CN1956201A - 图像感测器件的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种图像感测器件的封装结构,包括一光学玻璃,具有一透光区;一图案化电路,形成于该光学玻璃的其中一面,且不位于该透光区内;一图像感测器件,具有一感测区,该图像感测器件固定于该光学玻璃具有该图案化电路的一面,且具有该感测区的一侧朝向该光学玻璃;以及一软性电路板,覆盖于该图像感测器件不具该感测区的一侧,该软性电路板与该图案化电路电性连接。应用本发明,不但使封装结构更薄,于批量生产时更加快了生产速度,节约了图像感测器件封装结构的生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装结构,特别是涉及一种图像感测器件的封装结构。
背景技术
数字图像感测器件是录像机、照相机或扫描仪中的重要器件。数字图像感测器件取代了传统胶卷,成为截取图像的重要器件,例如CCD(Charge-CoupledDevice,电荷耦合器件)图像感测器件及CMOS(互补式金属氧化半导体)图像感测器件。
随着图像感测器件应用于具有照相功能的手机上,图像感测器件的封装方式也随之改变。随着人们对轻薄小巧的电子产品的不断追求,图像感测器件芯片级封装(Chip Size Package)方式因此而发展起来。
请参阅图1,其为现有图像感测器件的芯片级封装结构的剖面示意图。芯片级封装结构100是以比芯片略大的陶瓷底座102为基底,将电路形成于陶瓷底座102上。将图像感测器件106封装于陶瓷底座102内,通过金线108与电路连接。最后再以一片光学玻璃104覆盖于陶瓷底座102上,将图像感测器件106密封于陶瓷底座102内。图像感测器件106的感测区106a可通过透明的光学玻璃104,获取入射光110以形成图像。然而,随着图像感测器件不断被整合到轻薄小巧的电子装置中,图像感测器件封装结构也需要不断的改进以顺应此趋势。
发明内容
本发明所要解决主要技术问题在于提供一种轻薄小巧的将图像感测器件固定于光学玻璃上的封装结构。
为实现上述目的,本发明提出一种图像感测器件的封装结构,其包括有:
一光学玻璃,具有一透光区;
一图案化电路,形成于该光学玻璃的其中一面,且不位于该透光区内;
一图像感测器件,具有一感测区,该图像感测器件固定于该光学玻璃具有该图案化电路的一面,且具有该感测区的一侧朝向该光学玻璃;以及
一软性电路板,覆盖于该图像感测器件不具该感测区的一侧,该软性电路板与该图案化电路电性连接。
所述的该图像感测器件是互补式金属氧化半导体(CMOS)图像感测器件或电荷耦合器件(CCD)图像感测器件。
所述的该图案化电路具有一感测器件焊垫区和一电路板焊垫区,其中该感测器件焊垫区与该图像感测器件电性连接,该电路板焊垫区与该软性电路板电性连接。
所述的该感测器件焊垫区位于该透光区的外围,该电路板焊垫区位于该感测器件焊垫区的外围。
所述的图像感测器件的封装结构,还包括一滤光膜,设置于该透光区,以滤除不需要的波长的光。
由上述可知,应用本发明的图像感测器件封装结构,不但使封装结构更薄,于批量生产时更加快了生产速度,节约了图像感测器件封装结构的生产成本。
附图说明
图1为现有图像感测器件的芯片级封装结构的剖面示意图;
图2为本发明一较佳实施例的一种图像感测器件的封装结构的剖面示意图;
图3为本发明一较佳实施例的一种图像感测器件的封装基板的上视图;
图4为本发明一较佳实施例的一种图像感测器件的上视图;以及
图5为本发明一较佳实施例的一种封装图像感测器件批量生产示意图。
其中,附图标记:
100:芯片级封装结构 204a:透光区
102:陶瓷底座 205:电路区
104:光学玻璃 205a:感测器件焊垫
106:图像感测器件 205b:电路板焊垫
106a:感测区 206:图像感测器件
108:金线 206a:感测区
110:入射光 206b:焊垫
200:封装结构 210:入射光
204:光学玻璃 212:锡球
203:大片光学玻璃 214:滤光膜
220:软性电路板
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明进行描述,但不作为对本发明的限定。
为了顺应图像感测器件封装结构轻薄化的趋势,本发明提出一种将图像感测器件直接封装于光学玻璃上的封装结构。通过将周边电路形成于光学玻璃上,并空出一透光区,提供图像感测器件的感测区截取图像之用。此封装结构省去了现有芯片级封装结构常用的陶瓷底座,使本发明的封装结构更薄、成本更低。
请参阅图2,其为本发明一较佳实施例的一种图像感测器件的封装结构的剖面示意图。不同于现有芯片级封装结构,本较佳实施例将图像感测器件206封装于光学玻璃204上。在封装图像感测器件206前,光学玻璃204的其中一面需要将图像感测器件相关的电路都先以溅射方式形设置于其上,并且预留一透光区。溅射形成的电路区(或称为图案化的电路)205中包含许多的焊垫,用来与图像感测器件206及软性电路板220连接。例如,感测器件焊垫205a用来与图像感测器件206电性连接,电路板焊垫205b用来与软性电路板220电性连接。图像感测器件206焊接于光学玻璃204时,感测区206a需朝向光学玻璃,以利用焊垫206b上贴附的导电膜与感测器件焊垫205a电性连接,而软性电路板220则以锡球212与光学玻璃204上的电路板焊垫205b电性连接。光学玻璃204可先镀上一滤光膜214(例如红外线滤光膜),以滤除图像感测器件206不需要的红外线。软性电路板220覆盖于图像感测器件206(不具感测区206a的一侧)上,同时将图像感测器件206以封装材料密封于光学玻璃204上。上述的软性电路板也可以一般的电路板(硬式)取代。
