CN1579025A - 压电致动器及液体喷头 - Google Patents
压电致动器及液体喷头 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1579025A CN1579025A CNA038013886A CN03801388A CN1579025A CN 1579025 A CN1579025 A CN 1579025A CN A038013886 A CNA038013886 A CN A038013886A CN 03801388 A CN03801388 A CN 03801388A CN 1579025 A CN1579025 A CN 1579025A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- piezo
- activator
- orientation
- layer
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 18
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 241000954177 Bangana ariza Species 0.000 claims abstract description 5
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 35
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 14
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 10
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical group [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical class C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 229910020231 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020226 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−xPbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043237 diethanolamine Drugs 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 description 1
- 230000010415 tropism Effects 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/079—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing using intermediate layers, e.g. for growth control
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
- H10N30/706—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
- H10N30/708—Intermediate layers, e.g. barrier, adhesion or growth control buffer layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/03—Specific materials used
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
- H10N30/878—Conductive materials the principal material being non-metallic, e.g. oxide or carbon based
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种压电致动器，具有在将(100)取向的钌酸锶用作下部电极时最合适的层结构。该压电致动器包括：振动板(30)，所述振动板(30)由在(100)－Si衬底(20)上外延生长的具有(100)取向的氧化钇稳定的氧化锆、CeO2或ZrO2构成；具有(001)取向的REBa2Cu3Ox的缓冲层(41)，所述缓冲层(41)形成在所述振动板(30)上；下部电极(42)，所述下部(42)电极形成在所述缓冲层上，且包括(100)取向的钌酸锶；压电层(43)，所述压电层(43)形成在所述下部电极(42)上，且由(100)取向的PZT构成；以及形成在所述压电层上的上部电极(44)。
Description
技术领域
本发明涉及包括压电体及夹持该压电体而配置的一对电极的压电致动器，更具体地，本发明涉及包括作为下部电极的钌酸锶的压电致动器。
背景技术
压电致动器包括将具有机电换能功能的压电膜夹在两个电极之间的压电元件，并且压电膜由结晶的压电陶瓷构成。作为该压电陶瓷，公知的是具有钙钛矿型晶体结构，并可用化学式ABO3表示的复合氧化物。例如，公知的是将铅(Pb)用作A，将锆(Zr)与钛(Ti)的混合物用作B的锆钛酸铅(PZT)。
以往，一直被用作PZT型压电元件的电极材料的是Pt。Pt由于具有面心立方晶格(FCC)结构这一最密堆积结构，所以自取向性强，因此，若在SiO2那样的非晶材料上沉积，则Pt强烈地在(111)取向上进行取向，从而其上的压电薄膜的取向性也提高。但是，由于取向性很强，所以就有易产生柱状晶体、Pb等易沿着下部基片的晶界扩散的问题。而且Pb与SiO2的粘附性也有问题。
