CN1677233A - 抗蚀材料以及利用该材料形成图案的方法 - Google Patents

抗蚀材料以及利用该材料形成图案的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1677233A
CN1677233A CNA2005100630168A CN200510063016A CN1677233A CN 1677233 A CN1677233 A CN 1677233A CN A2005100630168 A CNA2005100630168 A CN A2005100630168A CN 200510063016 A CN200510063016 A CN 200510063016A CN 1677233 A CN1677233 A CN 1677233A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pattern
etchant resist
formation method
corrosion
pattern formation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005100630168A
Other languages
English (en)
Inventor
远藤政孝
屉子胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1677233A publication Critical patent/CN1677233A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

在基材上形成包含氧化钛的抗蚀膜后，利用波长小于或等400nm的光或者电子束选择性照射抗蚀膜进行图案曝光。图案曝光后，抗蚀膜被显影形成由抗蚀膜构成的抗蚀图案。

Description

抗蚀材料以及利用该材料形成图案的方法
技术领域
本发明涉及在半导体装置制造工艺等中使用的抗蚀材料以及利用该材料形成图案的方法。
背景技术
与半导体集成电路一体化以及半导体装置小型化程度进一步提高相适应，对更高性能光蚀刻技术的需求不断增加。尤其是，为了使图案精细化，要求抗蚀材料具有越来越高的性能。因此，目前常常使用化学放大型抗蚀剂作为获得精细图案的抗蚀材料。在化学放大型抗蚀剂中，由于其中含有酸生成剂，通过曝光和曝后烤生成酸，所生成的酸用作引发抗蚀反应的催化剂。因此，使用化学放大型抗蚀可以提高抗蚀剂的析像度和灵敏度。
现在参考图7A-7D描述利用化学放大型抗蚀剂形成常规图案的方法。
首先，制备了具有下列组成的正型化学放大型抗蚀材料：
基体聚合物：聚((叔丁氧基羰基甲氧基苯乙烯)(35mol％)-(羟基苯乙烯)(65mol％)                …    2g
酸生成剂：九氟丁磺酸三苯基硫鎓
(triphenylsulfonium nonaflate)    …    0.05g
猝灭剂：三乙醇胺                  …    0.002g
溶剂：丙二醇单甲基醚乙酸酯        …    18g
接下来，如图7A所示，在基材1上涂布上述化学放大型抗蚀材料形成厚度为0.4μm的抗蚀膜2。
然后，如图7B所示，用NA为0.68的KrF准分子激光作为曝光光3通过掩模4照射抗蚀膜2进行图案曝光。
图案曝光后，如图7C所示，用温度为105℃的热板将抗蚀膜2烘烤60秒(曝后烤)。
所得抗蚀膜2用2.38wt％的四甲基氢氧化铵显影剂5使之显影。这样，如图7D所示，形成了由抗蚀膜2未曝光部分组成、线宽为0.13μm的抗蚀图案2a。
但是，如图7D所示，利用常规图案形成方法形成的抗蚀图案2a形状是有缺陷的，其下方部分未溶解。因此，即使使用了化学放大型抗蚀，抗蚀的析像度也不够高。当这种具有缺陷形状的抗蚀图案2a用于蚀刻目标膜时，所得目标膜的图案其形状也是有缺陷的，从而降低了半导体装置制造工艺中的生产率和产量。
发明内容
考虑到上述常规技术的缺点，本发明的目的是通过提高抗蚀膜的析像度(即溶解反差)形成具有良好形状的精细图案。
为了提高抗蚀膜的溶解反差，本发明的发明人经过多方面研究发现：当氧化钛被波长小于或等于400nm的光或电子束照射时，氧化钛可以获得亲水性。因此，当抗蚀剂中含有氧化钛时，抗蚀膜的曝光部分(通常通过酸生成剂或光反应试剂的光反应获得亲水性)变得更亲水，但未曝光部分仍保持疏水性。因此，含有氧化钛的抗蚀膜，其曝光部分亲水性与未曝光部分疏水性之间的极性差别更大了。当抗蚀膜的曝光部分和未曝光部分的极性差别增加时，溶解反差，即在显影过程中所得抗蚀膜曝光部分和未曝光部分溶解速度的差别增大了，从而提高了抗蚀膜的析像度并改善了所得图案的形状。
