CN1670933A - 光学半导体装置与封装制模具的制造方法以及封装制模具及其制造设备 - Google Patents
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims abstract description 114
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims abstract description 70
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 claims description 14
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 6
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 5
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 26
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 26
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000013036 cure process Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 229920006038 crystalline resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 201000006549 dyspepsia Diseases 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
- B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
- B29C33/40—Plastics, e.g. foam or rubber
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
- B29C39/02—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C39/10—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. casting around inserts or for coating articles
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
一种制造光学半导体装置的方法,包括准备光学半导体于引线框的第一引线部的末端,并与引线框的第二引线部的末端电连接,接着将热塑性树脂深度撑压形成以准备封装制模具,此封装制模具具有符合光学半导体装置的封装外形的凹部,之后将引线部的末端塞入封装制模具的凹部以定位与固定,然后填充封装树脂至封装制模具的凹部。
Description
本申请案主张于2004年3月18号所申请的日本专利申请案P2004-78316号的优先权,该专利申请案所公开的内容完整结合于本说明书中。
技术领域
本发明涉及一种封装制模具(package moldingjig)、一种封装制模具的制造方法以及封装制模具的制造设备,用于一种制造光学半导体装置的方法以制造光学半导体装置。
背景技术
在对光学半导体装置(例如发光二极管(Light Emitting Diode,LED))进行封装的相关公知工艺中,是以铸模(casting)或移转成模(transfermolding)等方式使用主成分例如是环氧树脂(epoxy resin)的热塑性树脂进行。
在这样的光学半导体装置中,应用在例如信息显示板与汽车煞车灯等各种不同领域的圆形(子弹形)LED灯通常是以下列方式制造,一个光学半导体组件(发光组件)被连接且固定至一个引线框的一个引线部的末端,接着发光组件与一个邻近引线部的末端经由打线接合(wirebonding)而被相互电连接,之后填充半透明的环氧树脂以铸模方式形成预定形状的封装。铸模方式是使用冲模(die)形成一个树脂做成的透镜部,且适于制造具有各种不同透镜形状的圆形LED灯。
一个用于铸模这样的环氧树脂的冲模(也就是封装制模具)通常是以注入成膜(injection molding)方式在与上述半导体装置的制造过程分开的程序中使用热塑性树脂中的聚甲基戊烯(polymethylpentene)(商标:TPX)所制造而成。
此外,使用此封装制模具对环氧树脂的铸模是在发光组件被以打线接合方式连接后实现,接着环氧树脂被填入封装制模具,而引线框被连接至发光组件的末端以一预定深度浸入封装制模具。接着,为了硬化环氧树脂,封装制模具被放进一个100℃至140℃的高温固化炉内,以加热封装制模具来进行硬化。
