CN1673068A - 氢气制造方法、氢气制造装置以及采用该装置的发动机 - Google Patents

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Abstract

本发明采用简便的装置结构制造氢气。氢气制造装置10具有：使硅(例如，废硅)和碱性氢氧化物水溶液反应的反应器12，和把通过反应生成的氢气加以贮藏的氢气贮藏合金20，和把反应器12中生成的固体状或液体状生成物加以储存的同时，通过把含上述生成物的溶液或悬浮液进行过滤，把固体状或液体状生成物和水分离的储存·过滤器14。

Description

氢气制造方法、氢气制造装置 以及采用该装置的发动机
技术领域
本发明涉及特别是以废弃的硅作为原料制造氢气的氢气制造方法、氢气制造装置及具有该装置的发动机。
背景技术
目前，大部分氢气是以天然气作为原料制造的。在这里，通过天然气的水蒸汽改质反应，制成氢气和一氧化碳，再把该一氧化碳和水蒸汽通过水性气体转换反应转变成氢气和二氧化碳气后，把氢气和二氧化碳气体进行膜分离，可得到纯的氢气。另外，已知炼铁业的焦炉气及苛性钠制备时发生的副产品氢气。另外，通过太阳能电池及风力，从生物活素也可以制造氢气。
例如，特开平8-115733号公报提出水和进行电热化学反应的铝体或镁体构成的反应金属体，在与耐热性电极接触的状态下设置在水中，给反应金属体和耐热性电极通电，进行水中放电，通过所述反应金属体和水产生的电热化学反应产生氢气的方法。
特开平10-208755号公报还提出使加热至100℃以下的水和催化剂接触，把水分解、产生氢气的方法。
然而，为了迎接将来的燃料电池时代，人们正在寻求廉价而大量稳定供给氢气的制造技术。
近几年来，有人提出使硅和碱液反应生成氢气，这与原来的方法相比，是廉价的生成氢气的方法。
例如，特开2000-191303号公报提出一种把来自半导体装置制造生产线的硅屑粉碎至粒径数十～数百μm左右，用来自半导体装置制造生产线的碱废液调节pH，使硅屑和碱废液在50℃或以上反应的氢气制造装置。
另外，特开2001-213609号公报提出一种为了抑制硅和碱液刚接触后立即发生的激烈反应，预先把硅和水进行混合制成浆状物状态，再使硅浆状物和碱液反应的氢气制造方法，如果采用该氢气制造方法，则可以得到最大约0.2MPa氢气压的氢气。
另一方面，在硅片制造过程中，通过把单晶硅切削及研磨，制造半导体制品。该制造方法的产品合格率低至20～25％左右，结果是75～80％的大量废弃硅粉末以淤浆状产生。该废弃硅粉末的组成通常是约90％的高纯度硅，其余约10％为氧化硅。特别是最近，如同特许第3316484号说明书中公开的那样，可以从上述废弃硅粉末的排水中连续分离饼状硅。
这里希望有一种再利用被分离出来的硅粉末的方法及装置。
另一方面，如上所述，也迫切希望廉价的制造氢气的方法。
发明内容
本发明鉴于上述课题，提供一种往氢氧化物水溶液中投入回收到的废硅，通过搅拌，在使硅氧化的同时，制造常压或高压氢气的氢气制造方法、氢气制造装置以及采用它们的发动机。
本发明涉及的氢气制造方法，有以下特征。
(1)该氢气制造方法中，使硅和碱性氢氧化物水溶液反应生成氢气，反应生成的氢气是至少在25℃处于0.2MPa或以上的高压状态。
如果采用上述制造方法，与现有的氢气制造方法相比，可以容易地生成氢气。另外，上述高压状态下的氢气，不必再加压，例如，可充分吸藏在氢气吸藏合金中。借此，可在压缩的状态下贮藏生成的氢气。
(2)在上述(1)记载的氢气制造方法中，所述硅是半导体制造时产生的废硅及晶片(ゥエハ)碎屑，所述废硅是含水的溶液状、浆状或饼状的任何一种。
如上所述，在半导体制造时，单晶硅的约80％通过切削等而变成废硅，所以，通过采用该废硅，硅可以进行再循环。另外，上述任何一种状态下的废硅，通过与碱性氢氧化物水溶液反应，可以生成氢气，另一方面，在排水处理中，因为废硅可以以上述任何一种状态获取，所以，排水处理时的废硅在任何时候都可进行再循环用于氢气制备。