而且，虽然为了改善Pt与SiO2的粘附性而采用Ti、或采用TiN等作为Pb等的扩散阻挡层，但是，这不仅导致了复杂的电极结构，还引起Ti的氧化、Ti向Pt中扩散、和随之而来的PZT的结晶性降低，从而，例如压电特性等的电气性能恶化。
由于Pt电极中有这样的问题，所以，在铁电体存储器等的领域中，正在研究使用例如RuO2和IrO2等的导电性氧化物电极材料。在这些材料中，因为钌酸锶具有与PZT相同的钙钛矿型晶体结构，所以，界面处的粘合性较好，从而易于实现PZT的外延生长，并且还具有作为Pb的扩散阻挡层的优异特性。
但是，当将钌酸锶用作压电元件的下部电极时，构成其下层的物质必须满足作为振动板的物理性质和下述化学性质，即所述化学性质可对钌酸锶的取向进行适当地控制，并确保该物质与衬底和下部电极的粘附性。
发明内容
本发明的目的是提供一种压电致动器，所述压电致动器包含在将具有(100)取向的钌酸锶用作下部电极时最优的层结构。而且，另一个目的是提供一种具有所述压电致动器的液体喷头。
本发明的压电致动器包括：振动板，所述振动板由具有萤石结构的在(100)取向的Si衬底上以立方晶系(100)取向外延生长的氧化钇稳定的氧化锆、CeO2或ZrO2构成；缓冲层，所述缓冲层形成在所述振动板上，由具有层状钙钛矿结构的正方晶系或斜方晶系(001)取向的REBa2Cu3Ox(RE＝La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y)构成；下部电极，所述下部电极形成在所述缓冲层上，包括具有钙钛矿结构的假立方晶系(100)取向的钌酸锶构成；压电层，所述压电层形成在所述下部电极上，具有菱方晶系(100)取向的钙钛矿结构；上部电极，所述上部电极形成在所述压电层上。
在所述压电致动器中，所述下部电极优选包括至少两层钌酸锶和插入它们之间的铂层或铱层。这样，与只由SRO构成的下部电极相比可以提高韧性，从而可以抑制断裂和裂纹。
在所述压电致动器中，构成所述下部电极的钌酸锶中，至少所述压电层一侧的层优选地具有以SrRuO3表示的组成。这样，可以充分地确保作为下部电极的导电性和压电膜的取向控制。
在所述压电致动器中，所述压电层优选PZT、PMN-PT或PZN-PT。通过这样的压电体，在得到良好压电特性的同时，可以在由钌酸锶构成的下部电极上进行良好的取向控制。
本发明的液体喷头具有上述压电致动器；和压力腔，所述压力腔在所述Si衬底上构成，并且随着所述压电致动器所包括的振动板的振动，其容积可以变化。
本发明的液体喷射装置具有作为液体喷射装置的所述液体喷头。
附图说明
图1是具有本发明的一个实施方式中的压电致动器的液体喷射装置，即喷墨打印机的结构图；
图2是作为液体喷头的喷墨式记录头的分解透视图；
图3是对作为根据本发明的制造方法所制造的液体喷头的喷墨式记录头及压电致动器的层结构进行说明的剖面图；
图4是示出了本实施方式的压电致动器的制造工序的剖面图；和
图5是示出了作为本实施方式的液体喷头的喷墨式记录头的制造工序的剖面图。
具体实施方式
(喷墨打印机的整体结构)
图1是具有本发明的一个实施方式中的压电致动器的液体喷射装置的一个例子，即喷墨打印机的结构图。喷墨打印机主要包括作为本发明的液体喷头的一个例子的喷墨式记录头1、主体2、托盘3、头驱动机构7。
喷墨式记录头1包括墨盒，所述墨盒容纳作为喷射液体的黄、品红、青、黑共计4色的墨水，从而可以进行全色印刷。而且，该喷墨打印机在内部还包括一块专用的控制器板等，所述控制器面板等用来控制喷墨式记录头的喷墨时机及头驱动机构7的扫描。
而且，主体2在其背面设置有托盘3，同时，其内部设置有自动续纸器(自动连续供纸机构)6，用来自动地供给记录用纸5，并从正面的输出口4输出记录用纸5。
(喷墨式记录头的整体结构)
图2示出了上述喷墨式记录头的分解透视图。喷墨式记录头1包括压力腔衬底(Si衬底)20、固定在该衬底一个面上的振动板30和固定在该衬底另一个面上的喷嘴板10。所述头1构成随需型(on-demand type)的压电喷头。
压力腔衬底20包括压力腔(腔)21、侧壁(隔板)22、贮液池23及供给口24。压力腔21是为了喷射例如墨水等的液体而将其储存的空间。侧壁22是为了把多个压力腔21彼此分隔开而形成的。贮液池23是将共用的墨水补充给各个压力腔21的流路。供给口24可以将墨水从贮液池23导入各个压力腔21。
喷嘴板10被粘合在压力腔衬底20上，使得所述喷嘴板20的喷嘴11被配置在与压力腔衬底20中所设置的各个压力腔相对应的位置。粘合了喷嘴板10的压力腔衬底20被容纳在盒体25内。
振动板30上设有压电致动器(后述)。振动板30上设有墨水罐口(图中未示出)，从而可将图中未示出的墨水罐中所储藏的墨水提供给贮液池23。
(层结构)
图3是对根据本发明的制造方法所制造的液体喷头，即喷墨式记录头及压电致动器的层结构进行说明的剖面图。如图所示，压电致动器是在(100)取向的Si衬底20上层叠振动板30、缓冲层41、下部电极42、压电薄膜43及上部电极44而构成的。
振动板30具有下述功能，即，振动板30随着压电体层的变形而变形，从而瞬间提高压力腔21内部的压力。振动板30由具有萤石结构的以立方晶系(100)取向的氧化钇稳定的氧化锆(yttria-stablized zirconia)、CeO2或ZrO2构成。所述氧化钇稳定的氧化锆、CeO2或ZrO2很容易在(100)Si衬底上以立方晶系(100)取向外延生长，而且也适于使振动板上的缓冲层外延生长。
缓冲层41其自身在振动板30上外延生长，而且还用于使其上的下部电极42外延生长。缓冲层41由REBa2Cu3Ox(RE＝La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y)构成，并以正方晶系或斜方晶系(001)取向外延生长。而且缓冲层41还具有包括铜和氧的2维网络的层叠结构的层状钙钛矿结构。
