KR101872755B1 - 광학센서 패키지 - Google Patents

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KR101872755B1
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전문수
이현진
이민우
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Abstract

광학센서 패키지가 개시된다. 본 발명의 광학센서 패키지는 패키지의 크기가 슬림하면서 소형이어서 탑재되는 전자 장치의 슬림화에 기여할 수 있다.
본 발명의 광학센서 패키지는, 수광면을 포함하는 센서칩, 상기 수광면을 덮는 접착 필름 및 상기 접착 필름에 결합되고, 상기 수광면을 덮는 광학필터를 포함하고, 상기 광학필터는 제1 파장대역을 통과대역으로 가지고, 상기 접착 필름은 상기 제1 파장대역에 대해서 투광성이다.

Description

광학센서 패키지{Optical sensor package}
본 발명은 광학센서 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 피감지체의 표면에서 반사된 빛을 감지하는 수광센서 패키지에 관한 것이다.
스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 웨어러블 디바이스 등 최근의 전자 장치는 다양한 종류의 센서 장치를 포함한다. 예를 들어, 최근의 전자 장치는 근접 센서, 조도 센서, 온도 센서, 심박 센서, 자이로 센서 및 지문인식 센서 등을 포함한다. 이중 다수의 센서들은 빛을 감지하여 센싱하는 광학센서에 해당한다. 지문인식 센서의 경우, 종래에는 센서와 지문 사이의 정전용량을 감지하는 방식이 주로 사용되었지만 최근에는 광학 방식이 검토되고 있다.
광학센서가 탑재되는 전자 장치는 점차 슬림화되는 추세이다. 슬림한 폼팩터는 사용자가 사용하거나 휴대하기 편리할 뿐만 아니라 미감도 우수하여 널리 적용되고 있다. 따라서 이러한 전자 장치 내부에 수용되는 광학센서도 슬림화되고 소형화된 패키지로 형성될 것이 요구되고 있다.
슬림하고 소형인 광학센서 패키지는 구조적인 설계가 난해할 뿐만 아니라 각 구성들을 조립하는 과정에서도 매우 정밀한 공정이 요구된다. 따라서 슬림하고 소형인 광학센서 패키지의 경우에 불량률이 높아질 수 있고, 이에 따라 원가가 상승할 수 있다는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 패키지의 크기가 슬림하면서 소형이어서 탑재되는 전자 장치의 슬림화에 기여할 수 있는 광학센서 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 패키지의 크기가 슬림하고 소형이면서 구조가 간단하여 조립이 용이한 광학센서 패키지를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 광학센서 패키지는, 수광면을 포함하는 센서칩, 상기 수광면을 덮는 접착 필름 및 상기 접착 필름에 결합되고, 상기 수광면을 덮는 광학필터를 포함하고, 상기 광학필터는 제1 파장대역을 통과대역으로 가지고, 상기 접착 필름은 상기 제1 파장대역에 대해서 투광성이다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 파장대역은 적외선 파장대역일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 접착 필름은 다이 부착 필름(die attach film)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수광면과 대향하는 커버 윈도우를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 커버 윈도우는 상기 수광면과 대향하는 부분에 형성된 리세스를 포함하고, 상기 광학필터의 적어도 일부는 상기 리세스의 내부 공간에 수용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 커버 윈도우는 상기 제1 파장대역에 대해서 투광성이고, 가시광선 대역에 대해서는 상기 제1 파장대역보다 투광성이 상대적으로 낮을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 커버 윈도우와 상기 광학필터는 이격되어 위치할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 접착 필름은 상기 제1 파장대역에 대해서 투광성이 93% 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 센서칩이 실장되는 베이스 기판을 더 포함하고, 상기 센서칩과 상기 베이스 기판은 와이어에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 센서칩은 상기 수광면이 형성된 면과 인접하여 단차지게 형성된 일면을 더 포함하고, 상기 일면에는 상기 와이어가 결합되는 본딩 패드가 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 하면이 상기 베이스 기판에 결합되고, 상기 센서칩의 주변에 위치하는 베젤부를 더 포함하고, 상기 센서칩의 수광면과 상기 베젤부의 상면은 상기 베이스 기판을 기준으로 동일한 높이에 위치할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 파장대역의 광을 방출하는 발광부를 더 포함하고, 상기 센서칩은 지문인식용 센서칩일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광학센서 패키지는 패키지의 크기가 슬림하면서 소형이어서 탑재되는 전자 장치의 슬림화에 기여할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학센서 패키지는 패키지의 크기가 슬림하고 소형이면서 구조가 간단하여 조립이 용이하다는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광센서 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 발광센서 패키지를 AA'선으로 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 발광센서 패키지의 분해사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 광학센서 패키지의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 첨부한 도 1 내지 도 3를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학센서 패키지에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광센서 패키지의 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 발광센서 패키지를 AA'선으로 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 발광센서 패키지의 분해사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 발광센서 패키지는 베이스 기판(100), 센서칩(200), 접착 필름(350), 광학필터(300) 및 베젤부(400)를 포함한다.