在Nature，vol.388，p.431(1997)中，R.Wang等人提到氧化钛通过被紫外光照射可以获得亲水性。根据这篇文章，经紫外照射的氧化钛由于下列原因获得亲水性：通过紫外照射氧化钛中产生了电子和孔洞，所产生的电子和孔洞分别与空气中的氧和水分子相键连形成活性氧物质(例如过氧化物阴离子和OH基)，这些活性氧物质表现出亲水性质。
在使用氧类蚀刻气体的干式蚀刻中，包含氧化钛的抗蚀剂对有机膜具有蚀刻抗性。因此，当利用包含氧化钛的抗蚀图案作为掩模蚀刻有机膜时，可以形成具有两层结构的多层图案。而且，可以在包含氧化钛的抗蚀膜和有机膜之间沉积无机膜，在这种情况下，可以形成具有三层结构的多层膜，其中无机膜强化了氧化钛对有机膜的氧类蚀刻的抗性。
抗蚀剂中氧化钛的含量最好不低于0.1wt％且不高于10wt％，但这并不限制本发明。氧化钛的颗粒大小可以是纳米颗粒大小，用波长小于或等于400nm的光或电子束曝光后的氧化钛表现出亲水性。
在上述发现的基础上建立了本发明，且根据本发明，抗蚀膜中包含氧化钛以通过提高抗蚀膜曝光部分的亲水性来提高溶解反差。具体而言，本发明实施如下：
本发明抗蚀材料包含氧化钛。
由于本发明抗蚀材料包含氧化钛，曝光部分(通过例如酸生成剂或光反应试剂的光反应获得亲水性)变得更亲水，但未曝光部分保持疏水性。因此，抗蚀剂曝光部分与未曝光部分之间的极性差别更大了。当抗蚀膜的曝光部分和未曝光部分的极性差别变大时，显影过程中获得的溶解反差增加。因此提高了抗蚀剂的析像度，可以形成具有良好形状的抗蚀图案。
本发明的第一种图案形成方法包括，在基材上形成包含氧化钛的抗蚀膜；用波长小于或等于400nm的光或电子束选择性照射抗蚀膜进行图案曝光；以及图案曝光后显影抗蚀膜形成由抗蚀膜形成的抗蚀图案。
在第一种图案形成方法中，包含氧化钛的抗蚀膜的曝光部分变得更亲水而其未曝光部分保持疏水性。因此，曝光部分与未曝光部分之间的极性差别更大了，显影过程中获得的溶解反差增加。结果提高了抗蚀膜的析像度，可以形成具有良好形状的抗蚀图案。
本发明的第二种图案形成方法包括，在基材上形成有机膜；在有机膜上形成包含氧化钛的第一抗蚀膜；用波长小于或等于400nm的光或电子束选择性照射第一抗蚀膜进行图案曝光；图案曝光后显影第一抗蚀膜形成由第一抗蚀膜形成的抗蚀图案；以及用抗蚀图案作为掩模蚀刻有机膜形成图案。
在第二种图案形成方法中，包含氧化钛的第一抗蚀膜的曝光部分变得更亲水而未曝光部分保持疏水性。因此，第一抗蚀膜曝光部分与未曝光部分之间的极性差别更大了，从而显影过程中获得的溶解反差增加。结果提高了第一抗蚀膜的析像度，可以形成具有良好形状的抗蚀图案。此外，包含氧化钛的第一抗蚀膜在氧化气氛中具有较高的抗蚀性，由第一抗蚀膜形成的抗蚀图案可以作为掩模，利用氧等离子体蚀刻下方有机膜。结果可以形成由抗蚀图案和有机膜组成、具有良好形状的多层图案。
第二种图案形成方法优选进一步包括，在形成有机膜和形成第一抗蚀膜的步骤之间，在所述有机膜上形成无机膜的步骤，图案优选在图案形成步骤中利用抗蚀图案作为掩模蚀刻无机膜和有机膜来形成。这样，由于无机膜对氧等离子体具有高抗蚀性，当利用抗蚀图案作为掩模蚀刻无机膜和有机膜以形成包含有机膜的图案时，无机膜增强(补偿)了抗蚀图案。
在第一种图案形成方法中，抗蚀膜优选由化学放大型抗蚀剂形成。
在第二图案形成方法中，第一抗蚀膜优选由化学放大型抗蚀剂形成。
在第二图案形成方法中，优选在形成有机膜的步骤中在所述基材上形成第二抗蚀膜而且将第二抗蚀膜进行硬烤。这样可以容易、确定地形成有机膜。注意有机膜并不局限于硬烤抗蚀膜，还可以由碳氢膜、碳膜等形成。
在这种情况下，优选在温度大于或等于200℃的条件下进行硬烤。
在第二种图案形成方法中，使用无机膜时，无机膜可以由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅组成。
在第一种图案形成方法中，波长小于或低于400nm的光优选是i-line、KrF准分子激光、ArF准分子激光、F2激光、ArKr激光、Ar2激光或不小于1nm且不大于30nm的极端紫外光。这样抗蚀剂中含有的氧化钛确实可以变得亲水。
附图说明
图1A、图1B、图1C和图1D是显示根据本发明实施方案1的图案形成方法工序的截面图；
图2A、图2B、图2C和图2D是显示根据本发明实施方案2的图案形成方法工序的截面图；
图3A、图3B和图3C是显示根据本发明实施方案2的图案形成方法中其它工序的截面图；