下部电极42是用于向压电薄膜层43施加电压的一个电极，并且为了实现作为压力腔衬底20上所形成的多个压电薄膜元件共用的电极的功能，所述下部电极42形成在与振动板30相同的区域。并且，下部电极42可以形成与压电薄膜层43同样的大小，即与上部电极形状相同。下部电极42由导电性金属氧化物，特别是由假立方晶系(100)取向的钌酸锶(SRO)构成。而且，也可以是在两层SRO之间插入了铱层或铂层的结构。通过在两层SRO之间插入了铱层或铂层可以提高韧性，从而可以抑制断裂和裂纹。
SRO具有钙钛矿结构，从而可用Srn+1RunO3n+1(n是1以上的整数)来表示。当n＝1时为Sr2RuO4，当n＝2时为Sr3Ru2O7，当n＝∞时为SrRuO3。当将SRO用作本实施方式中的下部电极时，为了提高导电性及压电薄膜的结晶性，SrRuO3是最优选的。而且，当采用如前所述的在两层SRO之间插入了铱层或铂层的结构时，尤其优选使用SrRuO3作为压电薄膜层一侧的SRO。
压电薄膜层43是具有钙钛矿型晶体结构的压电陶瓷，并以预定的形状形成在下部电极42上。压电薄膜层43的组成优选锆钛酸铅(Pb(Zr、Ti)O3：PZT)或铌酸铅镁和钛酸铅的固溶液PMN-PT及铌酸铅锌和钛酸铅的固溶液PZN-PT。而且，其组成并不仅限于此，也可以使用镧改性的钛酸铅((Pb，La)TiO3)、镧改性的锆酸铅((Pb，La)ZrO3)等。PZT等的压电层优选是菱方晶系并且是(100)取向。
上部电极44是用于向压电薄膜层43施加电压的另一个电极，并由具有导电性的材料，如铂(Pt)、铱(Ir)、铝(Al)等构成。在使用铝时，为了防止电蚀还要在其上层叠铱等。
(喷墨式记录头的操作)
下面说明上述喷墨式记录头1的操作。在不提供预定的喷出信号也不在压电薄膜元件40的下部电极42和上部电极44之间施加电压的时候，压电薄膜43不产生变形。在设有没有被供给喷出信号的压电薄膜元件40的压力腔21中，不产生压力变化，从而液滴不会从其喷嘴11中喷出。
相反，在提供预定的喷出信号并在压电薄膜元件40的下部电极42和上部电极44之间施加了恒定电压的时候，压电薄膜层43产生变形。在设有被供给了喷出信号的压电薄膜元件40的压力腔21中，其振动板30发生大的弯曲。因此瞬间提高了压力腔21内的压力，从而液滴被从喷嘴11喷出。通过将喷出信号单独提供给在细长头中位于将要进行印刷的位置的压电元件，从而可以印刷想要的文字或图形。
(制造方法)
参照图4，结合对作为液体喷头的一个例子的喷墨式记录头的制造工序的描述，说明本实施方式的压电致动器的制造工序。
衬底(S1)
本实施方式的压电致动器是将振动板30、缓冲层41、下部电极42、压电薄膜43、上部电极44沉积在如图4(Si)所示的压力腔衬底20上而制成的。压力腔衬底20例如使用直径为100mm、厚度为200μm的(100)取向的硅单晶衬底。
振动板的形成(S2)
如图4(S2)所示，通过在(100)Si衬底20上外延生长来形成振动板30，其中，所述振动板30由具有Zr1-xYxO2-0.5x(0≤x≤1)组分的氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)或上述CeO2或ZrO2等构成。这样，具有(100)取向的YSZ等的膜就形成了。
YSZ具有2μm以下，例如1μm的厚度。外延形成振动板30的方法除了激光应用法，也可以是分子束外延(MBE)、MOVCD、溅射法等。
缓冲层的形成(S3)
如图4(S3)所示，在振动板30上沉积缓冲层41。缓冲层41是将REBa2Cu3Ox(RE＝La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y)以大约10nm的厚度沉积而成。例如使用激光应用法作为成膜方法。而且该方法并不仅限于此，还可以使用MOCVD法等公知的薄膜制造方法。
下部电极的形成(S4)
如图4(S4)所示，在缓冲层41上沉积下部电极42。作为下部电极42，是由上述的SRO、或者SRO/Pt/SRO或SRO/Ir/SRO的层叠结构以约50nm的厚度沉积而成。例如使用激光应用法作为膜沉积方法。而且并不仅限于此，还可以使用MOCVD法等公知的薄膜制造方法。
压电薄膜的形成(S5)
继续如图4(S5)所示，在下部电极42上沉积压电薄膜43。在本实施方式中，例如采用溶胶-凝胶法沉积由Pb(Zr0.56Ti0.44)O3组分构成的PZT膜。即，将例如金属醇盐等的金属有机化合物在溶液系统中水解，并进行缩聚，以由此形成压电前驱体膜，其中所述压电前驱体膜是非晶态膜，再通过焙烧使其结晶。
而且，也可以采用MOD(Metal-Organic Deposition，金属有机沉积)法制成由Pb(Zr0.56Ti0.44)O3组分构成的PZT膜。此时，金属醇盐例如可以通过诸如三乙醇胺、二乙醇胺等的链烷醇胺的作用来抑制水解。除了和链烷醇胺的一同使用的金属醇盐之外，不发生水解的金属乙酰丙酮盐同样适于作为MOD法的起始原料。若采用MOD法，沉积工序可以采用与溶胶-凝胶法相同的方法。即，可以利用脱脂工序来形成压电前体膜，再通过焙烧使其结晶。
PZT受SRO下部电极的晶体构造的影响而结晶生长。在本实施方式中，由于PZT沉积在(100)取向的SRO上，所以形成了(100)取向的PZT薄膜。压电薄膜层的厚度例如取0.3μm以上2μm以下。
在由PMN-PT形成压电膜时，其组成是其中晶系是菱方晶系的组成，并且是当向压电体施加电压时能够有效得到场感应弯曲的组成，具体而言，组成为(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3，其中x满足0.25≤x≤0.35。尤其优选x＝0.3。
在由PZN-PT形成压电膜时，其组成是其中晶系是菱方晶系的组成，并且是当向压电体施加电压时能够有效得到场感应弯曲的组成，具体而言，组成为(1-y)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-yPbTiO3，其中y满足0.035≤y≤0.055时的成分。尤其优选y＝0.045。