在环氧树脂被硬化后,封装制模具在封装成模后被从引线框移开,获得具有预定形状的圆形LED灯。接着,引线框被处理成预定形状并进行电性测试,而通过测试的产品则被包装等待运送。
此外,在上述铸模方法中被用来封装成模的封装制模具会被重复使用20至30次,依据所铸模的形状不同而有所差异,之后则被丢弃。
举例而言,这样的铸模模具被公开于日本专利暂时申请案7-183440号。
承上述,在圆形LED灯的制造程序中的铸模中,是使用封装制模具并以由热塑性树脂为原料而注入成模制成。既然封装制模具做为圆形LED灯的透镜形状的成模冲模(molding die),而圆形LED灯的透镜形状有很多种类,则需要准备多个与要制造的圆形LED灯的透镜形状符合的封装制模具。因此,为了以注入成模制造这样的封装制模具,必须增加大量工时以及昂贵的制造成本来制造大量符合透镜形状的注入成模冲模。同时,也需要空间来存放这样的注入成模冲模。
此外,所制造的封装制模具也导致制造成本的增加,因此在制造圆形LED灯时考虑成本的降低,一个封装制模具必须使用20至30次。所以,必须依据所制造的圆形LED灯的透镜形状而保留一个位置来存放大量的封装制模具。除此之外,既然常见被用作封装制模具的原料的聚甲基戊烯是结晶树脂,在每次进行加热时的结晶都会导致收缩,并造成尺寸精度的差异。所以,封装制模具第一次和第二十次被用于圆形LED灯时的封装制模具的制造尺寸精度值会有所不同。这样,所制造的圆形LED灯的透镜形状与发光组件位置会有所差异,造成不容易维持产品质量在稳定的状态。
此外,在圆形LED灯的制造过程中,是进行铸模与一个固化制程(硬化制程),以允许做为封装的环氧树脂(密封树脂)硬化,然后移开封装制模具,之后对引线框进行后制程,例如加工与检查步骤。在这样的后制程或接续的搬运操作,产品的透镜部分有可能不小心损坏而导致不良产品出现。
发明内容
本发明提出一种制造光学半导体装置的方法,其包括准备光学半导体于引线框的第一引线部的末端,并与引线框的第二引线部的末端电连接,将热塑性树脂深度撑压(deep-draw)成形以准备封装制模具,封装制模具具有符合光学半导体装置的封装外形的凹部(concave portion),将引线部的末端塞入封装制模具的凹部以定位与固定,以及填充封装树脂至封装制模具的凹部。
本发明也提出一种封装制模具,用于制造光学半导体装置,此封装制模具包括使用符合光学半导体装置的封装外形的冲头而被深度撑压的热塑性树脂,以形成符合封装外形的凹部。
本发明再提出一种制造光学半导体装置的封装制模具的方法,其包括准备热塑性树脂,以及使用具有符合光学半导体装置的封装外形的外形的冲头将热塑性树脂深度撑压,以形成符合封装外形的凹部。
本发明更提出一种制造设备,用于制造光学半导体装置的封装制模具,此制造设备包括加热器、冲头与冲模。加热器用以加热热塑性树脂,冲头具有符合光学半导体装置的封装外形的外形,冲模在热塑性树脂深度撑压成形时冲头适于塞入其中。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是一个公知技术的封装制模具的示意图。
图2说明公知的封装制模具与一个引线框如何定位及固定。
图3是应用本发明的一个制造方法的一个圆形LED灯的制造步骤的方块图。
图4是圆形LED灯的示意图。
图5是引线框的基本部分的平面图。
图6是使用在本发明的一个封装制模具的示意图。
图7是封装制模具的一个制造设备的示意图。
图8A至8D是说明深度撑压成形操作的剖面图。
图9是说明另一范例的定位与固定件的图。
具体实施方式
现在将参照所附图式说明本发明的多种实施例。在图式中相同或相似的标号代表相同或相似的部分与构件,而相同或相似的部分与构件将省略或简化其说明。
下列叙述所提出的详细说明,例如特定材料、制程与设备是为了说明本发明,但熟悉此技艺者当然并不限定以这些特定方式实施本发明。另一方面,公知的制造材料、制程与设备将不详细说明,以避免使本发明难以理解。
图3是应用本发明的一个半导体制造设备的制造方法制造一个圆形LED灯的制造步骤的流程图。首先,在一个引线框上实施冲模接合。也就是,导电膏被涂布在引线框的一个引线部末端,一个发光组件的芯片位于其上并固定至引线框,然后芯片的一个背面电极与引线框电连接(图3中S10:重复)。接着,进行打线接合。也就是,发光组件的一个芯片表面上的一个电极与邻近装设有发光组件的引线部的引线部末端经由一条接合线电连接,其是由一条细金线构成,(S20)。之后,被打线接合的邻近引线部的末端被使用一个铸模方法(在此也称为“铸模”)而以透明环氧树脂密封(S30)。铸模后,引线框被放在一个加热炉在一大气压100℃至140℃的温度下约一小时,藉此硬化环氧树脂(S40)。在硬化处理后,实施外观检查(S50)与引脚处理(lead processing)(S60),而引脚被焊料覆盖(S70),然后实施电气测试(S80),而被接受的产品被上带(tape)与包装(S90与S100)以便运送。
