CN1630034A - 抗蚀剂图形的形成方法和半导体器件的制造方法 - Google Patents

抗蚀剂图形的形成方法和半导体器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1630034A
CN1630034A CNA2004100921934A CN200410092193A CN1630034A CN 1630034 A CN1630034 A CN 1630034A CN A2004100921934 A CNA2004100921934 A CN A2004100921934A CN 200410092193 A CN200410092193 A CN 200410092193A CN 1630034 A CN1630034 A CN 1630034A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resist
resist film
membrane
film
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100921934A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100355024C (zh
Inventor
盐原英志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN1630034A publication Critical patent/CN1630034A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100355024C publication Critical patent/CN100355024C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本发明提供的一种方式的抗蚀剂图形的形成方法，是一种使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：在被处理基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；以及在形成所述抗蚀剂保护膜之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。

Description

抗蚀剂图形的形成方法和半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及在制造半导体器件的光刻工序中使用的抗蚀剂图形的形成方法和半导体器件的制造方法。
背景技术
随着半导体器件电路的精细化也促进了曝光装置的短波长化的发展。另外，为了提高曝光装置的分辨率，提出了使用将物镜和抗蚀剂膜之间用高折射率的液体充满的液浸型曝光装置的方案。通过该方案可以提高实际的NA并且可以形成更精细的图形。另外，也提出了在ArF准分子激光曝光装置中使用水作为上述液体的方案。另外，关于这种液浸技术在“日经微型器件”日经BP社、9月号(第61-70页)中有介绍。
然而，在使用上述液浸型曝光装置的情况下，抗蚀剂膜与液体是直接接触的。为此，在使用化学放大型正性抗蚀剂等的情况下，在抗蚀剂中产生的酸会溶解到上述液体中，因而存在使抗蚀剂膜表面的酸不足而引起抗蚀剂形状异常的问题。
此外，在使用上述液浸型曝光装置的情况下，当在充满抗蚀剂膜和透镜之间的液体中产生气泡时会导致图像质量的劣化。特别是，由于抗蚀剂膜表面一般是疏水性的，因此会有在抗蚀剂膜和液体之间的界面上容易产生气泡的问题。
发明内容
本发明的一种方式的抗蚀剂图形的形成方法，是一种使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：在被处理基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；以及在形成所述抗蚀剂保护膜之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
本发明的另外一种方式的抗蚀剂图形的形成方法，是一种使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：在被处理基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；使与所述液体接触的所述抗蚀剂膜的表面具有亲水性；以及在使所述抗蚀剂膜的表面具有亲水性之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
本发明的另外一种方式的抗蚀剂图形的形成方法，是一种使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：在被处理基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；在半导体基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的半导体基板上形成抗蚀剂膜；在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；使与所述液体接触的所述抗蚀剂保护膜的表面具有亲水性；以及在使所述抗蚀剂保护膜的表面具有亲水性之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
本发明的另外一种方式的半导体器件的制造方法，是一种使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置制造半导体器件的方法，其包括如下步骤：在半导体基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的半导体基板上形成抗蚀剂膜；在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；以及在形成所述抗蚀剂保护膜之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
本发明的另外一种方式的半导体器件的制造方法，是一种使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置制造半导体器件的方法，其包括如下步骤：在半导体基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的半导体基板上形成抗蚀剂膜；使与所述液体接触的所述抗蚀剂膜的表面具有亲水性；以及在使所述抗蚀剂膜的表面具有亲水性之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