图4A、图4B、图4C和图4D是显示根据本发明实施方案3的图案形成方法工序的截面图；
图5A、图5B、图5C和图5D是显示根据本发明实施方案3的图案形成方法中其它工序的截面图；
图6A和图6B是显示根据本发明实施方案3的图案形成方法中其它工序的截面图；
图7A、图7B、图7C和图7D是显示使用化学放大型抗蚀剂的常规图案形成方法工序的截面图。
具体实施方式
实施方案1
现在参照图1A-1D描述本发明实施方案1的图案形成方法。
首先，制备了具有下列组成的正型化学放大型抗蚀材料用于形成第一抗蚀膜：
基体聚合物：聚((叔丁氧基羰基甲氧基苯乙烯)(35mol％)-(羟基苯乙烯)(65mol％))                        …  2g
析像度增强剂：氧化钛                       …  2g
酸生成剂：九氟丁磺酸三苯基硫鎓
(triphenylsulfonium nonaflate)    …    0.05g
猝灭剂：三乙醇胺                  …    0.002g
溶剂：丙二醇单甲醚乙酸酯          …    18g
接下来，如图1A所示，在基材101上涂布上述化学放大型抗蚀材料形成厚度为0.4μm的抗蚀膜102。
然后，如图1B所示，用NA为0.68的KrF准分子激光作为曝光光103通过掩模104照射抗蚀膜102进行图案曝光。
图案曝光后，如图1C所示，用温度为105℃的热板将抗蚀膜102烘烤60秒(曝后烤)。
接下来，如图1D所示，所得抗蚀膜102用2.38wt％的四甲基氢氧化铵水溶液(碱性显影剂)显影。这样，如图1D所示，形成了由抗蚀膜102未曝光部分构成、线宽为0.13μm、具有良好形状的抗蚀图案102a。
在这种情况下，根据实施方案1，在含有氧化钛的抗蚀膜102中，曝光部分102b中含有的氧化钛在图1B所示的曝光下变为亲水性的，因此，通过酸生成剂的光反应获得亲水性的曝光部分102b变得更加亲水。相反，抗蚀膜102的未曝光部分保持其疏水性。因此，在图1D所示的显影中，溶解反差即曝光部分102b和未曝光部分之间的溶解差别增加了。结果，提高了抗蚀膜102的析像度，可以形成具有良好形状的抗蚀图案102a。
实施方案2
现在将参照图2A-2D和图3A-3C描述本发明实施方案2的图案形成方法。
首先，制备了具有下列组成的抗蚀剂用于形成有机膜：
基体聚合物：线性酚醛树脂                   …  3g
1，2，3-三羟基二苯酮-5-重氮基萘醌磺酸盐    …  0.9g
溶剂：环己酮                               …  15g
然后，如图2A所示，在基材201上涂布该抗蚀材料，涂布的抗蚀材料在250℃烘烤180秒形成厚度为0.4μm的有机膜205。这里，在硬烤之前得到的抗蚀膜对应于第二抗蚀膜。
接下来，在有机膜205上涂布用来形成第一抗蚀膜且具有下列组成的正型化学放大型抗蚀材料，形成厚度为0.2μm的抗蚀膜202：
基体聚合物：聚((叔丁氧基羰基甲氧基苯乙烯)(35mol％)-(羟基苯乙烯)(65mol％))               …  1.2g
析像度增强剂：氧化钛              …  0.2g
酸生成剂：九氟丁磺酸三苯基硫鎓
(triphenylsulfonium nonaflate)    …  0.04g
猝灭剂：三乙醇胺                  …  0.002g
溶剂：丙二醇单甲醚乙酸酯          …  18g
然后，如图2C所示，用NA为0.68的KrF准分子激光作为曝光光203通过掩模204照射抗蚀膜202进行图案曝光。
图案曝光后，如图2D所示，用温度为110℃的热板将抗蚀膜202烘烤60秒(曝后烤)。
接下来，所得抗蚀膜202用2.38wt％的四甲基氢氧化铵水溶液(碱性显影剂)显影。这样，如图3A所示，形成了由抗蚀膜202未曝光部分构成、线宽为0.13μm、具有良好形状的抗蚀图案202a。
然后，如图3B所示，用抗蚀图案202a作为掩模，利用氧等离子体蚀刻有机膜205，获得由抗蚀图案202a和下方的有机膜图案205a组成、线宽为0.13μm的多层图案206，它具有形状良好的两层结构，如图3C所示。
在这种情况下，根据实施方案2，在含有氧化钛的抗蚀膜202中，曝光部分202b中含有的氧化钛在图2C所示的曝光下变为亲水性的，因此，通过酸生成剂光反应获得亲水性的曝光部分202b变得更加亲水。相反，抗蚀膜202的未曝光部分保持其疏水性。因此，在图3A所示的显影中，溶解反差即曝光部分202b和未曝光部分之间的溶解差别增加了。结果，提高了抗蚀膜202的析像度，可以形成具有良好形状的抗蚀图案。
