CN1551080A - 电流驱动装置及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电流驱动装置及显示装置，其目的在于：提供一种在将它用于显示装置的情况下，能够抑制显示不一致性等图像显示失真的电流驱动装置。电流驱动装置，包括：基准电流源58、接在基准电流源58上的第一MIS场效应晶体管53、与第一MIS场效应晶体管53构成电流镜电路并用以分配基准电流的多个电流分配用MIS场效应晶体管55、接在电流分配用MIS场效应晶体管55上的电流输入用MIS场效应晶体管57、具有与电流输入用MIS场效应晶体管57构成电流镜电路的MIS场效应晶体管并用以提供像素电路的驱动电流的多个电流供给部59。具有了多个电流分配用MIS场效应晶体管55以后，便能抑制电流供给部53内的MIS场效应晶体管的栅极电位的变动，从而能够抑制在显示装置中产生交叉串扰现象。

Description

电流驱动装置及显示装置
技术领域
本发明涉及一种电流驱动装置，特别涉及一种非常适合作有机电发光(Electroluminescence)面板等的显示用驱动器的电流驱动装置的技术。
背景技术
近年来，有机电发光显示面板等平面面板显示器，正不断地朝着大型化、高精细化、薄型化、轻量化及低成本化发展。一般情况下，喜欢用有源矩阵方式来作大型、高精细显示面板的驱动方式。下面，对现有的有源矩阵型显示面板的显示用驱动器进行说明。
图20为一电路图，示出了显示面板、接在显示面板上的显示用驱动器即现有电流驱动装置的结构。这里，显示面板为有机电发光面板。
如该图所示，现有的电流驱动装置，包括：将驱动电流提供给设在显示面板上的多个像素电路1005a1、1005a2、…1005an(以下在不区分每一个像素电路的时候便统称其为像素电路1005a)中的每一个像素电路的电流供给部1001a1、1001a2、…1001an(以下在不区分每一个电流供给部的时候便统称其为电流供给部1001a)、将基准电流提供给每一个电流供给部1001a的基准电流供给部(偏流电路)1101。需提一下，在该说明书中“基准电流”除了表示从基准电流源流出的一定值的电流外，还表示来自基准电流源的电流由电流镜电路传递后的电流。
在为电视用显示装置等显示面板的尺寸较大的情况下，多数电流供给部1001a是分开设在多个半导体芯片1105上的。这些半导体芯片1105经常设在显示面板的框上。
像素电路1005a1、1005a2、…1005an中的每一个像素电路，都包括：通过信号线接在电流供给部1001a上的P沟道型第一薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)1104、与第一薄膜晶体管1104构成电流镜电路的第二薄膜晶体管1102、以及根据由第二薄膜晶体管1102提供的电流发光的有机电发光元件1103。
基准电流供给部1101，包括：一端接收电源电压的P沟道型第一MIS场效应晶体管1108、接在第一MIS场效应晶体管1108上用以产生基准电流的电阻1107、与第一MIS场效应晶体管1108构成电流镜电路的P沟道型第二MIS场效应晶体管1109、接在第二MIS场效应晶体管1109上用以将基准电流传递给电流供给部1001a的N沟道型电流输入用MIS场效应晶体管1110。
在控制m位灰阶的情况下，每一个电流供给部1001a，都拥有：并列着布置在接在像素电路1005a中的输出部的电流源1112-1、1112-2、…、1112-m(m为正整数)、控制电流流过/不流过电流源1112-1、1112-2、…、1112-m中的每一个电流源的开关1115-1、1115-2、…、1115-m。这里，每一个电流源1112-1、1112-2、…、1112-m由与电流输入用MIS场效应晶体管1110构成电流镜电路的N沟道型MIS场效应晶体管构成。每一个开关1115-1、1115-2、…、1115-m根据显示数据独立地进行开、关操作。
图23示出了现有电流驱动装置中电流供给部的电路布置及电路结构。这里，示出的是每一个中设置6个电流源、64灰阶用电流供给部。电流源1112-1、1112-2、…、1112-6中分别设置了1个、2个、…、32个尺寸及特性相同的MIS场效应晶体管。这些MIS场效应晶体管的平面布置情况，如图23中的上半部分所示，连接时保证相邻的MIS场效应晶体管接在同一个输出部上。
按照上述结构，电流供给部1001a实质上起电流加法型D/A变换器的作用，接收显示数据作数字信号，从输出部吸入其大小对应于那一显示数据的电流作模拟信号。
众所周知，有机电发光元件与二极管一样具有整流性，根据通电的电流量改变其亮度。在像素电路1005a中流过有机电发光元件1103的电流量根据流过薄膜晶体管1104的电流量而变化。因此，有机电发光元件1103由电流供给部1001a进行电流驱动，而改变其亮度。
如上所述，电流驱动装置根据显示数据电流驱动显示面板中的多个像素电路1005a，而实现灰阶显示(例如参考特开平11-88072号公报，特开平11-340765号公报)。
[专利文献]日本国公开特许公报特开2000-276108
然而，在具有上述结构的显示装置中，在图像的显示过程中会看到显示不一致性(nonuniformity)等图像显示失真。其原因如下所述。
首先，认为出现了所谓的交叉串扰现象，即由于来自显示面板的电荷注入、瞬时的偏压变动等引起的显示失真。下面对它加以说明。
图21(a)为显示面板上的黑白显示之例的图；图21(b)为显示布置在图21(a)所示的显示面板的XXIb-XXIb线上的像素电路、接在该像素电路上的现有电流供给部的电路图；图21(c)为示出了黑显示时的薄膜晶体管的工作点的曲线图；图21(d)为示出了白显示时的薄膜晶体管的工作点的曲线图。而且，图22(a)和图21(a)一样，图22(a)为显示面板上的黑白显示之例的图；图22(b)为显示布置在显示面板的XXIIb-XXIIb线上的像素电路、接在该像素电路上的现有电流供给部的电路图；图21(c)为示出了从黑显示切换到白显示的情况下的薄膜晶体管的工作点的曲线图；图21(d)为示出了连续进行白显示时的薄膜晶体管的工作点的曲线图。
如图21(b)所示，在现有的显示装置进行黑显示的情况下，电流供给部1001a内的开关1115-1、1115-2、…、1115-m全都断开，而进行白显示时，电流供给部1001a内的开关1115-1、1115-2、…、1115-m则全都闭合。
此时，在进行黑显示的像素电路1005a1、接在该像素电路1005a1上的信号线等上产生的寄生电容1220a1由电源充电，第一MIS场效应晶体管1104及第二MIS场效应晶体管1102的栅极电压例如上升到4V左右。如图21(c)所示，这时的第一薄膜晶体管1104及第二薄膜晶体管1102的工作点成为电流供给部1001a的IV特性曲线及薄膜晶体管的IV特性曲线的交点。
另一方面，在进行白显示时，因为电荷被电流供给部1001a吸走了，故由在像素电路1005an、接在该像素电路1005a上的信号线等上所产生的寄生电容1220an所保持的电荷比黑显示时的少。因此，第一MIS场效应晶体管1104和第二MIS场效应晶体管1102的栅极电压例如达到2V左右，如图21(d)所示，第一MIS场效应晶体管1104和第二MIS场效应晶体管1102的工作点比进行黑显示时更靠近低电压一侧。这些薄膜晶体管的工作点电压随着薄膜晶体管的通态电阻、电流供给部1001a所吸入的电流的大小而变化。
而且，在图22(b)中，示出了在从黑显示切换到白显示时的像素电路和电流供给部、以及继续进行白显示时的像素电路和电流供给部。若从黑显示切换到白显示，则电流供给部1001a1的开关1115-1、1115-2、…、1115-6便全部闭合，最大量的电流从面板一侧流入。这样一来，像素电路1005a1中的有机电发光元件1103便发出最大亮度的光。
此时，累积在寄生电容1220a1中的电荷便通过信号线注入电流供给部1001a1中。
当所注入的电荷量较少时，电荷便通过电流源1112-1、1112-2、…、1112-6溜到地面。但是，因为像素电路1005a1在这之前为黑显示，所以寄生电容1220a1被充电到接近电源电压。因此，电流供给部1001a1和像素电路1005a1电气连接的瞬间，电流源1112-1、1112-2、…、1112-6的各个漏极上就加上了接近电源电压的电压，通过存在于栅极-漏极间的寄生电容Cgd，偏压线1050的电位一时得以提高。图22(b)所示的波形1051示出了产生在偏压线1050上的电压变动。
因为其它的电流供给部1001a内的电流源的栅极也接在偏压线1050上，所以若偏压线1050上产生如波形1051那样的电压变化，流过电流供给部1001a的电流量便一时地变多。结果是，如图22(d)中的虚线所示，电流供给部1001an一时成为过剩驱动状态。
若偏压线1050的电压集中在显示数据的写入期间内发生变化，则电流供给部1001a便回到规定的驱动状态，进行正常的显示。但在偏压线1050的电压不集中在显示数据的写入期间内变动的情况下，到下一个帧为止电流供给部1001a持续着过剩驱动状态，所以像素电路1005a便产生人眼看到亮线这样的交叉串扰现象。
与上述相反，在从白显示切换到黑显示时的偏压线1050中，出现一时的电压陷落。由此而产生了人眼识别出了亮度已减弱的暗线这样的交叉串扰现象。
然而，当为用于手提电话的小型面板的情况下，寄生电容1220a为几pF～几十pF；若为大型面板，则有寄生电容1220a成为100pF以上的时候。因此，若显示面板大型化，交叉串扰显示就更加明显。特别是，用于有机电发光面板的电流驱动装置，是在几十nA左右的极其微小的电流下驱动像素电路，所以容易产生交叉串扰现象。
需提一下，引起图像显示失真的并不仅是所述交叉串扰现象。
近年来，显示面板的大画面化又向前迈了一步，伴随着它而出现了显示装置用驱动LSI的长度(长边方向的长度)达到10mm～20mm的时候。在这一情况下，在设有现有的电流驱动装置的半导体芯片中，在不靠在一起的输出端子之间出现了输出电压的偏差，这恐怕会导致在显示图像中出现了明暗部等而引起图像质量的下降。
本案发明人对在显示装置用驱动LSI(半导体芯片)的输出端子之间输出电压出现偏差的原因进行了调查，得知：分配给构成半导体芯片上的电流源1112(参考图20)的MIS场效应晶体管的电流出现了偏差。从一开始，电流镜电路就是在以构成它的晶体管的扩散条件相同、从统计数据上看阈值电压Vt、载流子迁移率也没有差别为前提的。除此以外，是根据晶体管的尺寸比来分配电流的。然而，可以这样认为：若显示装置用驱动LSI的芯片的长度从10mm加长到20mm，含在晶体管中的杂质的扩散就变得难以均匀了。另外，若晶体管的位置不同，就会出现蚀刻偏差等由于制造工序带来的显示上的偏差。结果是，成为电流镜电路的晶体管的阈值也有了偏差。若晶体管的阈值有了偏差，则在施加同一个栅极电压的情况下，就会在输出电流中产生误差。通常情况下，扩散的变动是针对晶片面逐渐地倾斜的。因此，在由一定的显示数据进行均匀显示的情况下，也会在显示面板上出现从明到暗的浓淡差(gradation)。
在具有如上所述的大画面显示面板的显示装置中，使用了多个设有包括电流供给部的电流驱动装置的半导体芯片。在这一情况下，从不同的半导体芯片上的电流驱动装置输出的电流值有偏差。在显示装置中，相邻布置着的半导体芯片的扩散条件等制造条件不同的时候很多。因此，构成电流供给部1001a1的电流源的MIS场效应晶体管的特性就出现很大的偏差，人眼便很容易辨别出每一个半导体芯片的显示不一致性。
这样一来，电流供给部1001a的每一个输出部的偏差、半导体芯片的特性偏差，也和交叉串扰现象一样使图像显示失真。
发明内容
本发明的目的，在于：通过设法解决上述各种不良现象，而提供一种能够抑制图像显示失真的电流驱动装置。
本发明的第一电流驱动装置，其为一设在半导体芯片上的电流驱动装置。其包括：自让基准电流流动的基准电流源传递所述基准电流的第一导电型第一MIS场效应晶体管；与所述第一MIS场效应晶体管构成电流镜电路而让所述基准电流流动的第一导电型电流分配用MIS场效应晶体管；接在所述电流分配用MIS场效应晶体管上的第二导电型电流输入用MIS场效应晶体管；每一个电流供给部都具有与所述电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第二导电型电流源用MIS场效应晶体管、和用以输出对应于显示数据的电流的输出端子的多个电流供给部；与所述电流源用MIS场效应晶体管及所述电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第二导电型电流传递用MIS场效应晶体管；以及设在所述半导体芯片中离所述电流传递用MIS场效应晶体管的距离在200μm以下的区域上，用以输出从所述电流传递用MIS场效应晶体管传来的电流的基准电流输出端子。