베이스 기판(100)은 본 발명의 광학센서 패키지의 바닥면을 이루는 부분일 수 있다. 베이스 기판(100)의 상에는 후술할 요소들이 위치할 수 있다.
베이스 기판(100)은 인쇄회로기판, 세라믹 기판, 양극 산화층을 가지는 금속 기판 등일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 베이스 기판(100)은 절연층, 도체 패턴 및 패드를 포함할 수 있다.
구체적으로, 베이스 기판(100)의 상면에는 적어도 하나의 패드(120)가 마련되어 후술할 센서칩(200)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 베이스 기판(100)의 하면에는 적어도 하나의 패드(미도시)가 마련되어 본 발명의 광학센서 패키지에 전기 신호를 전달하거나 전력을 공급할 수 있다. 베이스 기판(100)의 패드는 전자부품, 반도체소자, 각종 수동소자 또는 리드프레임 등과 다양한 방식으로 결합될 수 있다.
베이스 기판(100)의 상면에는 실장 영역(110)이 마련된다. 실장 영역(110)에는 후술할 센서칩(200)이 위치하게 된다. 베이스 기판(100)의 상면의 패드는 실장 영역(110) 주변에 위치할 수 있다. 실장 영역(110)의 주변으로는 후술할 베젤부(400)가 결합되는 베젤부 결합부가 마련될 수 있다.
센서칩(200)은 수광면(210)을 포함하는 전자부품이다. 센서칩(200)은 베이스 기판(100)과 결합되는 면을 하면으로 정의하면, 상면의 적어도 일부에 수광면(210)이 형성된다. 센서칩(200)의 상면에는 수광면(210)과 적어도 하나의 본딩 패드(220)가 형성될 수 있다.
센서칩(200)은 베이스 기판(100)의 실장 영역(110)에 결합된다. 구체적으로, 센서칩(200)의 하면과 베이스 기판(100)의 실장 영역(110)이 서로 마주보게 위치하고, 센서칩(200)의 하면과 베이스 기판(100)의 실장 영역(110) 사이에 접착 필름(250)이 위치할 수 있다. 접착 필름(250)에 의해서 센서칩(200)과 베이스 기판(100)이 결합될 수 있다. 접착 필름(250)은 다이 부착 필름(die attach film)일 수 있다.
접착 필름(250)은 미리 정해진 가공 조건에서는 변형 가능한 물성을 가지고, 경화(cure)된 이후에는 변형되지 않는 형태로 경화될 수 있다. 여기서, 미리 정해진 가공 조건이란 상온은 해당되지 않는다. 미리 정해진 가공 조건은 통상적으로, 상온보다 높은 온도 및/또는 상온보다 높은 압력을 의미한다.