PMN-PT、PZN-PT也在SRO上形成呈(100)取向的膜。压电膜的厚度例如取0.3μm以上2μm以下。
上部电极的形成(S6)
下面如图4(S6)所示，在压电薄膜43上形成上部电极44。具体地说，作为上部电极44，是由铂(Pt)等以100nm的膜厚通过直流溅射法沉积而成。
(压电致动器的形成)
如图5(S7)所示，将压电薄膜43及上部电极44加工成预定的形状，从而形成压电致动器。具体地说，在将光刻胶旋转涂敷在上部电极44上之后，对准将形成压力腔的位置进行曝光·显影从而使光刻胶图案化。将剩下的光刻胶作为掩模，通过离子研磨对上部电极44、压电薄膜43进行刻蚀。通过以上工序，形成了包括压电薄膜元件40的压电致动器。
(喷墨式记录头的形成)
如图5(S8)所示，在压力腔衬底20中形成压力腔21。在将(100)取向的Si衬底用作压力腔衬底20时，使用干法刻蚀作为压力腔21的形成方法。没有被刻蚀而剩下的部分成为侧壁22。
最后，如图5(S9)所示，使用树脂等将喷嘴板10粘合在压力腔衬底20上。当喷嘴板10粘合在压力腔衬底20上时，将喷嘴11定位，使其对应于压力腔21的各个空间而配置。通过以上工序，形成了喷墨式记录头。
(其他应用例)
本发明可适用于除了上述实施方式以外的各种变形。例如，本发明的压电致动器不仅适用于上述液体喷头，而且可以适用于作为其他的各种致动器，例如诸如STM等的精密定位机构、用于细胞操作的操纵器、用于超声波诊断装置的探针、超声波马达、微型压电泵等。
而且，本发明的液体喷头除了适用于喷墨记录装置所使用的喷墨头以外，还适用于其他各种喷射液体的头，例如：喷射含有颜料的液体的头，所述颜料用于液晶显示器等的色彩过滤器的制造；喷射含有电极材料的液体的头，所述电极材料用于形成有机发光显示器、FED(场发射显示器)等的电极；喷射含有生物有机物质的液体的头，所述生物有机物质用于生物芯片的制造，等等。
工业实用性
根据本发明，可以提供一种压电致动器，所述压电致动器具有将(100)取向的钌酸锶用作下部电极时最优的层结构。而且，还可以提供一种具有所述压电致动器的液体喷头。
Claims (6)
1.一种压电致动器，包括：
振动板，所述振动板由具有萤石结构的在(100)取向的Si衬底上以立方晶系(100)取向外延生长的氧化钇稳定的氧化锆、CeO2或ZrO2构成；
缓冲层，所述缓冲层形成在所述振动板上，且由具有层状钙钛矿结构的正方晶系或斜方晶系(001)取向的REBa2Cu3Ox(RE＝La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y)构成；
下部电极，所述下部电极形成在所述缓冲层上，由具有钙钛矿结构的假立方晶系(100)取向的钌酸锶构成；
压电层，所述压电层形成在所述下部电极上，具有菱方晶系(100)取向的钙钛矿结构；和
上部电极，所述上部电极形成在所述压电层上。
2.如权利要求1所述的压电致动器，其特征在于，
所述下部电极包括至少两层钌酸锶和插入它们之间的铂层或铱层。
3.如权利要求1或2所述的压电致动器，其特征在于，
构成所述下部电极的钌酸锶中，至少所述压电层一侧的层具有以SrRuO3表示的组成。
4.如权利要求1至3中任一项所述的压电致动器，其特征在于，
所述压电层是锆钛酸铅、铌酸铅镁和钛酸铅的固溶液、或者铌酸铅锌和钛酸铅的固溶液。
5.一种液体喷头，其特征在于，包括：
权利要求1至4中任一项所述的压电致动器；和
压力腔，所述压力腔位于所述Si衬底上，并且随着所述压电致动器所包含的所述振动板的振动，其容积可以变化。
6.一种液体喷射装置，其特征在于，包括
作为液体喷射部件的如权利要求5所述的液体喷头。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP140558/2002 | 2002-05-15 | ||
| JP2002140558 | 2002-05-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1579025A true CN1579025A (zh) | 2005-02-09 |
| CN100421275C CN100421275C (zh) | 2008-09-24 |
Family
ID=29544929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB038013886A Expired - Fee Related CN100421275C (zh) | 2002-05-15 | 2003-05-15 | 压电致动器及液体喷头 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7279823B2 (zh) |
| EP (1) | EP1505663A4 (zh) |
| JP (1) | JP4432776B2 (zh) |
| CN (1) | CN100421275C (zh) |
| WO (1) | WO2003098714A1 (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102152629A (zh) * | 2010-01-05 | 2011-08-17 | 精工爱普生株式会社 | 液体喷头、液体喷射装置、压电元件及液体喷头制造方法 |
| CN102416767A (zh) * | 2010-09-06 | 2012-04-18 | 精工爱普生株式会社 | 压电元件、液滴喷射头、液滴喷射装置以及它们的制造方法 |
| CN102983772A (zh) * | 2011-09-05 | 2013-03-20 | 研能科技股份有限公司 | 驱动电路及其所适用的压电致动泵 |