而且，在如图3B所示利用氧等离子体的干式蚀刻过程中，抗蚀图案202a由于其中含有氧化钛表现出足够高的抗蚀性，因此所得多层图案206具有较好的形状。
注意有机膜205并不局限于硬烤抗蚀膜，可以由碳氢膜、碳膜等组成。
实施方案3
现在参照图4A-4D、图5A-5D和图6A-6C描述本发明实施方案3的图案形成方法。
首先，制备了具有下列组成的抗蚀材料用于形成有机膜：
基体聚合物：线性酚醛树脂                   …  3g
1，2，3-三羟基二苯酮-5-重氮基萘醌磺酸盐    …  0.9g
溶剂：环己酮                               …  15g
然后，如图4A所示，在基材301上涂布抗蚀材料，涂布的抗蚀材料在250℃烘烤l80秒，形成厚度为0.4μm的有机膜305。
然后，如图4B所示，通过例如化学气相沉积(CVD)在有机膜305上形成由氮氧化硅(SiON)组成、厚度为0.1μm的无机膜306。
接下来，如图4C所示，在无机膜306上涂布具有下列组成的正型化学放大型抗蚀材料，形成厚度为0.2μm的抗蚀膜302：
基体聚合物：聚((叔丁氧基羰基甲氧基苯乙烯)(35mol％)-(羟基苯乙烯)(65mol％))               …  1.2g
析像度增强剂：氧化钛              …  0.1g
酸生成剂：九氟丁磺酸三苯基硫鎓
(triphenylsulfonium nonaflate)    …  0.04g
猝灭剂：三乙醇胺                  …  0.002g
溶剂：丙二醇单甲基醚乙酸酯        …  18g
然后，如图4D所示，用NA为0.68的KrF准分子激光作为曝光光303通过掩模304照射抗蚀膜302进行图案曝光。
图案曝光后，如图5A所示，用温度为110℃的热板将抗蚀膜302烘烤60秒(曝后烤)。
接下来，所得抗蚀膜302用2.38wt％的四甲基氢氧化铵水溶液(碱性显影剂)显影。这样，如图5B所示，形成由抗蚀膜302未曝光部分构成、线宽为0.13μm、具有良好形状的抗蚀图案302a。
然后，如图5C所示，用抗蚀图案302a作为掩模，利用氟等离子体蚀刻无机膜306，得到由无机膜306构成的无机膜图案306a。
然后，如图6A所示，抗蚀图案302a和无机膜图案306a作为掩模，利用氧等离子体蚀刻有机膜305，获得由抗蚀图案302a、无机膜图案306a和下方的有机膜图案305a组成、线宽为0.13μm的多层图案307，它具有形状良好的三层结构。
在这种情况下，根据实施方案3，在含有氧化钛的抗蚀膜302中，曝光部分302b中含有的氧化钛在图4D所示的曝光下变为亲水性的，因此，通过酸生成剂的光反应获得亲水性的曝光部分302b变得更加亲水。相反，抗蚀膜302的未曝光部分保持其疏水性。因此，在图5B所示的显影过程中，溶解反差即曝光部分302b和未曝光部分之间的溶解速度差别增加了。结果，提高了抗蚀膜302的析像度，可以形成具有良好形状的抗蚀图案302a。
而且，在如图6A所示利用氧等离子体的干式蚀刻过程中，抗蚀图案302a由于其中含有氧化钛表现出足够高的抗蚀性。此外，在抗蚀图案302a和有机膜305之间沉积对氧等离子体具有高抗蚀性的无机膜306，它可以增强具有良好形状的抗蚀图案302a对氧等离子体的抗蚀性。因此确实可以形成具有较好形状的多层图案307。
注意有机膜305并不局限于硬烤抗蚀膜，还可以由碳氢膜、碳膜等组成。
而且，无机膜306并不局限于氮氧化硅膜，可以是适用于半导体制造工艺的任何材料如氧化硅或氮化硅。
尽管在实施例1-3中使用KrF准分子激光作为曝光光，但这并不限制本发明，曝光光可以是汞灯的i-line、ArF准分子激光、F2激光、ArKr激光、Ar2激光、或波长不小于1nm且不大于30nm的光如极端紫外或电子束。
而且，在各实施方案中都使用了正型化学放大型抗蚀剂，但这并不限制本发明，本发明也可以应用于负型化学放大型抗蚀剂。
如上所述，根据本发明的抗蚀材料和使用该抗蚀材料形成图案的方法，提高了抗蚀膜的析像度，从而可以有效地形成具有良好形状的精细图案。因此，本发明可以适用于在半导体装置的制造工艺中采用的图案形成方法。

Claims (11)

1.一种包含氧化钛的抗蚀材料。
2.一种图案形成方法，其包括以下步骤：
在基材上形成包含氧化钛的抗蚀膜；
用波长小于或等于400nm的光或电子束选择性照射所述抗蚀膜进行图案曝光；以及
