CN1577876A - 固体摄像元件的制造方法 - Google Patents

固体摄像元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1577876A
CN1577876A CN200410045862.2A CN200410045862A CN1577876A CN 1577876 A CN1577876 A CN 1577876A CN 200410045862 A CN200410045862 A CN 200410045862A CN 1577876 A CN1577876 A CN 1577876A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photo detector
semiconductor substrate
solid
line
duplexer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200410045862.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100356575C (zh
Inventor
小嶋数明
浜田稔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Publication of CN1577876A publication Critical patent/CN1577876A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100356575C publication Critical patent/CN100356575C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本发明的目的在于，提供一种不必增加组装工序的工序数地安装了红外线阻断滤光器的固体摄像元件的制造方法。在由半导体基板(1)的划线(5)所划分的各区域(1a)上形成受光元件，并覆盖该受光元件的形成区域(1a)，层叠彩色滤光器(2)。然后，利用具有透光性的环氧粘接剂等树脂层(3)，覆盖受光元件形成区域(1a)，形成粘合固定了在玻璃材料或塑料材料等透明基板(4a)的表面上蒸镀了红外线反射薄膜(4b)的红外线阻断滤光器的层叠体。通过沿划线切断该层叠体，以分割为一个一个的固体摄像元件，从而制造大量的固体摄像元件。

