KR20170098476A - 지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170098476A
KR20170098476A KR1020160020421A KR20160020421A KR20170098476A KR 20170098476 A KR20170098476 A KR 20170098476A KR 1020160020421 A KR1020160020421 A KR 1020160020421A KR 20160020421 A KR20160020421 A KR 20160020421A KR 20170098476 A KR20170098476 A KR 20170098476A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base substrate
molding
cutting
laser
circuit board
Prior art date
Application number
KR1020160020421A
Other languages
English (en)
Inventor
정지성
심현섭
송용환
허재석
민빈홍
Original Assignee
(주)파트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)파트론 filed Critical (주)파트론
Priority to KR1020160020421A priority Critical patent/KR20170098476A/ko
Priority to PCT/KR2017/001927 priority patent/WO2017146451A1/ko
Publication of KR20170098476A publication Critical patent/KR20170098476A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • G06K9/0002
    • G06K9/00053
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3164Partial encapsulation or coating the coating being a foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3185Partial encapsulation or coating the coating covering also the sidewalls of the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/98Methods for disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

지문인식 센서 패키지가 개시된다. 본 발명의 지문인식 센서 패키지는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 상면에 실장된 지문인식 센서 칩 및 상기 지문인식 센서 칩 및 상기 베이스 기판의 상면을 덮으며 봉지하는 몰딩부를 포함하고, 상기 베이스 기판의 측면은 절삭면으로 형성되고, 상기 몰딩부의 측면 중 적어도 일부는 레이저 절단면으로 형성된다.

Description

지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법{FIBGERPRINT SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 스마트 디바이스 등 전자 장치에 탑재되어 본인 인증 수단으로 사용되는 지문인식 센서의 패키지 구조와 그 제조 방법에 관한 것이다.
스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 스마트 워치 등 전자 장치가 다양한 개인정보를 취급하고 금융 기능을 지원하면서 전자 장치의 보안이 중요해지고 있다. 따라서 최근의 이러한 전자 장치는 생체 인식 기능을 이용한 보안 센서를 탑재하는 추세이다. 예를 들어, 몇몇 전자 장치에는 사용자의 지문의 패턴을 인식할 수 있는 지문인식 센서가 탑재되어 있다.
지문인식 센서 패키지는 그 자체의 특성상 측정하려는 지문과 접촉하기 위한 노출 부분을 가진다. 그러나 센서 패키지의 노출 부분의 결합성이 나쁘면, 전자 장치의 전체적인 미감을 훼손할 수 있다.
또한, 지문인식 센서 패키지는 전자 장치의 소형화 및 박형화에 중요한 요소이다. 지문인식 센서 패키지와 전자 장치의 기구물의 결합성이 향상되는 것에 의해 전자 장치의 소형화가 가능하다.