这样一来，在排列着多个本发明的电流驱动装置的半导体芯片驱动大画面显示面板的情况下，因为误差很小的电流就作为基准电流传递给下一级半导体芯片，所以与现有的电流驱动电流相比，能够减少每一个半导体芯片的输出电流的偏差。结果是，能够实现显示不一致性、显示失真得以控制的大画面或者高精细的显示装置。
因为若所述基准电流输出端子设在所述半导体芯片中离所述电流传递用MIS场效应晶体管的距离在100μm以内的区域上，就能够进一步减少传递给下一级的半导体芯片的电流的误差。所以这是很理想的。
所述基准电流源在所述半导体芯片的外部；在所述半导体芯片中离所述电流输入用MIS场效应晶体管的距离在200μm以下的区域上，还设有接在所述基准电流源上、用以将电流传递给所述电流输入用MIS场效应晶体管的第一基准电流输入端子。这样一来，在将半导体芯片级连起来的情况下，就能在误差很小的状态下将从前一级半导体芯片输出的基准电流传递给电流输入用MIS场效应晶体管。结果是，在用于显示装置的情况下，便能降低每一个半导体芯片中所产生的显示不一致性。
通过进一步包括：接在所述第一MIS场效应晶体管的漏极上、设在所述半导体芯片中离所述电流输入用MIS场效应晶体管的距离在200μm以下的区域上的第一基准电流输入端子；接在所述第一MIS场效应晶体管的漏极上、由第二导电型MIS场效应晶体管构成的输入一侧电流镜电路；接在所述输入一侧电流镜电路上、设在所述半导体芯片中离所述电流输入用MIS场效应晶体管的距离在200μm以下的区域上的第二基准电流输入端子；以及设在从所述电流传递用MIS场效应晶体管到所述基准电流输出端子的电流传递通路上、由第一导电型MIS场效应晶体管构成的输出一侧电流镜电路，便能排列着一种半导体芯片来驱动显示面板上的像素电路，所以与使用多种半导体芯片的情况相比，能够减少显示装置的制造成本。
针对一个所述半导体芯片，设置多组由所述电流分配用MIS场效应晶体管和所述电流输入用MIS场效应晶体管组成的对。在这种情况下，因为与现有技术相比能够接在一个电流输入用MIS场效应晶体管的电流源用MIS场效应晶体管的栅极的个数，所以能迅速地将电流源用MIS场效应晶体管的栅极电位的变化集中起来。结果是，若用本发明的电流驱动装置，就能抑制每一个半导体芯片的显示不一致性，同时还能抑制交叉串扰现象。
在所述电流分配用MIS场效应晶体管和所述电流输入用MIS场效应晶体管之间，还设置了进行切换而做到在给定的每一个期间将所述电流分配用MIS场效应晶体管连接到不同的所述电流输入用MIS场效应晶体管上的连接切换元件。在这一情况下，能将电流分配用MIS场效应晶体管的特性偏差平均化，所以能够实现进一步抑制了显示不一致性的显示装置。
在所述半导体芯片上，一列一列地排列着所述电流源用MIS场效应晶体管集合起来而设在其上的多个MIS场效应晶体管区域；所述多个电流供给部中的每一个电流供给部，都具有布置在至少两个所述MIS场效应晶体管区域内的MIS场效应晶体管。这样做以后，就能将电流源用MIS场效应晶体管的特性偏差平均化，故能够实现人眼难以识别的显示不一致性、显示质量又高的显示装置。
所述电流分配用MIS场效应晶体管的栅极接在共同的偏压线上；还在所述偏压线上、相邻的所述电流分配用MIS场效应晶体管的栅极之间设了电阻元件。这样做一来，就能够根据电流分配用MIS场效应晶体管的阈值特性的偏差来让加在电流分配用MIS场效应晶体管上的栅极电压倾斜，所以能够减少分配给每一个电流供给部的基准电流的偏差。
本发明的第二电流驱动装置，其包括：驱动时基准电流流动的第一导电型第一MIS场效应晶体管、与所述第一MIS场效应晶体管构成电流镜电路并用以让所述基准电流流动的第一导电型第一电流分配用MIS场效应晶体管、其漏极上连接着所述第一电流分配用MIS场效应晶体管的第二导电型第一电流输入用MIS场效应晶体管、以及每一个电流供给部都具有：与所述第一电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第二导电型电流源用MIS场效应晶体管、连接在所述电流源用MIS场效应晶体管中的每一个MIS场效应晶体管上并用以使根据显示数据流过所述电流源用MIS场效应晶体管的电流流过或者将其截止的开关、连接在所述开关上并将对应于所述显示数据的电流输出到显示面板的输出端子的多个电流供给部，其设在半导体芯片上。给一个所述半导体芯片设置多组由所述第一电流分配用MIS场效应晶体管和所述第一电流输入用MIS场效应晶体管组成的对；还包括：连接在所述第一MIS场效应晶体管的栅极及所述第一电流分配用MIS场效应晶体管的栅极上的共同的偏压线。
这样一来，因为与现有技术相比能够减少接在一个电流输入用MIS场效应晶体管的电流源用MIS场效应晶体管的栅极的个数，所以能够迅速地将电流源用MIS场效应晶体管的栅极电位的变化集中起来。结果是，若用本发明的电流驱动装置，就能抑制交叉串扰现象的发生。从而能够实现大画面或者具有高精细的显示面板的显示装置。
所述多个电流供给部内的所有的所述电流源用MIS场效应晶体管的栅极与所有的所述第一电流输入用MIS场效应晶体管的栅极相互连接起来。在这种情况下，就能够根据阈值特性的偏差来让加在电流分配用MIS场效应晶体管上的栅极电压倾斜，所以能够抑制每一个输出端子的输出电流的偏差。
所述多个电流供给部中的每一个电流供给部设在所述开关和所述输出端子之间；每一个电流供给部具有：驱动时小于等于所述显示面板的电源电压的电压加在栅极上而成为导通状态的第二导电型第一漏极连接MIS场效应晶体管。这样一来，在将本发明的电流驱动装置应用到显示装置的情况下，若第一漏极连接MIS场效应晶体管为N沟道型，就能防止显示切换时从显示面板将高电压加在电流源用MIS场效应晶体管上。结果是，能够抑制交叉串扰现象的发生。
所述开关，为：与所述电流源用MIS场效应晶体管构成漏极连接，根据给定的电压是否加在驱动时的栅极上而被控制为导通或者截止的第二漏极连接MIS场效应晶体管。这时若为输出端子接在显示面板的情况，也能限制从显示面板加在第二漏极连接MIS场效应晶体管上的高压，所以能够抑制交叉串扰现象的发生。特别是，若使开关为电压限制用MIS场效应晶体管，就能使电路面积比另外设置电压限制用MIS场效应晶体管时的小。
在所述第一电流分配用MIS场效应晶体管和所述第一电流输入用MIS场效应晶体管之间，还设置了：进行切换而做到在给定的每一个期间将所述第一电流分配用MIS场效应晶体管连接在不同的所述电流输入用MIS场效应晶体管上的连接切换元件。这样一来，由电流分配用MIS场效应晶体管分配的基准电流就被切换并被输出，故能够将电流分配用MIS场效应晶体管的特性偏差平均化。
特别是，最好是，所述连接切换元件，包括：第一偏流切换开关和第二偏流切换开关。
在所述半导体芯片上，进一步设有：驱动时一时地接在所述第一偏流切换开关上的第一端子和驱动时一时地接在所述第二偏流切换开关上的第二端子。这样一来，可以通过切换，做到：在设置多个半导体芯片驱动显示面板的情况下，从相邻半导体芯片的输出端子通过第一端子和第二端子将由电流分配用MIS场效应晶体管分配的电流输出。结果是，不仅能够将半导体芯片内的电流驱动装置的输出电流的偏差平均化，还能将设在相邻的半导体芯片上的电流驱动装置的输出电流的偏差平均化。
本发明的第三电流驱动装置，进一步包括：与所述第一MIS场效应晶体管和所述第一电流分配用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型虚设电流分配用MIS场效应晶体管；以及用以将所述虚设电流分配用MIS场效应晶体管和所述电流输入用MIS场效应晶体管暂时连接起来的虚设连接切换元件。这样一来，能够通过控制而依次切换例如在相邻的电流输入用MIS场效应晶体管之间连接的电流分配用MIS场效应晶体管，故能够很容易地将来自输出端子的输出电流均匀化。
在所述半导体芯片上，一列一列地排列着所述电流源用MIS场效应晶体管集合起来而设在其上的多个MIS场效应晶体管区域；所述多个电流供给部中的每一个电流供给部，都具有布置在至少两个所述MIS场效应晶体管区域内的MIS场效应晶体管。这样一来，因为能够将电流分配用MIS场效应晶体管和电流源用MIS场效应晶体管的特性偏差平均化，所以能够减少输出端子间的输出电流的误差。特别是，因为不用设置新的元件，只要任意改变布线结构就行了，所以能够抑制电路面积的增加。
还在所述偏压线上、相邻的所述电流分配用MIS场效应晶体管的栅极之间设了电阻元件。这样一来，就能够根据电流分配用MIS场效应晶体管的阈值的偏差来让加在电流分配用MIS场效应晶体管上的栅极电压倾斜。
本发明的第四电流驱动装置，包括：驱动时第一基准电流流动的第一导电型第一电流输入用MIS场效应晶体管；驱动时第二基准电流流动的第一导电型第二电流输入用MIS场效应晶体管；每一个电流供给部都包括：与所述第一电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型电流源用MIS场效应晶体管、连接在所述电流源用MIS场效应晶体管中的每一个上并进行切换而让根据显示数据流过所述电流源用MIS场效应晶体管的电流流过或者将其截止的开关、分别设在所述电流源用MIS场效应晶体管和所述开关之间并与所述第二电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型漏极连接MIS场效应晶体管、以及接在所述开关上用以输出对应于所述显示数据的电流的输出端子的多个电流供给部。该电流供给部设在所述半导体芯片上。
这样一来，因为来自输出端子的输出电流为应该流过电流源用MIS场效应晶体管的电流和应该流过漏极连接MIS场效应晶体管的电流的平均值，所以能够抵消电流源用MIS场效应晶体管的特性偏差和漏极连接MIS场效应晶体管的特性偏差。结果是，能够减少来自输出端子的输出电流的偏差。
本发明的第五电流驱动装置，其为一种设在半导体芯片上的电流驱动装置，其包括：用以输入第一基准电流的第一基准电流输入端子；传递在第一期间流过所述第一基准电流输入端子的电流的第一导电型第一电流输入用MIS场效应晶体管；每一个电流供给部都具有：在所述第一期间与所述第一电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型电流源用MIS场效应晶体管、和输出对应于显示数据的电流的输出端子的多个电流供给部；在所述第一期间与所述第一电流输入用MIS场效应晶体管和所述电流源用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型第一电流传递用MIS场效应晶体管；传递在所述第一期间流过所述第一电流传递用MIS场效应晶体管的电流的第一基准电流输出端子；用以输入第二基准电流的第二基准电流输入端子；传递在第二期间流过所述第二基准电流输入端子的电流、且与所述电流源用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型第二电流输入用MIS场效应晶体管；在所述第二期间内与所述电流源用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型第二电流传递用MIS场效应晶体管；传递在所述第二期间流过所述第二电流传递用MIS场效应晶体管的电流的第二基准电流输出端子；设在所述第一基准电流输入端子和所述第一电流输入用MIS场效应晶体管之间的电流传递通路上的第一开关；设在所述第一电流传递用MIS场效应晶体管和所述第一基准电流输出端子之间的电流传递通路上的第二开关；设在所述第二基准电流输入端子和所述第二电流输入用MIS场效应晶体管之间的电流传递通路上的第三开关；以及设在所述第二电流传递用MIS场效应晶体管和所述第二基准电流输出端子之间的电流传递通路上的第四开关。
这样一来，在第一期间，让第一、第二开关同时闭合；在第二期间让第三、第四开关断开。这样一来，就能将用第一基准电流驱动的情况和用第二基准电流驱动的情况进行切换。结果是，能够抑制来自电流供给部的输出电流的偏差，而实现均匀的显示。
本发明的第一显示装置，其包括：设置了具有其亮度根据供来的电流量而变化的发光元件的像素电路的显示面板、和设在一列一列地布置着的多个半导体芯片中的每一个半导体芯片中并将驱动电流提供给所述像素电路的电流驱动装置。所述多个半导体芯片中的每一个半导体芯片，都拥有设在其边上并用以输入基准电流的基准电流输入端子和设在其边上用以输出下一级半导体芯片用基准电流的基准电流输出端子；所述多个半导体芯片中相邻半导体芯片中的上述基准电流输入端子和所述基准电流输出端子被设置成相互对峙的样子。