(3)在上述(1)记载的氢气制造方法中，用作所述碱性氢氧化物的氢氧化物可以从氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化镁、氢氧化钙、氢氧化铍、氢氧化铁中选择至少1种。
通过采用上述特别的碱金属及碱土类金属的氢氧化物水溶液，可以促进氢气的生成反应，高效地制得氢气。
(4)在上述(1)记载的氢气制造方法中，还把通过生成所得到的高压状态氢气吸藏在氢气吸藏金属中，或压入高压储气瓶中。
另外，本发明涉及的氢气制造装置，有以下特征。
(1)该装置是如下的氢气制造装置，其具有一种反应设备，使硅和碱性氢氧化物水溶液反应，通过反应生成的氢至少在25℃处于0.2MPa或0.2MPa以上的高压状态。
(2)在上述(1)记载的氢气制造方法中，该氢气制造装置还具有把通过所述反应装置生成的氢加以贮藏的氢气贮藏设备。
与现有的氢气制造装置相比，装置可以简化。
(3)在上述(2)记载的氢气制造方法中，该氢气制造装置还具有：把采用上述反应装置生成的固体状或液体状生成物加以储存的储存设备和，从所述储存设备所储存的生成物中抽出水分的脱水设备。
可能再利用的固体状或液体状生成物，可以通过所述储存设备加以暂时储存，同时，通过从该生成物进行脱水，该生成物的再利用变得容易。另外，通过脱水设备得到的水也可再次在上述碱性氢氧化物水溶液中使用。
(4)在上述(2)记载的氢气制造方法中，该氢气制造装置的所述氢气贮藏设备是氢气吸藏合金。
另外，本发明涉及的发动机，其特征在于该发动机具有：使硅和碱性氢氧化物水溶液反应、生成氢气的氢气制造装置和，采用从该氢气制造装置得到的氢气进行发电的燃料电池。
与向燃料电池供给氢气的现有改性器(改質器)相比，可用简单的装置生成氢气，由于可经常制造氢气，所以，发动机的长时间使用成为可能。另外，在采用废硅时，发动机的燃料成本可大幅降低。
另外，本发明的汽车，其特征在于安装了上述发动机。
如上所述，与向燃料电池供给氢气的现有改性器相比，由于可通过简单而紧凑的装置生成氢气，所以，即使安装在汽车上，也可以确保与原来几乎没有变化的车内空间。另外，在用废硅时，可以大幅度降低汽车的燃料成本。
附图简述
图1是本发明实施方案的氢气制造装置的结构说明图。
图2是包含向本发明实施方案的氢气制造装置供给的废硅的排水处理装置的结构说明图。
图3是半导体结晶物的研磨、磨削工序说明图。
图4是半导体结晶物的研磨、磨削工序说明图。
图5是半导体结晶物的研磨、磨削工序说明图。
图6是半导体结晶物的研磨、磨削工序说明图。
图7是半导体结晶物的研磨、磨削工序说明图。
图8是半导体结晶物的研磨、磨削工序说明图。
图9是半导体结晶物的研磨、磨削工序说明图。
图10是说明本发明其它实施方案的氢气制造装置结构的说明图。
最佳实施方案
下面说明本发明的最佳实施方案。
[氢气制造装置及氢气制造方法]
图1表示本发明的氢气制造装置之一例的结构。如图1所示，本实施方案的氢气制造装置10，具有使硅(Si)和碱性氢氧化物水溶液反应的反应设备的反应器12，在反应器12中具有把通过下述反应生成的氢气加以贮藏的氢气贮藏设备，还设置把反应器12中生成的固体状或液体状生成物加以储存的储存设备和从该储存设备中储存的生成物中抽取水分的脱水设备所构成的储存·过滤器14。
还有，如图10所示，通过调整反应器12内的水分，也可从反应器12直接抽出固相。
另外，对本实施方案的氢气制造装置10具体进行下列说明。所述反应器12为了促进反应设置搅拌设备是优选的。作为搅拌设备，例如，可以采用设置多个搅拌叶片的搅拌体、超声波振动体、均化器，或从反应器12下部抽取反应液的一部分再度返回至反应器12上部的循环型搅拌装置。
所述氢气贮藏设备，既可以是图1所示的氢气吸藏合金20，也可以是高压储气瓶。另外，氢气吸藏合金20已知可通过供给高压状态的氢气吸藏氢气。在这里，可连续供给通过下述反应得到的高压氢气的氢气制造装置10的结构中，可以通过开关18a、18b，把安装氢气吸藏合金20的耐压容器(未图示)的管线加以切换，连续地吸藏高压状态下的氢气。还有，不局限于该结构，例如，在氢气制造装置10采用间歇方式时，也可以通过阀门的开闭代替开关18a、18b向耐压容器内供给高压状态的氢气。