따라서 결합성이 뛰어나면서도 탑재되는 전자 장치의 소형화 및 박형화에 기여할 수 있는 지문인식 센서 패키지의 구조가 요구되고 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 코팅층의 손상이 없어 미감이 우수한 지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 제조 공정에 간소하고 조립성이 우수하여 제조 단가가 저렴한 지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기과제를 해결하기 위한 본 발명의 지문인식 센서 패키지는, 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 상면에 실장된 지문인식 센서 칩 및 상기 지문인식 센서 칩 및 상기 베이스 기판의 상면을 덮으며 봉지하는 몰딩부를 포함하고, 상기 베이스 기판의 측면은 절삭면으로 형성되고, 상기 몰딩부의 측면 중 적어도 일부는 레이저 절단면으로 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판의 측면과 상기 몰딩부의 측면은 연속된 면으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 레이저 절단면은 상기 몰딩부의 측면 중 상부 측면에 형성되고, 상기 몰딩부의 하부 측면은 절삭면으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판의 측면에 형성된 절삭면과 상기 몰딩부의 하부 측면에 형성된 절삭면에는 블레이딩 패턴이 형성되고, 상기 블레이딩 패턴은 상기 베이스 기판의 측면과 상기 몰딩부의 하부 측면에 연속하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 절삭면에는 음각 또는 양각으로 형성된 블레이딩 패턴이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판 및 상기 몰딩부의 측면의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되는 베젤부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 몰딩부의 상면에 결합 되는 코팅층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판의 하면에 결합 되는 연장 회로기판을 더 포함하고, 상기 베젤부는 상기 연장 회로기판과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 연장 회로기판은 접지부를 포함하고, 상기 베젤부는 상기 접지부와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기과제를 해결하기 위한 본 발명의 지문인식 센서 패키지의 제조 방법은, 베이스 기판을 마련하는 단계, 상기 베이스 기판의 상면에 지문인식 센서 칩을 실장하는 단계, 상기 지문인식 센서 칩 및 상기 베이스 기판의 상면을 덮으며 봉지하도록 몰딩부를 형성하는 단계, 상기 몰딩부의 상면에 코팅층을 형성하는 단계, 상기 베이스 기판의 외곽부 중 적어도 일부를 절삭하여 제거하는 단계 및 상기 몰딩부의 외곽부 중 적어도 일부를 레이저로 절단하여 제거하는 단계를 포함한다
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 절삭하여 제거하는 단계에서, 상기 베이스 기판의 외곽부 중 적어도 일부와 상기 몰딩부의 하부 외곽부 중 적어도 일부를 함께 절삭하여 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 레이저로 절단하여 제거하는 단계는, 레이저를 상방에서 하방으로 조사하여 상기 몰딩부의 외곽부 중 적어도 일부와 함께 상기 코팅층의 일부를 절단하여 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 레이저로 절단하여 제거하는 단계는, 상기 몰딩부의 상부 외곽부를 레이저로 절단하여 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판의 절삭면 및 상기 몰딩부의 절단면의 적어도 일부를 둘러싸도록 베젤부를 결합시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판의 하면에 연장 회로기판을 결합하는 단계를 더 포함하고, 상기 연장 회로기판을 결합하는 단계는 상기 베젤부를 상기 연장 회로기판과 전기적으로 연결하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 절삭하여 제거하는 단계는 블레이드를 이용하여 절삭하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 코팅층을 형성하는 단계가 수행되기 전에, 상기 베이스 기판의 하면에 연장 회로기판을 결합하는 단계가 수행되고, 상기 레이저로 절단하여 제거하는 단계는, 레이저를 조사하기 전에 절단 부분과 대향하는 상기 연장 회로기판의 상면에 보호층을 형성하는 단계 및 상기 레이저를 상방에서 하방으로 조사하여 상기 몰딩부의 외곽부 중 적어도 일부와 함께 상기 코팅층의 일부를 절단하여 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지문인식 센서 패키지는 코팅층의 손상이 없어 미감이 우수하다는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 지문인식 센서 패키지는 제조 공정에 간소하고 조립성이 우수하여 제조 단가가 저렴하다는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지문인식 센서 패키지의 단면도이다.
도 2는 도 1의 측면 부분을 도시한 측면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 지문인식 센서 패키지의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 지문인식 센서 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 지문인식 센서 패키지의 제조 방법의 각 단계의 공정 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 첨부한 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 지문인식 센서 패키지에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지문인식 센서 패키지의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 지문인식 센서 패키지는 베이스 기판(100), 지문인식 센서 칩(200), 몰딩부(300)및 코팅층(400)을 포함한다.
베이스 기판(100)은 평판 형태로 형성된다. 베이스 기판(100)은 인쇄회로기판(PCB; Printed Circuit Board)으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 베이스 기판(100)은 경성의 인쇄회로기판(Rigid PCB)이거나 연성의 인쇄회로기판(Flexible PCB)이거나, 경성의 부분과 연성의 부분이 결합된 인쇄회로기판(Rigid-Flexible PCB)로 형성될 수 있다. 베이스 기판(100)이 연성의 인쇄회로기판인 경우에 연성의 인쇄 회로기판의 하부에 스티프너(stiffener)가 결합 되어 형태를 유지할 수 있다.