本发明的另外一种方式的半导体器件的制造方法，是一种使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置制造半导体器件的方法，其包括如下步骤：在半导体基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的半导体基板上形成抗蚀剂膜；在半导体基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的半导体基板上形成抗蚀剂膜；在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；使与所述液体接触的所述抗蚀剂保护膜的表面具有亲水性；以及在使所述抗蚀剂保护膜的表面具有亲水性之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
附图说明
图1是表示实施第1实施例的抗蚀剂图形的形成方法的装置结构的图。
图2A-图2D是表示第1实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图3A-图3D是表示第1实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图4A和图4B是表示第1实施例和现有技术例子的抗蚀剂图形的形状的图。
图5是表示实施第2实施例的抗蚀剂图形的形成方法的装置构成的图。
图6A-图6D是表示第2实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图7A-图7C是表示第2实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图8A-图8D是表示第3实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图9A-图9C是表示第3实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图10A-图10D是表示第4实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图11A-图11C是表示第4实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图12A-图12D是表示第5实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图13A-图13E是表示第5实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图14A-图14D是表示第6实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图15A-图15E是表示第6实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图16A-图16D是表示第7实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
图17A-图17E是表示第7实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的实施例。
图1是表示实施第1实施例的抗蚀剂图形的形成方法的装置结构的图。如图1所示，在液浸型曝光装置所具有的物镜1的下方，配置硅基板(半导体基板、半导体晶片)S。在物镜1和硅基板S之间充满液体(纯水)2。如后述，在硅基板S上形成抗蚀剂膜R，进而在抗蚀剂膜R的表面上形成抗蚀剂保护膜R1。
图2A-图2D以及图3A-图3D是表示本第1实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。下面，基于图2A-图2D以及图3A-图3D说明抗蚀剂图形的形成的处理步骤。
首先，在硅基板S上涂布防反射膜溶液(ARC29A、日产化学公司制造)，并在190℃的热板上进行60秒钟的烘焙处理，从而获得膜厚为80nm的防反射膜(被加工膜)。
之后，如图2A所示，一边通过旋转卡盘11使硅基板S旋转，一边从喷嘴12向硅基板S上供给下层抗蚀剂溶液13。由此，在上述防反射膜上涂布甲基丙烯酸酯类的ArF化学放大型正性抗蚀剂(膜厚300nm)。接着，如图2B所示，在120℃的热板14上对上述硅基板S进行60秒钟的烘焙处理，从而在硅基板S上形成抗蚀剂膜R。
之后，如图2C所示，一边通过旋转卡盘11使硅基板S旋转，一边从喷嘴12向硅基板S的抗蚀剂膜R上供给保护膜水溶液15。由此，在抗蚀剂膜R上涂布膜厚为60nm的固体成分浓度6wt％的聚倍半硅氧烷水溶液。接着，在120℃的热板上进行60秒钟的加热处理而进行不溶化处理。由此，在抗蚀剂膜R的表面上形成对于液体2不溶的抗蚀剂保护膜R1。
接着，如图2D所示，利用以水作为媒介的液浸型的ArF准分子激光曝光装置，在NA＝0.68、σ＝0.75、2/3环带照明的条件下，使用透过率6％的半色调掩模M，通过物镜1在硅基板S上复制线宽100nm的间隔线图形(Line and Space Pattern)。然后，如图3A所示，在120℃的热板14上进行60秒钟的PEB处理。
接着，如图3B所示，从喷嘴12向上述硅基板S上供给剥离液16。由此，将上述硅基板S在0.1％氢氟酸溶液中浸渍30秒钟，从而将上述聚倍半硅氧烷膜、即抗蚀剂保护膜R1除去。然后，如图3C所示，从喷嘴12向上述硅基板S上供给显影液17。由此，将上述硅基板S由2.38wt％TMAH水溶液形成的显影液浸渍30秒钟而进行显影。
其结果，如图3D所示，获得良好形状的抗蚀剂图形P。
图4A、图4B是表示抗蚀剂图形的形状的图。如上所述，通过使用抗蚀剂保护膜获得了如图4A所示的良好形状的抗蚀剂图形P1。另外，在不使用抗蚀剂保护膜的情况下，如图4B所示，抗蚀剂图形P2形成为所示的T-top(T字顶)形状，而没有形成良好的形状。
图5是表示实施第2实施例的抗蚀剂图形的形成方法的装置构成的图。如图5所示，在液浸型曝光装置所具有的物镜1的下方，配置硅基板S。在物镜1和硅基板S之间充满液体(纯水)2。如后述，在硅基板S上形成抗蚀剂膜R，并使抗蚀剂膜R的表面具有亲水性。
图6和图7是表示第2实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。下面，基于图6和图7说明抗蚀剂图形的形成的处理步骤。
首先，在硅基板S上涂布防反射膜溶液(ARC29A、日产化学公司制造)，在190 C的热板上进行60秒钟的烘焙处理，获得膜厚为80nm的防反射膜(被加工膜)。
之后，如图6A所示，一边通过旋转卡盘11使硅基板S旋转，一边从喷嘴12向硅基板S上供给下层抗蚀剂溶液13。由此，在上述防反射膜上涂布甲基丙烯酸酯类的ArF化学放大型正性抗蚀剂(膜厚300nm)。然后，如图6B所示，在120℃的热板14上对上述硅基板S进行60秒钟的烘焙处理，在硅基板S上形成抗蚀剂膜R。
此后，如图6C所示，一边通过旋转卡盘11使硅基板S旋转，一边从喷嘴12向硅基板S的抗蚀剂膜R上供给臭氧水18。由此，当使抗蚀剂膜R由从臭氧水供给装置供给的5ppm的臭氧水侵渍5分钟后，使与液体2接触的抗蚀剂膜R的表面具有亲水性，从而使纯水的接触角从65降低到55。