这样一来，就能够使设置了电流驱动装置的半导体芯片之间基准电流的传递通路最短。所以每一个半导体芯片的输出电流的偏差就比现有技术下的低。
本发明的第二显示装置，其包括：设置了具有其亮度根据供来的电流量而变化的发光元件的像素电路的显示面板、和每一个半导体芯片中都设置了用以将驱动电流提供给所述像素电路的电流驱动装置的多个半导体芯片。所述电流驱动装置，包括：驱动时基准电流流动的第一导电型第一MIS场效应晶体管；与所述第一MIS场效应晶体管构成电流镜电路并让所述基准电流流动的多个第一导电型电流分配用MIS场效应晶体管；每一个的漏极都连接着所述多个电流分配用MIS场效应晶体管中的每一个MIS场效应晶体管的多个第二导电型电流输入用MIS场效应晶体管；每一个电流供给部都具有与所述电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第二导电型电流源用MIS场效应晶体管和将对应于显示数据的驱动电流输出给所述像素电路的输出端子的多个电流供给部。
这样一来，就能够迅速地将电流源用MIS场效应晶体管的栅极电位的变动集中起来，所以能够防止交叉串扰现象的发生而实现均匀的显示。
本发明的第三显示装置，其包括：设置了具有其亮度根据供来的电流量而变化的发光元件的像素电路的显示面板、和每一个半导体芯片中都设置了用以将驱动电流提供给所述像素电路的电流驱动装置的多个半导体芯片。所述电流驱动装置，包括：驱动时第一基准电流流动的第一导电型第一电流输入用MIS场效应晶体管；驱动时第二基准电流流动的第一导电型第二电流输入用MIS场效应晶体管；每一个电流供给部都具有与所述第一电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型电流源用MIS场效应晶体管、连接在所述电流源用MIS场效应晶体管中的每一个上并进行切换而让根据显示数据流过所述电流源用MIS场效应晶体管的电流流过或者将其截止的开关、分别设在所述电流源用MIS场效应晶体管和所述开关之间并与所述第二电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型漏极连接MIS场效应晶体管以及接在所述开关上用以将对应于所述显示数据的驱动电流输出给所述像素电路的输出端子的多个电流供给部。
这样一来，因为来自输出端子的输出电流为应该流过电流源用MIS场效应晶体管的电流和应该流过漏极连接MIS场效应晶体管的电流的平均值，所以电流源用MIS场效应晶体管的特性偏差和漏极连接MIS场效应晶体管的特性偏差相互抵消。结果是，能够减少来自输出端子的输出电流的偏差。
在所述多个半导体芯片中的每一个半导体芯片的边上，还设置了用以输入所述第一基准电流的第一基准电流输入端子、用以输出所述第一基准电流的第一基准电流输出端子、用以输入所述第二基准电流的第二基准电流输入端子、用以输出所述第二基准电流的第二基准电流输出端子；所述第一基准电流输出端子接在相邻的所述半导体芯片的所述第一基准电流输入端子上；所述第二基准电流输出端子接在相邻的所述半导体芯片的所述第二基准电流输入端子上。这样一来，来自同一个半导体芯片内的端子的输出电流的偏差就减少，同时半导体芯片间的输出电流的偏差也减少。所以能够在整个显示面板上进行均匀的显示。
-发明的效果-
根据本发明的电流驱动装置，通过给每一个半导体芯片设置多个将用以分配基准电流的电流分配用MIS场效应晶体管和电流输入用MIS场效应晶体管，就能相对地减小构成电流供给部的MIS场效应晶体管的栅极中的输出阻抗，所以在将它应用到显示装置的情况下，能够抑制由于来自显示面板一侧的电流引起的MIS场效应晶体管的栅极电位的变动。结果是，可抑制显示装置中的交叉串扰现象的发生。
附图说明
图1为一电路图，示出设置了本发明的第一个实施例所涉及的电流驱动装置的两个芯片的连接部分。
图2为一电路图，示出设置了本发明的第一个实施例所涉及的电流驱动装置之例的两个芯片的连接部分。
图3为一电路图，示出设置了本发明的第一个实施例的变形例所涉及的电流驱动装置的两个芯片的连接部分。
图4为显示本发明的第二个实施例所涉及的电流驱动装置的电路图。
图5为一显示将基准电流的输入端子及输出端子设在芯片的边上的情况下，第二个实施例所涉及的半导体芯片的图。
图6为显示第二个实施例所涉及的电流驱动装置的一个变形例的电路图。
图7为显示本发明的第三个实施例所涉及的电流驱动装置的电路图。
图8(a)、图8(b)为将第三个实施例中的电流驱动装置中的一个电流供给单元51的结构放大后而示出的电路图。
图9为显示本发明的第四个实施例所涉及的电流驱动装置的电路图。
图10(a)～图10(c)为电路图，示出了在第四个实施例的电流驱动装置中输出电流的切换方式的一例。
图11(a)～图11(c)为一电路图，示出了在第四个实施例的电流驱动装置中输出电流的另外一个切换方式。
图12为一电路图，示出了本发明的第四个实施例的变形例所涉及的电流驱动装置及半导体芯片。
图13为一显示本发明的第五个实施例所涉及的电流驱动装置的第一个具体例中电流供给部的结构的图。
图14为一显示本发明的第五个实施例所涉及的电流驱动装置的第二个具体例中电流供给部的结构的图。
图15为一显示本发明的第六个实施例所涉及的电流驱动装置的电路图。
图16为一显示本发明的第七个实施例所涉及的电流驱动装置的电路图。
图17为一显示第七个实施例的第一个变形例所涉及的电流驱动装置的电路图。
图18为一显示第七个实施例的第二个变形例所涉及的电流驱动装置的电路图。
图19为一电路图，示出了形成有本发明的第八个实施例所涉及的电流驱动装置的半导体芯片。
图20为一电路图，示出了显示面板、接在显示面板上的显示用驱动器即现有电流驱动装置的结构。
图21(a)为显示面板上的黑白显示之例的图；图21(b)为显示布置在图21(a)所示的显示面板的XXIb-XXIb线上的像素电路和接在该像素电路上的现有电流供给部的电路图；图21(c)为一示出了黑显示时的薄膜晶体管的工作点的曲线图；图21(d)为一示出了白显示时的薄膜晶体管的工作点的曲线图。
图22(a)为显示面板上的黑白显示之例的图；图22(b)为显示布置在显示面板的XXIIb-XXIIb线上的像素电路、接在该像素电路上的现有电流供给部的电路图；图21(c)为一示出了从黑显示切换到白显示的情况下的薄膜晶体管的工作点的曲线图；图21(d)为一示出了连续进行白显示时的薄膜晶体管的工作点的曲线图。
图23为一显示现有电流驱动装置中电流供给部的电路布置及电路结构的图。
符号说明
1，53-第一MIS场效应晶体管；2-第二MIS场效应晶体管；3-电流输入用MIS场效应晶体管；4、58-基准电流源；5、5-1～m、25、25-1～m、60-电流源；7-第一电流传递用MIS场效应晶体管；9-基准电流输出端子；10-第三电流传递用MIS场效应晶体管；11-基准电流输入端子；11a-第一基准电流输入端子；11b-第二基准电流输入端子；12-第四电流传递用MIS场效应晶体管；13-第三MIS场效应晶体管；15-第四MIS场效应晶体管；16-电阻；17-第五MIS场效应晶体管；19-第六MIS场效应晶体管；20-第一半导体芯片；22-第二半导体芯片；23-第七MIS场效应晶体管；27-第二电流传递用MIS场效应晶体管；33、33a-第八MIS场效应晶体管；35、35a-第九MIS场效应晶体管；37、37a-第十MIS场效应晶体管；39、39a-第十一MIS场效应晶体管；40、41、59、59-1～n-电流供给部；43-第十二MIS场效应晶体管；51、51-1～n-电流供给单元；55、55-1～n-电流分配用MIS场效应晶体管；56-偏压线；57、57-1～n-电流输入用MIS场效应晶体管；61、66、79、81-电流传递用MIS场效应晶体管；62-电阻；64-开关；68-输出端子；70-第一半导体芯片；71-第十三MIS场效应晶体管；72-第二半导体芯片；73-第二电流分配用MIS场效应晶体管；75-第四电流传递用MIS场效应晶体管；76-MIS场效应晶体管区域；76-1-第一MIS场效应晶体管区域；76-2-第二MIS场效应晶体管区域；76-3-第三MIS场效应晶体管区域；77、77-1～m、80-漏极连接MIS场效应晶体管；91-第一偏流切换开关；92-第二偏流切换开关；95、95a、95b、99-虚设电流分配用MIS场效应晶体管；96、96a、96b-虚设偏流切换开关；97、97a、97b、100、101-虚设偏流切换开关；105-第二电流输入用MIS场效应晶体管。
具体实施方式
(第一个实施例)
图1为一电路图，示出设置了本发明的第一个实施例所涉及的电流驱动装置的两个芯片的连接部分。
该实施例的显示装置，包括：设置了具有有机电发光元件的像素电路(未示)的显示面板、通过信号线将驱动电流提供给像素电路的电流驱动装置。电流驱动装置和图20所示的电流驱动装置一样，被用作有机电发光显示装置等电流驱动型显示装置的源极驱动电路。在该实施例中的显示装置中，多个已集成化的设了电流驱动装置的半导体芯片排列在显示面板的框上。图1中，相互连接的两个半导体芯片分别用第一半导体芯片20和第二半导体芯片22来表示。
在该实施例的显示装置中，第一半导体芯片20中，设置了：用以将驱动电流提供给设在显示面板上的多个像素电路(未示)中的每一个像素电路的电流供给部40、用以将基准电流提供给电流供给部40的基准电流供给部、N沟道型第一电流传递用MIS场效应晶体管、接在第一电流传递用MIS场效应晶体管上的基准电流输出端子9。基准电流输出端子9设置在第一半导体芯片20中与第二半导体芯片22面对面的位置上。实际上设置了多个(例如528个)电流供给部40，图1中仅示出了其中之一。
基准电流供给部，具有：一端接收电源电压的P沟道型第一MIS场效应晶体管1、接在第一MIS场效应晶体管1上用以产生基准电流的基准电流源4、与第一MIS场效应晶体管1构成电流镜电路的P沟道型第二MIS场效应晶体管(电流分配用MIS场效应晶体管)2、接在MIS场效应晶体管2上用以将基准电流传递给电流供给部40的N沟道型电流输入用MIS场效应晶体管3。
而且，电流供给部40，具有：电流源5-1、5-2、…5-m(m为正整数)、用以让流过各个电流源的电流流过或者不流过的开关。电流源5-1、5-2、…5-m中的每一个电流源，包括：与电流输入用MIS场效应晶体管3及第一电流传递用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的MIS场效应晶体管(电流源用MIS场效应晶体管)构成，例如，电流源5-1由一个MIS场效应晶体管构成；电流源5-2由两个相互并联的MIS场效应晶体管构成；电流源5-m由2m-1个相互并联的MIS场效应晶体管构成。电流供给部40为所谓的电流加法型D/A变换器，每一个开关根据显示数据而闭合或者断开，便可能实现2m灰阶的显示。
第二半导体芯片22，具有：接在基准电流输出端子9上的基准电流输入端子11；接在基准电流输入端子11的P沟道型第三MIS场效应晶体管13；其漏极接在第三MIS场效应晶体管13的源极上、栅极接在基准电流输入端子11上的P沟道型第四MIS场效应晶体管15；与第三MIS场效应晶体管13构成电流镜电路的P沟道型第五MIS场效应晶体管17；其漏极接在第五MIS场效应晶体管17的源极上与第四MIS场效应晶体管15构成电流镜电路的P沟道型第六MIS场效应晶体管19；接收流过第六MIS场效应晶体管19的基准电流的N沟道型第七MIS场效应晶体管23(相当于第一半导体芯片20中的电流输入用MIS场效应晶体管)；将驱动电流提供给设在显示面板上的多个像素电路(未示)中的每一个像素电路的电流供给部41；用以将基准电流传递给下一级的半导体芯片的N沟道型第二电流传递用MIS场效应晶体管27。在第二半导体芯片22上还设了接在第二电流传递用MIS场效应晶体管27上的基准电流输出端子(未示)。
基准电流输入端子11设在第二半导体芯片22中与第一半导体芯片对峙的位置附近，而且将其设置在靠近基准电流输出端子9的位置。
第二半导体芯片22中，第三MIS场效应晶体管13、第四MIS场效应晶体管15、第五MIS场效应晶体管17、第六MIS场效应晶体管19及第七IS场效应晶体管23，起：用以将从第一半导体芯片20通过基准电流输出端子9传递的基准电流传递给电流供给部40的基准电流供给部的作用。
电流供给部41，具有：电流源25-1、25-2、…25-m；和用以让流过各个电流源的电流流过或者不流过的开关。电流源25-1、25-2、…25-m中的每一个电流源都和电流源5-1、5-2、…5-m一样，由与第七MIS场效应晶体管23及第二电流传递用MIS场效应晶体管27构成电流镜电路的MIS场效应晶体管构成。