| US11867308B2 (en) | 2018-12-06 | 2024-01-09 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Piezoelectric actuator and fluid control valve |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4457587B2 (ja) * | 2002-09-05 | 2010-04-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス用基体の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
| JP2004281742A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Japan Science & Technology Agency | 半導体素子、半導体センサーおよび半導体記憶素子 |
| US7411339B2 (en) * | 2003-11-28 | 2008-08-12 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of actuator device and liquid jet apparatus provided with actuator device formed by manufacturing method of the same |
| JP4717344B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2011-07-06 | キヤノン株式会社 | 誘電体薄膜素子、圧電アクチュエータおよび液体吐出ヘッド |
| JP5013035B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2012-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 誘電体膜の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
| JP4192794B2 (ja) * | 2004-01-26 | 2008-12-10 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、及び電子機器 |
| US7265483B2 (en) | 2004-03-29 | 2007-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Dielectric member, piezoelectric member, ink jet head, ink jet recording apparatus and producing method for ink jet recording apparatus |
| US7235917B2 (en) * | 2004-08-10 | 2007-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric member element and liquid discharge head comprising element thereof |
| JP2006093042A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Seiko Epson Corp | 強誘電体薄膜形成用組成物及び強誘電体薄膜並びに液体噴射ヘッド |
| KR100639918B1 (ko) | 2004-12-16 | 2006-11-01 | 한국전자통신연구원 | Ｍｅｍｓ 액츄에이터 |
| JP4431891B2 (ja) | 2004-12-28 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器 |
| JP4793568B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2011-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
| JP2009542285A (ja) * | 2006-06-28 | 2009-12-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 高速マイクロジェット状の流体を供給する装置および方法 |
| JP2010238856A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tdk Corp | 圧電体素子及びジャイロセンサ |
| JP5585209B2 (ja) | 2009-05-28 | 2014-09-10 | 株式会社リコー | 電気機械変換素子の製造方法、該製造方法により製造した電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
| JP5110052B2 (ja) * | 2009-07-24 | 2012-12-26 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 |
| JP2011061117A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置 |
| JP5423414B2 (ja) * | 2010-01-15 | 2014-02-19 | 株式会社リコー | 電気機械変換膜の製造方法、電気機械変換膜、電気機械変換膜群、電気機械変換素子の製造方法、電気機械変換素子、電気機械変換素子群、液体吐出ヘッド、液体吐出装置、画像形成装置 |
| JP5526810B2 (ja) | 2010-01-28 | 2014-06-18 | 株式会社リコー | ゾルゲル液、電気−機械変換素子、液体吐出ヘッド及びインクジェット記録装置 |