베이스 기판(100)의 상면에는 신호 패드(110)가 형성되어 있다. 신호 패드(110)는 추후 설명할 지문인식 센서 칩(200)이 연결될 수 있다. 베이스 기판(100)의 하면에는 터미널 패드(120)가 형성될 수 있다. 터미널 패드(120)에 의해 베이스 기판(100)은 개별 센서 패키지가 전자 장치에 실장 되는 경우, 전자 장치의 회로 기판에 LGA(Land Grid Array) 방식으로 결합 될 수 있다.
지문인식 센서 칩(200)은 베이스 기판(100)의 상면 상에 위치한다. 지문인식 센서 칩(200)은 베이스 기판(100)보다 작게 형성되어, 베이스 기판(100)의 상면 중 중앙부에 위치하는 것이 바람직하다.
지문인식 센서 칩(200)은 베이스 기판(100)과 다양한 방식으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 것과 같이 지문인식 센서 칩(200)은 BGA(Ball Grid Array) 방식으로 베이스 기판(100)에 연결될 수 있다. 이를 위해, 지문인식 센서 칩(200)은 하면에 솔더 패드가 형성되어 있고, 솔더볼은 센서 칩(200)과 베이스 기판(100) 사이에 위치하여, 지문인식 센서 칩(200)의 솔더 패드와 베이스 기판(100)의 신호 패드(110)를 전기적으로 연결할 수 있다. 또한, 지문인식 센서 칩(200)은 베이스 기판(100)과 와이어 본딩 방식으로 연결될 수도 있다.
지문인식 센서 칩(200)은 인식하려는 지문과 신호를 송수신하는 송수신부를 포함할 수 있다. 송수신부는 지문인식 센서 칩(200)의 상면에 형성될 수 있다. 송수신부는 인식하려는 지문과 직접 접촉하여 신호를 송수신할 수도 있고, 다른 중간층을 매개로 하여 신호를 송수신할 수도 있다. 도 1에는 지문인식 센서 칩(200)의 상면에 소정의 두께로 몰딩부(300)가 위치하도록 도시되어 있다. 따라서 송수신부와 인식하려는 지문 간의 신호는 사이의 몰딩부(300)를 통과하여 전달되게 된다.
몰딩부(300)는 지문인식 센서 칩(200)을 덮으며 봉지한다. 또한, 몰딩부(300)는 지문인식 센서 칩(200)이 실장된 베이스 기판(100)의 상면 부분의 주변 부분을 덮도록 형성된다. 몰딩부(300)는 지문인식 센서 칩(200)의 측면과 상면을 직접 덮도록 형성된다. 몰딩부(300)는 베이스 기판(100)의 상면 전체를 덮도록 형성될 수 있다.
몰딩부(300) 중 지문인식 센서 칩(200)의 상면을 덮는 부분은 미리 정해진 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 이 부분은 송수신부의 신호가 통과하게 되는데, 신호의 전달 효율은 이 부분의 두께와 밀접하게 관련되기 때문이다. 구체적으로, 몰딩부(300)는 지문인식 센서 칩(200)의 상면을 충분한 두께로 덮도록 형성되고, 상면 일부가 연마 등의 과정을 통해 제거되어 상기 미리 정해진 두께로 가공될 수 있다.
신호가 몰딩부(300)를 통과하여 전달되는 것은 지문인식 센서 칩(200) 상면 상의 정전용량에 관련된다. 구체적으로, 신호가 원활하게 인식하려는 지문까지 전달되기 위해서는 지문인식 센서 칩(200) 상면 상의 몰딩부(300)가 일정 수준 이상의 정전용량(C)을 가져야 한다. 임의의 물체의 정전용량(C)은 아래와 같은 식에 의해서 결정된다.