图1中仅示出了两个半导体芯片，不仅如此，可根据显示面板的尺寸再设置一结构与第二半导体芯片22一样的芯片。在一般的显示装置中，经常将设置了电流供给部的半导体芯片布置在一列上，在这种情况下，基准电流从设置在每一个半导体芯片的各个边附近的基准电流输出端子9连续地传递给基准电流输入端子11。
具有上述结构的本实施例的半导体芯片的特征，在于：若第二半导体芯片22的基准电流供给部布置在基准电流输入端子11附近，则第一半导体芯片20的电流传递用MIS场效应晶体管便布置在基准电流输出端子9附近。这里，只要包括第七MIS场效应晶体管23的基准电流供给部与基准电流输入端子11之间的距离以及电流传递用MIS场效应晶体管与基准电流输出端子9之间的距离为由于杂质的扩散等而引起的电气特性的偏差不造成什么问题那么大就行了。该距离随着制造条件、工序的不同而不同，若在200μm以下便是能够允许的，一般在100μm以下最理想。
这样一来，因为能够将相邻半导体芯片的电流传递用MIS场效应晶体管的输出电流作为第二半导体芯片22用的基准电流来分配，所以每一个半导体芯片的输出电流(像素电路的驱动电流)的偏差就比现有技术下的小。结果是，能够实现进行更均匀的显示的显示装置。
而且，在该实施例的显示装置中，半导体芯片的基准电流供给部及基准电流输入端子11，是设置在半导体芯片中与前一级半导体芯片对峙的位置附近的，电流传递用MIS场效应晶体管和基准电流输出端子9设置在半导体芯片中与下一级半导体芯片对峙的位置附近。
这样一来，因为基准电流输出端子9和基准电流输入端子11之间的距离变短，所以能够进一步抑制从电流供给部输出的电流在每一个半导体芯片中产生的偏差。只不过是，因为与将基准电流的输出入端子设在传递基准电流的MIS场效应晶体管附近而能获得的效果相比，抑制每一个半导体芯片的偏差的效果比较小，所以不将基准电流输出端子9和基准电流输入端子11设置在半导体芯片的边上也是可以的。
需提一下，一个半导体芯片内，由于电流供给部的位置不同而带来的特性偏差而言，是将基准电流供给部(或者MIS场效应晶体管)设置在芯片的中央部分比象该实施例这样将基准电流供给部(或者MIS场效应晶体管)布置在芯片的边上为小。因此，在将基准电流供给部设置在芯片的中央部分这一方式下，也最好是靠近基准电流供给部来设置基准电流输出端子9及基准电流输入端子11。
如上所述，因为若使用该实施例的半导体芯片，就能抑制半导体芯片间的特性偏差，所以能够实现显示不一致性等得以减少的显示装置。
需提一下，可在第一电流传递用MIS场效应晶体管和基准电流输出端子9之间设置由P沟道型MIS场效应晶体管构成的电流镜电路。
图2为一电路图，示出设置了第一个实施例所涉及的电流驱动装置之一例的两个芯片的连接部分。
在该图所示的例子中，在第一半导体芯片20中，在第一电流传递用MIS场效应晶体管及基准电流输出端子9之间设置了连接在第一电流传递用MIS场效应晶体管的P沟道型第三电流传递用MIS场效应晶体管10和与第三电流传递用MIS场效应晶体管10构成电流镜电路的P沟道型第四电流传递用MIS场效应晶体管12。
在第二半导体芯片22的基准电流供给部，是将构成图1的基准电流供给部的MIS场效应晶体管的导电型都换成相反的导电型以后而构成的。换句话说，第二半导体芯片22中，具有：接在基准电流输入端子11的N沟道型第八MIS场效应晶体管33；其漏极与第八MIS场效应晶体管33的源极相连，栅极接在基准电流输入端子11的N沟道型第九MIS场效应晶体管35；与第八MIS场效应晶体管33构成电流镜电路的N沟道型第十MIS场效应晶体管37；其漏极与第十MIS场效应晶体管37的源极相连、与第九MIS场效应晶体管35构成电流镜电路的N沟道型第十一MIS场效应晶体管39；接收流过第十MIS场效应晶体管37的基准电流的P沟道型第十二MIS场效应晶体管43。在这样的结构下，第一电流传递用MIS场效应晶体管、第三电流传递用MIS场效应晶体管10及第四电流传递用MIS场效应晶体管12中的每一个MIS场效应晶体管与第一半导体芯片20的基准电流输出端子9之间的距离都在200μm以下，第一电流传递用MIS场效应晶体管、第三电流传递用MIS场效应晶体管10及第四MIS场效应晶体管12这三个MIS场效应晶体管之间的距离也分别在200μm以下。而且，第二半导体芯片22的基准电流输入端子11与第八MIS场效应晶体管33、第九MIS场效应晶体管35、第十MIS场效应晶体管37、第十一MIS场效应晶体管39及第十二MIS场效应晶体管43之间的距离分别在200μm以下，每一个MIS场效应晶体管之间的距离也在200μm以下。除此以外，因为将第二半导体芯片22的基准电流输入端子11和第一半导体芯片20的基准电流输出端子9布置得接近一些这件事，是没有什么变化的，所以能够控制每一个半导体芯片的输出电流的偏差，使其很小。
图1及图2所示的第一半导体芯片20及第二半导体芯片22中的基准电流供给部的结构有点不同。与此相对，在用于显示装置的半导体芯片中，也可使基准电流供给部的结构为相同的结构。
图3为一电路图，示出设置了第一个实施例的变形例所涉及的电流驱动装置的两个芯片的连接部分。在该图所示的第一个实施例的变形例中，第一半导体芯片20的边附近，设置了第一基准电流输入端子11a1及第二基准电流输入端子11b1。而且，基准电流供给部的结构和图2所示的第二半导体芯片22的基准电流供给部的结构相同，但接在第一基准电流输入端子11a1及第二基准电流输入端子11b1上的地方却不同。
换句话说，该变形例的第一半导体芯片20中，设置了：接在第二基准电流输入端子11b1的N沟道型第八MIS场效应晶体管33a1；其漏极接在第八MIS场效应晶体管33a1的源极上、栅极接在第一基准电流输入端子11a1上的N沟道型第九MIS场效应晶体管35a1；与第八MIS场效应晶体管33a1构成电流镜电路的N沟道型第十MIS场效应晶体管37a1；其漏极接在第十MIS场效应晶体管37a1的源极上、与第九MIS场效应晶体管35a1构成电流镜电路的N沟道型第十一MIS场效应晶体管39a1；接收流过第十MIS场效应晶体管37a1的基准电流的P沟道型第一MIS场效应晶体管1。而且，第一MIS场效应晶体管1及第二MIS场效应晶体管2的栅极、第一MIS场效应晶体管1的漏极、第十MIS场效应晶体管37a1的漏极，都接在第一基准电流输入端子11a1上。
在该变形例中，第一半导体芯片20和第二半导体芯片22的结构一样。只不过是，在第一半导体芯片20中，第一基准电流输入端子11a1接在接地的电阻16(或者基准电流源)上，第二基准电流输入端子11b1接地，而在第二半导体芯片22中，第一基准电流输入端子11a2成为开放状态，第二基准电流输入端子11b2接在第一半导体芯片20的基准电流输出端子9上。
若利用该变形例的半导体芯片，则仅用一种芯片就能驱动显示面板，所以能够降低显示装置的制造成本。
需提一下，在以上所说明的半导体芯片或者电流驱动装置的例子中，构成电流源5-1、5-2、…、5-m的MIS场效应晶体管为N沟道型，不仅如此，即使用P沟道型来代替该MIS场效应晶体管也能使其同样地工作。在这种情况下，只要将构成基准电流供给部的MIS场效应晶体管、电流传递用MIS场效应晶体管的导电型换过来就行了。
需提一下，在将多个该变形例中的半导体芯片级串起来(cascade)的时候，可在成为最后一级的半导体芯片的基准电流输出端子上接上电阻值与电阻16一样大的电阻。
而且，在该实施例的电流驱动装置中，从第一半导体芯片20的基准电流输出端子9输出的电流值并非一定要和流过基准电流源4的基准电流值相等。从基准电流输出端子9输出的电流成为第二半导体芯片22的基准电流(称其为第二基准电流)，若在基准电流输入端子11和第七MIS场效应晶体管23之间设一磁镜比(mirrorrate)较合适的电流镜电路，就能向构成电流供给部40的电流源中的MIS场效应晶体管和构成电流供给部41的电流源中的MIS场效应晶体管提供相等的电流。
(第二个实施例)
图4为显示本发明的第二个实施例所涉及的电流驱动装置的电路图。该实施例中的电流驱动装置的特征，在于：在图21所示的现有电流驱动装置中，又增加了用以将基准电流传递给每一个电流供给部59的电流分配用MIS场效应晶体管55及电流输入用MIS场效应晶体管57。这里，假设“电流供给部59”意味着图4所示的电流供给部59-1～m中的每一个；“电流分配用MIS场效应晶体管55”意味着电流分配用MIS场效应晶体管55-1～m中的每一个；“电流输入用MIS场效应晶体管57”意味着电流输入用MIS场效应晶体管57一1～m中的每一个。
如图4所示，该实施例中的电流驱动装置，具有：P沟道型第一MIS场效应晶体管53、接在第一MIS场效应晶体管53上用以产生基准电流的基准电流源58、与第一MIS场效应晶体管53构成电流镜电路用以分配基准电流的P沟道型电流分配用MIS场效应晶体管55-1、55-2、…、55-n；分别接在电流分配用MIS场效应晶体管55-1、55-2、…、55-n上的N沟道型电流输入用MIS场效应晶体管57-1、57-2、…、57-n；从电流输入用MIS场效应晶体管57-1、57-2、…、57-n经过电流镜电路传来了基准电流，并将驱动电流提供给像素电路(未示)的电流供给部59-1、59-2、…、59-n。这里，n为每一个半导体芯片的输出数。第一MIS场效应晶体管53的栅极、电流分配用MIS场效应晶体管55-1、55-2、…、55-n的每一个栅极接在共同的偏压线56上。
而且，电流供给部59-1、59-2、…、59-n中的每一个电流供给部的结构基本上和第一个实施例中所说明的电流供给部40(参考图1)的结构一样。例如，电流供给部59-1具有：由与电流输入用MIS场效应晶体管57-1构成电流镜电路的MIS场效应晶体管构成的m个电流源、用以让流过该电流源的电流流过或者将它截断的开关(未示)。只不过是，构成电流源的MIS场效应晶体管中接在不同的输出端子上的MIS场效应晶体管的栅极和栅极的连接方法不象图4所示的那样亦可，而是后述的相互连接方式。
在该电流供给部59拥有m个电流源的情况下，便能够进行2m灰阶显示。在图4所示的例子中，图示省略了，但电流供给部59中的每一个电流供给部，都具有6位的电流源，相互由尺寸相等的63个MIS场效应晶体管构成。需提一下，在图4中，由电流供给部59和电流输入用MIS场效应晶体管构成的组显示为电流供给单元51。这里，“电流供给单元51”意味着电流供给单元51-1～m中的每一个电流供给单元。
在该实施例的电流驱动装置中，因为设置了用以将基准电流分配给每一个电流供给部59的电流分配用MIS场效应晶体管55及电流输入用MIS场效应晶体管57，所以在显示装置从黑显示切换到白显示时，即使电流从面板一侧流进来，电流供给部59中的电流源的工作也不容易受到影响。换句话说，在该实施例中的电流驱动装置中，给每一个电流供给部设置了电流分配用MIS场效应晶体管55及电流输入用MIS场效应晶体管57，所以接在电流分配用MIS场效应晶体管55及电流输入用MIS场效应晶体管57这一组上的MIS场效应晶体管的栅极数量就比现有技术下的少。正因为连接电流输入用MIS场效应晶体管57的栅极和构成电流供给部59的电流源的MIS场效应晶体管的栅极的偏压布线的电容减少，所以就容易吸收构成电流供给部59中的电流源的MIS场效应晶体管的栅极电位变动。结果是，抑制了电流供给部59的输出变动。
出于同样的理由，在从白显示切换到黑显示时，电流分配用MIS场效应晶体管55不受什么影响，而总是能将一定的电流分配给电流供给部59。
因此，根据该实施例的电流驱动装置，电流供给部59的电流源用MIS场效应晶体管的栅极电位的变动迅速地集中在显示数据的写入期间内，所以能够实现抑制了交叉串扰现象的发生，显示失真也少了的电流驱动型显示装置。
而且，通过在设有该实施例的电流驱动装置的半导体芯片中设置第一个实施例中所说明的基准电流的输入端子、输出端子，就能实现显示的失真、显示不一致性得到进一步抑制的显示装置。
图5为一显示将基准电流的输入端子及输出端子设在芯片的边上的情况下，该实施例中的半导体芯片的图。
在图5所示的第一半导体芯片70及第二半导体芯片72中，都设置了在这之前说明的该实施例的电流驱动装置。而且，在第一半导体芯片70中，设有：与电流分配用MIS场效应晶体管55及第一MIS场效应晶体管53构成电流镜电路的P沟道型电流传递用MIS场效应晶体管61、及接在电流传递用MIS场效应晶体管61上的基准电流输出端子9。