图案曝光后显影所述抗蚀膜形成由所述抗蚀膜形成的抗蚀图案。
3.权利要求2的图案形成方法，其中所述抗蚀膜是由化学放大型抗蚀剂形成的。
4.权利要求2的图案形成方法，其中所述波长小于或等于400nm的光是i-line、KrF准分子激光、ArF准分子激光、F2激光、ArKr激光、Ar2激光、或不小于1nm且不大于30nm的极端紫外光。
5.一种图案形成方法，其包括以下步骤：
在基材上形成有机膜；
在所述有机膜上形成包含氧化钛的第一抗蚀膜；
用波长小于或等于400nm的光或电子束选择性照射所述第一抗蚀膜进行图案曝光；
图案曝光后显影所述第一抗蚀膜形成由所述第一抗蚀膜形成的抗蚀图案；以及
用所述抗蚀图案作为掩模蚀刻所述有机膜形成图案。
6.权利要求5的图案形成方法，其进一步包括，在形成有机膜和形成第一抗蚀膜的步骤之间，在所述有机膜上形成无机膜的步骤，其中所述图案是在形成图案步骤中利用所述抗蚀图案作为掩模蚀刻所述无机膜和所述有机膜来形成的。
7.权利要求6的图案形成方法，其中所述无机膜是由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成的。
8.权利要求5的图案形成方法，其中所述第一抗蚀膜是由化学放大型抗蚀剂形成的。
9.权利要求5的图案形成方法，其中在形成有机膜的步骤中在所述基材上形成第二抗蚀膜且对所述第二抗蚀膜进行硬烤。
10.权利要求9的图案形成方法，其中所述硬烤是在温度大于或等于200℃的条件下进行的。
11.权利要求5的图案形成方法，其中所述波长小于或低于400nm的光是i-line、KrF准分子激光、ArF准分子激光、F2激光、ArKr激光、Ar2激光、或不波长小于1nm且不大于30nm的极端紫外光。
CNA2005100630168A 2004-04-02 2005-04-01 抗蚀材料以及利用该材料形成图案的方法 Pending CN1677233A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP109633/2004 2004-04-02
JP2004109633A JP2005292613A (ja) 2004-04-02 2004-04-02 レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1677233A true CN1677233A (zh) 2005-10-05

Family

ID=35049821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005100630168A Pending CN1677233A (zh) 2004-04-02 2005-04-01 抗蚀材料以及利用该材料形成图案的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20050233259A1 (zh)
JP (1) JP2005292613A (zh)
CN (1) CN1677233A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1803578B (zh) * 2005-12-14 2010-08-04 同济大学 二维图案化纳米TiO2薄膜的制备方法
CN103858056A (zh) * 2011-10-06 2014-06-11 富士胶片株式会社 正型感光性树脂组合物、硬化物的制造方法、树脂图案制造方法、硬化物及光学构件
CN104541202A (zh) * 2012-08-31 2015-04-22 富士胶片株式会社 感光性树脂组合物、硬化物及其制造方法、树脂图案的制造方法、硬化膜、液晶显示装置、有机el显示装置、以及触摸屏显示装置
CN104981739A (zh) * 2013-02-12 2015-10-14 富士胶片株式会社 硬化膜的制造方法、硬化膜、液晶显示装置、有机el显示装置及触摸屏显示装置
TWI637236B (zh) * 2012-10-26 2018-10-01 富士軟片股份有限公司 感光性樹脂組成物、硬化物及其製造方法、樹脂圖案製造方法、硬化膜、有機ｅｌ顯示裝置、液晶顯示裝置、以及觸控面板顯示裝置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8153350B2 (en) * 2005-08-24 2012-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and material for forming high etch resistant double exposure patterns