另外，为了促进氢气的吸收，在上述耐压容器上设置用于加热氢气吸藏合金20的加热器22。
另外，如下所述，在反应器12内，在通过反应产生氢气的同时，伴随着氢气的发生而变成高压·高温，反应器12内的水发生蒸发，同时产生水蒸汽。在这里，为了从反应器12取出的气体中区分氢气和水蒸汽，在反应器12和氢气吸藏合金20之间设置除湿器16，通过该除湿器16从取出的气体中仅把水蒸汽去除，而只把氢气送至氢气吸藏合金20。
另外，上述储存·过滤器14，把反应器12中通过反应得到的含固体状或液体状生成物的溶液或悬浮液暂时储存，再通过把含上述生成物的溶液或悬浮液进行过滤，把固体状或液体状生成物和水分离。还有，在采用间歇式氢气制造装置10时，在反应器12内的反应几乎完成后，用储存·过滤器14，把固体状或液体状生成物和水分离。另一方面，在连续式氢气制造装置10时，根据设置在反应器12内的传感器(未图示，例如pH计、粘度计等)输出的信号，把部分或全部反应液抽出，送至储存·过滤器14，所以，反应液内有时存在未反应的硅。在这种情况下，通过选择过滤器的种类，把固体状或液体状生成物和水及未反应的硅分离。然后，把分离出来的水，或水与未反应的硅，如图1所示，返回至反应器12。还有，在用pH计作为上述传感器时，在pH＝7附近的时点进行抽取，而在采用粘度计时，通过氢气以外的生成物在使反应器12内的溶液粘度超过可以搅拌的范围的时点进行抽取也可。
在这里，作为上述硅，例如，也可以是纯度低的硅或半导体装置制造时产生的废硅。另外，也可以是99％水平纯度的硅。
所述废硅，例如，是图3～图9所示的半导体晶片加工工序中生成的硅。下面进行具体的说明。
图3表示例如Si单晶拉伸至晶锭的状态图。例如有8英寸、2米。把该晶锭41不要的部分、上下端部42、43切除，切成圆柱状的几个块状体(ブロック)44。此时，用未图示的刀片进行切割，供水(以上为第1研磨·磨削工序)。接着，如图4所示，为了把圆柱状的块状体44加工成所定的晶片直径，用磨削刀刃45切削其外周。在这里，为了保护磨削刀刃45、块状体44，通过供水设备46进行淋洗(以上为第2研磨·磨削工序)。
接着，如图5所示，在块状体44上，为了显示晶片的面内结晶方位，形成取向平面(オリエンテ一シヨンフラット)47。在这里，通过供给设备46使水流动(以上为第3研磨·磨削工序)。
接着，如图6、图7所示，块状体44通过粘合剂粘贴在支撑台SUB上，切成一块一块晶片。图6是采用粘贴了金刚石粒的刀锯(ブレ一ドソ一)48进行切片。在图7中，给钢琴线49张力，使淤浆状的金刚石磨粒沿着钢琴线49流动，把块状体44进行切片。此时，通过供给设备46使水流动。
切断后，用药液溶解粘合剂，从支撑台上剥下晶片，以晶片形成分离。如下所述，当该粘合剂、药液作为排水流入原水槽时，排水的pH有变成碱性的担忧。因此，从晶片去除粘合剂时，必须想办法至少使这里使用的药液、其排水不流入原水槽。例如，在各个支撑台SUB上，移载到具有排水不流向原水槽的路径的洗涤装置，必须在这里加以去除(以上为第4研磨·磨削工序)。
另外，为了防止晶片角部发生缺损，进行倒角，进行晶片抛光。
例如，在晶片外周可以看到的侧面，其角部设置倒角。作为取向的切割面两端，即与外周边的接触部分，对该部分有时也施以倒角(第5研磨·磨削工序)。另外，使用图8的抛光装置，对晶片表面和/或背面进行机械化学研磨(以上为第6研磨·磨削工序)。
在此前的第1～第6研磨·切磨削工序中，研磨·切磨削装置中几乎仅用水。所以，排水几乎由水和Si构成。
然后，把晶片直接或混入杂质进行表面缺陷处理，制成完全结晶，以晶片出厂。
该晶片通过半导体制造厂以所希望的IC被制造出来。而该IC在晶片上形成矩阵状，至少在IC表面被覆树脂、Si氮化膜等钝化膜。一般情况下，当在最上层被覆聚酰亚胺树脂时，有时在该聚酰亚胺树脂的下层形成Si氮化膜。