Description

固体摄像元件的制造方法
技术领域
本发明涉及CCD等固体摄像元件。
背景技术
红外线阻断滤光器是用来除去包含于入射光中的红外线成分的装置，是目前一般使用于TV照相机或数字相机中的彩色固体摄像元件所必须具备的装置。如果，没有这个红外线阻断滤光器时，由于在入射光中包含红外线，固体摄像元件100对红外线具有灵敏性，在固体摄像元件100的输出中，不仅有可见光的成分，还包含有红外线所造成的误差成分。尤其电灯泡等热源所产生的光是这样的，但无法正确地进行颜色的再现。
发明内容
如上所述，在以往的固体摄像元件上，在组件的表面贴附这红外线阻断滤光器，这样，就增加了组装工序的工序数。本发明，鉴于所述缺点，其目的在于，提供一种不增加组装工序数，而安装红外线阻断滤光器的固体摄像元件的制造方法。
为了实现所述目的，本发明是一种固体摄像元件的制造方法，其特征在于，包括：在由半导体基板表面上的划线而划分的区域上形成受光元件，同时覆盖该受光元件的形成区域，以层叠彩色滤光器的第一工序；隔着具有透光性的树脂层，形成粘合固定了覆盖所述受光元件形成区域的阻断滤光器的层叠体的第二工序；和沿着所述半导体基板的划线切削所述层叠体，从而将所述层叠体分割的第三工序。
附图说明
图1是本发明的固体摄像元件制造方法的第1实施方式的受光元件形成工序。
图2是本发明的固体摄像元件制造方法的第1实施方式的红外线阻断滤光器层叠工序。
图3是本发明的固体摄像元件制造方法的第1实施方式的切割工序。
图4是本发明的固体摄像元件制造方法的第2实施方式的受光元件形成以及内部配线形成工序。
图5是本发明的固体摄像元件制造方法的第2实施方式的第一层叠体形成工序。
图6是本发明的固体摄像元件制造方法的第2实施方式的研磨工序。
图7是本发明的固体摄像元件制造方法的第2实施方式的蚀刻工序。
图8是本发明的固体摄像元件制造方法的第2实施方式的第二层叠体形成工序。
图9是本发明的固体摄像元件制造方法的第2实施方式的切削工序。
图10是本发明的固体摄像元件制造方法的第2实施方式的金属膜成膜及端子形成工序。
图11是本发明的固体摄像元件制造方法的第2实施方式的切割工序。
图12是本发明的固体摄像元件制造方法的第2实施方式的固体摄像元件的外观图。
图中：1-半导体基板，1a-受光元件，2-彩色滤光器，3-树脂层，4a-透明基板，4b-红外线反射薄膜，5-划线，10-半导体基板，26-内部配线，12-树脂层，14-上部支撑基体，14a、14d-透明基板，14b-红外线反射薄膜，14c-树脂层，16-下部支撑基体，20-球状端子，24-沟槽，28-内部配线端部，30-金属膜，32-缓冲部件，34-保护膜，100-固体摄像元件。
具体实施方式
图1～图3是表示本发明的固体摄像元件的制造方法的第1实施方式的工序顺序剖面图。本实施方式由受光元件形成工序、红外线阻断滤光器层叠工序以及切割工序构成。
首先，在受光元件形成工序中，如图1所示，在由半导体基板1表面上的划线而划分的各区域1a上形成受光元件。覆盖该受光元件的形成区域1a而层叠彩色滤光器2。半导体基板1，可以是硅、砷化镓等一般的半导体材料，比如，作为受光元件的CCD的集成电路，可以由周知的半导体工艺形成。
在红外线阻断滤光器层叠工序中，如图2所示，利用环氧粘接剂等具有透明性的树脂层3，覆盖受光元件形成区域1a而粘合固定红外线阻断滤光器。红外线反射薄膜向彩色滤光器上的蒸镀，由于彩色滤光器的材料是树脂，不适于高温工艺，因此采用粘接剂粘合固定的方法。在本例中，红外线阻断滤光器是在玻璃材料或塑料材料等透明基板4a的表面上蒸镀了红外线反射膜4b的基板。此时，为了防止对红外线反射薄膜4b的伤害，将透明基板4a粘合固定在上面，但是，当然也可以将透明基板4a粘合固定在下面。而且，红外线阻断滤光器是在透明基板的表面上蒸镀红外线反射薄膜，同时在其上面做成用环氧树脂粘合固定并夹住透明基板的层叠体基板，或者可以做成由吸收红外线的材料构成的透明平板。
然后，虽然没有图示，但是形成接触孔并将电极垫片开口，将固体摄像元件内的受光元件与固定摄像元件外进行电连接。
在切割工序中，如图3所示，沿着划线切断层叠体，分割为一个一个的固体摄像元件。由此，可以低价地制造大量的固体摄像元件。
图4～图11是表示本发明的固体摄像元件制造方法的第2实施方式的工序顺序剖面图。本实施方式，由形成受光元件以及形成内部配线的工序、第一层叠体形成工序、研磨工序、第二层叠体形成工序、切削工序、金属膜成膜工序及端子形成工序和切割工序构成。
首先，在受光元件形成工序以及内部配线工序中，在由半导体基板10表面上的划线所划分的各区域上形成受光元件。接着，如图4所示，通过氧化膜，在半导体基板10的表面上形成内部配线26，以使其向相邻的受光元件的边界，即划线的方向延伸。该内部配线26通过形成于氧化膜上的接触孔与受光元件电连接。进而，虽然没有图示，但在受光元件的形成区域上，覆盖各受光元件地层叠彩色滤光器。
在第一层叠体形成工序中，如图5所示，利用环氧树脂粘接剂等树脂层12将上部支撑基体14粘合固定在半导体基板10的表面上。在本例中，上部支撑基体14，是在玻璃材料或塑料材料等透明基板14a的表面上蒸镀红外线反射薄膜14b的同时，在其上面再做成利用环氧树脂粘接剂14c粘合固定并夹住透明基板14d的层叠体。但未限于此，也可以是在玻璃材料或塑料材料的透明基板的表面上只蒸镀红外线反射薄膜，或者是做成由吸收红外线的材料构成的透明平板。
在研磨工序中，如图6所示，从背面对半导体基板10进行利用研磨机的机械研磨，使半导体基板10的厚度变薄。另外，如图7所示，从背面沿着划线对半导体基板10进行蚀刻，加工为层叠内部配线26的氧化膜的表面露出。
在第二层叠体形成工序中，如图8所示，利用环氧粘接剂等的树脂层12在半导体基板10的背面上形成粘合固定了下部支撑基体16的层叠体。下部支撑基体16可以从玻璃、塑料、金属或者陶瓷等可以用于半导体装置的封装的材料中适当选择并使用。然后，在下部支撑基体16的背面上，在以后的工序中形成球状端子20的位置上形成缓冲部件32。该缓冲部件32起到缓和球状端子20的应力的缓冲器的作用。作为缓冲部件32的材料，适于选用具有柔软性、且能图案加工的材料，优选采用感光性环氧树脂。
在切削工序中，如图9所示，从下部支撑基体16侧到上部支撑基体14为止，用切割锯等形成宽V字型的沟槽(切槽)24。结果，内部配线26的端部露出到沟槽24的内面上。
在金属膜成膜工序以及端子形成工序中，如图10所示，在形成沟槽24的下部支撑基体16侧形成金属膜30。该金属膜30也在沟槽24的底面以及侧面成膜，并与内部配线26电连接。接着，将金属膜30图案加工为所定的配线图案，并进行形状加工。作为金属膜30的材料，可以将银、金、铝、镍、钛、钽、钨、等对于半导体装置来说一般使用的材料作为主材料。考虑到电阻值或材料的加工性，优选采用铝。
另外，成膜保护膜34，以便覆盖下部支撑基体16的背面上的缓冲部件32以外的区域。作为保护膜34，由于是适于图案加工的材料，故可以采用与缓冲部件32相同的感光性环氧树脂等。接着，作为外部端子，在下部支撑基体16的缓冲部件32上形成球状端子20。球状端子20，例如由焊锡材料形成，可以采用以往的方法形成。
在切割工序中，如图11所示，将沟槽24的底部作为划线，利用切割锯等切断层叠体，分割成一个一个的固体摄像元件。
根据以上的制造方法，成为如图12所示的外观图的芯片尺寸组件的固体摄像元件。该固体摄像元件，具有如下结构：在半导体基板10的表面上形成受光元件，并通过环氧等树脂层12由上部支撑基体14和下部支撑基体16夹住覆盖该受光元件并层叠了彩色滤光器的装置，并从其侧面取出外部配线30，连接在设于固体摄像元件的背面的球状端子20上。此时，上部支撑基体也可以作为红外线阻断滤光器发挥作用。
如上所述，在本发明的固体摄像元件中，不需要独立的红外线阻断滤光器，而且，可以缓和光学系统的设计限制。