另一方面，在第二半导体芯片72中，设有：接在基准电流输出端子9上的基准电流输入端子11；接在基准电流输入端子11上的N沟道型第八MIS场效应晶体管33；其漏极接在第八MIS场效应晶体管33的源极上、其栅极接在基准电流输入端子11上的N沟道型第九MIS场效应晶体管35；与第八MIS场效应晶体管33构成电流镜电路的N沟道型第十MIS场效应晶体管37；其漏极接在第十MIS场效应晶体管37的源极上、与第九MIS场效应晶体管35构成电流镜电路的N沟道型第十一MIS场效应晶体管39；接收流过第十MIS场效应晶体管37的基准电流的P沟道型第十二MIS场效应晶体管43；以及基准电流输出端子9(未示)。需提一下，这里与图2所示的第一个实施例一样的部件所用的部件名称和表示符号都一样。
基准电流输出端子9，例如设在第一半导体芯片70及第二半导体芯片72的边附近。而且，基准电流输出端子9和电流传递用MIS场效应晶体管61之间的距离约在100μm以下。基准电流输入端子11例如设在第二半导体芯片72的边附近，与第一半导体芯片70中的基准电流输出端子9对峙。基准电流输入端子11与第十二MIS场效应晶体管43等构成基准电流供给部的MIS场效应晶体管之间的距离分别约在100μm以下。
在基准电流源58和第一MIS场效应晶体管53之间所产生的基准电流，通过电流镜电路传递给电流传递用MIS场效应晶体管61，再从基准电流输出端子9输出。接着，基准电流输入到基准电流输入端子11，通过第八MIS场效应晶体管33、第九MIS场效应晶体管35、第十MIS场效应晶体管37及第十一MIS场效应晶体管39输入到第十二MIS场效应晶体管43中。而且，基准电流被传递到设在第二半导体芯片72上、与第十MIS场效应晶体管43构成电流镜电路的电流传递用MIS场效应晶体管(未示)中。传递给电流传递用MIS场效应晶体管的基准电流通过基准电流输出端子9(未示)再传递到下一级半导体芯片中。
根据上述结构，因为误差较小的基准电流从基准电流输出端子9传递到靠近它的基准电流输入端子11中，所以在同一个半导体芯片内，既能控制交叉串扰现象的发生，又能抑制设置了电流驱动装置的每一个半导体芯片的输出电流的偏差，使它很小。
因此，通过采用上述的基准电流的输出入结构，便能实现不一致性更小了的图像显示，而可实现大画面且高精细的有机电发光显示面板、LED显示面板等。
虽然未示，若使基准电流供给部的结构和图3所示的例子中的结构一样，则用于显示装置的半导体芯片仅为一种即可，而可降低制造成本。
需提一下，在该实施例的电流驱动装置中，图4示出了给每一个电流供给部59设电流分配用MIS场效应晶体管55及电流输入用MIS场效应晶体管57的例子，不仅如此，给两个以上的电流供给部59设置一组电流分配用MIS场效应晶体管55及电流输入用MIS场效应晶体管57也是可以的。这时，每一个半导体芯片中只要设置两组以上的由电流分配用MIS场效应晶体管55及电流输入用MIS场效应晶体管57构成的组就可以了。虽然是电流分配用MIS场效应晶体管55越多，交叉串扰现象的控制效果就越大，但实际上设计电路时，最好是综合考虑电路面积和功能这两个方面。
图6为显示该实施例的电流驱动装置的一个变形例的电路图。半导体芯片中，出于杂质浓度的梯度(gradient)等原因，设置在从基准电流输入端子到基准电流输出端子那一方向上(芯片的长边方向)上的MIS场效应晶体管的阈值电压Vt，也呈现了例如在靠近输入端子的那一侧较高；而在靠近输出端子的那一侧较低这样的梯度。
如图6所示，在该实施例的电流驱动装置中，构成电流供给部59-1～n内的电流源的MIS场效应晶体管中，接在不同的输出端子上的MIS场效应晶体管的栅极与栅极、电流输入用MIS场效应晶体管57的栅极与栅极可以相互连接在一起。因为此时能够根据每一个MIS场效应晶体管的阈值的梯度向每一个MIS场效应晶体管的栅极施加加上了梯度的电压，所以能够减少从电流供给部59输出的电流的偏差。需提一下，在该变形例中，设置了与电流输入用MIS场效应晶体管57和电流供给部59内的MIS场效应晶体管构成电流镜电路的N沟道型电流传递用MIS场效应晶体管66、及接在电流传递用MIS场效应晶体管66上的基准电流输出端子9，接在下一级半导体芯片上。此时，如图3所示，若将电流传递用MIS场效应晶体管66及基准电流输出端子9设置在半导体芯片的边附近，便能减少每一个半导体芯片的输出电流的偏差。
(第三个实施例)
图7为显示本发明的第三个实施例所涉及的电流驱动装置的电路图。图8(a)、图8(b)为将该实施例中的电流驱动装置中的一个电流供给单元51的结构放大后而示出的电路图。
如图7所示，该实施例中的电流驱动装置，和第二个实施例中的电流驱动装置一样，具有多个电流分配用MIS场效应晶体管。只不过是，以下几点为与第二个实施例中的电流驱动装置不同的该实施例中的电流驱动装置的特征。
首先，该实施例中的电流驱动装置的第一个特征，在于：电流供给部59中设置了其漏极接在成为电流源的N沟道型MIS场效应晶体管的源极的N沟道型漏极连接(cascode)MIS场效应晶体管7。这里，图7中简略地示出了电流供给部59的结构，而实际上它的结构是如图8(a)或者图8(b)所示。
在图8(a)所示的例子中，隔着开关64-1、64-2、…64-m给m位的电流源60-1、60-2、…60-m设置一个漏极连接MIS场效应晶体管7。而且，将漏极连接MIS场效应晶体管7的栅极电压Vclp设定在比显示面板的电源电压(例如3V左右)还低的值上。漏极连接MIS场效应晶体管7的阈值电压在栅极电压Vclp以下，漏极连接MIS场效应晶体管7在驱动过程中处于导通状态。
这样一来，漏极连接MIS场效应晶体管7便起钳位电路的作用，开关64-1、64-2、…64-m从断开状态一齐切换为闭合状态之时，便能由漏极连接MIS场效应晶体管7限制从显示面板一侧流入的电流。特别是，若将栅极电压Vclp设定在比显示面板的电源电压还低的值上的话，就是在从显示面板一侧瞬时地将高电压施加在输出端子68上的情况下，也能使加在构成电流源60-1、60-2、…60-m的每一个MIS场效应晶体管的漏极上的电压在栅极电压Vclp以下。这样一来，构成电流源60-1、60-2、…60-m的每一个MIS场效应晶体管的栅极电位不易受到从显示面板流入的电流的影响而变动，所以在该实施例的电流驱动装置中，交叉串扰现象得到了抑制，而实现了均匀的显示。
需提一下，可设多晶硅电阻、扩散电阻、阱电阻等电阻元件来代替漏极连接MIS场效应晶体管7作电流控制元件。在半导体集成电路中，通常是布置用以防止来自外部的电荷流入的电流限制用电阻，保护内部电路免遭静电破坏。这里，该电阻的作用是，对从显示面板流入的电荷施加限制，除去高频成分。而且，高频成分除去以后，就能减少为电流源的MIS场效应晶体管的栅极-漏极间的寄生电容，从而能抑制由于从显示面板流入的电荷造成的栅极电位的变动。
另外，该实施例的电流驱动装置中的电流供给部可以采用如图8(b)所示的结构。在该例中，设置了漏极连接MIS场效应晶体管7-1、77-2、…77-m来代替用以控制流入电流供给部59的电流量的开关(相当于图8(a)中的开关64-1～m)。而且，漏极连接MIS场效应晶体管7-1、77-2、…77-m中的每一个MIS场效应晶体管上都施加了比显示面板的电源电压还低的栅极电压Vclp而成为闭合状态。需提一下，因为该实施例中的漏极连接MIS场效应晶体管7-1、77-2、…77-m还兼作电流供给部59的输出控制开关用，所以可根据显示数据来控制它的闭合或者断开。
这样一来，在从黑显示切换到白显示时等，漏极连接MIS场效应晶体管7-1、77-2、…77-m便能起到防止大电流急剧地流入电流供给部59的电流源中那样的作用。而且，因为可使这一结构下的电路面积比图8(a)所示的实施例的小，所以该实施例的电流驱动装置非常适合在要求驱动LSI的面积要小的显示装置中使用。
其次，该实施例中的电流驱动装置的第二个特征，在于：P沟道型电流分配用MIS场效应晶体管55和电流输入用MIS场效应晶体管57之间，设置了其漏极接在电流分配用MIS场效应晶体管55的源极上、其导电型和电流分配用MIS场效应晶体管55相同的第二电流分配用MIS场效应晶体管3。正因为如此，本实施例的电流驱动装置，具有：设在第一MIS场效应晶体管53的漏极和基准电流源58之间的P沟道型第十三MIS场效应晶体管1；其漏极接在电流传递用MIS场效应晶体管61的源极上、与第十三MIS场效应晶体管1构成电流镜电路的P沟道型第四电流传递用MIS场效应晶体管5。而且，第二电流分配用MIS场效应晶体管3的各个栅极接在共同的偏压线上，由第十三MIS场效应晶体管1和第四电流传递用MIS场效应晶体管5构成电流镜电路。这里，“第二电流分配用MIS场效应晶体管3”为不区分第二电流分配用MIS场效应晶体管3-1～m中的每一个的情况下所用的表现。
根据这样的结构，该实施例的电流驱动装置能够抑制通过电流输入用MIS场效应晶体管57传递给电流供给部59的电流源60-1～m的基准电流的变动而使其稳定。因此，若利用该实施例的电流驱动装置，就能进一步提高电流驱动型显示装置的显示质量。
其次，该实施例中的电流驱动装置的第三个特征，在于：象在第一个实施例中所说明的那样，基准电流输出端子9设在第一半导体芯片70的边附近，基准电流输入端子11设在第二半导体芯片72的边附近；相互构成电流镜电路的N沟道型电流传递用MIS场效应晶体管9、81也设在第一半导体芯片70的边附近。而且，在图7所示的例子中，在基准电流源58设在第一半导体芯片70的外部、基准电流输入端子设在基准电流源58和第十三MIS场效应晶体管1的漏极之间的情况下，可使第一半导体芯片70和第二半导体芯片72的结构一样。
这样一来，就能抑制半导体芯片间的输出电流的偏差，同时还能用一种半导体芯片来构成显示装置的驱动器。
需提一下，在该实施例的电流驱动装置中，说明的是具有上述三个特征的例子，不仅如此，在仅仅具有其中之一个特征的情况下或者是具有其中之两个特征的情况下，都能实现和现有技术相比更均匀的显示。
需提一下，在该实施例的电流驱动装置中，可设含在电流供给部59中的MIS场效应晶体管的导电型为P沟道型，将电流供给部59一侧的电位设定得比显示面板一侧的电位高。此时，只要将构成电流驱动装置的MIS场效应晶体管的导电型全都换过来即可，这对以下实施例而言也是一样的。
(第四个实施例)
图9为显示本发明的第四个实施例所涉及的电流驱动装置的电路图。
如该图所示，该实施例中的电流驱动装置的特征，在于：在第二个实施例的电流驱动装置中，任意切换(shuffle)由电流分配用MIS场效应晶体管55构成的电流镜电路分配的基准电流，并将其从电流供给部59的输出端子输出。因此，在该实施例的电流驱动装置中，电流供给单元51-1～n内部的电路结构和第二个实施例的一样。
在图9所示的该实施例的电流驱动装置的例子中，给每一个电流供给部59设置电流分配用MIS场效应晶体管55，且在电流分配用MIS场效应晶体管55的漏极和电流输入用MIS场效应晶体管57的漏极之间设置第一偏流切换开关91和第二偏流切换开关92。例如，在电流分配用MIS场效应晶体管55-1和电流输入用MIS场效应晶体管57-1之间设置第一偏流切换开关91-1和第二偏流切换开关92-1；在电流分配用MIS场效应晶体管55-2和电流输入用MIS场效应晶体管57-2之间设置第一偏流切换开关91-2和第二偏流切换开关92-2。
在这一结构下，能够让由电流分配用MIS场效应晶体管55-1～n中的每一个MIS场效应晶体管分配的基准电流从在每一个任意期间内都不同的电流供给部59的输出端子输出。第一偏流切换开关91及第二偏流切换开关92的连接关系的切换时刻，例如可以每n个行(n为正整数)或者每一个帧等为单位任意设定。
图10(a)～图10(c)为电路图，示出了在该实施例的电流驱动装置中输出电流的切换方式的一例。图11(a)～图11(c)为电路图，示出了在该实施例的电流驱动装置中输出电流的切换方式的另一例。
图10(a)～图10(c)中，示出了当我们来看一个电流分配用MIS场效应晶体管55的时候，是如何切换电流分配用MIS场效应晶体管55和电流供给单元51间的连接关系的方法。这里，在切换相邻的电流分配用MIS场效应晶体管55和电流分配用MIS场效应晶体管55的连接关系的时候，在电流分配用MIS场效应晶体管55-1的邻居和电流分配用MIS场效应晶体管55-n的邻居夹着电流分配用MIS场效应晶体管55-1～n分别设置虚设电流分配用MIS场效应晶体管95、99。此时，也可设置虚设偏流切换开关96、97、100、101。
以电流分配用MIS场效应晶体管55-1为例说明该方式。这里，示出的是在每一个水平扫描期间改变连接关系的例子。
首先，在第一个水平扫描期间，如图10(a)所示的普通情况那样，电流分配用MIS场效应晶体管55-1接在电流供给单元51-1上。
在下一个水平扫描期间，如图10(b)所示，电流分配用MIS场效应晶体管55-1接在电流供给单元51-2上。