图4是经由这样的步骤所制造的一个圆形LED灯的示意图。圆形LED灯1包括两个引脚3A,其末端被放置在一个透明环氧树脂所制成的密封树脂2内,并保持预定距离的被密封在封装体里。一个引脚3A的末端是呈盘状且具有一个末端部,发光组件4被接合到那里。接着,实施打线接合而使用一条接合线5电连接发光组件4与引脚3A的末端。在这样一个圆形LED灯1,既然透明环氧树脂所形成的密封树脂2具有做为从发光组件发出光线的透镜的外形,则需要树脂形成的高制作精度的封装。同样地,LED灯1的制造必需不对密封树脂2的外形造成破坏。
图5是制造这样的一个圆形LED灯所使用的引线框的基本部分的平面图。一个引线框3包括一个引线部3a,其末端是呈盘状且发光组件4被装设于其上,而一个引线部3b邻近引线部3a且藉由接合线5电连接发光组件4。多个由成对的引线部3a、3b所组成的引线部被并列且具有与框部3c一体成型的根部。此外,在两对引线部之间的是一个导引部3d,其适于邻接一个相关的框支撑段(frame support segment),其将于稍后叙述。
藉由这样的结构,发光组件4被连接且固定至引线框3的引线部3a的末端,然后实施打线接合以电连接发光组件4与邻近引线部3b的末端,接着,在引线框3上实施铸模。接下来说明在铸模中使用的一个封装制模具。
图1是一个公知技术的封装制模具的示意图。封装制模具106包括一个金属制成且形成有多个开孔的薄盘107以及分别形成在薄盘107的开孔的冲模体108。冲模体108是以注入成模方式由热塑性树脂制成的,特别是分别插入符合圆形LED灯的密封树脂的外形的凸状结构而制造成模。此外,多个框支撑段109从薄盘107向上延伸。每个支撑段109具有形成有一个垂直延伸的凹处(recess)109a的中央区域,凹处109a的宽度与引线框3的厚度相同。支撑段109藉由其凹处109a夹住引线框3,而凹处109a之底壁邻接导引部3d以支撑引线框3。
为了通过使用这样的一个公知封装制模具106而实施铸模,当装设有发光组件4与接合线的引线框3结合封装制模具106的框支撑段109时,封装制模具106的各个冲模体138的凹部被填入透明环氧树脂以铸模。这样的结合状况以主要组件部分的剖面而绘示于图2。在引线框3的导引部3d邻接框支撑段109的凹处的底壁且引线部3a、3b的末端被塞入冲模体108的凸状部时,引线框3被放置且固定。
然而,在使用这样一个公知封装制模具实施铸模时,既然封装制模具106的冲模体108是以注入成模形成,大量的注入成模冲模就需要预先制作,而这样的制造步骤造成工时与成本的增加。此外,需要增加空间以储存这样的注入成模冲模,造成储存封装成模冲模的问题、加强重复使用后的产品质量的问题与在后续步骤中受到损坏的问题。
所以,使用根据本发明的光学半导体装置的制造方法,一个热塑性树脂片被加热接着实施深度撑压,从而准备具有对应个别封装体之外形的凹部的封装制模具。接着,藉由这样深度撑压而被制造的封装制模具被用于制造一个光学半导体装置。
图6是使用在本发明的一个封装制模具的示意图。封装制模具6是由例如一个热塑性树脂片的原料所制成,使用具有外观符合每个封装体的一个冲头以形成凹部6a做为成模冲模来形成圆形LED灯的透镜形状。同样,封装制模具6依需要可具有形成有肋6b的侧边,以预防拿取封装制模具时其形状改变。
此外,在使用这样一个封装制模具6实施铸模时,多个具有与公知的封装制模具6的框支撑段109相同形状与功能的支撑段7被直接固定向上支撑于封装制模具6上,或藉由加强盘(reinforce plate)来允许形成于各个框支撑段7的中间区域的向上垂直延伸的凹处7a夹住并支撑引线框3,在引线框3的导引部3d邻接相关凹处7a的底壁时,藉以支撑引线框3在一个固定位置。
这样,以预先以打线接合相连的邻近引线部3a、3b的末端被塞入封装制模具6a的凹部6a,而引线框3被放置且固定,当填充封装环氧树脂至凹部6a后实施铸模。在引线框3被放置且固定于这样一个封装制模具6的对应凹部6a以及环氧树脂被填入凹部6a的顺序上,引线框3的引线部3a、3b的末端可先被塞入相关的凹部6a,接着环氧树脂被填入已塞入引线部3a、3b的末端的凹部6a,反之,环氧树脂先被填入凹部6a,接着,引线部3a、3b的末端被塞入已填入环氧树脂的凹部6a。此外,当引线部3a、3b的末端被塞入凹部6a时可填入环氧树脂。
铸模之后,实施与公知的相同的硬化,然后实施外观检查、引脚处理、电气测试、上带与包装等各种工作。
如同前述,使用根据本发明的一种制造光学半导体装置的方法,当实施铸模,是使用通过深度撑压成形的热塑性树脂片所制造的封装制模具6。深度撑压成形不需要注入成模中所需的庞大冲模装备与注入成模机械,且使用相当简单的具有一个冲头与冲模的装置,使封装制模具可在具有与注入成模相同的形成效率与尺寸精度的条件下形成。此外,藉由深度撑压成形,只改变冲头与冲模即可使圆形LED灯以想要的架构而具有多种外观形状(透镜形状)。因此,不需要使用注入成模冲模装备,也不需要制造与储存注入成模冲模装备,因此可减少制造与维护封装制模具的制造装置的成本。所以,可低成本地制造封装制模具。因为这个原因,封装制模具6由于成本低廉而可不需要重复使用,可只在铸模中使用一次。因此,可以降低封装制模具6被重复使用后所造成在封装制模具6的尺寸精度上的影响以及对所制造的产品的影响,继而制造高质量而稳定的半导体装置。
此外,封装制模具6在铸模后可作为封装树脂表面的保护盖。也就是,即使在硬化处理后,封装制模具仍不从引线框上移除而进行后处理,例如实施引线框的处理步骤以及检查与电气测试的步骤,然后将引线框上带,接着从引线框上移除封装制模具。藉此,在后续处理中的后处理或拿取操作时,就可以预防产品的透镜部被损毁。
在根据本发明的一种制造光学半导体装置的方法中做为封装制模具的原料的热塑性树脂片可包括从聚甲基戊烯(polymethylpentene)、聚菲尼连硫化物(polyphenilene sulfide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚醚磺(polyether sulfon)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚砜(polysulfon)与环烯烃共聚物(cycloolefin polymer)中所选出的至少一种树脂。
这样一个片状的热塑性树脂是以具有半透明性的树脂(例如透明树脂)为佳。这是因为在实施铸模后,仍可经由这样的透明树脂片而通过凹部6a看到发光组件,使得在封装制模具6仍固定在引线框6上时仍可在后制程中进行产品的外观检查。
此外,使用在本发明中的封装制模具6的热塑性树脂片具有以下特性:例如适合深度撑压(具有增强的断裂伸长率(breaking elongation))、能够承受环氧树脂填入凹部的温度的热阻性(heat resistant property)(具有增强的Vicat软化点)以及使环氧树脂在硬化后易于移除的低表面张力。在前述树脂材料中,聚甲基戊烯具有极佳的办透明性、大于等于170℃的Vicat软化点以及透明环氧树脂硬化所需的大于等于140℃的热阻性。此外,此树脂具有接近氟(fluorine)的24达因/公分(dyne/cm)的低表面张力,以使其在硬化后易于移除环氧树脂的透镜部。此外,在热塑性树脂中,此树脂具有容易撑压的能力以及大于等于200%的断裂伸长率。因此,封装制模具以使用聚甲基戊烯为佳。
热塑性树脂片在深度撑压成形前可具有大约0.3至0.9毫米(mm)的厚度,且在深度撑压成形后在凹部具有大约0.05至0.6毫米的厚度。如果热塑性树脂的厚度太薄,则封装制模具6的凹部6a的强度会不足,所以热塑性树脂片的厚度下限是按照凹部6a的强度所决定。另一方面,当热塑性树脂片的厚度增加时,凹部6a的强度增加至较佳范围。然而,如果热塑性树脂片具有铸模所需的厚度及强度,则不需特别增加强度。同样,如果热塑性树脂片太厚,被延伸形成卷状的热塑性树脂片可能遭受核心组(core set),当使用这样一个热塑性树脂片做为原料实施深度撑压成形与使用所制造的封装制模具6实施铸模时可能导致反效果。因此,热塑性树脂片的厚度上限是依此决定。
热塑性树脂片可包括具有给定厚度的单片以深度撑压成形。或者,热塑性树脂片可包括多个重迭的片,也就是多片的一层,以深度撑压成形。例如,热塑性树脂片可为具有0.5毫米的单片或厚度为0.15毫米的四片的组合。这样,多个热塑性树脂片可重迭形成预定厚度的热塑性树脂片以深度撑压成形,藉由使用足够厚度的热塑性树脂片做为原料,能制造封装制模具而不造成前述核心组的问题。
接着将介绍制造封装制模具的方法。
上述热塑性树脂片是做为原料,并加热至热塑性树脂的软化点以上。当热塑性树脂是聚甲基戊烯时,软化点大概在200至220℃。在加热后,使用具有符合光学半导体装置的封装外形的外形的一个冲头以容许热塑性树脂片的深度撑压成形。这能够形成符合封装外形的一个凹部以做为封装制模具。在实施深度撑压成形以形成凹部后,封装制模具的侧边形成肋,即获得封装制模具。
图7是制造这样一个封装制模具的一个制造设备的示意图。在图中,标号11标示一个卷件(coiler),被延伸的热塑性树脂片卷在上面。卷件可包括一个或多个单元,以允许多个热塑片以重迭状态提供。放在卷件11后的是一个加热器12,藉此,热塑性树脂片10被加热至其软化点以上。
此外,邻近加热器12配置的是一个形成装置13,藉以实施深度撑压成形于被加热的热塑性树脂片10。形成装置13包括一个具有符合要制造的半导体装置的封装外形的架构的冲头14以及相关于冲头14以执行深度撑压成形的冲模15,且冲头14与冲模15是分别上下摆放,以将热塑性树脂片10夹在其中。此外,在冲头14附近的是与弹簧17相关的片支架16。虽然在图7中只绘示一个冲头14,但当然也可包括多个一起摆放的冲头例如是6至8个一组的结构。
放在形成装置13之后的是一个切割器18,藉此热塑性树脂片10可被切割为封装制模具的预定长度,而一个压着机(crimping machine)19在热塑性树脂片10的侧边上形成肋。虽然切割器18是以摆在压着机19前为例,但切割器18也可放在压着机19之后。使用这样一个制造设备可连续制造封装制模具。
现在,将参考图8说明绘示于图7中的制造设备的形成装置13中深度撑压成形的操作执行。首先,由加热器12加热至软化点温度以上的热塑性树脂片10被连续地送进形成装置13的冲头14与冲模15的相关位置(图8A)。在深度撑压成形前,热塑性树脂片10保持不接触冲头14与冲模15。这是为了避免接触冲头14与冲模15而导致热塑性树脂片10的温度下降太多,以及避免冲头14与冲模15的温度超过需求。接着,片支架16下移以使片支架16与冲头14以适当压力夹住热塑性树脂片10,然后冲头14下移(图8B)。冲头14下压预定深度以形成符合要制造的半导体封装的外形的凹部被(图8C),之后冲头14向上复位(图8D)。然后,制作后的热塑性树脂片10从冲模15移开,并向后运送。在这样的方式,可连续实施深度撑压成形。使多个冲头以并列方式摆放可允许一次深度撑压成形多个凹部,藉以进一步提升制造效率。
在前面,本发明的光学半导体装置的制造方法与封装制模具及其制造方法的实施例已经参考图3至图8做介绍,当然本发明的光学半导体装置的制造方法并不限定如图3至图8所介绍的。例如,引线框3与封装制模具6之间的定位与固定并不限定如图6所示般由框支撑段7执行。另一种定位与固定的方式绘示于图9。图9绘示的定位与固定件包括以引线框3的厚度方向夹持引线框3的方式装设的导引板21、22以及一个用于摆放封装制模具的支撑板23。
放在导引板21的侧面上部区域上的是一个定位拴21a其结合形成在导引板22上的一个定位孔22a。同样,形成在导引板21的侧面上低于定位拴21a的区域的是一个凸起物21b,其可邻接引线框3。此外,形成在导引板21的底面的是一个定位孔21c,其适于结合支撑板23的一个定位拴23a。
另一方面,位在导引板22的侧面上部区域上的是定位孔22a,藉此可结合导引板21的定位拴21a。同样,形成在导引板21的侧面上低于定位孔22a的区域的是一个凸起物22b,其可邻接引线框3。此外,形成在导引板22的底面的是一个定位孔22c,其适于结合支撑板23的一个定位拴23b。
此外,形成在支撑板23的中央区域的是放置封装制模具6的孔23c。同样,放在支撑板23的上表面的是定位拴23a、23b,其适于结合相关的分别形成在导引板21、22底壁的定位孔21c、22c。
封装制模具6被放在这样结构的支撑板23的孔23c内,而支撑板23的定位拴23a、23b被移动以分别配合相关的导引板21、22的定位孔21c、22c。此外,导引板21的定位拴21a被置入并贯穿形成在引线框3上的一个孔,而结合导引板22的定位孔22a。接着,引线框3被定位与固定在对应于封装制模具6的一个预定位置。
(例子)
绘示在图6的封装制模具6是以聚甲基戊烯(TPX)片为原料而使用图7的制造设备所制造。聚甲基戊烯片被加热至Vicat软化点170℃以上的200℃的温度。
厚度0.05至0.15毫米的TPX片接着被深度撑压成形。
所形成的封装制模具6具有每个最大直径为5.0毫米的凹部与每个深度9.0毫米的透镜部。
透明环氧树脂被填入封装制模具6以使引线框3浸入其中。接着,封装制模具6与引线框6被置于温度100℃的空气中30分钟以硬化环氧树脂。然后,对引线框3进行后处理,例如外观检查、电气测试与引脚处理,然后在封装前将透镜部从封装制模具移开即完成圆形LED灯的制造。这样,可在铸模后成功制造没有例如透镜部之损毁的缺陷的产品。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例公开如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的结构及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例,但是凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (20)
1.一种制造光学半导体装置的方法,其特征在于,包括:
准备光学半导体于引线框的第一引线部的末端,并与引线框的第二引线部的末端电连接;
将热塑性树脂深度撑压成形以准备封装制模具,封装制模具具有符合光学半导体装置的封装外形的凹部;
将引线部的末端塞入封装制模具的凹部以定位与固定;以及
填充封装树脂至封装制模具的凹部。
2.根据权利要求1所述的制造光学半导体装置的方法,其特征在于,热塑性树脂是在被加热至高于软化温度后被深度撑压成形。
3.根据权利要求1所述的制造光学半导体装置的方法,其特征在于,热塑性树脂是片状。
4.根据权利要求1所述的制造光学半导体装置的方法,其特征在于,热塑性树脂包括一层多个树脂片。
5.根据权利要求1所述的制造光学半导体装置的方法,其特征在于,热塑性树脂包括从聚甲基戊烯、聚菲尼连硫化物、聚碳酸酯、聚醚磺、聚醚酰亚胺、聚砜与环烯烃共聚物中所选出的至少一种树脂。
6.一种封装制模具,用于制造光学半导体装置,其特征在于,包括:
使用符合光学半导体装置的封装外形的冲头而被深度撑压的热塑性树脂,以形成符合封装外形的凹部。
7.根据权利要求6所述的封装制模具,其特征在于,热塑性树脂是在被加热至高于软化温度后被深度撑压成形。
8.根据权利要求6所述的封装制模具,其特征在于,热塑性树脂是片状。
9.根据权利要求6所述的封装制模具,其特征在于,热塑性树脂包括一层多个树脂片。
10.根据权利要求6所述的封装制模具,其特征在于,热塑性树脂包括从聚甲基戊烯、聚菲尼连硫化物、聚碳酸酯、聚醚磺、聚醚酰亚胺、聚砜与环烯烃共聚物中所选出的至少一种树脂。
11.一种制造光学半导体装置的封装制模具的方法,其特征在于,包括:
准备热塑性树脂;以及
使用具有符合光学半导体装置的封装外形的外形的冲头将热塑性树脂深度撑压,以形成符合封装外形的凹部。
12.根据权利要求11所述的制造光学半导体装置的封装制模具的方法,其特征在于,热塑性树脂是在被加热至高于软化温度后被深度撑压成形。
13.根据权利要求11所述的制造光学半导体装置的封装制模具的方法,其特征在于,热塑性树脂是片状。
14.根据权利要求11所述的制造光学半导体装置的封装制模具的方法,其特征在于,热塑性树脂包括一层多个树脂片。
15.根据权利要求11所述的制造光学半导体装置的封装制模具的方法,其特征在于,热塑性树脂包括从聚甲基戊烯、聚菲尼连硫化物、聚碳酸酯、聚醚磺、聚醚酰亚胺、聚砜与环烯烃共聚物中所选出的至少一种树脂。
16.一种制造设备,用于制造光学半导体装置的封装制模具,其特征在于,包括:
加热器,用以加热热塑性树脂;
冲头,具有符合光学半导体装置的封装外形的外形;以及
冲模,在热塑性树脂深度撑压成形时冲头适于塞入其中。
17.根据权利要求16所述的制造设备,其特征在于,热塑性树脂是在被加热至高于软化温度后被深度撑压成形。
18.根据权利要求16所述的制造设备,其特征在于,其中热塑性树脂是片状。
19.根据权利要求16所述的制造设备,其特征在于,其中热塑性树脂包括一层多个树脂片。
20.根据权利要求16所述的制造设备,其特征在于,热塑性树脂包括从聚甲基戊烯、聚菲尼连硫化物、聚碳酸酯、聚醚磺、聚醚酰亚胺、聚砜与环烯烃共聚物中所选出的至少一种树脂。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004078316 | 2004-03-18 | ||
JP2004078316A JP4686132B2 (ja) | 2004-03-18 | 2004-03-18 | 保護カバー付き光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1670933A true CN1670933A (zh) | 2005-09-21 |
CN100380617C CN100380617C (zh) | 2008-04-09 |
Family
ID=34986879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100555044A Expired - Fee Related CN100380617C (zh) | 2004-03-18 | 2005-03-14 | 光学半导体装置与封装制模具的制造方法以及封装制模具 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7393706B2 (zh) |
JP (1) | JP4686132B2 (zh) |
KR (1) | KR100635401B1 (zh) |
CN (1) | CN100380617C (zh) |
TW (1) | TWI264783B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100392880C (zh) * | 2005-11-28 | 2008-06-04 | 陈泽 | 发光二极管 |
CN102470615A (zh) * | 2009-09-04 | 2012-05-23 | 洛林航空工程公司 | 用于容纳纤维和注入树脂的模塑设备 |
CN102956758A (zh) * | 2011-08-22 | 2013-03-06 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led封装结构的制作方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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TW200926450A (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-16 | Silitek Electronic Gz Co Ltd | Optical semiconductor packaging structure and its packaging method |
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JP5556369B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2014-07-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いた表示装置 |
CN103762295B (zh) * | 2014-01-21 | 2016-06-01 | 韩刚 | 一种信号收发二极管的封装方法 |
JP6487734B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2019-03-20 | 名古屋油化株式会社 | カバー防曇処理用治具 |
KR102017730B1 (ko) * | 2018-03-02 | 2019-09-03 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자용 예비 봉지재 제조방법 |
CN110197867A (zh) | 2018-02-26 | 2019-09-03 | 世迈克琉明有限公司 | 半导体发光器件及其制造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL255403A (zh) * | 1957-11-08 | |||
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JPH06283645A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-07 | Sony Corp | 半導体装置 |
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-
2004
- 2004-03-18 JP JP2004078316A patent/JP4686132B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-04 TW TW094106554A patent/TWI264783B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-03-07 US US11/072,233 patent/US7393706B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-14 CN CNB2005100555044A patent/CN100380617C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-17 KR KR1020050022019A patent/KR100635401B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100635401B1 (ko) | 2006-10-19 |
TW200532821A (en) | 2005-10-01 |
US7393706B2 (en) | 2008-07-01 |
KR20060043719A (ko) | 2006-05-15 |
TWI264783B (en) | 2006-10-21 |
JP2005268503A (ja) | 2005-09-29 |
CN100380617C (zh) | 2008-04-09 |
JP4686132B2 (ja) | 2011-05-18 |
US20050208690A1 (en) | 2005-09-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
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Granted publication date: 20080409 Termination date: 20160314 |