请参阅图3,其为本发明一较佳实施例的一种图像感测器件的封装基板的上视图。光学玻璃204(封装基板)上先预留的一透光区204a不设置任何电路于其上。感测器件焊垫区205a位于透光区204a外围,用来与图像感测器件206电性连接。电路板焊垫205b位于感测器件焊垫205a外围用来与软性电路板220电性连接。
请参阅图4,其为本发明一较佳实施例的一种图像感测器件的上视图。在封装时,图像感测器件206的感测区206a须朝向且对准光学玻璃204的透光区204a(参阅图3)。此外,在图像感测器件206的每个焊垫206b上都贴附导电膜,藉以与感测器件焊垫205a电性连接。上述的图像感测器件206可以是CMOS(互补式金属氧化半导体)图像感测器件或CCD(电荷耦合器件)图像感测器件。
请参阅图5,其为本发明一较佳实施例的一种封装图像感测器件批量生产示意图。使用本实施例的封装方式在批量生产时可在大片光学玻璃203上先形成所有的电路、固定图像感测器件、焊上软性电路板,最后再将一个个已封装完成的图像感测器件从大片光学玻璃203上切割下来。
由上述本发明较佳实施例可知,应用本发明的图像感测器件封装结构封装图像感测器件于光学玻璃上,不但使封装结构更薄,更加快了批量生产时的生产速度,节约图像感测器件封装结构的生产成本。
虽然本发明已以一较佳实施例公开如上,但并非用以限定本发明,任何本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定者为准。
Claims (5)
1、一种图像感测器件的封装结构,其特征在于,至少包括:
一光学玻璃,具有一透光区;
一图案化电路,形成于该光学玻璃的其中一面,且不位于该透光区内;
一图像感测器件,具有一感测区,该图像感测器件固定于该光学玻璃具有该图案化电路的一面,且具有该感测区的一侧朝向该光学玻璃;以及
一软性电路板,覆盖于该图像感测器件不具该感测区的一侧,该软性电路板与该图案化电路电性连接。
2、如权利要求1所述的图像感测器件的封装结构,其特征在于,该图像感测器件是互补式金属氧化半导体图像感测器件或电荷耦合器件图像感测器件。
3、如权利要求1所述的图像感测器件的封装结构,其特征在于,该图案化电路具有一感测器件焊垫区和一电路板焊垫区,其中该感测器件焊垫区与该图像感测器件电性连接,该电路板焊垫区与该软性电路板电性连接。
4、如权利要求3所述的图像感测器件的封装结构,其特征在于,该感测器件焊垫区位于该透光区的外围,该电路板焊垫区位于该感测器件焊垫区的外围。
5、如权利要求1所述的图像感测器件的封装结构,其特征在于,还包括一滤光膜,设置于该透光区,以滤除不需要的波长的光。
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CN105097862A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-11-25 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器封装结构及其封装方法 |
WO2017036344A1 (zh) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器封装结构及其封装方法 |
CN110416237A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-05 | 业成科技(成都)有限公司 | 光学式影像辨识装置及其制作方法 |
CN112992955A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-06-18 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 芯片封装结构及其制作方法和电子设备 |
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2005
- 2005-10-24 CN CN 200510114393 patent/CN1956201A/zh active Pending
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CN105097862A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-11-25 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器封装结构及其封装方法 |
WO2017036344A1 (zh) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器封装结构及其封装方法 |
CN110416237A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-05 | 业成科技(成都)有限公司 | 光学式影像辨识装置及其制作方法 |
CN112992955A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-06-18 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 芯片封装结构及其制作方法和电子设备 |
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