在更下一个水平扫描期间，如图10(c)所示，电流分配用MIS场效应晶体管55-1接在虚设布线上。需提一下，这里，仅说明了电流分配用MIS场效应晶体管55-1，但其它电流分配用MIS场效应晶体管55的连接也同样可以切换。
如上所述，因为可进行切换而使电流分配用MIS场效应晶体管55和输出电流之间的关系成为3种，所以能够抵消电流分配用MIS场效应晶体管55的特性偏差。因此，利用该实施例的电流驱动装置，能够实现显示的偏差得以抑制的电流驱动型显示装置。需提一下，在图10所示的例子中，示出的是(a)～(c)中所示的经过切换后的这三种连接方式。不仅如此，连接方式的种类比它多也行，仅为(b)、(c)所示的两种也可。
而且，该实施例中的电流驱动装置，可采用图11(a)～图11(c)所示的切换方式。
换句话说，在一开始的水平扫描期间，如图11(a)所示，电流分配用MIS场效应晶体管55-1接在电流供给单元51-3上。
在下一个水平扫描期间，如图11(b)所示，电流分配用MIS场效应晶体管55-1接在电流供给单元51-2上。
在下一个水平扫描期间，如图11(c)所示，电流分配用MIS场效应晶体管55-1接在虚设偏流切换开关97b上。使用这样的切换方法也能从外观上抵消来自电流供给部59的输出电流的误差。
需提一下，在该实施例的电流驱动装置中，电流分配用MIS场效应晶体管55的连接切换方法并不限于所述方法，可任意切换接着电流分配用MIS场效应晶体管55-1～n中的每一个MIS场效应晶体管的电流供给单元51。只不过是，因为尽量地将电流分配用MIS场效应晶体管55设在位于其附近的第二偏流切换开关92上的话，不仅能缩短布线还能使其简单化，所以更理想。因此，更好的情况是，在相邻的电流分配用MIS场效应晶体管55和MIS场效应晶体管55之间切换它们的连接关系。
需提一下，在该实施例的电流驱动装置中，在电流分配用MIS场效应晶体管55和电流输入用MIS场效应晶体管57之间设置了用以对输出端子之间的连接关系进行切换的偏流切换开关91、92，不仅如此，构成电流供给部59-1的N沟道型MIS场效应晶体管的漏极和开关64(参考图8)之间分别设置了第一及第二偏流切换开关91、92。
而且，在图9～图11所示的电流驱动装置中，是用开关(或者是切换用端子)来作切换电流分配用MIS场效应晶体管55和电流输入用MIS场效应晶体管57的连接关系的元件的，不仅如此，还可设置这以外的其它切换元件。
需提一下，在该实施例的电流驱动装置中，在电路面积有一定限制的情况下，可对多个电流供给部59设置一个电流分配用MIS场效应晶体管55及电流输入用MIS场效应晶体管57。
-第四个实施例的变形例-
图12为一电路图，示出了本发明的第四个实施例的变形例所涉及的电流驱动装置及半导体芯片。
该变形例中的电流驱动装置，采用了基本上和图9所示的电流驱动装置一样的结构。只不过是，和第四个实施例不同的地方在于：在该变形例中，第一半导体芯片70中，设置了接在第一偏流切换开关91-n上的第一端子160和接在第二偏流切换开关92-n上的第二端子162。另外，在第二半导体芯片72中，不仅设置了第一端子160、第二端子162，还设置了接在第一偏流切换开关91-1上的第三端子164及接在第二偏流切换开关92-1上的第四端子166。
这样一来，在布置了多个设置了该变形例中的电流驱动装置的半导体芯片的情况下，不仅可以在同一个半导体芯片内切换连接关系，还可在相邻的半导体芯片上所设的电流分配用MIS场效应晶体管55和电流输入用MIS场效应晶体管之间切换连接关系。需提一下，在图12所示的例子中，第一端子160接在第一偏流切换开关91-n上；第二端子162接在第二偏流切换开关92-n上。不仅如此，也可这样来设计，而做到：第一端子160和第二端子162分别接在位于较远处的第一偏流切换开关91和第二偏流切换开关92上。
通过按上述来驱动该变形例中的电流驱动装置，就不仅能降低来自半导体芯片内的输出端子的输出电流的偏差，还能减少来自半导体芯片之间的输出电流的偏差。
(第五个实施例)
图13为示出了在本发明的第五个实施例所涉及的电流驱动装置的第一具体例中电流供给部的结构的图。
在本发明的第一个实施例到第四个实施例所涉及的电流驱动装置中，构成电流供给部59-1、59-2、…59-3的MIS场效应晶体管，如图13上面所示的平面布置方式所示，经常是一起布置在每一个电流供给部中。在以下的说明中，称设置了这些MIS场效应晶体管的区域中，设置了构成电流供给部59-1的MIS场效应晶体管的区域为第一MIS场效应晶体管区域76-1、称设置了构成电流供给部59-2的MIS场效应晶体管的区域为第二MIS场效应晶体管区域76-2、称设置了构成电流供给部59-3的MIS场效应晶体管的区域为第三MIS场效应晶体管区域76-3。需提一下，不区分着称呼第一到第三MIS场效应晶体管区域的时候，统称其为MIS场效应晶体管区域76。需提一下，虽然在图14中省略了对它的图示，但在MIS场效应晶体管6内又分别设置了16个、32个尺寸相等的MIS场效应晶体管。
该具体例中的电流驱动装置的特征是：在这样的电路布置的电流驱动装置中，一个电流供给部59由设在不同的MIS场效应晶体管区域76内的MIS场效应晶体管构成。
看到了构成电流供给部59的MIS场效应晶体管因为其在半导体芯片内的位置的不同、制造工艺的不同等而出现了特性偏差。特别是，不同的MIS场效应晶体管区域内的MIS场效应晶体管和MIS场效应晶体管的特性偏差比较大。因此，在该具体例的电流驱动装置中，因为通过在相邻的输出端子之间、或者是相互分开的输出端子之间交换输出电流，而可将构成电流供给部59的MIS场效应晶体管的特性偏差平均化，所以可抑制每一个输出端子的输出电流的偏差。正因为如此，若将该具体例中的电流驱动装置应用到显示装置中，便能抑制显示不一致性而提高显示图像的质量。
需提一下，在该具体例的电流驱动装置中，可以组合半导体芯片内的任意MIS场效应晶体管区域76内的MIS场效应晶体管而构成一个电流供给部59，但若象图13所示的那样，将相邻的MIS场效应晶体管区域内的MIS场效应晶体管组合起来，就容易布线，所以这样做更加理想。只不过是，为了将输出电流更均匀化，有必要将相互分离的MIS场效应晶体管区域内的MIS场效应晶体管组合起来，所以实际工作中要综合考虑布线的难易程度、偏差减少效果等进行设计。不管在哪一种情况下，设计电路时，只要利用随机数等来决定将哪一个MIS场效应晶体管区域内的MIS场效应晶体管接到哪一个电流供给部59的输出端子上即可。
图14为一示出了第五个实施例所设计的电流驱动装置的第二个具体例中的电流供给部的结构的图。
在第一个具体例的电流驱动装置中，在每一个MIS场效应晶体管6内成为根据位的电流源的MIS场效应晶体管的布置情况(参看图13)已经固定好了。
与此相对，该具体例中的电流驱动装置中，如图14上侧的平面布置图所示那样，将设在MIS场效应晶体管区域76内的任意MIS场效应晶体管的栅极和栅极连接起来而构成电流供给部59。换句话说，在该具体例的电流驱动装置中，对每一个输出端子随机地改变对构成电流源的MIS场效应晶体管的选择。
因为我们看到由于位置的不同，即使是设在同一个MIS场效应晶体管区域76内的MIS场效应晶体管也有特性偏差。所以象该具体例那样，通过用从设在每一个MIS场效应晶体管6内的MIS场效应晶体管中随机地选择出来的MIS场效应晶体管构成电流供给部59，对输出电流的偏差的均匀化就比第一具体例还要好，而能控制它。这样一来，若将该具体例中的电流驱动装置应用到显示装置中，便能抑制显示不一致性而提高显示图像的质量。而且，不用设置开关所占用的面积了，所以和第四个实施例相比，可使电路面积小一些。
需提一下，该实施例的第一及第二具体例所涉及的电流驱动装置的电路布置及布线结构，并不限于第一到第四个实施例，即使使用图20所示的现有电流驱动装置，也能获得同样的效果。另外，若将该实施例中的布线结构应用到第四个实施例中，由于输出端子而造成的电流的误差会显著地减少。
(第六个实施例)
图15为一显示本发明的第六个实施例所涉及的电流驱动装置的电路图。
如该图所示，该实施例的电流驱动装置的特征，在于：在图4所示的第二电流驱动装置中，在偏压线56上相邻的电流分配用MIS场效应晶体管55的栅极之间设置了电阻62。这里，“电阻”为不区分图15中的电阻62-1、62-2、…62-(n-1)时的称呼方法。需提一下，用以构成电位梯度的电流源或者布线(未示)接在图15所示的偏压线56的基准电流输出端子一侧。
在该实施例的电流驱动装置中，通过设置电阻62，就能减少输出端子间的输出电流的误差。下面，对它进行说明。
电流镜电路是在以构成它的晶体管的扩散条件相同、从统计数据上看阈值电压Vt、载流子迁移率没有什么差别为前提的。然而，若显示装置用驱动LSI的芯片的长度从10mm加长到20mm，就难以均匀地进行含在晶体管中的杂质的扩散了。结果是，成为电流镜电路的晶体管的阈值也有了偏差。更有甚者，是输出电压出现偏差。通常情况下，扩散的变动是针对晶片面逐渐地倾斜。因此，例如电流分配用MIS场效应晶体管55的阈值电压Vt，便从电流分配用MIS场效应晶体管55-1朝着电流分配用MIS场效应晶体管55-n这样的方向逐渐地下降。
在该实施例的电流驱动装置中，因为在偏压线56上设置了电阻62，所以便能使加在电流分配用MIS场效应晶体管55-1～n上的栅极电压随着阈值电压Vt的梯度而倾斜。结果是，能够使流入电流分配用MIS场效应晶体管55的电流值基本一定。
因此，根据该实施例的电流驱动装置，能够抑制来自半导体芯片内的电流供给部59的输出电流的偏差，而使显示装置的图像质量提高。
需提一下，在该实施例的电流驱动装置中，还可将在第一个实施例中所说明的基准电流的输出入端子的结构、在第四个实施例及第五个实施例中所说明的结构结合起来使用。
(第七个实施例)
图16为一显示本发明的第七个实施例的电流驱动装置的电路图。
如该图所示，在该实施例的电流驱动装置中，除设置了图20所示的现有电流驱动装置以外，还给构成电流供给部59的电流源的MIS场效应晶体管中的每一个MIS场效应晶体管设置了导电型和该MIS场效应晶体管一样且其漏极接在该MIS场效应晶体管的源极上的漏极连接MIS场效应晶体管80。看上去，图16所示的电流供给部59的结构和图7所示的电流供给部59的结构很象，实际上，以下几个方面不同。在图16所示的电流供给部59中，对每一个构成电流源的MIS场效应晶体管设置漏极连接MIS场效应晶体管80；在漏极连接MIS场效应晶体管80和输出端子(未示)之间设置用以进行输出电流的灰阶控制的开关64；每一个漏极连接MIS场效应晶体管80的栅极和第二电流输入用MIS场效应晶体管105的栅极共同接在一起。另外，第二电流输入用MIS场效应晶体管105的漏极和栅极相互连接而让基准电流流过。由漏极连接MIS场效应晶体管80和第二电流输入用MIS场效应晶体管105构成电流镜电路。在该第二电流输入用MIS场效应晶体管105的漏极上接着例如用以分配基准电流的第二电流分配用MIS场效应晶体管(未示)。
因此，在该实施例中所说明的电流供给部59的每一个中，都从电流输入用MIS场效应晶体管57一侧、第二电流输入用MIS场效应晶体管105一侧这两个方向接收偏压。
在这一结构下，电流供给部59的输出电流，是应该流过构成不连接漏极连接MIS场效应晶体管80时的电流源的MIS场效应晶体管(电流源用MIS场效应晶体管)的电流和单独设置漏极连接MIS场效应晶体管80时应该流过的电流的平均值。尽管在所有电流源用MIS场效应晶体管上施加了相等的栅极电压，且所有的漏极连接MIS场效应晶体管80上也施加了相等的栅极电压，但是电流源用MIS场效应晶体管及漏极连接MIS场效应晶体管80的阈值的梯度便随着它们在半导体芯片上的位置的不同而逆向变化，即一个从图16所示的右方朝着左方变化，而另一个则从左方朝着右方变化。正因为如此，通过将应该流过电流源用MIS场效应晶体管的电流和应该流过漏极连接MIS场效应晶体管80的电流平均化，每一个输出端子的输出电流的偏差便被平均化而得以均匀化。因此，利用该实施例的电流驱动装置，便能实现抑制了显示不一致性的高精细显示装置。
需提一下，在图16中，示出了的是：给一个半导体芯片分别设置一组由电流输入用MIS场效应晶体管57和电流分配用MIS场效应晶体管(第一MIS场效应晶体管)55构成的组、由第二电流输入用MIS场效应晶体管105和第二电流分配用MIS场效应晶体管构成的组这一情况。不仅如此，也可将在第二个实施例中所说明的电流驱动装置的结构组合起来使用。
图17为一电路图，示出了将该实施例的电流驱动装置和第二个实施例中组合起来后的电流驱动装置。在该电流驱动装置中，设置了多组由电流输入用MIS场效应晶体管57和电流分配用MIS场效应晶体管55组成的组。
在这一情况下，给每一个半导体芯片设置了多组由第二电流输入用MIS场效应晶体管105和第二电流分配用MIS场效应晶体管55b组成的组。特别是，若使由电流输入用MIS场效应晶体管57和电流分配用MIS场效应晶体管55组成的组数和由第二电流输入用MIS场效应晶体管105和第二电流分配用MIS场效应晶体管55b组成的组数相等，便可更有效地减少每一个端子的输出电流的偏差，所以这样做是很理想的。需提一下，第二电流分配用MIS场效应晶体管55b的栅极接在共用的偏压线56b上。有了这样的结构以后，在将该实施例的电流驱动装置应用到显示装置的情况下，便能够抑制交叉串扰现象的发生。
需提一下，在采用这一结构的情况下，可与第四个实施例及第五个实施例中所说明的结构组合起来使用。例如，图17所示的电流驱动装置中，进一步包括：设在电流分配用MIS场效应晶体管55和电流输入用MIS场效应晶体管57之间的连接切换用元件130a、设在第二电流分配用MIS场效应晶体管55b和第二电流输入用MIS场效应晶体管105之间的连接切换用元件130b。连接切换用元件130a在每一个任意设定的期间将电流分配用MIS场效应晶体管55接在不同的电流输入用MIS场效应晶体管57上。同样，连接切换用元件130b在每一个任意设定的期间将第二电流分配用MIS场效应晶体管55b接在不同的第二电流输入用MIS场效应晶体管105上。这样一来，就能将来自电流供给部59的输出电流进一步均匀化。
而且，可将该实施例中的电流驱动装置的结构和第一个实施例中所说明的结构组合起来使用。
图18为一电路图，示出了在该实施例的电流驱动装置中具有在第一个实施例中所说明的端子结构时的电流驱动装置。如该图所示，在该实施例中的电流驱动装置中，可以在半导体芯片中离电流输入用MIS场效应晶体管57的距离在200μm以下，最好是100μm以下的范围内设置第一基准电流输入端子124及第一基准电流输出端子126；在离第二电流输入用MIS场效应晶体管105的距离在200μm以下，最好是100μm以下的范围内设置第二基准电流输入端子128及第二基准电流输出端子130。另外，在在显示面板的框上排列着多个设置了电流驱动装置的半导体芯片的情况下，可以将第一基准电流输出端子126和下一级的第二半导体芯片122的第一基准电流输入端子124连接起来，将第二基准电流输出端子130和第二半导体芯片122的第二基准电流输入端子128连接起来。这样一来，也能抑制半导体芯片间的输出电流的偏差。
(第八个实施例)
图19为一电路图，示出了形成有本发明的第八个实施例所涉及的电流驱动装置的半导体芯片。在该图所示的电流驱动装置中，因为电流供给部40的结构和图2所示的电流供给部40的结构一样，所以下面仅对除此以外的结构加以说明。
该实施例的半导体芯片的特征，在于：在显示面板的周围部分排列着设置一列半导体芯片的情况下，在每一个任意的时间间隔内对基准电流流动的方向进行切换。
如图19所示，该实施例的电流驱动装置中，设有：接在用以让第一基准电流流过的基准电流源151上的第一基准电流输入端子146；与构成电流源的MIS场效应晶体管构成电流镜电路，栅极和漏极相互连接，传递第一基准电流的第一电流输入用MIS场效应晶体管3a；与构成电流源5的MIS场效应晶体管及第一电流输入用MIS场效应晶体管3a构成电流镜电路的第一电流传递用MIS场效应晶体管7b；传递来自第一电流传递用MIS场效应晶体管7b的输出电流的第一基准电流输出端子150；用以输入从第二基准电流源153或者下一级半导体芯片输出的第二基准电流的第二基准电流输入端子148；与构成电流源5的MIS场效应晶体管构成电流镜电路，栅极和漏极连接着的第二电流输入用MIS场效应晶体管3b；与第二电流输入用MIS场效应晶体管及构成电流源5的MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第二电流传递用MIS场效应晶体管7a；传递来自第二电流传递用MIS场效应晶体管7a的输出电流的第二基准电流输出端子144；接在第二基准电流输出端子144上的开关SW1；接在第一基准电流输入端子146上的开关SW2；接在第二基准电流输入端子148上的开关SW3；接在第一基准电流输出端子150上的开关SW4。另外，在第一基准电流输入端子146和第一电流输入用MIS场效应晶体管3a间的电流传递通路上、及在第二基准电流输出端子144和第二电流传递用MIS场效应晶体管7a之间的电流传递通路上，设置了基准电流切换开关154；在第二基准电流输入端子148和第二电流输入用MIS场效应晶体管3b间的电流传递通路上、及在第一基准电流输出端子150和第一电流传递用MIS场效应晶体管7b之间的电流传递通路上，设置了基准电流用开关156。
另外，第一基准电流输入端子146和第一电流输入用MIS场效应晶体管3a的距离，最好在200μm以下，在100μm以下就更理想了。第一基准电流输出端子150和第一电流传递用MIS场效应晶体管7b的距离最好在200μm以下，在100μm以下就更理想了。同样，第二基准电流输入端子148和第二电流输入用MIS场效应晶体管3b之间的距离，最好在200μm以下，在100μm以下就更理想了。第二基准电流输出端子144和第二电流传递用MIS场效应晶体管7a的距离最好在200μm以下，在100μm以下就更理想了。
这样一来，在将该实施例的半导体芯片一级一级地连接起来的情况下，就能减少每一个半导体芯片的输出电流(像素电路的驱动电流)的偏差。
而且，在显示装置中，在相邻着设置第一半导体芯片140和第二半导体芯片142的情况下，第一半导体芯片140的第一基准电流输出端子150和第二半导体芯片142的第一基准电流输入端子146相互连接在一起；第一半导体芯片140的第二基准电流输入端子148和第二半导体芯片142的第二基准电流输出端子144相互连接在一起。
在该实施例的电流驱动装置中，开关SW1和开关SW2相互同步工作，开关SW3和开关SW4相互同步工作。不仅如此，将开关SW1、SW3的工作和开关SW2和开关SW4的工作控制成断开、闭合互逆的状态。如下面所说明的那样，在该实施例的电流驱动装置工作的时候，第一基准电流传递给多个半导体芯片的第一期间、第二基准电流传递给多个半导体芯片的第二期间交替地重复出现。
首先，在第一期间，如图19所示，开关SW2、SW4闭合，开关SW1、SW3断开，同时由基准电流用开关154让第一基准电流输入端子146和第一电流输入用MIS场效应晶体管3a之间的电流传递通路导通，由基准电流用开关154将第二基准电流输出端子144和第二电流传递用MIS场效应晶体管7a之间的电流传递通路切断。与此同时，基准电流用开关156让第一基准电流输出端子150和第一电流传递用MIS场效应晶体管7b之间的电流传递通路导通，由基准电流用开关156将第二基准电流输入端子148和第二电流输入用MIS场效应晶体管3b之间的电流传递通路切断。通过这样的控制，第一基准电流便通过第一基准电流输入端子146和第一基准电流输出端子150传递到多个半导体芯片中。
接着，在第二期间，开关SW2、SW4断开，开关SW1、SW3闭合，同时由基准电流用开关154将第一基准电流输入端子146和第一电流输入用MIS场效应晶体管3a之间的电流传递通路切断，由基准电流用开关154使第二基准电流输出端子144和第二电流传递用MIS场效应晶体管7a之间的电流传递通路导通。与此同时，由基准电流用开关156将第一基准电流输出端子150和第一电流传递用MIS场效应晶体管7b之间的电流传递通路切断，由基准电流用开关156让第二基准电流输入端子148和第二电流输入用MIS场效应晶体管3b之间的电流传递通路导通。通过这样的控制，从第二基准电流源153供来的第二基准电流便通过第二基准电流输入端子148和第二基准电流输出端子144传递到多个半导体芯片中。
在驱动大画面显示面板之际，有必要排列上多个设置了电流驱动装置的半导体芯片，但在仅从一个方向提供基准电流的现有电流驱动装置中，供向第一级半导体芯片的基准电流和传递到最终一级半导体芯片的基准电流之间容易产生误差。与其相比，在该实施例的电流驱动装置中，因为可在每一个任意期间交替着传递来自两种基准电流源的基准电流，所以来自输出端子的输出电流的偏差得以平均化。结果是，通过使用该实施例中的电流驱动装置，即使在显示面板的尺寸较大的情况下也能实现显示得以均匀化了的显示装置。
需提一下，在图19中，让电流供给部40的结构和第一个实施例的一样了，不仅如此，只要为一能够切换基准电流的流动方向的结构，使其和其它实施例中的电流供给部的结构一样也是可以的。
而且，第一基准电流输入端子146和第一电流输入用MIS场效应晶体管3a之间的电流传递通路、第二基准电流输出端子144和第二电流传递用MIS场效应晶体管7b之间的电流传递通路有一部分是共用的，不仅如此，所述电流传递通路可以是完全分开着的。此时，基准电流用开关就不需要了。与此相同，第一基准电流输出端子150和第一电流传递用MIS场效应晶体管7b之间的电流传递通路、第二基准电流输入端子148和第二电流输入用MIS场效应晶体管3b之间的电流传递通路也可以是分开着的。

Claims (31)

1.一种电流驱动装置，其设在半导体芯片上，其特征在于：
包括：
自让基准电流流动的基准电流源传递所述基准电流的第一导电型第一MIS场效应晶体管；
与所述第一MIS场效应晶体管构成电流镜电路而让所述基准电流流动的第一导电型的电流分配用MIS场效应晶体管；
接在所述电流分配用MIS场效应晶体管上的第二导电型电流输入用MIS场效应晶体管；
每一个电流供给部都具有：与所述电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第二导电型电流源用MIS场效应晶体管、和用以输出对应于显示数据的电流的输出端子的多个电流供给部；
与所述电流源用MIS场效应晶体管及所述电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第二导电型的电流传递用MIS场效应晶体管；以及
设在所述半导体芯片中离所述电流传递用MIS场效应晶体管的距离在200μm以下的区域上，用以输出从所述电流传递用MIS场效应晶体管传来的电流的基准电流输出端子。
2.根据权利要求1所述的电流驱动装置，其特征在于：
所述基准电流输出端子，设在所述半导体芯片中离所述电流传递用MIS场效应晶体管的距离在100μm以内的区域上。
3.根据权利要求1所述的电流驱动装置，其特征在于：
所述基准电流源在所述半导体芯片的外部；
在所述半导体芯片中离所述电流输入用MIS场效应晶体管的距离在200μm以下的区域上，还设有接在所述基准电流源上、用以将电流传递给所述电流输入用MIS场效应晶体管的第一基准电流输入端子。
4.根据权利要求3所述的电流驱动装置，其特征在于：
所述基准电流输入端子，设在所述半导体芯片中离所述电流输入用MIS场效应晶体管的距离在100μm以内的区域上。
5.根据权利要求1所述的电流驱动装置，其特征在于：
在将所述基准电流从所述电流传递用MIS场效应晶体管传递到所述基准电流输出端子的传递通路上，还设有由第一导电型MIS场效应晶体管构成的电流镜电路。
6.根据权利要求5所述的电流驱动装置，其特征在于：
在将所述基准电流从所述基准电流源传递到所述第一MIS场效应晶体管的传递通路上，还设有由第二导电型MIS场效应晶体管构成的电流镜电路。
7.根据权利要求1所述的电流驱动装置，其特征在于：
还包括：
接在所述第一MIS场效应晶体管的漏极上、设在所述半导体芯片中离所述电流输入用MIS场效应晶体管的距离在200μm以下的区域上的第一基准电流输入端子；
接在所述第一MIS场效应晶体管的漏极上、由第二导电型MIS场效应晶体管构成的输入一侧电流镜电路；
接在所述输入一侧电流镜电路上、设在所述半导体芯片中离所述电流输入用MIS场效应晶体管的距离在200μm以下的区域上的第二基准电流输入端子；以及
设在从所述电流传递用MIS场效应晶体管到所述基准电流输出端子的电流传递通路上、由第一导电型MIS场效应晶体管构成的输出一侧电流镜电路。
8.根据权利要求1所述的电流驱动装置，其特征在于：
针对一个所述半导体芯片，设置多组由所述电流分配用MIS场效应晶体管和所述电流输入用MIS场效应晶体管组成的对。
9.根据权利要求8所述的电流驱动装置，其特征在于：
在所述电流分配用MIS场效应晶体管和所述电流输入用MIS场效应晶体管之间，还设置了进行切换而做到在给定的每一个期间将所述电流分配用MIS场效应晶体管连接到不同的所述电流输入用MIS场效应晶体管上的连接切换元件。
10.根据权利要求1～9中之任一项权利要求所述的电流驱动装置，其特征在于：