Figure pat00001
εr은 몰딩부(300)의 비유전율이고, S는 지문이 접촉하게 되는 면적이고, d는 지문인식 센서 칩(200) 상면 상의 블록 몰딩부(300)의 두께에 해당한다. 여기서, 지문이 접촉하게 되는 면적(S)는 고정된 값에 해당하므로 정전용량(C)를 증가시키기 위해서는 몰딩부(300)의 재질을 비유전율(ε)이 높은 것으로 사용하거나, 지문인식 센서 칩(200) 상면 상의 블록 몰딩부(300)의 두께(d)를 줄여야 한다.
따라서 몰딩부(300)는 적어도 비유전율이 3.6이상인 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 몰딩부(300)는 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound) 재질로 형성될 수 있다. 에폭시 몰딩 컴파운드는 다양한 비유전율을 가지는 제품이 널리 사용되고 있으나, 비유전율이 3.6이상인 것을 쉽게 찾을 수 있다.
몰딩부(300)의 상면에는 코팅층(400)이 형성될 수 있다. 코팅층(400)은 몰딩부(300)의 상면이 외부의 자극이나 충격에 의해서 손상되는 것을 억제할 수 있다. 코팅층(400)은 센서 칩(200)의 상부의 몰딩부(300)보다 매우 얇은 박막 형태로 형성된다.
코팅층(400)이 몰딩부(300)의 상면에 형성되는 경우, 센서 칩(200)의 출력부 및 입력부의 신호는 센서 칩(200) 상부의 몰딩부(300)와 함께 코팅층(400)도 통과하게 된다. 코팅층(400)은 두께가 상대적으로 얇게 형성되어 신호가 원활하게 전달될 수 있다.
도 2는 도 1의 측면 부분을 도시한 측면도이다. 도 1과 함께 도 2를 참조하여, 베이스 기판(100)과 몰딩부(300)의 측면(150, 350)에 대해서 설명하도록 한다.
몰딩부(300)는 베이스 기판(100)의 상면 전체를 덮도록 형성되고, 측면은 수직하게 절단된 면으로 형성될 수 있다. 따라서 베이스 기판의 측면(150)과 몰딩부의 측면(350)은 서로 연속한 면으로 형성되고, 수직한 형태로 형성될 수 있다.
베이스 기판의 측면(150)은 절삭면으로 형성될 수 있다. 절삭면은 블레이드 등의 절삭 기구에 의해 절단된 면을 의미한다. 절삭면에는 절삭 과정에서 형성된 절삭 블레이딩 패턴이 형성될 수 있다. 블레이딩 패턴은 절삭면에 음각 또는 양각으로 형성된 패턴을 의미한다.
몰딩부의 측면(350) 중 베이스 기판의 측면(150)과 인접한 하부 측면(352)은 베이스 기판의 측면(150)과 마찬가지로 절삭면으로 형성될 수 있다. 이는, 베이스 기판(100)을 절삭하면서 몰딩부의 하부 측면(352)을 함께 절삭함에 따라 형성된 것이다. 따라서 베이스 기판의 측면(150)과 몰딩부의 하부 측면(352)에는 연속된 블레이딩 패턴이 형성될 수 있다.
몰딩부의 측면(350) 중 코팅층(400)과 인접한 상부 측면(351)은 레이저 절단면으로 형성될 수 있다. 또한, 코팅층의 측면(450)도 레이저 절단면으로 형성될 수 있다. 레이저 절단면은 레이저가 절단 부분에 조사되어 절단된 면이다. 절단면은 레이저에 의해 용융된 흔적이 형성될 수 있다.
상술한 절삭면(150, 352)과 레이저 절단면(351, 450)은 연속되는 면으로 형성되는 것이 바람직하지만, 절단과 절삭 공정에 따른 공차에 의해 경계 부분에 약간의 단차가 형성될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 지문인식 센서 패키지의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 지문인식 센서 패키지는 상술한 구성에 더불어 연장 회로기판(600) 및 베젤부(500)를 포함할 수 있다.