接着，如图6D所示，利用以水作为媒介的液浸型的ArF准分子激光曝光装置，在NA＝0.68、σ＝0.75、2/3环带照明的条件下，使用透过率6％的半色调掩模M，通过物镜1在硅基板S上复制线宽100nm的间隔线图形。之后，如图7A所示，在120℃的热板14上进行60秒钟的PEB处理。
接着，如图7B所示，从喷嘴12向硅基板S上供给显影液17。由此，将上述硅基板S由2.38wt％TMAH水溶液形成的显影液浸渍30秒钟而进行显影。
其结果，如图7C所示，获得形状良好的抗蚀剂图形P。
此外，代替臭氧水而在1％的硫酸水溶液中浸渍60秒钟，可以使接触角从65降低到35。
图8A-图8D和图9A-图9C是表示第3实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。下面，基于图8A-图8D和图9A-图9C说明抗蚀剂图形的形成的处理步骤。
首先，如图8A、图8B所示，与第2实施例一样，在硅基板S上形成抗蚀剂膜R。之后，如图8C所示，在大气下利用172nmVUV准分子(エキシマ)照射装置18，在室温下在上述抗蚀剂膜R上照射准分子光10秒钟。放射照度为5mW/cm2，灯与硅基板S之间的间隙为2mm。由此，使抗蚀剂膜R表面的纯水的接触角从65降低到35。
然后，如图8D所示，利用以水作为媒介的液浸型的ArF准分子激光曝光装置，在NA＝0.68、σ＝0.75、2/3环带照明的条件下，使用透过率6％的半色调掩模M，通过物镜1在硅基板S上复制线宽100nm的间隔线图形。之后，如图9A所示，在120℃的热板14上进行60秒钟的PEB处理。
然后，如图9B所示，从喷嘴12向上述硅基板S上供给显影液17。由此，将上述硅基板S由2.38wt％TMAH水溶液形成的显影液浸渍30秒钟而进行显影。
其结果，如图9C所示，获得良好形状的抗蚀剂图形P。
图10A-图10D和图11A-图11C是表示第4实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。下面，基于图10A-图10D和图11A-图11C说明抗蚀剂图形的形成的处理步骤。
首先，如图10A、图10B所示，与第2实施例一样，在硅基板S上形成抗蚀剂膜R。之后，如图10C所示，将上述硅基板S放置在真空室19内，在氧气气氛下进行等离子体处理。由此，使抗蚀剂膜R表面的纯水的接触角从65降低到30。
然后，如图10D所示，利用以水作为媒介的液浸型的ArF准分子激光曝光装置，在NA＝0.68、σ＝0.75、2/3环带照明的条件下，使用透过率6％的半色调掩模M，通过物镜1在硅基板S上复制线宽100nm的间隔线图形。之后，如图11A所示，在120℃的热板14上进行60秒钟的PEB处理。
然后，如图11B所示，从喷嘴12向上述硅基板S上供给显影液17。由此，将上述硅基板S由2.38wt％TMAH水溶液形成的显影液浸渍30秒钟而进行显影。
其结果，如图11C所示，获得良好形状的抗蚀剂图形P。
图12A-图12D和图13A-图13E是表示第5实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。下面，基于图12A-图12D和图13A-图13E说明抗蚀剂图形的形成的处理步骤。
首先，在硅基板S上涂布防反射膜溶液(ARC29A、日产化学公司制造)，在190 C的热板上进行60秒钟的烘焙处理，获得膜厚为80nm的防反射膜(被加工膜)。
之后，如图12A所示，一边通过旋转卡盘11使硅基板S旋转，一边从喷嘴12向硅基板S上供给下层抗蚀剂溶液13。由此，在上述防反射膜上涂布甲基丙烯酸酯类的ArF化学放大型正性抗蚀剂(膜厚300nm)。然后，如图12B所示，在120℃的热板14上对上述硅基板S进行60秒钟的烘焙处理，在硅基板S上形成抗蚀剂膜R。
之后，如图12C所示，一边通过旋转卡盘11使硅基板S旋转，一边从喷嘴12向硅基板S的抗蚀剂膜R上供给保护膜水溶液15。由此，在抗蚀剂膜R上涂布膜厚为60nm的固体成分浓度6wt％的聚倍半硅氧烷水溶液。接着，在120℃的热板上进行60秒钟的加热处理而进行不溶化处理。由此，在抗蚀剂膜R表面上形成对于液体2不溶的抗蚀剂保护膜R1。
然后，如图12D所示，一边通过旋转卡盘11使硅基板S旋转，一边从喷嘴12向硅基板S的抗蚀剂膜R上供给臭氧水18。由此，当使抗蚀剂膜R由从臭氧水供给装置供给的5ppm的臭氧水侵渍5分钟后，使与液体2接触的抗蚀剂保护膜R1的表面具有亲水性，从而使纯水的接触角从55降低到45。
然后，如图13A所示，利用以水作为媒介的液浸型的ArF准分子激光曝光装置，在NA＝0.68、σ＝0.75、2/3环带照明的条件下，使用透过率6％的半色调掩模M，通过物镜1在硅基板S上复制线宽100nm的间隔线图形。之后，如图13B所示，在120℃的热板14上进行60秒钟的PEB处理。
接着，如图13C所示，从喷嘴12向上述硅基板S供给剥离液16。由此，将上述硅基板S在0.1％氢氟酸溶液中浸渍30秒钟，从而将上述聚倍半硅氧烷膜、即抗蚀剂保护膜R1除去。然后，如图13D所示，从喷嘴12向上述硅基板S上供给显影液17。由此，将上述硅基板S由2.38wt％TMAH水溶液形成的显影液浸渍30秒钟而进行显影。
其结果，如图13E所示，获得形状良好的抗蚀剂图形P。
图14A-图14D和图15A-图15E是表示第6实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。下面，基于图14A-图14D和图15A-图15E说明抗蚀剂图形的形成的处理步骤。
首先，在硅基板S上涂布防反射膜溶液(ARC29A、日产化学公司制造)，在190 C的热板上进行60秒钟的烘焙处理，获得膜厚为80nm的防反射膜(被加工膜)。之后，如图14A所示，一边通过旋转卡盘11使硅基板S旋转，一边从喷嘴12向硅基板S上供给下层抗蚀剂溶液13。由此，在上述防反射膜上涂布甲基丙烯酸酯类的ArF化学放大型正性抗蚀剂(膜厚300nm)。
然后，如图14B所示，在120℃的热板14上对上述硅基板S进行60秒钟的烘焙处理，在硅基板S上形成抗蚀剂膜R。之后，如图14C所示，一边通过旋转卡盘11使硅基板S旋转，一边从喷嘴12向硅基板S的抗蚀剂膜R上供给保护膜水溶液15。由此，在抗蚀剂膜R上涂布膜厚为60nm的固体成分浓度6wt％的聚倍半硅氧烷水溶液。接着，在120℃的热板上进行60秒钟的加热处理而进行不溶化处理。由此，在抗蚀剂膜R表面上形成对于液体2不溶的抗蚀剂保护膜R1。
然后，如图14D所示，在大气下利用172nmVUV准分子照射装置18，在室温下在上述抗蚀剂膜R上照射准分子光10秒钟。放射照度为5mW/cm2，灯与硅基板S之间的间隙为2mm。由此，使抗蚀剂膜R表面的纯水的接触角从65降低到35。
然后，如图15A所示，利用以水作为媒介的液浸型的ArF准分子激光曝光装置，在NA＝0.68、σ＝0.75、2/3环带照明的条件下，使用透过率6％的半色调掩模M，通过物镜1在硅基板S上复制线宽100nm的间隔线图形。之后，如图15B所示，在120℃的热板14上进行60秒钟的PEB处理。