예를 들어, 접착 필름(250)은 에폭시 계열의 다이 부착 필름일 수 있다. 이러한 접착 필름은 가열에 의해 경화(heat cure)되는 성질을 가지고 있으며, 가열에 의해 경화되는 과정에서 형태가 일정 부분이 변화될 수 있다. 구체적으로, 접착 필름은 100℃ 내지 150℃의 온도에서 소정의 시간동안 처리되면 경화될 수 있다. 접착 필름은 고온 처리되면서 그리고 완전히 경화되기 전에는 형태가 일정 부분 변화될 수 있다.
접착 필름(250)은 베이스 기판(100)과 센서칩(200) 사이에 위치한 상태에서 미리 정해진 경화 조건에 노출된다. 노출된 상태에서 접착 필름(250)의 두께(높이) 등이 조절될 수 있다. 이에 따라 베이스 기판(100)에 대한 센서칩(200)의 이격 거리 및 기울기 등이 조절될 수 있다.
센서칩(200)은 베이스 기판(100)과 와이어(230)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 와이어(230)는 금, 은, 구리 등으로 형성된 도전성 와이어(230)일 수 있다. 구체적으로, 와이어(230)는 베이스 기판(100)의 본딩 패드(220)와 베이스 기판(100)의 상면의 패드와 결합되어 전기적 연결을 달성할 수 있다.
수광면(210)은 센서칩(200)의 상면에 형성될 수 있다. 수광면(210)은 외부에서 조사된 광을 감지하여 전기신호로 변환하는 수광소자이다. 수광면(210)에는 복수의 수광소자가 집적되어 있을 수 있다. 수광면(210)은 이미지 센서의 액티브 영역(active area)에 해당할 수 있다.
수광면(210)은 미리 정해진 파장대역에 가장 적합하게 동작하도록 정해져 있을 수 있다. 구체적으로, 수광면(210)은 후술할 제1 파장대역에서 가장 적합하게 동작할 수 있다. 그러나 수광면(210)은 제1 파장대역의 광만을 감지하는 것은 아닐 수 있다. 수광면(210)은 제1 파장대역 이외의 광도 감지할 수 있고, 경우에 따라서 이는 센서칩(200)이 노이즈로 인식할 수 있다. 따라서 수광면(210)의 상부에는 후술할 광학필터(300)가 결합될 수 있다. 광학필터(300)에 대해서는 아래에서 상술하도록 한다.
센서칩(200)은 지문의 고유 패턴을 광학적으로 인식하는 지문인식 센서칩(200)일 수 있다. 인식하려는 지문은 수광면(210)의 상부에 위치하게 된다. 구체적으로, 센서칩(200)은 적어도 지문의 고유 패턴을 촬상하는 촬상센서를 포함한다. 또한, 센서칩(200)은 촬상한 지문의 이미지를 처리하여 데이터로 변환하는 신호처리부를 더 포함할 수 있다. 또한, 센서칩(200)은 변환된 데이터를 이미 저장된 데이터와 비교하여 지문의 일치여부를 판단하는 판단부를 더 포함할 수 있다. 만약, 센서칩(200)이 신호처리부 또는 판단부를 포함하지 않을 경우, 이러한 기능을 수행하는 별도의 부품이 마련될 수 있다.
광학필터(300)는 수광면(210)을 덮도록 형성된다. 광학필터(300)는 미리 정해진 파장대역을 통과대역으로 가진다. 구체적으로, 광학필터(300)는 제1 파장대역을 통과대역으로 가진다. 여기서, 제1 파장대역은 적외선 파장대역에 해당할 수 있다. 광학필터(300)는 수광면(210)을 덮기 때문에 수광면(210)에는 실질적으로 광학필터(300)를 통과한 광만이 조사될 수 있다. 따라서 수광면(210)에는 실질적으로 적외선 대역의 광만이 조사될 수 있다. 광학필터(300)와 수광면(210) 사이의 공간을 통해 일부의 광이 광학필터(300)를 통과하지 않고 수광면(210)으로 조사될 수 있으나, 이는 상대적으로 미미한 수준일 것이다.
