが０．１〜
１．８μｍとなった銅箔からなる導体１１上に、ポリイ
ミド前駆体やワニスを含むポリイミド前駆体樹脂組成物
を塗布して塗布層１２ａを形成し、溶剤を乾燥させて巻
き取る。次に、酸素をパージしたキュア炉内で熱処理
し、イミド化して絶縁層１２とする。
示すように、表面処理をして表面粗さＲｚが０．１〜
１．８μｍとなった銅箔からなる導体１１上に、ポリイ
ミド前駆体やワニスを含むポリイミド前駆体樹脂組成物
を塗布して塗布層１２ａを形成し、溶剤を乾燥させて巻
き取る。次に、酸素をパージしたキュア炉内で熱処理
し、イミド化して絶縁層１２とする。
【００３３】図３には、上述したＣＯＦ用積層フィルム
１０を用いて製造したＣＯＦフィルムキャリアテープ２
０を示す。
１０を用いて製造したＣＯＦフィルムキャリアテープ２
０を示す。
【００３４】図３（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施
形態のＣＯＦフィルムキャリアテープ２０は、ＣＯＦ用
積層フィルム１０を用いて製造されたものであり、導体
１１をパターニングした配線パターン２１と、配線パタ
ーン２１の幅方向両側に設けられたスプロケットホール
２２とを有する。また、配線パターン２１は、それぞ
れ、実装される電子部品の大きさにほぼ対応した大きさ
で、絶縁層１２の表面に連続的に設けられている。さら
に、配線パターン２１上には、ソルダーレジスト材料塗
布溶液をスクリーン印刷法にて塗布して形成したソルダ
ーレジスト層２３を有する。
形態のＣＯＦフィルムキャリアテープ２０は、ＣＯＦ用
積層フィルム１０を用いて製造されたものであり、導体
１１をパターニングした配線パターン２１と、配線パタ
ーン２１の幅方向両側に設けられたスプロケットホール
２２とを有する。また、配線パターン２１は、それぞ
れ、実装される電子部品の大きさにほぼ対応した大きさ
で、絶縁層１２の表面に連続的に設けられている。さら
に、配線パターン２１上には、ソルダーレジスト材料塗
布溶液をスクリーン印刷法にて塗布して形成したソルダ
ーレジスト層２３を有する。
【００３５】このようにして製造されたＣＯＦフィルム
キャリアテープは、例えば、搬送されながらＩＣチップ
やプリント基板などの電子部品の実装工程に用いられ、
ＣＯＦ実装されるが、この際、絶縁層１２の光透過性が
５０％以上あるので、絶縁層１２側から配線パターン２
１をＣＣＤ等で画像認識することができ、さらに、実装
するＩＣチップやプリント基板の配線パターンを認識す
ることができ、画像処理により相互の位置合わせを良好
に行うことができ、高精度に電子部品を実装することが
できる。
キャリアテープは、例えば、搬送されながらＩＣチップ
やプリント基板などの電子部品の実装工程に用いられ、
ＣＯＦ実装されるが、この際、絶縁層１２の光透過性が
５０％以上あるので、絶縁層１２側から配線パターン２
１をＣＣＤ等で画像認識することができ、さらに、実装
するＩＣチップやプリント基板の配線パターンを認識す
ることができ、画像処理により相互の位置合わせを良好
に行うことができ、高精度に電子部品を実装することが
できる。
【００３６】次に、上述したＣＯＦフィルムキャリアテ
ープの一製造方法を図４を参照しながら説明する。
ープの一製造方法を図４を参照しながら説明する。
【００３７】図４（ａ）に示すように、ＣＯＦ用積層フ
ィルム１０を用意し、図４（ｂ）に示すように、パンチ
ング等によって、導体１１及び絶縁層１２を貫通してス
プロケットホール２２を形成する。このスプロケットホ
ール２２は、絶縁層１２の表面上から形成してもよく、
また、絶縁層１２の裏面から形成してもよい。次に、図
４（ｃ）に示すように、一般的なフォトリソグラフィー
法を用いて、導体１１上の配線パターン２１が形成され
る領域に亘ってネガ型フォトレジスト材料塗布溶液を塗
布してフォトレジスト材料塗布層３０を形成する。勿
論、ポジ型フォトレジスト材料を用いてもよい。さら
に、スプロケットホール２２内に位置決めピンを挿入し
て絶縁層１２の位置決めを行った後、フォトマスク３１
を介して露光・現像することで、フォトレジスト材料塗
布層３０をパターニングして、図４（ｄ）に示すような
配線パターン用レジストパターン３２を形成する。次
に、配線パターン用レジストパターン３２をマスクパタ
ーンとして導体１１をエッチング液で溶解して除去し、
さらに配線パターン用レジストパターン３２をアルカリ
溶液等にて溶解除去することにより、図４（ｅ）に示す
ように配線パターン２１を形成する。続いて、図４
（ｆ）に示すように、例えば、スクリーン印刷法を用い
て、ソルダーレジスト層２３を形成する。
ィルム１０を用意し、図４（ｂ）に示すように、パンチ
ング等によって、導体１１及び絶縁層１２を貫通してス
プロケットホール２２を形成する。このスプロケットホ
ール２２は、絶縁層１２の表面上から形成してもよく、
また、絶縁層１２の裏面から形成してもよい。次に、図
４（ｃ）に示すように、一般的なフォトリソグラフィー
法を用いて、導体１１上の配線パターン２１が形成され
る領域に亘ってネガ型フォトレジスト材料塗布溶液を塗
布してフォトレジスト材料塗布層３０を形成する。勿
論、ポジ型フォトレジスト材料を用いてもよい。さら
に、スプロケットホール２２内に位置決めピンを挿入し
て絶縁層１２の位置決めを行った後、フォトマスク３１
を介して露光・現像することで、フォトレジスト材料塗
布層３０をパターニングして、図４（ｄ）に示すような
配線パターン用レジストパターン３２を形成する。次
に、配線パターン用レジストパターン３２をマスクパタ
ーンとして導体１１をエッチング液で溶解して除去し、
さらに配線パターン用レジストパターン３２をアルカリ
溶液等にて溶解除去することにより、図４（ｅ）に示す
ように配線パターン２１を形成する。続いて、図４
（ｆ）に示すように、例えば、スクリーン印刷法を用い
て、ソルダーレジスト層２３を形成する。
【００３８】（実施例１）導体１１としての超低粗度銅
箔上に、絶縁層１２として塗布法により厚さ４０μｍの
ポリイミド層を形成して実施例１のＣＯＦ用積層フィル
ムとした。超低粗度銅箔は厚さ９μｍで、表面粗さＲｚ
が１．２μｍであった。
箔上に、絶縁層１２として塗布法により厚さ４０μｍの
ポリイミド層を形成して実施例１のＣＯＦ用積層フィル
ムとした。超低粗度銅箔は厚さ９μｍで、表面粗さＲｚ
が１．２μｍであった。
【００３９】ここで、表面粗さＲｚは、銅箔を１０ｃｍ
×１０ｃｍの大きさに切り出し、接触式表面粗さ測定機
（小坂研究所 サーフコーダー ＳＥ−３０Ｈ）にて測定
した。測定には曲率半径２μｍの触針を使用し、測定長
を０．８ｍｍとし、縦倍率５０００倍、横倍率２００
倍、スキャン速度０．１ｍｍ／秒で測定した。
×１０ｃｍの大きさに切り出し、接触式表面粗さ測定機
（小坂研究所 サーフコーダー ＳＥ−３０Ｈ）にて測定
した。測定には曲率半径２μｍの触針を使用し、測定長
を０．８ｍｍとし、縦倍率５０００倍、横倍率２００
倍、スキャン速度０．１ｍｍ／秒で測定した。
【００４０】このＣＯＦ用積層フィルムの導体１１をパ
ターニングし、パターニングした領域の絶縁層１２の光
透過率（波長６００ｎｍ）を測定したところ、７０％で
あった。この結果は表１及び図５に示す。
ターニングし、パターニングした領域の絶縁層１２の光
透過率（波長６００ｎｍ）を測定したところ、７０％で
あった。この結果は表１及び図５に示す。
【００４１】ここで、光透過率は、吸光光度計（日立製
作所製 Ｕ−３３００）にて測定をした。測定波長は４
００〜８００ｎｍとし、６００ｎｍの光透過率％を光透
過率とした。
作所製 Ｕ−３３００）にて測定をした。測定波長は４
００〜８００ｎｍとし、６００ｎｍの光透過率％を光透
過率とした。
【００４２】（実施例２）導体１１として、厚さ１８μ
ｍで、表面粗さＲｚが０．６μｍの圧延銅箔を用いた以
外は実施例１と同様にしてＣＯＦ用積層フィルムとし
た。
ｍで、表面粗さＲｚが０．６μｍの圧延銅箔を用いた以
外は実施例１と同様にしてＣＯＦ用積層フィルムとし
た。
【００４３】このＣＯＦ用積層フィルムの導体１１をパ
ターニングし、パターニングした領域の絶縁層１２の光
透過率（波長６００ｎｍ）を測定したところ、７５％で
あった。この結果は表１及び図５に示す。
ターニングし、パターニングした領域の絶縁層１２の光
透過率（波長６００ｎｍ）を測定したところ、７５％で
あった。この結果は表１及び図５に示す。
【００４４】（実施例３）導体１１として超低粗度銅箔
を用い、この上に厚さ１０μｍの熱可塑性ポリイミド樹
脂を介して厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを導体１
１に熱圧着する方法により厚さ３５μｍのポリイミド層
を絶縁層１２として形成し、実施例３のＣＯＦ用積層フ
ィルムとした。超低粗度銅箔は厚さ９μｍで、表面粗さ
Ｒｚが１．２μｍであった。
を用い、この上に厚さ１０μｍの熱可塑性ポリイミド樹
脂を介して厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを導体１
１に熱圧着する方法により厚さ３５μｍのポリイミド層
を絶縁層１２として形成し、実施例３のＣＯＦ用積層フ
ィルムとした。超低粗度銅箔は厚さ９μｍで、表面粗さ
Ｒｚが１．２μｍであった。
【００４５】このＣＯＦ用積層フィルムの導体１１をパ
ターニングし、パターニングした領域の絶縁層１２の光
透過率（波長６００ｎｍ）を測定したところ、５８％で
あった。この結果は表１及び図５に示す。
ターニングし、パターニングした領域の絶縁層１２の光
透過率（波長６００ｎｍ）を測定したところ、５８％で
あった。この結果は表１及び図５に示す。
【００４６】（実施例４）絶縁層１２として厚さ１０μ
ｍの熱硬化性樹脂を介して厚さ２５μｍのポリイミドフ
ィルムを導体１１に熱圧着する方法により厚さ３５μｍ
のポリイミド層を形成した以外は実施例３と同様にして
ＣＯＦ用積層フィルムとした。
ｍの熱硬化性樹脂を介して厚さ２５μｍのポリイミドフ
ィルムを導体１１に熱圧着する方法により厚さ３５μｍ
のポリイミド層を形成した以外は実施例３と同様にして
ＣＯＦ用積層フィルムとした。
【００４７】このＣＯＦ用積層フィルムの導体１１をパ
ターニングし、パターニングした領域の絶縁層１２の光
透過率（波長６００ｎｍ）を測定したところ、５５％で
あった。この結果は表１及び図５に示す。
ターニングし、パターニングした領域の絶縁層１２の光
透過率（波長６００ｎｍ）を測定したところ、５５％で
あった。この結果は表１及び図５に示す。
【００４８】（比較例１）導体１１として、厚さ１２μ
ｍで、表面粗さＲｚが２．０μｍの電解銅箔を用いた以
外は実施例１と同様にしてＣＯＦ用積層フィルムとし
た。
ｍで、表面粗さＲｚが２．０μｍの電解銅箔を用いた以
外は実施例１と同様にしてＣＯＦ用積層フィルムとし
た。
【００４９】このＣＯＦ用積層フィルムの導体１１をパ
ターニングし、パターニングした領域の絶縁層１２の光
透過率（波長６００ｎｍ）を測定したところ、１０％で
あった。この結果は表１及び図５に示す。
ターニングし、パターニングした領域の絶縁層１２の光
透過率（波長６００ｎｍ）を測定したところ、１０％で
あった。この結果は表１及び図５に示す。
【００５０】（比較例２）厚さ３８μｍのポリイミドフ
ィルムに銅メッキを施して導体を形成してＣＯＦ用積層
フィルムとした。なお、導体の表面粗さＲｚは０．８で
あった。
ィルムに銅メッキを施して導体を形成してＣＯＦ用積層
フィルムとした。なお、導体の表面粗さＲｚは０．８で
あった。
【００５１】このＣＯＦ用積層フィルムの導体をパター
ニングし、パターニングした領域の絶縁層１２の光透過
率（波長６００ｎｍ）を測定したところ、６７％であっ
た。この結果は表１及び図５に示す。但し、銅メッキな
ので導体のピール強度が低く、耐マイグレーション性に
劣るという問題を有していた。
ニングし、パターニングした領域の絶縁層１２の光透過
率（波長６００ｎｍ）を測定したところ、６７％であっ
た。この結果は表１及び図５に示す。但し、銅メッキな
ので導体のピール強度が低く、耐マイグレーション性に
劣るという問題を有していた。
【００５２】
【表１】
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＣＯＦ用
積層フィルム及びＣＯＦフィルムキャリアテープは、ピ
ール強度や耐マイグレーション性などの問題がなく、Ｉ
Ｃチップやプリント基板などの実装の際の位置合わせも
良好に行うことができるものである。
積層フィルム及びＣＯＦフィルムキャリアテープは、ピ
ール強度や耐マイグレーション性などの問題がなく、Ｉ
Ｃチップやプリント基板などの実装の際の位置合わせも
良好に行うことができるものである。
【図１】本発明の一実施形態に係るＣＯＦ用積層フィル
ムの断面図である。
ムの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＣＯＦ用積層フィル
ムの製造方法の一例を示す断面図である。
ムの製造方法の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャ
リアテープを示す概略構成図であって、（ａ）は平面図
であり、（ｂ）は断面図である。
リアテープを示す概略構成図であって、（ａ）は平面図
であり、（ｂ）は断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャ
リアテープの製造方法の一例を示す断面図である。
リアテープの製造方法の一例を示す断面図である。
【図５】実施例及び比較例の結果を示す図である。
１０ ＣＯＦ用積層フィルム
１１ 導体
１２ 絶縁層
２０ ＣＯＦフィルムキャリアテープ
２１ 配線パターン