接着，如图15C所示，从喷嘴12向上述硅基板S上供给剥离液16。由此，将上述硅基板S在0.1％氢氟酸溶液中浸渍30秒钟，从而将上述聚倍半硅氧烷膜、即抗蚀剂保护膜R1除去。然后，如图15D所示，从喷嘴12向上述硅基板S上供给显影液17。由此，将上述硅基板S由2.38wt％TMAH水溶液形成的显影液浸渍30秒钟而进行显影。
其结果，如图15E所示，获得良好形状的抗蚀剂图形P。
图16A-图16D和图17A-图17E是表示第7实施例的抗蚀剂图形的形成方法的工艺流程的图。下面，基于图16A-图16D和图17A-图17E说明抗蚀剂图形的形成的处理步骤。
首先，在硅基板S上涂布防反射膜溶液(ARC29A、日产化学公司制造)，在190 C的热板上进行60秒钟的烘焙处理，获得膜厚为80nm的防反射膜(被加工膜)。
之后，如图16A所示，一边通过旋转卡盘11使硅基板S旋转，一边从喷嘴12向硅基板S上供给下层抗蚀剂溶液13。由此，在上述防反射膜上涂布甲基丙烯酸酯类的ArF化学放大型正性抗蚀剂(膜厚300nm)。然后，如图16B所示，在120℃的热板14上对上述硅基板S进行60秒钟的烘焙处理，在硅基板S上形成抗蚀剂膜R。
之后，如图16C所示，一边通过旋转卡盘11使硅基板S旋转，一边从喷嘴12向硅基板S的抗蚀剂膜R上供给保护膜水溶液15。由此，在抗蚀剂膜R上涂布膜厚为60nm的固体成分浓度6wt％的聚倍半硅氧烷水溶液。接着，在120℃的热板上进行60秒钟的加热处理而进行不溶化处理。由此，在抗蚀剂膜R表面上形成对于液体2不溶的抗蚀剂保护膜R1。
接着，如图16D所示，将上述硅基板S放置在真空室19内，在氧气气氛下进行等离子体处理。由此，使抗蚀剂膜R表面的纯水的接触角从55降低到25。
然后，如图17A所示，利用以水作为媒介的液浸型的ArF准分子激光曝光装置，在NA＝0.68、σ＝0.75、2/3环带照明的条件下，使用透过率6％的半色调掩模(ハ一フト一ンマスク)M，通过物镜1在硅基板S上复制线宽100nm的间隔线图形。之后，如图17B所示，在120℃的热板14上进行60秒钟的PEB处理。
然后，如图17C所示，从喷嘴12向上述硅基板S上供给剥离液16。由此，将上述硅基板S在0.1％氢氟酸溶液中浸渍30秒钟，从而将上述聚倍半硅氧烷膜、即抗蚀剂保护膜R1除去。然后，如图17D所示，从喷嘴12向上述硅基板S上供给显影液17。由此，将上述硅基板S由2.38wt％TMAH水溶液形成的显影液浸渍30秒钟而进行显影。
其结果，如图17E所示，获得形状良好的抗蚀剂图形P。
根据本实施例，在半导体器件的制造工艺中的光刻工序的抗蚀剂图形的形成中包括：在形成被加工膜的半导体基板上直接或间接地形成抗蚀剂膜的工序；利用在所述半导体基板和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置对所述抗蚀剂膜进行曝光的工序；以及对所述抗蚀剂膜进行显影的工序。另外，在形成抗蚀剂膜之后且在所述抗蚀剂膜曝光之前，包括：在所述抗蚀剂膜上形成由水溶性无机材料形成的抗蚀剂保护膜的工序，以及使所述抗蚀剂保护膜对于所述液浸型曝光装置中所使用的液体不溶化的工序；在所述抗蚀剂膜曝光之后且在所述抗蚀剂膜显影之前，包括除去所述抗蚀剂保护膜的工序。
作为所述抗蚀剂保护膜的材料，优选采用水溶性无机膜(旋涂式玻璃SOG：spin on glass)材料等。
此外，作为使所述抗蚀剂保护膜对于所述液浸型曝光装置中所使用的液体不溶化的工序，优选采用加热处理所述抗蚀剂保护膜的方法、用紫外光照射所述抗蚀剂保护膜的方法(UV照射)、照射电子束的方法(EB照射)、或者这些处理方法的多种组合方法。
此外，作为除去所述抗蚀剂保护膜的方法，优选在所述抗蚀剂膜的显影工序之前，使用不溶解抗蚀剂材料的有机溶剂、氢氟酸水溶液、氟化铵水溶液等的酸性水溶液、或四甲基氢氧化铵水溶液等的碱性水溶液、或者这些物质的组合而进行除去方法。
此外，根据本实施例，使用液浸型曝光装置对在形成了被加工膜的半导体基板上形成的抗蚀剂膜进行曝光。而且，与所述液浸型曝光装置所使用的液体接触的半导体基板表面是对于所述液体具有亲和性的表面。
如上所述，在液浸型曝光装置中所使用的液体直接接触的半导体基板的表面，通过使其具有对于所述液体的亲和性，可以抑制使曝光中在抗蚀剂上的光学像的偏斜而导致抗蚀剂图形劣化的气泡附着在所述基板的表面上。
另外，作为使半导体基板表面具有对于所述液体的亲和性的工序，优选采用在包含氧的气氛下进行加热处理的方法、照射紫外光的方法(UV照射)、照射电子束的方法(EB照射)、或者这些处理多种组合的方法。
当所述液体是水时，在所述半导体基板中，在与所述液体直接接触的面是抗蚀剂膜的表面的情况下，通过在所述半导体基板上涂布抗蚀剂溶液而形成抗蚀剂膜之后，使所述抗蚀剂膜表面侵渍于氧化性水溶液、或者暴露于氧化性气氛中，而使所述抗蚀剂膜表面氧化，从而使所述半导体基板表面具有亲水性。
在此，作为氧化性水溶液，优选采用含有过氧化氢、盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸等的酸中的一种或一种以上的水溶液和含有臭氧的水溶液等。关于氧化性水溶液的酸度，优选采用最适合于抗蚀剂的酸度。即，这是因为当氧化能力弱时不能充分获得除去气泡的效果，此外，当氧化能力过强时会使抗蚀剂膜对于显影液或水溶解，因而很难形成图形。
另外，作为氧化性气氛，可以考虑采用暴露于含有氧的等离子体气氛中的方法和暴露于含有臭氧的气氛中的方法。作为臭氧的发生方法，可以采用在含有氧的气氛下照射UV光的方法等。此外，也可以在含有氧的气氛下进行加热处理。
根据本发明的实施例，在使用液浸型曝光装置的情况下，可以提供出可形成通常稳定的抗蚀剂图形的抗蚀剂图形的形成方法和半导体器件的制造方法。
另外，本发明的其它的优点和变形对于本领域技术人员来说是容易的。因此，本发明的更广的范围并不局限于在这里表示和所述的具体细节和实施例。因此，在不脱离权利要求书及其等同方式所限定的本发明的宗旨和范围的情况下可以进行各种变更。

Claims (20)

1.一种抗蚀剂图形的形成方法，是使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：
在被处理基板上形成被加工膜；
在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；
在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；以及
在形成所述抗蚀剂保护膜之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂图形的形成方法，其中所述抗蚀剂保护膜由水溶性无机膜形成。
3.根据权利要求1所述的抗蚀剂图形的形成方法，其中所述抗蚀剂保护膜的形成包括使所述抗蚀剂保护膜对于所述液体不溶化的步骤。
4.根据权利要求3所述的抗蚀剂图形的形成方法，其中所述不溶化是对所述抗蚀剂保护膜进行加热处理。