광학필터(300)는 필름을 베이스로 하고, 적어도 한 층 이상의 코팅층 또는 증착층이 형성된 광학소자일 수 있다. 광학필터(300)는 실질적으로 필름 또는 막(layer) 형성된다. 광학필터(300)는 수광면(210)과 같거나 수광면(210)보다 큰 넓이로 마련되어 수광면(210)을 덮는다.
광학필터(300)는 접착 필름(350)에 의해 수광면(210)에 결합된다. 접착 필름(350)은 광학필터(300)와 수광면(210) 사이에 위치하여 광학필터(300)와 수광면(210)을 결합시킨다. 접착 필름(350)은 수광면(210)을 덮도록 형성될 수 있다. 따라서 광학필터(300)를 통과한 광은 접착 필름(350) 또한 통과해서 수광면(210)에 조사되게 된다. 접착 필름(350)은 다이 부착 필름(die attach film)일 수 있다.
접착 필름(350)은 미리 정해진 가공 조건에서는 변형 가능한 물성을 가지고, 상온에서는 변형되지 않는 형태로 경화될 수 있다. 여기서, 미리 정해진 가공 조건이란 상온은 해당되지 않는다. 미리 정해진 가공 조건은 통상적으로, 상온보다 높은 온도 및/또는 상온보다 높은 압력을 의미한다.
접착 필름(350)은 광학필터(300)와 수광면(210) 사이에 위치한 상태에서 미리 정해진 가공 조건에 노출된다. 노출된 상태에서 접착 필름(350)의 두께 등이 조절될 수 있다. 이에 따라 수광면(210)에 대한 광학필터(300)의 이격 거리 및 기울기 등이 조절될 수 있다.
접착 필름(350)은 제1 파장대역에 대해서 투광성이다. 여기서, 제1 파장대역은 적외선 파장대역에 해당할 수 있다. 구체적으로, 접착 필름(350)은 제1 파장대역에 대해서 88% 이상의 투광성을 가질 수 있다. 바람직하게, 접착 필름(350)은 제1 파장대역에 대해서 93% 이상의 투광성을 가질 수 있다. 따라서 광학필터(300)를 통과한 외부의 광은 접착 필름(350)에서 거의 손실되지 않고 수광면(210)에 조사되게 된다. 따라서 수광면(210)은 상대적으로 많은 광을 감지할 수 있고, 이는 센서칩(200)의 센싱 정확도를 향상시키는데 기여한다.
상술한 것과 같이, 접착 필름(350)을 이용하여 광학필터(300)를 수광면(210)에 부착하는 것은 수광면(210)에서 광학필터(300)의 거리를 균일하게 유지할 수 있게 한다. 또한, 접착 필름(350)은 점성이 있는 액상의 에폭시 등의 재질과 달리 상대적으로 고형이기 때문에 광학필터(300)의 상부까지 돌출되도록 형성될 염려가 적다. 또한, 접착 필름(350)은 얇은 두께를 균일하게 유지할 수 있기 때문에, 본 발명의 광학센서 패키지의 높이, 즉, 베이스 기판(100)에서 광학필터(300)까지의 거리를 작게 유지하는데 기여할 수 있다.
베젤부(400)는 베이스 기판(100)에 결합되고, 센서칩(200)의 주변에 위치한다. 구체적으로, 베젤부(400)는 센서칩(200)의 적어도 일부를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 베젤부(400)는 하면이 베이스 기판(100)에 결합되고, 상단은 베이스 기판(100)에서 돌출된 형태로 형성된다. 베젤부(400)에는 평평한 상면이 마련된다. 베젤부(400)의 상면은 센서칩(200)의 수광면(210)과 동일한 평면(P1) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 베젤부(400)의 상면과 센서칩(200)의 수광면(210)은 베이스 기판(100)을 기준으로 동일한 높이에 위치한다. 더욱 구체적으로, 베젤부(400)의 상면과 센서칩(200)의 수광면(210)에 위치하는 하나의 평면은 베이스 기판(100)과 실질적으로 평행할 수 있다.
베이스 기판(100)에는 베젤부(400)가 센서칩(200)보다 먼저 결합될 수 있다. 즉, 베젤부(400)가 먼저 결합되어 베이스 기판(100)을 기준으로 한 높이가 결정되고, 센서칩(200)이 후속적으로 베이스 기판(100)에 결합되면서 수광면(210)이 베젤부(400)의 상면과 동일한 평면(P1) 상에 위치하도록 조절되는 것이다. 센서칩(200)의 위치는 상술한 접착 필름(250)의 형태를 변형하는 것을 통해 조절될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 광학센서 패키지의 단면도이다. 도 4에 도시된 광학센서 패키지는 도 1 내지 도 3을 참조하여 상술한 광학센서 패키지에서 커버 윈도우가 부가된 것이다. 따라서 도 4에 도시된 광학센서 패키지를 설명하는데 있어서, 도 1 내지 도 3의 광학센서 패키지와 다른 점을 중심으로 설명하도록 한다.
도 4를 참조하면, 광학센서 패키지는 커버 윈도우(600)를 더 포함할 수 있다. 커버 윈도우(600)는 수광면(210)과 대향하게 위치할 수 있다. 이는 커버 윈도우(600)가 수광면(210)뿐만 아니라 베이스 기판(100)에도 대향하게 위치함을 의미한다.
커버 윈도우(600)는 본 발명의 광학센서 패키지가 탑재되는 전자 장치의 커버 윈도우일 수 있다. 구체적으로, 커버 윈도우(600)는 전자 장치의 전면을 덮는 것일 수 있다. 또한, 커버 윈도우(600)는 적어도 일 부분은 전자 장치의 디스플레이부를 덮는 것일 수 있다. 이러한 경우, 본 발명의 광학센서 패키지는 커버 윈도우(600)의 하부에 위치하게 된다.
커버 윈도우(600)는 제1 파장대역에 대해서 투광성일 수 있다. 상술한 것과 같이, 여기서 제1 파장대역은 적외선 파장대역에 해당할 수 있다. 그러나 커버 윈도우(600)는 가시광선 대역에 대해서는 제1 파장대역보다 투광성이 상대적으로 낮을 수 있다. 따라서 커버 윈도우(600)를 기준으로 광학센서 패키지의 반대측에서는 광학센서 패키지가 시각적으로 보이지 않거나 흐리게 보일 수 있다. 그러나 센서칩(200)이 감지하려는 광은 커버 윈도우(600)를 통과할 수 있다.
커버 윈도우(600)의 광학센서 패키지 측의 면에는 리세스(610)가 형성될 수 있다. 리세스(610)는 광학센서 패키지의 수광면(210)과 대향하는 부분에 형성될 수 있다. 리세스(610)부는 주변의 다른 부분에 비해서 균일한 깊이를 가지도록 형성될 수 있다.
광학필터(300)의 적어도 일부는 리세스(610)의 내부 공간에 수용될 수 있다. 구체적으로, 광학필터(300)는 센서칩(200)의 수광면(210)이 형성된 면에 대해서 상방으로 돌출되어 있기 때문에 돌출된 부분의 적어도 일부가 리세스(610)의 내부 공간에 수용되는 것이다. 경우에 따라서 광학필터(300)뿐만 아니라 접착 필름(350)의 적어도 일부도 리세스(610)의 내부 공간에 수용될 수 있다. 그러나 이러한 경우에도 광학필터(300)와 커버 윈도우(600)는 이격되어 위치하는 것이 바람직하다.
상술한 구조에 의해서 전자 장치의 슬림화가 달성될 수 있다. 즉, 베이스 기판(100)에서 커버 윈도우(600)까지의 거리를 최대한 작게 형성할 수 있다.
이상, 본 발명의 광학센서 패키지의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 베이스 기판 110: 실장 영역
120: 패드 250: 접착필름
200: 센서칩 210: 수광면
220: 본딩 패드 230: 와이어
300: 광학필터 350: 접착필름
500: 베젤부 600: 커버 윈도우
610: 리세스

Claims (12)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판에 실장되고 수광면을 포함하는 센서칩;
    상기 베이스 기판과 상기 센서칩을 결합시키고, 상온보다 높은 미리 정해진 온도에서 미리 정해진 시간 동안 처리되면 경화되는 다이 부착 필름;
    상기 수광면을 덮는 접착 필름;
    상기 접착 필름에 결합되고, 상기 수광면을 덮는 광학필터;
    상기 수광면과 대향하고, 상기 수광면과 대향하는 부분에 형성되어 상기 광학 필터의 적어도 일부가 내부 공간에 수용되는 리세스를 포함하는 커버 윈도우; 및
    하면이 상기 베이스 기판에 결합되고, 상기 센서칩의 주변에 위치하는 베젤부를 포함하고,
    상기 센서칩은 상기 수광면이 형성된 면과 인접하여 단차지게 형성된 일면을 더 포함하고,
    상기 일면에는 상기 베이스 기판과 상기 센서칩을 전기적으로 연결하는 와이어가 결합되는 본딩 패드가 형성되고,
    상기 다이 부착 필름은 상기 센서칩의 수광면과 상기 베젤부의 상면이 상기 베이스 기판을 기준으로 동일한 높이에 위치하도록 두께가 조절된 상태로 경화되고,
    상기 광학필터는 제1 파장대역을 통과대역으로 가지고,
    상기 접착 필름은 상기 제1 파장대역에 대해서 투광성인 광학센서 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 파장대역은 적외선 파장대역인 광학센서 패키지.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 커버 윈도우는 상기 제1 파장대역에 대해서 투광성이고, 가시광선 대역에 대해서는 상기 제1 파장대역보다 투광성이 상대적으로 낮은 광학센서 패키지.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 커버 윈도우와 상기 광학필터는 이격되어 위치하는 광학센서 패키지.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 접착 필름은 상기 제1 파장대역에 대해서 투광성이 93% 이상인 광학센서 패키지.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 파장대역의 광을 방출하는 발광부를 더 포함하고,
    상기 센서칩은 지문인식용 센서칩인 광학센서 패키지.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020060318A1 (ko) * 2018-09-21 2020-03-26 삼성전자 주식회사 보호필름 및 그를 포함하는 전자 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111164609B (zh) * 2019-06-14 2023-10-13 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置和电子设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012173347A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Seiko Epson Corp 光モジュールおよび電子機器
KR101415644B1 (ko) * 2013-03-21 2014-07-04 주식회사 유니온커뮤니티 광학식 지문 입력 장치 및 그 지문입력방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100713347B1 (ko) * 2004-11-05 2007-05-04 삼성전자주식회사 이미지 센서 조립체 및 그 제작 방법
KR100775136B1 (ko) * 2006-04-19 2007-11-08 삼성전기주식회사 이미지센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 및 이의제조방법 및 칩 스케일 패키지를 이용한 카메라 모듈
KR20120117553A (ko) * 2011-04-15 2012-10-24 삼성전기주식회사 카메라 모듈

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012173347A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Seiko Epson Corp 光モジュールおよび電子機器
KR101415644B1 (ko) * 2013-03-21 2014-07-04 주식회사 유니온커뮤니티 광학식 지문 입력 장치 및 그 지문입력방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020060318A1 (ko) * 2018-09-21 2020-03-26 삼성전자 주식회사 보호필름 및 그를 포함하는 전자 장치
US11842561B2 (en) 2018-09-21 2023-12-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Protective film and electronic device including same

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