| EP2617076B1 (en) * | 2010-09-15 | 2014-12-10 | Ricoh Company, Limited | Electromechanical transducing device and manufacturing method thereof |
| JP2012256756A (ja) | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Ricoh Co Ltd | 電気−機械変換膜の形成方法、電気−機械変換膜、電気−機械変換素子、液体吐出ヘッドおよび画像形成装置 |
| US9761785B2 (en) | 2011-10-17 | 2017-09-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Stylo-epitaxial piezoelectric and ferroelectric devices and method of manufacturing |
| US8866367B2 (en) | 2011-10-17 | 2014-10-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Thermally oxidized seed layers for the production of {001} textured electrodes and PZT devices and method of making |
| JP2014198398A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | セイコーエプソン株式会社 | 流路ユニット、液体吐出ヘッド、液体吐出装置、流路ユニットの製造方法 |
| JP2015038953A (ja) | 2013-06-28 | 2015-02-26 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電材料、圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波センサー、圧電モーター及び発電装置 |
| JP5761540B2 (ja) | 2013-06-28 | 2015-08-12 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電材料、圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波センサー、圧電モーター及び発電装置 |
| JP5754660B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2015-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電材料、圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波センサー、圧電モーター及び発電装置 |
| JP6287121B2 (ja) | 2013-11-28 | 2018-03-07 | 株式会社リコー | 電気−機械変換膜の製造方法、電気−機械変換素子、液体吐出ヘッド、インクジェット記録装置 |
| JP6244865B2 (ja) * | 2013-12-09 | 2017-12-13 | 船井電機株式会社 | 振動ミラー素子 |
| JP6442860B2 (ja) | 2014-04-23 | 2018-12-26 | 株式会社リコー | 前駆体ゾルゲル溶液、電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド、及びインクジェット記録装置 |
| CN107004758A (zh) | 2014-12-26 | 2017-08-01 | 精工爱普生株式会社 | 压电材料及其制造方法、以及压电元件和压电元件应用设备 |
| US10075143B2 (en) * | 2015-11-13 | 2018-09-11 | IQE, plc | Layer structures for RF filters fabricated using rare earth oxides and epitaxial aluminum nitride |
| TWI764930B (zh) | 2016-09-22 | 2022-05-21 | 英商Ｉｑｅ有限公司 | 集成外延金屬電極 |
| US11495670B2 (en) | 2016-09-22 | 2022-11-08 | Iqe Plc | Integrated epitaxial metal electrodes |
| US10418457B2 (en) | 2016-09-22 | 2019-09-17 | Iqe Plc | Metal electrode with tunable work functions |
| JP6910631B2 (ja) * | 2016-11-15 | 2021-07-28 | アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 | 膜構造体及びその製造方法 |
| JP6881790B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2021-06-02 | アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 | 膜構造体及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5179070A (en) * | 1988-04-30 | 1993-01-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor substrate having a superconducting thin film with a buffer layer in between |