US7531296B2 (en) * 2005-08-24 2009-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Method of forming high etch resistant resist patterns
JP4744460B2 (ja) * 2007-02-26 2011-08-10 シャープ株式会社 多層積層構造体、パターン形成方法、半導体装置の製造方法、電気回路の製造方法、表示装置の製造方法、発光素子の製造方法、およびカラーフィルタの製造方法
JP5096860B2 (ja) * 2007-10-04 2012-12-12 パナソニック株式会社 パターン形成方法
JP2010240873A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Canon Inc インクジェットヘッドの製造方法およびインクジェットヘッド
JP5361498B2 (ja) * 2009-04-01 2013-12-04 キヤノン株式会社 インクジェットヘッドの製造方法およびインクジェットヘッド
JP5566988B2 (ja) * 2011-04-27 2014-08-06 富士フイルム株式会社 樹脂組成物、硬化物の製造方法、樹脂パターン製造方法、硬化物及び光学部材
JP5616871B2 (ja) * 2011-10-12 2014-10-29 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、硬化物の製造方法、樹脂パターン製造方法、硬化物及び光学部材
WO2014003111A1 (ja) * 2012-06-28 2014-01-03 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化物及びその製造方法、樹脂パターン製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置、並びに、タッチパネル表示装置
TW201421154A (zh) * 2012-10-26 2014-06-01 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、硬化物及其製造方法、樹脂圖案製造方法、硬化膜、有機ｅｌ顯示裝置、液晶顯示裝置以及觸控面板顯示裝置
WO2014199967A1 (ja) * 2013-06-14 2014-12-18 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化物及びその製造方法、樹脂パターン製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置、並びに、タッチパネル表示装置
GB201405335D0 (en) 2014-03-25 2014-05-07 Univ Manchester Resist composition

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4532005A (en) * 1984-05-21 1985-07-30 At&T Bell Laboratories Device lithography using multi-level resist systems
JPS6462375A (en) * 1987-09-02 1989-03-08 Arakawa Chem Ind Liquid photosolder resist ink composition of alkali development type
JP3267271B2 (ja) * 1998-12-10 2002-03-18 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその製造法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1803578B (zh) * 2005-12-14 2010-08-04 同济大学 二维图案化纳米TiO2薄膜的制备方法
CN103858056A (zh) * 2011-10-06 2014-06-11 富士胶片株式会社 正型感光性树脂组合物、硬化物的制造方法、树脂图案制造方法、硬化物及光学构件
CN104541202A (zh) * 2012-08-31 2015-04-22 富士胶片株式会社 感光性树脂组合物、硬化物及其制造方法、树脂图案的制造方法、硬化膜、液晶显示装置、有机el显示装置、以及触摸屏显示装置
CN104541202B (zh) * 2012-08-31 2019-03-01 富士胶片株式会社 树脂组合物、硬化膜、物及其与图案的制法、及显示装置
TWI637236B (zh) * 2012-10-26 2018-10-01 富士軟片股份有限公司 感光性樹脂組成物、硬化物及其製造方法、樹脂圖案製造方法、硬化膜、有機ｅｌ顯示裝置、液晶顯示裝置、以及觸控面板顯示裝置
CN104981739A (zh) * 2013-02-12 2015-10-14 富士胶片株式会社 硬化膜的制造方法、硬化膜、液晶显示装置、有机el显示装置及触摸屏显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005292613A (ja) 2005-10-20
US20050233259A1 (en) 2005-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1677233A (zh) 抗蚀材料以及利用该材料形成图案的方法
US10964541B2 (en) Method to improve adhesion of photoresist on silicon substrate for extreme ultraviolet and electron beam lithography
US7655568B2 (en) Method for manufacturing underlying pattern of semiconductor device
JP5705103B2 (ja) パターン形成方法
CN1277157C (zh) 形成精细抗蚀图形的方法
CN1916767A (zh) 光刻图形的形成方法
CN1630034A (zh) 抗蚀剂图形的形成方法和半导体器件的制造方法
CN1619415A (zh) 用于旋涂抗反射涂层/硬掩膜材料的含硅组合物
JP4758679B2 (ja) レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
CN1828412A (zh) 抗蚀剂组合物和在基材上形成图案的方法
CN1308707C (zh) 曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法
US6420271B2 (en) Method of forming a pattern
US6806021B2 (en) Method for forming a pattern and method of manufacturing semiconductor device
CN1992156A (zh) 制造半导体装置的方法
WO2010116577A1 (ja) 化学増幅型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
CN1873537A (zh) 图案形成方法
CN1735655A (zh) 有机底层抗反射组合物及采用该组合物的构图方法
US7807336B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
CN1604275A (zh) 图案形成方法
CN1815372A (zh) 图案形成方法
US11327398B2 (en) Photoresist compositions and methods for fabricating semiconductor devices using the same
US6875552B2 (en) Photoresist composition and method of making
CN1700416A (zh) 半导体制造装置及图样形成方法
US20050079438A1 (en) Photoresists with reduced outgassing for extreme ultraviolet lithography
CN1932645A (zh) 包括阻剂流动工艺及膜涂布工艺的半导体装置制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication