CN1770462A - 图像传感器组件以及制造该组件的方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种图像传感器组件和制造该组件的方法。该图像传感器组件包括图像传感器和透明盖。该图像传感器检测图像，在其表面上具有暴露的光接收电路。该透明盖具有支撑件。该支撑件从透明盖的表面突出以在透明盖的表面上限定预定的区域。该支撑件被接合至图像传感器的表面，以围绕光接收电路。光接收电路由透明盖覆盖。

Description

图像传感器组件以及制造该组件的方法
技术领域
本发明总的涉及图像传感器，具体涉及具有光接收电路的图像传感器组件和用于制造该图像传感器组件的方法，在该图像传感器组件中图像被输入至光接收电路。
背景技术
移动电话照相机模块已发展为包括多种附加功能，例如自动聚焦和光学变焦。特别是，它们向数字照相机级高像素分辨率快速发展。因此，移动电话照相机模块应当小型化。在照相机模块中封装图像传感器的方法可粗略分为板上芯片(chip on board)(COB)和薄膜上芯片(chip on film)(COF)。由于COB提供稳定的工艺，其优选用于高像素照相机模块。由于COF利于大规模生产，其被用于具有少于1兆像素的照相机模块。封装图像传感器的过程包括允许图像传感器与外部交换电信号和密封图像传感器以对抗外部冲击。图像传感器是将图像信号转变为电信号的半导体芯片。它们可被粗略分为互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。
图1是常规COF。COF包含形成一个凸起(称作制造突出)，该凸起是具有光接收电路135的图像传感器130顶部上的外部访问端子。将环氧树脂分布在红外线截止滤波器(IR滤波器)或象玻璃一样的透明盖子140上，以覆盖被包含在柔性印刷电路板(FPCB)110中的孔115的顶部。将IR滤波器或透明盖子140连接至FPCB 110。将图像传感器130接合在FPCB 110的底表面上(称为倒装片接合(flip chip bonding))，以引起围绕孔115的底部的各相异性导电膜(ACF)120接触凸起。由于在COF中图像传感器130被接合至FPCB 110的底面，因此COF对小型化是有用的。COF的自动化是困难的，但作为用于具有0.3兆像素CMOS图像传感器的照相机模块的大规模生产方法被普遍使用。
图2是常规COB。COB包含将具有光接收电路的图像传感器220连接在印刷电路板(PCB)210上(称为芯片连接(die attaching))。使用线240和焊板230电连接PCB 210和图像传感器220(称为引线接合(wirebonding))。
然而，常规封装方法具有如下的许多问题。
首先，依据COF，由于图像传感器130的光接收电路在倒装芯片接合时被暴露，与接合成品率无关，存在因污染导致故障的高的可能性。另外，连接IR滤波器或玻璃的过程也容易受到污染。
其次，依据COB，由于图像传感器220的光接收电路引线接合时被暴露，存在因污染导致故障的高可能性。尽管图像传感器220可使用玻璃密封以防止图像传感器220的污染，例如，在陶瓷无引线芯片封装座(CLCC)类型中，图像传感器220的尺寸还可能增加。因此，这种密封方法不是污染的根本性解决方案。
发明内容
因此，本发明被设计以减少或克服上述局限性以及发生在现有技术中的其他问题。本发明的一个目的是提供一种图像传感器组件和制造该组件的方法，在其中封装期间的污染可被最小化。
依据本发明的原理，提供一种图像传感器组件。该图像传感器组件包括图像传感器和透明盖。用于检测图像的图像传感器在其表面上具有暴露的光接收电路。该透明盖具有支撑件。该支撑件从透明盖的表面突出以在透明盖的表面上限定预定的区域，并被接合至图像传感器的表面以围绕光接收电路。光接收电路由透明盖密封。
为实现上述和其他目的，提供一种用于制造图像传感器组件的方法。该方法包括步骤：(a)提供具有多个用于图像检测的图像传感器芯片的图像传感器晶片，每个图像传感器芯片的表面上具有暴露的光接收电路；(b)提供多个透明盖芯片，每个透明盖芯片具有从从透明盖的表面突出的支撑件，以在透明盖芯片的表面上限定预定的区域；(c)通过将透明盖芯片的支撑件接合至图像传感器晶片的表面，以使透明盖芯片的支撑件围绕光接收电路，从而用透明盖芯片密封光接收电路；和(d)将图像传感器晶片切割成芯片单元。
附图说明
根据结合附图的下面详细说明，本发明将更清楚，其中：
图1是常规COF；
图2是常规COB；
图3是说明依据本发明实施例的图像传感器组件；和
图4至14是解释用于制造依据本发明实施例的图像传感器组件的方法的视图。
具体实施方式
在此后，参考附图将详细说明本发明的实施例。在本发明的下面说明中，甚至在不同附图中，相同的参考标记均被用于相同的部件。另外，这里包含的公知功能和结构的详细说明在可能使本发明的主题不清楚时被省略。本发明中考虑功能来定义术语，这些术语可能不同于使用者/操作者或客户的概念。因此，基于本发明的整个说明书的内容来限定这些术语。
图3是说明依据本发明优选实施例的图像传感器组件。图像传感器组件300包含图像传感器310和透明盖320。
图像传感器310示意性采用矩形板的形状。在其表面上具有暴露的光接收电路312和多个围绕光接收电路312的外部访问端子314。光接收电路312采用方形的形状，并位于图像传感器310表面的中央。采用方形形状的外部访问端子314与光接收电路312的边沿间隔开1mm，并被放置在图像传感器310的表面上。外部访问端子314也以预定间隔相互间隔离开。图像传感器310可以是CMOS图像传感器或CCD图像传感器，外部访问端子314可是凸起或焊盘。
透明盖320采用方形板的形状并具有采用方形框架形式和从透明盖320表面伸出或突出的支撑件325，以限定透明盖320表面的方形中心。支撑件325的一侧具有方形截面，且具有50μm的宽和70-100μm的高。透明盖320可是IR滤波器或玻璃。
如图3所示，图像传感器310的光接收电路312由透明盖320覆盖或密封。透明盖320的支撑件325被使用粘合剂，即紫外线(UV)环氧树脂330接合至图像传感器310的表面，以围绕图像传感器310的光接收电路312。光接收电路312的边沿与支撑件325间隔450μm，以及支撑件325与外部访问端子314间隔500μm。支撑件325的外圆周被使用液体密封剂(encapsulant)340密封。该密封剂340是辅助装置，用于更紧密地密封光接收电路312。
图4至14是解释用于制造依据本发明优选实施例的图像传感器组件的方法的视图。如下面，该方法包含步骤(a)至(d)。
步骤(a)包括提供具有多个用于图像检测的图像传感器芯片的图像传感器晶片，每个图像传感器芯片在其表面上具有暴露的光接收电路。参考图4，图像传感器晶片410和多个图像传感器芯片420被显示。图像传感器芯片420的每一个均采用方形板的形式，并具有在其表面上暴露的光接收电路422和围绕光接收电路422的多个外部访问端子424。光接收电路422采用方形的形状，并位于图像传感器芯片420表面的中央。采用方形形状的外部访问端子424与光接收电路422的边沿间隔1mm，并被放置在各个图像传感器芯片420的表面上。外部访问端子424被以预定间隔互相间隔开放置。
步骤(b)包括提供多个透明盖芯片。每个透明盖芯片具有从透明盖芯片的表面突出以在其表面上限定预定区域的支撑件。如下面，步骤(b)包括分步骤(b-1)至(b-6)。
如在图5中所示，步骤(b-1)包括提供具有多个透明盖芯片520的透明盖晶片510。
此后，为了理解方便，在芯片基础上作出图解说明。
如在图6中所示，步骤(b-2)包括将光刻胶(photoresist)530涂敷在透明盖芯片520上。
如在图7中所示，步骤(b-3)包括形成光刻胶530的图案，以使光刻胶530采用方形框架的形状。
如在图8中所示，步骤(b-4)包括使用图案化的光刻胶530蚀刻透明盖芯片520，以形成采用方形框架形状的支撑件525。支撑件525的一侧具有具有方形截面，且具有50μm的宽和70-100μm的高。
如在图9中所示，步骤(b-5)包括将沉积在支撑件525上的光刻胶530去除。
步骤(b-2)至(b-5)是光刻(photolithograph)过程的详细步骤，以使透明盖芯片520具有预定图案。
如在图10中所示，步骤(b-6)包括将经历上述步骤的透明盖晶片510切割，以获得多个透明盖芯片520(称为单个化(singulation))。
图11说明图10中所示的透明盖芯片520的支撑件525一侧的图像，使用扫描电子显微镜(SEM)拍摄。
步骤c包括使用透明盖芯片520密封光接收电路422。这个步骤包括将透明盖芯片520的支撑件525接合至图像传感器芯片420的表面，以使支撑件525围绕光接收电路422。步骤(c)包括分步骤(c-1)至(c-4)。
如在图12中所示，步骤(c-1)包括分散UV硬化环氧树脂610。UV硬化环氧树脂610是一种粘接剂，并被以方形状放置在图4中所示图像传感器晶片410的图像传感器芯片420上，距离光接收电路422的边沿450μm。UV硬化环氧树脂610的一侧具有50μm的宽度。由于通常的分散装置可控制环氧树脂流在20-50μm范围内，因此使支撑件525的一侧具有50μm宽是不困难的。
如在图13中所示，步骤(c-2)包括将如图10所示的透明盖芯片520连接在图像传感器晶片410的图像传感器芯片420上。透明盖芯片520的支撑件525被放置在图像传感器芯片420的UV硬化环氧树脂610上。支撑件525围绕图像传感器芯片420的光接收电路422。从而，光接收电路422由透明盖芯片520密封。
步骤(c-3)包括通过辐射UV射线在UV硬化环氧树脂610上以硬化UV硬化环氧树脂610。
如在图14中所示，步骤(c-4)包括使用液体密封剂620密封支撑件525的外周边。在被分散至支撑件525的外周边之后，密封剂620被硬化。假如密封剂620是热固的，则它被加热而硬化。假如针点滴型(niddle type)分散器件被使用，则需要350μm的间隔以防止密封剂620接触外部访问端子424。假如喷射型(jetting type)分散器件被使用，则需要的间隔可被减少至150μm。因此，能够防止密封剂620扩散进外部访问端子424中。由于在图像传感器芯片420的光接收电路422和外部访问端子424之间提供了大约1mm的距离，因此在封装过程中没有明显的困难。
步骤d包括通过将图像传感器晶片410切割成芯片单元而形成多个图像传感器组件700。
如上所述，依据本发明，光接收电路被使用透明盖密封，从而防止在随后的封装过程即，在COB中的引线接合或在COF中的倒装片接合期间光接收电路的污染。
尽管参考本发明中的具体实施例显示和说明了本发明，本领域技术人员可以理解，在不脱离本发明宗旨和范围的条件下，可以在形式上和细节上实现多种变化。

Claims (11)

1、一种图像传感器组件，包括：
图像传感器，在其表面上具有暴露的光接收电路；和
透明盖，其具有从透明盖的表面突出的支撑件，以在透明盖的表面上限定预定的区域，其中支撑件被接合至图像传感器的表面以围绕光接收电路，光接收电路被透明盖覆盖。
2、依据权利要求1的图像传感器组件，其中图像传感器是互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器或电荷耦合器件(CCD)图像传感器。
3、依据权利要求1的图像传感器组件，其中支撑件采用类似方形框架的形状。
4、依据权利要求1的图像传感器组件，其中透明盖是红外线(IR)截止滤波器或玻璃。
5、依据权利要求1的图像传感器组件，其中支撑件使用紫外线(UV)硬化环氧树脂被接合至图像传感器。
6、依据权利要求1的图像传感器组件，其中支撑件的外周边使用密封剂被密封。
7、一种图像传感器组件，包括：
图像传感器，在其表面上具有光接收电路；和
透明盖，其具有从透明盖的表面延伸的形成预定间隔的支撑件，其中支撑件被接合至图像传感器的表面以围绕光接收电路，并且光接收电路由透明盖覆盖。
8、一种用于制造图像传感器组件的方法，该方法包括步骤：
(a)提供具有多个用于图像检测的图像传感器芯片的图像传感器晶片，每个图像传感器芯片的表面上具有暴露的光接收电路；
(b)提供多个透明盖芯片，每个透明盖芯片具有支撑件，所述支撑件从透明盖芯片的表面突出，以在透明盖芯片的表面上限定预定的区域；
(c)通过将透明盖芯片的支撑件接合至图像传感器晶片的表面，以使透明盖芯片的支撑件围绕光接收电路，从而利用透明盖芯片密封光接收电路；和
(d)将图像传感器晶片切割成芯片单元。
9、依据权利要求8的方法，其中步骤(b)包括步骤：
(b-1)将光刻胶涂敷在透明盖芯片上；
(b-2)使光刻胶形成图案，以使光刻胶具有类似方形框架的形状；和
(b-3)通过用形成图案的光刻胶蚀刻透明盖芯片，形成具有类似方形框架的形状的支撑件。
10、依据权利要求8的方法，其中步骤(c)包括步骤：
(c-1)将粘接剂以方形形状分散在图像传感器晶片的图像传感器芯片上，该粘接剂与光接收电路的边缘间隔预定的间距；和
(c-2)将透明盖芯片的支撑件接合至图像传感器晶片的图像传感器芯片上，以使透明盖芯片的支撑件被放置在图像传感器芯片的粘接剂上。
11、依据权利要求9的方法，其中步骤(c)包括步骤(c-3)：使用密封剂密封支撑件的外周边。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100483726C (zh) * 2006-07-28 2009-04-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测器封装及其应用的数码相机模组
CN100483725C (zh) * 2006-07-28 2009-04-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测器封装及其应用的数码相机模组
CN103996684B (zh) * 2014-05-20 2017-06-20 格科微电子（上海）有限公司 图像传感器结构及其封装方法
CN108234833A (zh) * 2016-12-12 2018-06-29 三星电机株式会社 电子模块及其制造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100910772B1 (ko) * 2005-07-05 2009-08-04 삼성테크윈 주식회사 이미지 센서용 플립칩 패키지 및 이를 구비한 컴팩트카메라 모듈
KR100835087B1 (ko) * 2006-12-04 2008-06-03 삼성전기주식회사 카메라모듈 패키지
KR101028091B1 (ko) * 2008-11-05 2011-04-08 엘지전자 주식회사 가전기기 및 세척물 처리기기
KR101579623B1 (ko) * 2008-11-28 2015-12-23 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR101159807B1 (ko) * 2010-05-07 2012-06-26 (주) 엔지온 이미지 센서 패키지 및 제작 방법
CN102591138B (zh) * 2011-01-07 2014-05-28 昆山西钛微电子科技有限公司 应用于硅穿孔晶圆级封装中的双光阻墙及其制备方法
JP5775707B2 (ja) 2011-03-01 2015-09-09 オリンパス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN102623414A (zh) * 2012-04-11 2012-08-01 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装
KR102384157B1 (ko) 2015-03-04 2022-04-08 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR101872755B1 (ko) * 2017-04-10 2018-06-29 (주)파트론 광학센서 패키지
KR102452688B1 (ko) * 2017-09-25 2022-10-11 현대자동차주식회사 이미지 센서 패키지 및 그것의 제조 방법
KR102650997B1 (ko) 2019-05-20 2024-03-25 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지
KR20220051470A (ko) 2020-10-19 2022-04-26 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61234161A (ja) * 1985-04-10 1986-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 密着型イメ−ジセンサ
KR100389630B1 (ko) * 2001-05-04 2003-06-27 삼성전기주식회사 촬상소자 모듈 팩키지
JP2004296453A (ja) * 2003-02-06 2004-10-21 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100483726C (zh) * 2006-07-28 2009-04-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测器封装及其应用的数码相机模组
CN100483725C (zh) * 2006-07-28 2009-04-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测器封装及其应用的数码相机模组
CN103996684B (zh) * 2014-05-20 2017-06-20 格科微电子（上海）有限公司 图像传感器结构及其封装方法
CN108234833A (zh) * 2016-12-12 2018-06-29 三星电机株式会社 电子模块及其制造方法
CN108234833B (zh) * 2016-12-12 2021-03-23 三星电机株式会社 电子模块及其制造方法

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