| US5270298A (en) * | 1992-03-05 | 1993-12-14 | Bell Communications Research, Inc. | Cubic metal oxide thin film epitaxially grown on silicon |
| US5529981A (en) * | 1992-03-05 | 1996-06-25 | Holloway; Alex | Process and apparatus for preparing biaxially textured materials using anisotropy in the paramagnetic susceptibility |
| JP2001509312A (ja) | 1997-01-28 | 2001-07-10 | ザ ペンステート リサーチファウンデーション | 超音波変換器のためのリラクサー強誘電体単結晶 |
| JP3472087B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2003-12-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 膜構造体、電子デバイス、記録媒体および酸化物導電性薄膜の製造方法 |
| US5889289A (en) * | 1997-08-28 | 1999-03-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High temperature superconductor/insulator composite thin films with Josephson coupled grains |
| JP4006562B2 (ja) * | 2000-02-21 | 2007-11-14 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド及びこれらの製造方法並びにインクジェットプリンタ |
| JP3796394B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 圧電素子の製造方法および液体噴射記録ヘッドの製造方法 |
| JP3817729B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2006-09-06 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電アクチュエータ及び液体吐出ヘッド |
| JP4228569B2 (ja) * | 2001-11-28 | 2009-02-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス用基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
| JP2003179279A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Seiko Epson Corp | 圧電アクチュエータ及びインクジェット式記録ヘッド |
| GB0218261D0 (en) * | 2002-08-06 | 2002-09-11 | Charterhouse Therapeutics Ltd | Improvements in pharmaceutically useful compounds |
-
2003
- 2003-05-15 US US10/492,355 patent/US7279823B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-15 CN CNB038013886A patent/CN100421275C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-15 EP EP20030725789 patent/EP1505663A4/en not_active Withdrawn
- 2003-05-15 WO PCT/JP2003/006074 patent/WO2003098714A1/ja active Application Filing
- 2003-05-15 JP JP2004506106A patent/JP4432776B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102152629A (zh) * | 2010-01-05 | 2011-08-17 | 精工爱普生株式会社 | 液体喷头、液体喷射装置、压电元件及液体喷头制造方法 |
| CN102152629B (zh) * | 2010-01-05 | 2014-02-12 | 精工爱普生株式会社 | 液体喷头、液体喷射装置、压电元件及液体喷头制造方法 |
| CN102416767A (zh) * | 2010-09-06 | 2012-04-18 | 精工爱普生株式会社 | 压电元件、液滴喷射头、液滴喷射装置以及它们的制造方法 |
| CN102416767B (zh) * | 2010-09-06 | 2015-03-11 | 精工爱普生株式会社 | 压电元件、液滴喷射头、液滴喷射装置以及它们的制造方法 |
| CN102983772A (zh) * | 2011-09-05 | 2013-03-20 | 研能科技股份有限公司 | 驱动电路及其所适用的压电致动泵 |