由于晶片较厚难以切割，另外，为了使背面的电阻降低，使组件的厚度更薄，而进行背面研磨(バックラップ)。例如，可减薄至约300μm以下。该背面研磨装置如图8所示。在旋转台200上放置品片201，用磨刀石202磨削晶片的背面。符号204是供水喷咀(淋洗装置)204(以上为第7研磨·磨削工序)。
最后，按图9所示进行半导体晶片切割。W为半导体晶片，DB是切割刀片。另外，SW1、SW2是向刀片洒水的淋洗装置，SW3是向晶片洒水的淋洗装置。
一般情况下，切割线处的钝化膜要除去。因此，由Si、氧化Si、层间绝缘膜构成切割线处。因此，切割屑由这些切屑构成。然而，即使在钝化膜被覆的状态下进行切割，可无任何问题地加以过滤，这是不言而喻的(以上为第8研磨·磨削工序)。
从上述晶片加工工序排出的物质主要是水和硅(Si)，其他的是氧化硅，特别少量的是Al、SiGe、密封树脂等。
高纯度单晶硅的产量估计仅在日本年产量就达4000吨左右，全世界估计年产量达8000吨左右，从硅石制造硅晶片，不仅要消耗大量的电能，而且，现在的情况是高纯度的单晶硅约80％变成废硅，被作为废物加以处理。
在这里，采用本实施方案的制造装置10，主要在上述半导体制造时，采用含有由单晶硅切削屑及/或不合格晶片的破坏屑等构成的高纯度硅粉末的废硅和碱性氢氧化物水溶液，使氢气产生，谋求废硅的再循环利用。还有，在本实施方案中用的废硅是约3μm的硅粉末，产生化学反应的表面积非常大。
图2示出从上述加工工序排出的排水的处理装置30之一例。作为排水处理装置30，可以举出特许第3316484号说明书中的装置。
然而，作为供给反应器12的废硅，可以是从上述加工工序排出的原样废液32、来自排水处理装置30的硅被浓缩的淤浆状废液34、或废液34被压滤后的饼状废硅36。例如，在采用浓缩装置“アクアクロ一ザ”(三洋アクアテクノ(株)制造)时，Si淤浆浓度被浓缩达到50,000ppm，该浓缩的Si淤浆也可与下述的碱性氢氧化物水溶液反应。另外，用上述装置可以使Si浓度达到更高的浓度，例如，达到100,000ppm的半滤饼状Si粉末疑集物，与下述的碱性氢氧化物水溶液反应也可。特别是，在半导体芯片制造工序、晶片背面抛光、切割时，考虑晶片的污染，由于一般采用纯水，所以，不用担心其余的反应，可以直接投入到氢气发生反应器内。另外，特别是从Si锭制造芯片要消耗大量的电能，所以，纯度高的氢气的有效利用以及硅酸钠等的再利用从环境保护考虑也是非常有意义的。
另外，作为所述碱性氢氧化物水溶液，例如，可以举出碱金属及碱土类金属的氢氧化物水溶液，更具体的可以举出选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化镁、氢氧化钙、氢氧化铍、氢氧化铁中的至少1种是优选的。
下面示出上述列举的一部分反应式：
[kJ/mol]
[kJ/mol]
[kJ/mol]
[kJ/mol]
[kJ/mol]
上述任何一个反应均是发热反应，可用碱性氢氧化物促进反应，在短时间内可以有效地发生大量氢气，可以得到高压状态的氢气。从上述反应式可知，对硅1摩尔，将氢氧化物至少1摩尔或2摩尔、水1摩尔或1摩尔以上供给反应器12内是优选的，对硅1摩尔，水的添加量比1摩尔大量过剩时是更优选的。
本实施方案，如上所述，采用的是半导体制造时生成的切削Si屑及不合格的晶片的破坏Si屑等构成的高纯度硅粉末所形成的废硅，因而，在上述反应式中，用氢氧化钠作为碱性氢氧化物时，除氢气外，还生成高纯度的硅酸钠。该硅酸钠通常称作水玻璃，在人工石、花纹布(柄し)、陶瓷器的粘合、耐火涂料、耐酸涂料等制造时作为粘合剂，而在水泥混合剂、土质固化剂等土木性能养护土木显著供养中也可以使用，有效利用是可能的。另外，通过上述反应得到的高纯度硅酸镁可在抗酸剂、吸附剂、过滤助剂、催化剂中使用，而高纯度硅酸钙可有效用作肥料。
另外，通过上述反应得到的氢气，由于吸藏在氢气吸藏合金20中，高压状态是优选的，至少在25℃超过0.2MPa的压力是更优选的。