Claims (2)

1.一种固体摄像元件的制造方法，其特征在于，包括：
在由半导体基板表面上的划线所划分的区域上形成受光元件，覆盖该受光元件的形成区域，并层叠彩色滤光器的第一工序；
形成通过具有透光性的树脂层粘合固定了覆盖所述受光元件形成区域的阻断滤光器的层叠体的第二工序；和
沿所述半导体基板的划线切削所述层叠体，以分割所述层叠体的第三工序。
2.一种固体摄像元件的制造方法，其特征在于，包括：
在由半导体基板表面上的划线所划分的区域上形成受光元件，同时在相邻的所述受光元件之间，以沿所述划线方向延伸的方式形成内部配线的第一工序；
覆盖所述受光元件形成区域，并层叠彩色滤光器的第二工序；
利用具有透光性的绝缘树脂层，粘合固定覆盖所述受光元件的形成区域、透过可见光并遮断红外线的上部支撑基体的第三工序；
沿划线除去所述半导体基板的一部分后，隔着绝缘树脂层在所述半导体基板背面上形成粘合固定了下部支撑基体的层叠体的第四工序；
保留所述上部支撑基体的一部分，沿着所述划线，形成使所述绝缘树脂以及内部配线的一部分露出的沟槽的第五工序；
覆盖所述半导体基板背面以及所述沟槽并形成金属膜，图案加工该金属膜，以形成外部配线的第六工序；和
沿着所述划线进行切削，以分割所述层叠体的第七工序。
CNB2004100458622A 2003-06-30 2004-05-25 固体摄像元件的制造方法 Expired - Fee Related CN100356575C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003187695 2003-06-30
JP2003187695A JP2005026314A (ja) 2003-06-30 2003-06-30 固体撮像素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1577876A true CN1577876A (zh) 2005-02-09
CN100356575C CN100356575C (zh) 2007-12-19