연장 회로기판(600)은 베이스 기판(100)의 하면에 결합될 수 있다. 연장 회로기판(600)은 베이스 기판(100)의 하면의 터미널 패드(120)와 전기적으로 연결되어 신호 및 전력을 전달할 수 있다.
베젤부(500)는 베이스 기판(100) 및 몰딩부(300)의 측면(350)의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치된다. 베이스 기판(100) 및 몰딩부(300)의 측면(150, 350)에 있어서, 절삭면과 레이저 절단면이 실질적으로 단차지지 않고 연속적으로 형성됨에 따라 베젤부(500)는 측면과 밀착되게 배치될 수 있다.
베젤부(500)는 베이스 기판(100) 또는 연장 회로기판(600)의 접지부와 전기적으로 연결될 수 있다. 베이스 기판(100) 및/또는 연장 회로기판(600)은 접지부를 포함할 수 있고, 베젤부(500)는 접지부와 은(Ag) 에폭시와 같은 전도성 접착 부재에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라 지문인식 센서 패키지의 전기적 안정성을 도모할 수 있다.
이하, 첨부한 도 4 내지 도 12를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 지문인식 센서 패키지의 제조 방법에 대해 설명한다.
이하 설명할 지문인식 센서 패키지의 제조 방법은 상술한 지문인식 센서 패키지를 제조하는 방법에 해당한다. 따라서 설명의 편의성을 위해서 상술한 설명과 중복되는 내용 중 일부는 생략하도록 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 지문인식 센서 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4를 참조하면, 지문인식 센서 패키지의 제조 방법은 베이스 기판을 마련하는 단계(S100), 지문인식 센서 칩을 실장 하는 단계(S200), 몰딩부를 형성하는 단계(S300), 절삭하여 제거하는 단계(S400), 연장 회로기판을 결합하는 단계(S500), 코팅층을 형성하는 단계(S600), 레이저로 절단하는 단계(S700) 및 베젤부결합 단계(S800)를 포함한다.
도 5에 도시된 것과 같이, 베이스 기판을 마련하는 단계(S100), 지문인식 센서 칩을 실장 하는 단계(S200) 및 몰딩부를 형성하는 단계(S300)가 수행된다.
베이스 기판(100)과 몰딩부(300)는 제거 영역(130, 330)과 잔여 영역으로 구분될 수 있다. 제거 영역(130, 330)은 후속되는 공정(구체적으로, 절삭 공정 또는 레이저 절단 공정)에 의해 분리되어 제거될 영역이고, 잔여 영역은 완성품을 형성하는 영역이다. 제거 영역(130, 330)은 외곽 영역에 해당하고, 잔여 영역은 제거 영역에 의해 둘러싸인 중앙 영역에 해당한다. 몰딩부(300)의 제거 영역(330)은 베이스 기판(100)의 제거 영역(130) 상에 형성되고, 몰딩부(300)의 잔여 영역은 베이스 기판(100)의 잔여 영역 상에 형성될 수 있다.
도 6을 참조하여, 절삭하여 제거하는 단계(S400)를 설명하도록 한다. 절삭하여 제거하는 것은 블레이드 커터와 같은 기구에 의해 수행될 수 있다. 베이스 기판(100)의 외곽 영역에 해당하는 제거 영역(110)과 이와 인접하는 몰딩부(300)의 하부 외곽 영역에 해당하는 하부 제거 영역(331)이 제거된다. 절삭됨에 따라 잔여 영역의 측면(150, 352)에는 블레이딩 패턴이 남게 된다. 베이스 기판(100)과 몰딩부(300)의 하부 부분이 한 번에 절삭됨에 따라 블레이딩 패턴은 연속된 패턴 모양을 가지게 된다.