在所述半导体芯片上，一列一列地排列着所述电流源用MIS场效应晶体管集合起来而设在其上的多个MIS场效应晶体管区域；
所述多个电流供给部中的每一个电流供给部，都具有布置在至少两个所述MIS场效应晶体管区域内的MIS场效应晶体管。
11.根据权利要求8所述的电流驱动装置，其特征在于：
所述电流分配用MIS场效应晶体管的栅极接在共同的偏压线上；
还在所述偏压线上、相邻的所述电流分配用MIS场效应晶体管的栅极之间设了电阻元件。
12.一种电流驱动装置，其设在半导体芯片上，包括：驱动时基准电流流动的第一导电型第一MIS场效应晶体管、与所述第一MIS场效应晶体管构成电流镜电路并用以让所述基准电流流动的第一导电型第一电流分配用MIS场效应晶体管、其漏极上连接着所述第一电流分配用MIS场效应晶体管的第二导电型第一电流输入用MIS场效应晶体管、以及每一个电流供给部都具有：与所述第一电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第二导电型电流源用MIS场效应晶体管、连接在所述电流源用MIS场效应晶体管中的每一个MIS场效应晶体管上并用以使根据显示数据流过所述电流源用MIS场效应晶体管的电流流过或者将其截止的开关、连接在所述开关上并将对应于所述显示数据的电流输出到显示面板的输出端子的多个电流供给部，其特征在于：
给一个所述半导体芯片设置多组由所述第一电流分配用MIS场效应晶体管和所述第一电流输入用MIS场效应晶体管组成的对；
还包括：连接在所述第一MIS场效应晶体管的栅极及所述第一电流分配用MIS场效应晶体管的栅极上的共同的偏压线。
13.根据权利要求12所述的电流驱动装置，其特征在于：
所述多个电流供给部内的所有的所述电流源用MIS场效应晶体管的栅极与所有的所述第一电流输入用MIS场效应晶体管的栅极相互连接起来。
14.根据权利要求12所述的电流驱动装置，其特征在于：
所述多个电流供给部中的每一个电流供给部设在所述开关和所述输出端子之间；每一个电流供给部具有：驱动时小于等于所述显示面板的电源电压的电压加在栅极上而成为导通状态的第二导电型第一漏极连接MIS场效应晶体管。
15.根据权利要求12所述的电流驱动装置，其特征在于：
所述开关，为：与所述电流源用MIS场效应晶体管构成漏极连接，根据给定的电压是否加在驱动时的栅极上而被控制为导通或者截止的第二漏极连接MIS场效应晶体管。
16.根据权利要求12所述的电流驱动装置，其特征在于：
还包括：接在所述第一MIS场效应晶体管上，驱动时所述基准电流流动的第一导电型第二MIS场效应晶体管；以及
设在所述第一电流分配用MIS场效应晶体管和所述第一电流输入用MIS场效应晶体管之间，栅极和栅极共同接在所述第二MIS场效应晶体管的栅极上的第一导电型第二电流分配用MIS场效应晶体管。
17.根据权利要求12～16中的任一项权利要求所述的电流驱动装置，其特征在于：
在所述第一电流分配用MIS场效应晶体管和所述第一电流输入用MIS场效应晶体管之间，还设置了进行切换而做到在给定的每一个期间将所述第一电流分配用MIS场效应晶体管连接在不同的所述电流输入用MIS场效应晶体管上的连接切换元件。
18.根据权利要求17所述的电流驱动装置，其特征在于：
所述连接切换元件，包括：第一偏流切换开关和第二偏流切换开关。
19.根据权利要求17所述的电流驱动装置，其特征在于：
进一步包括：
与所述第一MIS场效应晶体管和所述第一电流分配用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型虚设电流分配用MIS场效应晶体管；以及
用以将所述虚设电流分配用MIS场效应晶体管和所述电流输入用MIS场效应晶体管暂时连接起来的虚设连接切换元件。
20.根据权利要求18所述的电流驱动装置，其特征在于：
在所述半导体芯片上，进一步设有：驱动时一时地接在所述第一偏流切换开关上的第一端子和驱动时一时地接在所述第二偏流切换开关上的第二端子。
21.根据权利要求12所述的电流驱动装置，其特征在于：
在所述半导体芯片上，一列一列地排列着所述电流源用MIS场效应晶体管集合起来而设在其上的多个MIS场效应晶体管区域；
所述多个电流供给部中的每一个电流供给部，都具有布置在至少两个所述MIS场效应晶体管区域内的MIS场效应晶体管。
22.根据权利要求12所述的电流驱动装置，其特征在于：
还在所述偏压线上、相邻的所述电流分配用MIS场效应晶体管的栅极之间设了电阻元件。
23.根据权利要求12所述的电流驱动装置，其特征在于：
还包括：
驱动时用以传递所述基准电流的多个第一导电型第三电流分配用MIS场效应晶体管；
其漏极及栅极接在所述多个第三电流分配用MIS场效应晶体管中的每一个MIS场效应晶体管上的多个第二导电型第二电流输入用MIS场效应晶体管；以及
与所述第二电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路且设在所述电流源用MIS场效应晶体管中的每一个MIS场效应晶体管和所述开关之间的第二导电型第三漏极连接MIS场效应晶体管。
24.一种电流驱动装置，其特征在于：
设在所述半导体芯片上，包括：
驱动时第一基准电流流动的第一导电型第一电流输入用MIS场效应晶体管；
驱动时第二基准电流流动的第一导电型第二电流输入用MIS场效应晶体管；
每一个电流供给部都包括：与所述第一电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型电流源用MIS场效应晶体管、连接在所述电流源用MIS场效应晶体管中的每一个上并进行切换而让根据显示数据流过所述电流源用MIS场效应晶体管的电流流过或者将其截止的开关、分别设在所述电流源用MIS场效应晶体管和所述开关之间并与所述第二电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型漏极连接MIS场效应晶体管、以及接在所述开关上用以输出对应于所述显示数据的电流的输出端子的多个电流供给部。
25.根据权利要求24所述的电流驱动装置，其特征在于：
在所述半导体芯片上，还设有：用以输入所述第一基准电流的第一基准电流输入端子、用以输出所述第一基准电流的第一基准电流输出端子、用以输入所述第二基准电流的第二基准电流输入端子、用以输出所述第二基准电流的第二基准电流输出端子；
所述第一基准电流输入端子和所述第一基准电流输出端子设在所述多个电流供给部的两侧即夹着所述多个电流供给部而设。
26.一种电流驱动装置，其设在半导体芯片上，其特征在于：
包括：
用以输入第一基准电流的第一基准电流输入端子；
传递在第一期间流过所述第一基准电流输入端子的电流的第一导电型第一电流输入用MIS场效应晶体管；
每一个电流供给部都具有：在所述第一期间与所述第一电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型电流源用MIS场效应晶体管、和输出对应于显示数据的电流的输出端子的多个电流供给部；
在所述第一期间与所述第一电流输入用MIS场效应晶体管和所述电流源用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型第一电流传递用MIS场效应晶体管；
传递在所述第一期间流过所述第一电流传递用MIS场效应晶体管的电流的第一基准电流输出端子；
用以输入第二基准电流的第二基准电流输入端子；
传递在第二期间流过所述第二基准电流输入端子的电流、且与所述电流源用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型第二电流输入用MIS场效应晶体管；
在所述第二期间内与所述电流源用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型第二电流传递用MIS场效应晶体管；
传递在所述第二期间流过所述第二电流传递用MIS场效应晶体管的电流的第二基准电流输出端子；
设在所述第一基准电流输入端子和所述第一电流输入用MIS场效应晶体管之间的电流传递通路上的第一开关；
设在所述第一电流传递用MIS场效应晶体管和所述第一基准电流输出端子之间的电流传递通路上的第二开关；
设在所述第二基准电流输入端子和所述第二电流输入用MIS场效应晶体管之间的电流传递通路上的第三开关；以及
设在所述第二电流传递用MIS场效应晶体管和所述第二基准电流输出端子之间的电流传递通路上的第四开关。
27.根据权利要求26所述的电流驱动装置，其特征在于：
所述第一基准电流输入端子与所述第一电流输入用MIS场效应晶体管之间的电流传递通路、所述第二电流传递用MIS场效应晶体管与所述第二基准电流输出端子之间的电流传递通路，拥有第一共用布线；
所述第二基准电流输入端子和所述第二电流输入用MIS场效应晶体管之间的电流传递通路、所述第一电流传递用MIS场效应晶体管和所述第一基准电流输出端子之间的电流传递通路，具有第二共用布线；
所述第一共用布线上，具有：在所述第一期间让所述第一电流输入用MIS场效应晶体管的输出电流流过、在所述第二期间让所述第二电流输出用MIS场效应晶体管的输出电流流过的第一基准电流用开关；
所述第二共用布线上，具有：在所述第一期间让所述第一电流输出用MIS场效应晶体管的输出电流流过、在所述第二期间让所述第二电流输入用MIS场效应晶体管的输出电流流过的第二基准电流用开关。
28.一种显示装置，其包括：设置了具有其亮度根据供来的电流量而变化的发光元件的像素电路的显示面板、和设在一列一列地布置着的多个半导体芯片中的每一个半导体芯片中并将驱动电流提供给所述像素电路的电流驱动装置，其特征在于：
所述多个半导体芯片中的每一个半导体芯片，都拥有设在其边上并用以输入基准电流的基准电流输入端子和设在其边上用以输出下一级半导体芯片用基准电流的基准电流输出端子；
所述多个半导体芯片中相邻半导体芯片中的上述基准电流输入端子和所述基准电流输出端子被设置成相互对峙的样子。
29.一种显示装置，其包括：设置了具有其亮度根据供来的电流量而变化的发光元件的像素电路的显示面板、和每一个半导体芯片中都设置了用以将驱动电流提供给所述像素电路的电流驱动装置的多个半导体芯片，其特征在于：
所述电流驱动装置，包括：
驱动时基准电流流动的第一导电型第一MIS场效应晶体管；
与所述第一MIS场效应晶体管构成电流镜电路并让所述基准电流流动的多个第一导电型电流分配用MIS场效应晶体管；
每一个的漏极都连接着所述多个电流分配用MIS场效应晶体管中的每一个MIS场效应晶体管的多个第二导电型电流输入用MIS场效应晶体管；
每一个电流供给部都具有与所述电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第二导电型电流源用MIS场效应晶体管和将对应于显示数据的驱动电流输出给所述像素电路的输出端子的多个电流供给部。
30.一种显示装置，其包括：设置了具有其亮度根据供来的电流量而变化的发光元件的像素电路的显示面板、和每一个半导体芯片中都设置了用以将驱动电流提供给所述像素电路的电流驱动装置的多个半导体芯片，其特征在于：
所述电流驱动装置，包括：
驱动时第一基准电流流动的第一导电型第一电流输入用MIS场效应晶体管；
驱动时第二基准电流流动的第一导电型第二电流输入用MIS场效应晶体管；
每一个电流供给部都具有与所述第一电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型电流源用MIS场效应晶体管、连接在所述电流源用MIS场效应晶体管中的每一个上并进行切换而让根据显示数据流过所述电流源用MIS场效应晶体管的电流流过或者将其截止的开关、分别设在所述电流源用MIS场效应晶体管和所述开关之间并与所述第二电流输入用MIS场效应晶体管构成电流镜电路的第一导电型漏极连接MIS场效应晶体管以及接在所述开关上用以将对应于所述显示数据的驱动电流输出给所述像素电路的输出端子的多个电流供给部。
31.根据权利要求30所述的电流驱动装置，其特征在于：
在所述多个半导体芯片中的每一个半导体芯片的边上，还设置了用以输入所述第一基准电流的第一基准电流输入端子、用以输出所述第一基准电流的第一基准电流输出端子、用以输入所述第二基准电流的第二基准电流输入端子、用以输出所述第二基准电流的第二基准电流输出端子；
所述第一基准电流输出端子接在相邻的所述半导体芯片的所述第一基准电流输入端子上；
所述第二基准电流输出端子接在相邻的所述半导体芯片的所述第二基准电流输入端子上。
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Granted publication date: 20071205

Termination date: 20120509