２２ スプロケットホール
２３ ソルダーレジスト層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60 311
Claims (6)
- 【請求項１】 導体層上に直接キャスティング又は熱圧
着により絶縁層を設けて当該導体層と当該絶縁層とが積
層された構造となったＣＯＦ用積層フィルムであって、
前記導体層の前記絶縁層と接する面の表面粗さＲｚが
０．１〜１．８μｍであり、且つ前記導体層をエッチン
グした領域の前記絶縁層の光透過率が５０％以上である
ことを特徴とするＣＯＦ用積層フィルム。 - 【請求項２】 請求項１において、前記導体層が銅箔で
あることを特徴とするＣＯＦ用積層フィルム。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、前記絶縁層
が、ポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布した後、乾燥・硬
化することにより形成されたものであることを特徴とす
るＣＯＦ用積層フィルム。 - 【請求項４】 請求項１又は２において、前記絶縁層
が、前記導体層に熱圧着された熱可塑性樹脂層及び絶縁
フィルムにより形成されたものであることを特徴とする
ＣＯＦ用積層フィルム。 - 【請求項５】 請求項１又は２において、前記絶縁層
が、前記導体層に熱圧着された熱硬化性樹脂層及び絶縁
フィルムにより形成されたものであることを特徴とする
ＣＯＦ用積層フィルム。 - 【請求項６】 請求項１〜５の何れかのＣＯＦ用積層フ
ィルムを用いたことを特徴とするＣＯＦフィルムキャリ
アテープ。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP2001210208A JP3477460B2 (ja) | 2001-07-11 | 2001-07-11 | Ｃｏｆ用積層フィルム及びｃｏｆフィルムキャリアテープ |
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|---|---|---|---|
| JP2001210208A JP3477460B2 (ja) | 2001-07-11 | 2001-07-11 | Ｃｏｆ用積層フィルム及びｃｏｆフィルムキャリアテープ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3477460B2 true JP3477460B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=19045709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001210208A Expired - Lifetime JP3477460B2 (ja) | 2001-07-11 | 2001-07-11 | Ｃｏｆ用積層フィルム及びｃｏｆフィルムキャリアテープ |
Country Status (3)
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| KR (1) | KR100537657B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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-
2001
- 2001-07-11 JP JP2001210208A patent/JP3477460B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-19 TW TW91113356A patent/TW544827B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-07-10 KR KR10-2002-0039968A patent/KR100537657B1/ko active IP Right Grant
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|---|---|
| KR20030007101A (ko) | 2003-01-23 |
| KR100537657B1 (ko) | 2005-12-19 |
| TW544827B (en) | 2003-08-01 |
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