Family

ID=33535492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100458622A Expired - Fee Related CN100356575C (zh) 2003-06-30 2004-05-25 固体摄像元件的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7316937B2 (zh)
JP (1) JP2005026314A (zh)
CN (1) CN100356575C (zh)
TW (1) TWI237897B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101297403B (zh) * 2005-09-22 2010-05-19 富士胶片株式会社 切割固态图像拾取器件的方法
CN101183680B (zh) * 2005-11-14 2010-05-19 索尼株式会社 半导体成像装置及其制造方法和摄影机及其制造方法
CN101427382B (zh) * 2006-06-07 2010-12-15 住友电木株式会社 受光装置的制造方法
CN101345829B (zh) * 2007-07-13 2011-01-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测结构制造方法
CN102956653A (zh) * 2011-08-12 2013-03-06 索尼公司 摄像设备及照相机模块
CN101471351B (zh) * 2007-12-28 2013-09-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及其制造方法
CN106464850A (zh) * 2014-06-24 2017-02-22 日立麦克赛尔株式会社 摄像传感器以及摄像装置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060087273A (ko) * 2005-01-28 2006-08-02 삼성전기주식회사 반도체 패키지및 그 제조방법
KR100616670B1 (ko) * 2005-02-01 2006-08-28 삼성전기주식회사 웨이퍼 레벨의 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법
JP4503452B2 (ja) * 2005-02-02 2010-07-14 富士フイルム株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP4669713B2 (ja) * 2005-02-18 2011-04-13 株式会社リコー 画像読取装置及び画像形成装置
CN100420003C (zh) * 2005-03-29 2008-09-17 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 一种陶瓷基板及其分断方法
JP4544143B2 (ja) * 2005-06-17 2010-09-15 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板及び電子機器
WO2006134740A1 (ja) * 2005-06-17 2006-12-21 Toppan Printing Co., Ltd. 撮像素子
US20070065958A1 (en) * 2005-09-20 2007-03-22 Keh Kean L Method for attaching an optical filter to an encapsulated package
JP2007165789A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Olympus Corp 半導体装置の製造方法
TWM292164U (en) * 2005-12-23 2006-06-11 Inpaq Technology Co Ltd Miniature electronic circuit protection element
JP4876812B2 (ja) * 2006-09-19 2012-02-15 株式会社デンソー 車載用カラーセンサおよびその製造方法
CN101530011A (zh) * 2006-11-30 2009-09-09 株式会社德山 金属化陶瓷基板芯片的制造方法
JP4503046B2 (ja) * 2007-05-30 2010-07-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US7663095B2 (en) * 2007-09-20 2010-02-16 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Photodetector with embedded infrared filter
JP5317712B2 (ja) 2008-01-22 2013-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5376961B2 (ja) * 2008-02-01 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8237121B2 (en) * 2008-02-07 2012-08-07 Omnivision Technologies, Inc. Alternating row infrared filter for an image sensor
JP4647004B2 (ja) * 2008-11-25 2011-03-09 シャープ株式会社 光検出半導体装置およびモバイル機器
KR100905269B1 (ko) 2008-11-27 2009-06-29 크라제비전(주) 적외선 보정 기능을 구비한 이미지센서
JP6843570B2 (ja) 2016-09-28 2021-03-17 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
US11069729B2 (en) 2018-05-01 2021-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, and equipment

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6023801A (ja) * 1983-07-19 1985-02-06 Victor Co Of Japan Ltd 撮像装置
JPS62254579A (ja) * 1986-04-28 1987-11-06 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2610703B2 (ja) * 1990-09-05 1997-05-14 住友電気工業株式会社 半導体素子の製造方法
JPH0548062A (ja) * 1991-08-16 1993-02-26 Fuji Xerox Co Ltd イメージセンサ基板の基板端部の切断方法
JPH09260704A (ja) * 1996-03-27 1997-10-03 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
JPH10332920A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Sony Corp カラー固体撮像装置のカラーフィルタの形成方法
IL123207A0 (en) * 1998-02-06 1998-09-24 Shellcase Ltd Integrated circuit device
US6428650B1 (en) * 1998-06-23 2002-08-06 Amerasia International Technology, Inc. Cover for an optical device and method for making same
JP2000216368A (ja) * 1999-01-25 2000-08-04 Asahi Optical Co Ltd 撮像装置の赤外カットフィルタ取付け構造
US6882368B1 (en) * 1999-06-30 2005-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
US6455774B1 (en) * 1999-12-08 2002-09-24 Amkor Technology, Inc. Molded image sensor package
US6526653B1 (en) * 1999-12-08 2003-03-04 Amkor Technology, Inc. Method of assembling a snap lid image sensor package
US6483101B1 (en) * 1999-12-08 2002-11-19 Amkor Technology, Inc. Molded image sensor package having lens holder
US6492699B1 (en) * 2000-05-22 2002-12-10 Amkor Technology, Inc. Image sensor package having sealed cavity over active area
JP4410401B2 (ja) * 2000-08-30 2010-02-03 株式会社カネカ 薄膜太陽電池モジュール
JP2002305261A (ja) * 2001-01-10 2002-10-18 Canon Inc 電子部品及びその製造方法
JP2002231918A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
US20040012698A1 (en) * 2001-03-05 2004-01-22 Yasuo Suda Image pickup model and image pickup device
JP2002329850A (ja) * 2001-05-01 2002-11-15 Canon Inc チップサイズパッケージおよびその製造方法
JP4882182B2 (ja) * 2001-08-08 2012-02-22 凸版印刷株式会社 固体撮像素子
JP2003169341A (ja) * 2001-09-19 2003-06-13 Fuji Film Microdevices Co Ltd カラー画像撮像装置
US6747348B2 (en) * 2001-10-16 2004-06-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for leadless packaging of semiconductor devices
JP3675402B2 (ja) * 2001-12-27 2005-07-27 セイコーエプソン株式会社 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器
JP3881888B2 (ja) * 2001-12-27 2007-02-14 セイコーエプソン株式会社 光デバイスの製造方法
JP3812500B2 (ja) * 2002-06-20 2006-08-23 セイコーエプソン株式会社 半導体装置とその製造方法、電気光学装置、電子機器