| US11867308B2 (en) | 2018-12-06 | 2024-01-09 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Piezoelectric actuator and fluid control valve |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003098714A1 (fr) | 2003-11-27 |
| EP1505663A4 (en) | 2009-08-19 |
| EP1505663A1 (en) | 2005-02-09 |
| US20050179342A1 (en) | 2005-08-18 |
| JP4432776B2 (ja) | 2010-03-17 |
| CN100421275C (zh) | 2008-09-24 |
| JPWO2003098714A1 (ja) | 2005-09-22 |
| US7279823B2 (en) | 2007-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100421275C (zh) | 压电致动器及液体喷头 | |
| JP6525255B2 (ja) | 電気機械変換素子、電気機械変換素子の製造方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 | |
| US6955927B2 (en) | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head and ink jet printer | |
| JP6156068B2 (ja) | 圧電体薄膜素子及びインクジェット記録ヘッド、並びにインクジェット式画像形成装置 | |
| US7033521B2 (en) | Piezoelectric actuator, ink jet head, and discharge apparatus | |
| JP6939214B2 (ja) | 電気−機械変換素子、液体吐出ヘッド及び液体を吐出する装置 | |
| JP6917001B2 (ja) | 積層構造体、積層構造体の製造方法、電気機械変換素子、液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット及び液体を吐出する装置 | |
| CN1606503A (zh) | 液体喷出头 | |
| JP3902023B2 (ja) | 圧電アクチュエータ、液滴噴射ヘッド、およびそれを用いた液滴噴射装置 | |
| JP4099818B2 (ja) | 圧電アクチュエータ及びインクジェット式記録ヘッド | |
| US6779878B2 (en) | Piezoelectronic actuator and liquid jetting head | |
| US7399066B2 (en) | Piezoelectric element, ink jet recording head and producing method for piezoelectric element | |
| JP6658296B2 (ja) | 吐出駆動装置、液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット、液体を吐出する装置 | |
| CN1893138A (zh) | 致动器装置、液体喷射头以及液体喷射装置 | |
| US10596581B2 (en) | Actuator, liquid discharge head, liquid discharge device, and liquid discharge apparatus | |
| JP7167626B2 (ja) | アクチュエータ、液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット及び液体を吐出する装置 | |
| JP2017212423A (ja) | 液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット及び液体を吐出する装置 | |
| JP2011187790A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、および圧電素子 | |
| JP2003179279A (ja) | 圧電アクチュエータ及びインクジェット式記録ヘッド | |
| JP5998537B2 (ja) | 電気−機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 | |
| JP2003152233A (ja) | 圧電アクチュエータ及びインクジェット式記録ヘッド | |
| JP6531428B2 (ja) | 電気機械変換部材、電気機械変換部材の製造方法、液滴吐出ヘッド、および画像形成装置 | |
| JP2014157850A (ja) | 電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び画像形成装置 | |
| JP2019009413A (ja) | 電気機械変換素子、液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット及び液体を吐出する装置 | |
| US10843464B2 (en) | Electromechanical transducer element, liquid discharge head, liquid discharge apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080924 Termination date: 20190515 |