5.根据权利要求3所述的抗蚀剂图形的形成方法，其中所述不溶化是向所述抗蚀保护膜照射紫外光或电子束。
6.根据权利要求1所述的抗蚀剂图形的形成方法，包括在所述抗蚀剂膜曝光之后且在所述抗蚀剂膜显影之前除去所述抗蚀剂保护膜的步骤。
7.一种抗蚀剂图形的形成方法，是使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：
在被处理基板上形成被加工膜；
在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；
使与所述液体接触的所述抗蚀剂膜的表面具有亲水性；以及
在使所述抗蚀剂膜的表面具有亲水性之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
8.根据权利要求7所述的抗蚀剂图形的形成方法，其中使所述抗蚀膜的表面具有亲水性是将所述抗蚀剂膜的表面暴露于氧化性溶液中。
9.根据权利要求7所述的抗蚀剂图形的形成方法，其中使所述抗蚀膜的表面具有亲水性是将所述抗蚀剂膜的表面暴露于氧化性气氛中。
10.一种抗蚀剂图形的形成方法，是使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：
在被处理基板上形成被加工膜；
在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；
在半导体基板上形成被加工膜；
在形成了所述被加工膜的半导体基板上形成抗蚀剂膜；
在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；
使与所述液体接触的所述抗蚀剂保护膜的表面具有亲水性；以及
在使所述抗蚀剂保护膜的表面具有亲水性之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
11.根据权利要求10所述的抗蚀剂图形的形成方法，其中所述抗蚀剂保护膜由水溶性无机膜构成。
12.根据权利要求10所述的抗蚀剂图形的形成方法，其中所述抗蚀剂保护膜的形成包括使所述抗蚀剂保护膜对于所述液体不溶化的步骤。
13.根据权利要求12所述的抗蚀剂图形的形成方法，其中所述不溶化是对所述抗蚀剂保护膜进行加热处理。
14.根据权利要求12所述的抗蚀剂图形的形成方法，其中所述不溶化是向所述抗蚀剂保护膜照射紫外光或电子束。
15.根据权利要求10所述的抗蚀剂图形的形成方法，包括在所述抗蚀剂膜曝光之后且在所述抗蚀剂膜显影之前除去所述抗蚀剂保护膜的步骤。
16.根据权利要求10所述的抗蚀剂图形的形成方法，其中使所述抗蚀剂保护膜的表面具有亲水性是将所述抗蚀剂膜的表面暴露于氧化性溶液中。
17.根据权利要求10所述的抗蚀剂图形的形成方法，其中使所述抗蚀剂保护膜的表面具有亲水性是将所述抗蚀剂膜的表面暴露于氧化性气氛中。
18.一种半导体器件的制造方法，是使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置制造半导体器件的方法，其包括如下步骤：
在半导体基板上形成被加工膜；
在形成了所述被加工膜的半导体基板上形成抗蚀剂膜；
在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；以及
在形成所述抗蚀剂保护膜之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
19.一种半导体器件的制造方法，是使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置制造半导体器件的方法，其包括如下步骤：
在半导体基板上形成被加工膜；
在形成了所述被加工膜的半导体基板上形成抗蚀剂膜；
使与所述液体接触的所述抗蚀剂膜的表面具有亲水性；以及
在使所述抗蚀剂膜的表面具有亲水性之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
20.一种半导体器件的制造方法，是使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置制造半导体器件的方法，其包括如下步骤：
在半导体基板上形成被加工膜；
在形成了所述被加工膜的半导体基板上形成抗蚀剂膜；
在半导体基板上形成被加工膜；
在形成了所述被加工膜的半导体基板上形成抗蚀剂膜；
在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；
使与所述液体接触的所述抗蚀剂保护膜的表面具有亲水性；以及
在使所述抗蚀剂保护膜的表面具有亲水性之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
CNB2004100921934A 2003-09-30 2004-09-30 抗蚀剂图形的形成方法和半导体器件的制造方法 Expired - Fee Related CN100355024C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP340590/2003 2003-09-30
JP2003340590A JP3993549B2 (ja) 2003-09-30 2003-09-30 レジストパターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1630034A true CN1630034A (zh) 2005-06-22
CN100355024C CN100355024C (zh) 2007-12-12

Family

ID=34373409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100921934A Expired - Fee Related CN100355024C (zh) 2003-09-30 2004-09-30 抗蚀剂图形的形成方法和半导体器件的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20050069819A1 (zh)
JP (1) JP3993549B2 (zh)
KR (1) KR100572950B1 (zh)
CN (1) CN100355024C (zh)
TW (1) TWI283430B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100437356C (zh) * 2003-12-30 2008-11-26 台湾积体电路制造股份有限公司 浸润式光刻之方法与系统
CN104471487A (zh) * 2012-07-16 2015-03-25 巴斯夫欧洲公司 用于制造集成电路装置、光学装置、微机械及机械精密装置的组合物
CN105500942A (zh) * 2014-10-08 2016-04-20 株式会社东芝 图案形成方法及图案
CN109254493A (zh) * 2018-11-30 2019-01-22 深圳市路维光电股份有限公司 半色调掩膜版制作方法