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101297403B (zh) * 2005-09-22 2010-05-19 富士胶片株式会社 切割固态图像拾取器件的方法
CN101183680B (zh) * 2005-11-14 2010-05-19 索尼株式会社 半导体成像装置及其制造方法和摄影机及其制造方法
CN101427382B (zh) * 2006-06-07 2010-12-15 住友电木株式会社 受光装置的制造方法
CN101345829B (zh) * 2007-07-13 2011-01-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测结构制造方法
CN101471351B (zh) * 2007-12-28 2013-09-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及其制造方法
US8999818B2 (en) 2007-12-28 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
CN102956653A (zh) * 2011-08-12 2013-03-06 索尼公司 摄像设备及照相机模块
CN102956653B (zh) * 2011-08-12 2018-11-09 索尼公司 摄像设备及照相机模块
CN106464850A (zh) * 2014-06-24 2017-02-22 日立麦克赛尔株式会社 摄像传感器以及摄像装置
CN106464850B (zh) * 2014-06-24 2019-10-11 麦克赛尔株式会社 摄像传感器以及摄像装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005026314A (ja) 2005-01-27
US7316937B2 (en) 2008-01-08
CN100356575C (zh) 2007-12-19
TWI237897B (en) 2005-08-11
TW200503260A (en) 2005-01-16
US20040266051A1 (en) 2004-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100356575C (zh) 固体摄像元件的制造方法
US6864116B1 (en) Electronic package of photo-sensing semiconductor devices, and the fabrication and assembly thereof
US6853005B2 (en) Camera module and manufacturing method thereof
US7083999B2 (en) Optical device, method of manufacturing the same, optical module, circuit board and electronic instrument
US7728398B2 (en) Micro camera module and method of manufacturing the same
US7445947B2 (en) Method of manufacturing solid-state imaging device and solid-state imaging device
US7282696B2 (en) Photoelectric converter device and manufacturing method thereof
US20060006511A1 (en) Ultrathin module for semiconductor device and method of fabricating the same
CN1510496A (zh) 摄影模块及其制造方法
JP4693827B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
US20050285016A1 (en) Image sensor module structure comprising wire bonding package and method of manufacturing the image sensor module structure
CN1574403A (zh) 光半导体装置及其制造方法
CN1875617A (zh) 相机模块以及该相机模块的制造方法
CN1801493A (zh) 用于影像感测器的fbga及boc封装结构
KR20060046374A (ko) 고체촬상장치, 반도체 웨이퍼 및 카메라 모듈
CN1983612A (zh) 半导体装置及其制造方法
KR100543854B1 (ko) 카메라 모듈
EP3982412B1 (en) Image sensor package and method of fabricating the same
CN1428868A (zh) 光器件及其制造方法、光模件、电路基板以及电子机器
CN1713393A (zh) 固态成像器件及其制造方法和照相机模块
US20130264599A1 (en) Semiconductor module
CN101038926A (zh) 半导体装置
JPH0226080A (ja) 半導体素子
CN1956201A (zh) 图像感测器件的封装结构
KR100694469B1 (ko) 적외선 필터가 탑재된 이미지센서

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20071219

Termination date: 20210525