도 7을 참조하며, 연장 회로기판을 결합하는 단계(S500)를 설명하도록 한다. 연장 회로기판(600)은 베이스 기판(100)의 하면과 결합 된다. 연장 회로기판(600)은 베이스 기판(100)의 하면과 표면실장기술(SMT: Surface Mounting Technology) 방식을 이용해서 결합 될 수 있다.
연장 회로기판(600)의 일부는 몰딩부(300)의 상부 제거 영역(332)과 대향되게 된다. 구체적으로, 연장 회로기판(600)의 일부는 몰딩부(300)의 상부 제거 영역(332)과 절삭하여 제거된 부분을 사이에 두고 대향 된다.
도 8을 참조하여, 코팅층을 형성하는 단계(S600)를 설명하도록 한다. 코팅층(400)은 몰딩부(300)의 상면에 형성된다. 코팅층(400)은 지문인식 센서 칩(200)의 상부의 몰딩부보다 매우 얇은 박막 형태로 형성된다.
코팅층을 형성하는 단계(S600)는 연장 회로기판이 결합(S500)된 이후에 형성되는 것이 바람직하다. 상술한 것과 같이, 연장 회로기판(600)은 베이스 기판(100)과 결합 되는 과정에서 표면실장기술이 사용되게 된다. 이 과정에서 고온의 열처리가 수행되는데, 코팅층(400)은 열처리 과정에서 손상될 수 있다. 따라서 코팅층(400)은 열처리 공정이 수행된 이후에 형성되는 것이 바람직하다.
도 9를 참조하여, 레이저로 절단하는 단계(S700)를 설명하도록 한다. 레이저 절단 과정에서 몰딩부(300)의 상부 제거 영역(332)과 그 상면에 형성된 코팅층의 일부(430)가 절단되어 제거된다. 레이저는 상방에서 하방으로 조사된다.
레이저를 조사하기 전에, 연장 회로기판(600)에 보호층(610)을 형성한다. 레이저를 상방에서 하방으로 조사하면, 몰딩부(300)를 통과한 레이저가 연장 회로기판(600)에 도달한다. 따라서 연장 회로기판(600)이 손상될 수 있다. 따라서 연장 회로기판(600) 중 레이저 절단 부분과 대향 하는 연장 회로기판(600)의 상면을 보호층(610)으로 덮는다. 보호층(610)은 금속 재질이나 강도가 높은 재질로 형성되어 레이저가 통과되지 않는 것이 바람직하다. 레이저에 의한 절단 공정이 완료되면 보호층(610)을 제거할 수 있다.
절삭 공정에 의해 몰딩부(300)의 하부 제거 영역(331)과 베이스 기판(100)의 제거 영역(130)은 이미 제거되었으므로, 레이저를 조사하여 코팅층의 일부(430)와 몰딩부(300)의 상부 제거 영역(332)만을 절단하여 제거한다.
레이저를 조사하여 절단하는 것은 절삭 공정보다 공정 단가가 높고, 시간이 오래 걸린다는 단점이 있다. 또한, 레이저를 상대적으로 오래 조사하여 절단하게 되면, 일부 영역이 연소되거나 열 변형되어 손상되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서 본 발명에서는 레이저로 절단하기 전에 절삭 공정을 통해 절단면을 최소화한다.
도 10을 참조하여, 베젤부를 결합하는 단계를(S800) 포함한다. 베젤부(500)는 베이스 기판(100) 또는 연장 회로기판(600)의 접지부와 전기적으로 연결될 수 있다. 베젤부(500)는 접지부와 은 에폭시와 같은 전도성 접착 부재(510)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 전도성 접착 부재(510)로 전기적으로 연결하는 것은 열 처리 과정이 필요하지 않으므로 이미 형성된 코팅층(400)이 손상될 염려가 적다.