作为氢气吸藏合金20，例如，可以举出镁系、钾系、铍系、铝系、稀土类系、钛系、锆系吸藏合金，更具体的可以采用：LaNi5、LaNi4.7Al0.3、MmNi4.5Al0.5、MmNi4.5Al0.25Co0.25、MmNi4.5Al0.25Mn0.25、MmNi3.55Mn0.4Al0.3Co0.75、Ca(9.1wt％)-Ni(85.1wt％)-MmN(5.0wt％)-Al(0.97wt％)、TiFe，TiFe0.9Mn0.1、FeTi1.13-1.9wt％Fe7Ti10O3、TiFe0.8Ni0.15V0.05、Ti1.1Fe0.8Ni0.2Zr0.05、TiCo0.5Fe0.5Zr0.05、TiMn1.5、Ti0.8Zr0.2Cr0.8Mn1.2、Ti1.2Cr1.2Mn0.8、Zr0.8Ti0.2(Fe0.75V0.15Cr0.1)2、Mg2Ni等。另外，也可以用氢化物络合物储藏氢气，作为氢化物络合物们可以列举例如NaAlH4。该NaAlH4的反应中，在60℃、2个大气压下通过下述反应式放出氢气：
    ΔH＝37kJ/mol
      ΔH＝37kJ/mol
上述反应为可逆反应，在270℃以2～3小时的时间吸藏175个大气压的氢。
如上所述，采用全世界总年产量8000吨的约80％的废硅，通过上述反应所得到的氢气量，从下列计算式计算，相当于平均的燃料电池车(氢气消耗量800Nm3/年)12,800台的燃料消耗量：
6400(t)×2×22.4÷28÷800×103＝12,800台
本发明得到的氢气，例如，可在化工原料、燃料用原料、燃料、还原剂、氢气汽车、氢气飞机、移动式及家庭用燃料电池等中使用。
废硅中含有少量的氧化硅。对该氧化硅，例如用氢氧化钠作为碱性氢氧化物时，发生下列反应：
[kJ/mol]
如上述反应式所示，即使废硅内含有氧化硅也不生成氢气，但是，如上所述，可以得到能有效利用的硅酸钠(水玻璃)，Si的再循环成为可能。
在上述晶片加工工序中，排出来的废物含有水和Si，根据不同场合还含有少量的氧化硅，以其为主作了说明，但是，在废液中含有特别微量的密封树脂及凝集剂时，可有效利用反应器12内生成的氢气，同时，对应于微量混合物的副产物的有效利用也成为可能。
发动机及具有该发动机的汽车
本发明涉及的发动机，如图1所示，具有使硅和碱性氢氧化物水溶液反应、产生氢气的氢气制造装置，和采用从该氢气制造装置得到的氢气进行发电的燃料电池。
通过采用这样的结构，与原来的向燃料电池供给氢气的改质器等相比，可以用简单的装置生成氢气，另外，几乎可长时间的制造氢气，所以，发动机可以长时间使用。另外，在采用废硅时，可以大幅度降低发动机的燃料成本。
本发明的汽车，其特征在于安装了上述发动机。
如上所述，与原来的向燃料电池供给氢气的改质器等相比，可以用简单、紧凑的装置生成氢气，即使在电池车或所谓混合车等汽车上安装时也可以确保与原来相比几乎没有变化的车内空间。另外，在采用废硅时，可以大幅度降低发动机的燃料成本。
按照上式，如果平衡常数K298＝3.050×1082，在25℃，
K298＝([Na2SiO3][H2]2)/([Si][NaOH]2[H2O])＝3.050×1082
式中，[]表示活度
气体时：分压[atom]
溶质时：摩尔浓度[mol/l]
溶剂时：1
固体时：1
采用3N氢氧化钠时计算如下：
[H2]2/32＝3.050×1082
因此，从理论上看，[H2]＝5.239×1041[atm]是可能的。即，当从反应式计算时，变成无限接近的压力1041[atm]。一般情况下，上述反应是可逆反应，但为了从反应物中抽出H2，该气体得到补充而增加，即成为不可逆反应。
还有，采用上述现有技术，水非常多，该水抑制上述不可逆反应而成为可逆反应。然而，在本申请中，特别是采用化学计量论的量或接近该值的量供给水及碱性氢氧化物时，近似不可逆反应，结果可以得到如上所述的具有1041atm压力的高压氢气。
实施例
采用废硅生成高压氢气的实验例如下所示。还有，在该实验中，采用内容积1升的耐压反应容器，考虑到安全，安全阀设定在17MPa，所以，仅产生17MPa附近的高压氢气，但如果这样供给化学计量论的量，可以推断也可以充分达到例如约100MPa。
另外，在示于表1的实验序号102、103中，不用加热设备，在10秒左右使反应器温度超过50℃，通过此时的爆炸反应达到约17MPa的高压。
                                          表1
实验序号   试样(纯度、量) NaOH水溶液(浓度、量、初期温度) 最高到达温度 最高到达压力
    101   废硅(纯度96％)0.97g     1mol/l0.5125℃     33℃     0.3MPa
    102   废硅(纯度96％)7.2g     1mol/l0.5125℃     75℃     2.2MPa
    103   废硅(纯度96％)33.4g     5mol/10.5125℃     100℃     10.2MPa
一般产生数个大气压的氢气时，为使其达到高压，必须采用氢气升压装置(例如，泵)进行加压。然而，本申请中由于可简便地得到10MPa左右的高压氢气，所以，不用该升压装置。
例如，在安装了高压氢气储气瓶的燃料电池中，现在可能达到的压力为35MPa。在这里，行驰距离为200公里左右。必须确保有高压氢气储气瓶(容器)，但在本申请中，如采用具有更高耐压性的耐高压反应器来加以代替的话，可以产生约100MPa以上的氢气，如果用100MPa的氢气直接填充高压氢气储气瓶，则达到现在车的行驰距离。
按照本发明，可以用简便的装置结构，从硅和碱性氢氧化物水溶液更有效地制得氢气。

Claims (17)

1.氢气制造方法，其中，使硅和碱性氢氧化物水溶液反应生成氢气，通过反应生成的氢气以至少在25℃高于0.2MPa的高压状态获得。
2.按照权利要求1中所述的氢气制造方法，其中，所述硅是半导体制造时产生的废硅。
3.按照权利要求1中所述的氢气制造方法，其中，所述硅是半导体制造时产生的晶片碎屑。
4.按照权利要求1中所述的氢气制造方法，其中，所述碱性氢氧化物中所用的氢氧化物是选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化镁、氢氧化钙、氢氧化铍、氢氧化铁中的至少1种。
5.按照权利要求1中所述的氢气制造方法，其中，还把通过生成反应得到的高压状态的氢气吸藏在氢气吸藏合金中。
6.按照权利要求1中所述的氢气制造方法，其中，还把通过生成反应得到的高压状态的氢气压入高压储气瓶内。
7.按照权利要求2中所述的氢气制造方法，其中，所述废硅是含水的溶液状、浆状或饼状的任何1种。
8.按照权利要求3中所述的氢气制造方法，其中，所述废硅是含水的溶液状、浆状或饼状的任何1种。
9.一种氢气制造装置，其具有下述反应设备，该设备使硅和碱性氢氧化物水溶液反应，通过反应生成的氢气以至少在25℃超过0.2MPa的高压状态获得。
10.按照权利要求9中所述的氢气制造装置，其中，还具有把采用上述反应设备生成的氢气加以贮藏的氢气贮藏设备。
11.按照权利要求10中所述的氢气制造装置，其中，还具有把通过上述反应设备生成的固体状或液体状生成物加以储存的储存设备，和从所述储存设备储存的生成物中抽取水分的脱水设备。
12.按照权利要求10中所述的氢气制造装置，其中，所述氢气贮藏设备是氢气吸藏合金。
13.按照权利要求10中所述的氢气制造装置，其中，所述氢气贮藏设备是高压储气瓶。
14.一种发动机，其具有使硅和碱性氢氧化物水溶液反应生成氢气的氢气制造装置，和采用从该氢气制造装置得到的氢气进行发电的燃料电池。
15.按照权利要求14中所述的发动机，其中，所述氢气制造装置是权利要求9中所述的氢气制造装置。
16.一种汽车，其中，安装了权利要求14中所述的发动机。
17.一种汽车，其中，安装了权利要求15中所述的发动机。
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