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4579927B2 (ja) * 2003-12-23 2010-11-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 浸漬リソグラフィのための除去可能なペリクル
EP1612604A3 (en) * 2004-07-02 2006-04-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositions and processes for immersion lithography
US20060008746A1 (en) * 2004-07-07 2006-01-12 Yasunobu Onishi Method for manufacturing semiconductor device
EP1621927B1 (en) 2004-07-07 2018-05-23 FUJIFILM Corporation Positive type resist composition for use in liquid immersion exposure and a method of forming the pattern using the same
JP4677987B2 (ja) * 2004-07-21 2011-04-27 株式会社ニコン 露光方法及びデバイス製造方法
US20070242248A1 (en) * 2004-10-26 2007-10-18 Nikon Corporation Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device
US8040489B2 (en) * 2004-10-26 2011-10-18 Nikon Corporation Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device by immersing substrate in second liquid before immersion exposure through first liquid
US7320855B2 (en) * 2004-11-03 2008-01-22 International Business Machines Corporation Silicon containing TARC/barrier layer
JP5008280B2 (ja) 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5154008B2 (ja) * 2004-11-10 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5154007B2 (ja) * 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5154006B2 (ja) 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4926433B2 (ja) 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4488890B2 (ja) * 2004-12-27 2010-06-23 株式会社東芝 レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法
JP4551758B2 (ja) 2004-12-27 2010-09-29 株式会社東芝 液浸露光方法および半導体装置の製造方法
KR100745065B1 (ko) * 2004-12-27 2007-08-01 주식회사 하이닉스반도체 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법
JP4955976B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
US7267497B2 (en) * 2005-01-21 2007-09-11 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method
JP4955977B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
US7563560B1 (en) * 2005-02-01 2009-07-21 Advanced Micro Devices, Inc. Solution and method for manufacturing an integrated circuit
JP2006301524A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 保護膜形成用材料およびこれを用いたレジストパターン形成方法
JP4718893B2 (ja) * 2005-05-13 2011-07-06 株式会社東芝 パターン形成方法
US7807335B2 (en) * 2005-06-03 2010-10-05 International Business Machines Corporation Immersion lithography contamination gettering layer
JP4485994B2 (ja) * 2005-06-03 2010-06-23 パナソニック株式会社 パターン形成方法
US7691559B2 (en) * 2005-06-30 2010-04-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography edge bead removal
JP4861767B2 (ja) * 2005-07-26 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
KR100618909B1 (ko) 2005-08-26 2006-09-01 삼성전자주식회사 실리콘을 함유하는 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법
TWI403843B (zh) * 2005-09-13 2013-08-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
US20070058263A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and methods for immersion lithography
JP4761907B2 (ja) 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100740611B1 (ko) 2005-10-12 2007-07-18 삼성전자주식회사 탑 코팅 막용 고분자, 탑 코팅 용액 조성물 및 이를 이용한이머젼 리소그라피 공정
JP2007140075A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd バリア膜形成用材料及びそれを用いたパターン形成方法
JP2007142181A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Toshiba Corp 基板処理方法及びリンス装置
JP4881686B2 (ja) * 2005-12-09 2012-02-22 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
KR100802228B1 (ko) * 2006-01-03 2008-02-11 주식회사 하이닉스반도체 이멀젼 리소그래피 장치
US7498119B2 (en) * 2006-01-20 2009-03-03 Palo Alto Research Center Incorporated Process for forming a feature by undercutting a printed mask
JP4699227B2 (ja) * 2006-02-02 2011-06-08 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4368365B2 (ja) * 2006-08-02 2009-11-18 Ｔｄｋ株式会社 液浸露光用基板およびその製造方法、ならびに液浸露光方法
JP2008042019A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
GB0619042D0 (en) * 2006-09-27 2006-11-08 Imec Inter Uni Micro Electr Methods and systems for water uptake control
JP4314494B2 (ja) * 2006-11-29 2009-08-19 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4926678B2 (ja) * 2006-12-04 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 液浸露光用洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータプログラムおよび記憶媒体
JPWO2008075749A1 (ja) * 2006-12-21 2010-04-15 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びに基板保持装置
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
US8637229B2 (en) 2006-12-25 2014-01-28 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
US8530148B2 (en) 2006-12-25 2013-09-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
KR100949892B1 (ko) * 2007-01-08 2010-03-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세패턴 형성 방법
EP1975716B1 (en) * 2007-03-28 2013-05-15 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
US8603733B2 (en) 2007-04-13 2013-12-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method
JP4562784B2 (ja) 2007-04-13 2010-10-13 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液
US8034547B2 (en) 2007-04-13 2011-10-11 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
WO2008140119A1 (ja) 2007-05-15 2008-11-20 Fujifilm Corporation パターン形成方法
US8476001B2 (en) 2007-05-15 2013-07-02 Fujifilm Corporation Pattern forming method
WO2008153110A1 (ja) 2007-06-12 2008-12-18 Fujifilm Corporation ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP4590431B2 (ja) 2007-06-12 2010-12-01 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP4617337B2 (ja) 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
US8617794B2 (en) 2007-06-12 2013-12-31 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
US8632942B2 (en) 2007-06-12 2014-01-21 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
TW200921297A (en) * 2007-09-25 2009-05-16 Renesas Tech Corp Method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and resist material
JP5516931B2 (ja) * 2009-03-12 2014-06-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 レジストパターン形成方法
US9182664B2 (en) * 2010-10-13 2015-11-10 Central Glass Company, Limited Polymerizable fluorine-containing sulfonate, fluorine-containing sulfonate resin, resist composition and pattern-forming method using same
JP5668710B2 (ja) * 2012-02-27 2015-02-12 信越化学工業株式会社 高分子化合物及びそれを含んだレジスト材料並びにパターン形成方法、該高分子化合物の製造方法
US9261786B2 (en) 2012-04-02 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photosensitive material and method of photolithography
US9213234B2 (en) * 2012-06-01 2015-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photosensitive material and method of lithography
US9146469B2 (en) 2013-03-14 2015-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Middle layer composition for trilayer patterning stack
JP6461179B2 (ja) 2014-09-30 2019-01-30 富士フイルム株式会社 ネガ型パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
WO2016098809A1 (ja) 2014-12-17 2016-06-23 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、保護膜形成用組成物及び電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1152541A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Yokogawa Electric Corp 露光マスク装置
JP2002151462A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Fujitsu Ltd ウエットエッチング終点検出方法及び装置並びにウエットエッチング方法
JP4564186B2 (ja) * 2001-02-16 2010-10-20 株式会社東芝 パターン形成方法
WO2004093159A2 (en) * 2003-04-09 2004-10-28 Nikon Corporation Immersion lithography fluid control system
JP4146755B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100437356C (zh) * 2003-12-30 2008-11-26 台湾积体电路制造股份有限公司 浸润式光刻之方法与系统
CN104471487A (zh) * 2012-07-16 2015-03-25 巴斯夫欧洲公司 用于制造集成电路装置、光学装置、微机械及机械精密装置的组合物
CN104471487B (zh) * 2012-07-16 2019-07-09 巴斯夫欧洲公司 用于制造集成电路装置、光学装置、微机械及机械精密装置的组合物
CN105500942A (zh) * 2014-10-08 2016-04-20 株式会社东芝 图案形成方法及图案
CN105500942B (zh) * 2014-10-08 2018-04-20 株式会社东芝 图案形成方法及图案
CN109254493A (zh) * 2018-11-30 2019-01-22 深圳市路维光电股份有限公司 半色调掩膜版制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200523989A (en) 2005-07-16
KR20050031957A (ko) 2005-04-06
US20050069819A1 (en) 2005-03-31
KR100572950B1 (ko) 2006-04-24
JP3993549B2 (ja) 2007-10-17
CN100355024C (zh) 2007-12-12
JP2005109146A (ja) 2005-04-21
TWI283430B (en) 2007-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1630034A (zh) 抗蚀剂图形的形成方法和半导体器件的制造方法
CN1261827C (zh) 光致抗蚀剂剥离液组合物及使用光致抗蚀剂剥离液组合物的光致抗蚀剂的剥离方法
CN1282033C (zh) 图形形成方法及曝光装置
CN1275100C (zh) 光致抗蚀剂剥离液组合物及使用光致抗蚀剂剥离液组合物的光致抗蚀剂的剥离方法
CN1677233A (zh) 抗蚀材料以及利用该材料形成图案的方法
CN1916767A (zh) 光刻图形的形成方法
CN1280315A (zh) 一种形成光刻胶图形的方法
CN1453823A (zh) 图案形成方法和半导体器件的制造方法
CN1940716A (zh) 清洁光罩的方法
CN1219241C (zh) 光致抗蚀剂脱膜剂组合物
CN1521803A (zh) 半导体器件的制造方法
CN1223908C (zh) 形成图形的方法和在其中使用的处理剂
CN1947065A (zh) 抗蚀图案的形成方法及复合冲洗液
EP2474862A1 (en) Resist remover composition and method for removing resist using the composition
CN1278383C (zh) 图案形成方法
CN1527960A (zh) 微结构的制造方法
CN1653596A (zh) 光刻胶除去装置和光刻胶除去方法
CN100336189C (zh) 薄膜晶体管的制造方法
CN1263094C (zh) 半导体器件的制造方法
CN1629734A (zh) 图形形成方法
CN1873537A (zh) 图案形成方法
CN1604275A (zh) 图案形成方法
CN1815372A (zh) 图案形成方法
CN1235093C (zh) 使用在水溶液中具有高当量电导率的导电材料的抗蚀剂剥离剂组合物
CN1637600A (zh) 水溶性材料、化学放大型抗蚀剂及使用它们的图形形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20071212

Termination date: 20140930

EXPY Termination of patent right or utility model