이상, 본 발명의 지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 베이스 기판 150: 베이스 기판의 측면
110: 신호 패드 120: 터미널 패드
200: 지문인식 센서 칩 300: 몰딩부
350: 몰딩부의 측면 400: 코팅층
500: 베젤부 600: 연장 회로기판

Claims (17)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 상면에 실장된 지문인식 센서 칩; 및
    상기 지문인식 센서 칩 및 상기 베이스 기판의 상면을 덮으며 봉지하는 몰딩부를 포함하고,
    상기 베이스 기판의 측면은 절삭면으로 형성되고,
    상기 몰딩부의 측면 중 적어도 일부는 레이저 절단면으로 형성되는 지문인식 센서 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 측면과 상기 몰딩부의 측면은 연속된 면으로 형성되는 지문인식 센서 패키지.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 레이저 절단면은 상기 몰딩부의 측면 중 상부 측면에 형성되고,
    상기 몰딩부의 하부 측면은 절삭면으로 형성되는 지문인식 센서 패키지.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 측면에 형성된 절삭면과 상기 몰딩부의 하부 측면에 형성된 절삭면에는 블레이딩 패턴이 형성되고,
    상기 블레이딩 패턴은 상기 베이스 기판의 측면과 상기 몰딩부의 하부 측면에 연속하여 형성된 지문인식 센서 패키지.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 절삭면에는 음각 또는 양각으로 형성된 블레이딩 패턴이 형성된 지문인식 센서 패키지.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 베이스 기판 및 상기 몰딩부의 측면의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되는 베젤부를 더 포함하는 지문인식 센서 패키지.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 몰딩부의 상면에 결합 되는 코팅층을 더 포함하는 지문인식 센서 패키지 모듈.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 하면에 결합되는 연장 회로기판을 더 포함하고,
    상기 베젤부는 상기 연장 회로기판과 전기적으로 연결되는 센서 패키지 모듈.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 연장 회로기판은 접지부를 포함하고,
    상기 베젤부는 상기 접지부와 전기적으로 연결되는 센서 패키지 모듈.
  10. 베이스 기판을 마련하는 단계;
    상기 베이스 기판의 상면에 지문인식 센서 칩을 실장하는 단계;
    상기 지문인식 센서 칩 및 상기 베이스 기판의 상면을 덮으며 봉지하도록 몰딩부를 형성하는 단계;
    상기 몰딩부의 상면에 코팅층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판의 외곽부 중 적어도 일부를 절삭하여 제거하는 단계; 및
    상기 몰딩부의 외곽부 중 적어도 일부를 레이저로 절단하여 제거하는 단계를 포함하는 지문인식 센서 패키지의 제조 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 절삭하여 제거하는 단계에서,
    상기 베이스 기판의 외곽부 중 적어도 일부와 상기 몰딩부의 하부 외곽부 중 적어도 일부를 함께 절삭하여 제거하는 지문인식 센서 패키지의 제조 방법.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 레이저로 절단하여 제거하는 단계는,
    레이저를 상방에서 하방으로 조사하여 상기 몰딩부의 외곽부 중 적어도 일부와 함께 상기 코팅층의 일부를 절단하여 제거하는 지문인식 센서 패키지의 제조 방법.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 레이저로 절단하여 제거하는 단계는,
    상기 몰딩부의 상부 외곽부를 레이저로 절단하여 제거하는 지문인식 센서 패키지의 제조 방법.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 절삭면 및 상기 몰딩부의 절단면의 적어도 일부를 둘러싸도록 베젤부를 결합시키는 단계를 더 포함하는 지문인식 센서 패키지의 제조 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 하면에 연장 회로기판을 결합하는 단계를 더 포함하고,
    상기 연장 회로기판을 결합하는 단계는 상기 베젤부를 상기 연장 회로기판과 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 지문인식 센서 패키지의 제조 방법.
  16. 제10 항에 있어서,
    상기 절삭하여 제거하는 단계는 블레이드를 이용하여 절삭하는 것인 지문인식 센서 패키지의 제조 방법.
  17. 제10 항에 있어서,
    상기 코팅층을 형성하는 단계가 수행되기 전에, 상기 베이스 기판의 하면에 연장 회로기판을 결합하는 단계가 수행되고,
    상기 레이저로 절단하여 제거하는 단계는,
    레이저를 조사하기 전에 절단 부분과 대향하는 상기 연장 회로기판의 상면에 보호층을 형성하는 단계; 및
    상기 레이저를 상방에서 하방으로 조사하여 상기 몰딩부의 외곽부 중 적어도 일부와 함께 상기 코팅층의 일부를 절단하여 제거하는 단계를 포함하는 지문인식 센서 패키지의 제조 방법.
KR1020160020421A 2016-02-22 2016-02-22 지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법 KR20170098476A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160020421A KR20170098476A (ko) 2016-02-22 2016-02-22 지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법
PCT/KR2017/001927 WO2017146451A1 (ko) 2016-02-22 2017-02-22 지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160020421A KR20170098476A (ko) 2016-02-22 2016-02-22 지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170098476A true KR20170098476A (ko) 2017-08-30

Family

ID=59686438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160020421A KR20170098476A (ko) 2016-02-22 2016-02-22 지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20170098476A (ko)
WO (1) WO2017146451A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11538268B2 (en) 2020-10-28 2022-12-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Fingerprint sensor package and smartcard including the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109670372A (zh) * 2017-10-13 2019-04-23 南昌欧菲生物识别技术有限公司 指纹模组

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103038782A (zh) * 2010-06-18 2013-04-10 奥森泰克公司 包括在感测区域上的包封层的手指传感器和相关方法
KR20140076712A (ko) * 2012-12-13 2014-06-23 (주)파트론 지문인식모듈 및 그 제조방법
JP6250429B2 (ja) * 2014-02-13 2017-12-20 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR101558439B1 (ko) * 2014-04-09 2015-10-12 (주)드림텍 모바일 기기의 지문인식 모듈 제조방법 및 그 지문인식 모듈
KR20160002442A (ko) * 2014-06-30 2016-01-08 (주)드림텍 모바일 기기의 지문인식센서 패키징 방법 및 구조

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11538268B2 (en) 2020-10-28 2022-12-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Fingerprint sensor package and smartcard including the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017146451A1 (ko) 2017-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210373709A1 (en) Fingerprint sensor and button combinations and methods of making same
US7880282B2 (en) Semiconductor package with integrated heatsink and electromagnetic shield
US20180336393A1 (en) Fingerprint sensing unit
US10061962B2 (en) Fingerprint identification module and manufacturing method thereof
US20170012142A1 (en) Printed circuit board assembly forming enhanced fingerprint module
CN106548123B (zh) 指纹感测装置及其制造方法
US20170243045A1 (en) Fingerprint identification module and manufacturing method thereof
JP2002520627A (ja) 生物測定学的なセンサおよび該センサを製造する方法
KR20160055592A (ko) 지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법
KR20160091493A (ko) 지문센서 모듈 및 이의 제조방법
KR20170098476A (ko) 지문인식 센서 패키지 및 그 제조 방법
CN111344718A (zh) 具有期望的部件轮廓的指纹传感器封装以及用于制造该指纹传感器封装的方法
US10734435B2 (en) Image capturing module and manufacturing method thereof
KR101872755B1 (ko) 광학센서 패키지
US10025969B2 (en) Fingerprint identification module and manufacturing method thereof
TWM515144U (zh) 指紋感測裝置
US11404361B2 (en) Method for fabricating package structure having encapsulate sensing chip
KR101898052B1 (ko) 광학센서 패키지 및 그 제조 방법
KR20180128142A (ko) 광학센서 패키지 및 그 제조 방법
US8912641B1 (en) Low profile electronic package and associated methods
KR101670894B1 (ko) 반도체 패키지의 제조 방법
KR101661919B1 (ko) 반도체 패키지의 제조 방법
US20170193264A1 (en) Trackpad semiconductor package of smart device and manufacturing method of same
KR20160126725A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR20170073040A (ko) 센서 어레이 패키지 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment