CN1531050A - 制造对象物的制造装置及制造对象物的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种制造对象物的制造装置及制造对象物的制造方法。制造对象物的制造装置(10)用于搬送制造对象物、并由多个处理装置对制造对象物进行处理，设置有向处理装置(23)、(123)搬送制造对象物的多个搬送装置(20)、(120)，配置在多个搬送装置(20)、(120)之间、对由各装置(20)、(120)搬送的制造对象物进行共同处理的共同处理装置(200)，以及配置在多个搬送装置(20)、(120)之间、在共同处理装置(200)与各搬送装置(20)、(120)之间交接制造对象物的制造对象物交接部(100)、(103)。由此能够节省半导体晶片等制造对象物的制造时间，实现制造对象物的制造装置的小型化。

Description

制造对象物的制造装置及制造对象物的制造方法
技术领域
本发明涉及例如半导体晶片等制造对象物的制造装置及制造对象物的制造方法。
背景技术
制造半导体晶片(以下称晶片)的半导体处理装置，例如有光刻装置、成膜装置、蚀刻装置、清洗装置、检查装置等各种晶片处理装置。
为了在这样的晶片处理装置间移动晶片，使用晶片盒。该晶片盒是以可存取的方式收容多枚晶片的盒子。在该晶片盒内根据工序搬运系统要求的批量而收容有多枚晶片(例如专利文献1)。
而且，根据少量多品种生产的要求，还提出了一种取代晶片盒方式的搬送，而在传送带上一次放置一枚晶片搬送的所谓单片搬送的方法。这种单片搬送方式是与晶片的少量多品种生产相对应的方法(例如专利文献2)。
专利文献1：特开昭62-48038号公报(参照第二页、图1)
专利文献2：特开2002-334917号公报(参照第一页、图1)
然而，采用这样的单片搬送方式存在有以下的问题。
一个单片搬送方式的传送带与多个处理装置相对应而配置。即该单片搬送传送带以单片搬送的方式向各处理装置供给晶片。由单片搬送传送带与多个处理装置构成一个工序。
而且在其旁边配置有其它工序，该工序中也要配置单片搬送传送带与多个处理装置。在这样的多个工序排列的制造系统的情况下，在相邻的各工序中存在有具有相同处理功能的处理装置。
该处理装置例如可以是膜厚检查装置。由一台膜厚检查装置完全能够满足相邻工序中晶片的膜厚检查处理，膜厚检查的能力很高。
所以，这样的处理能力较低的例如CVD(化学气相沉积)等处理装置与处理能力较高的例如膜厚检查装置等装置，在各工序的单片搬送传送带中重复配置。由于装置数目的增多，使投资额增大。
而且，另一方面，在要从一个单片搬送传送带向其它单片搬送传送带搬送晶片的情况下，晶片临时收容于晶片盒。该晶片盒由工序间搬送传送带送至下一工序。这样就必须再一次将晶片从该盒子取出，将晶片移到下一工序的单片搬送传送带。因此，晶片重装的时间就很长。所以无法缩短晶片的制造时间。
发明内容
因此，本发明的目的在于，解决上述问题，提供一种制造对象物的制造装置及制造对象物的制造方法，在能够在节省半导体晶片等制造对象物的制造时间的同时，通过在相邻的工序间共同使用处理能力较高的装置而实现制造对象物的制造装置的小型化。
本发明的制造对象物的制造装置，用于搬送制造对象物、并由多个处理装置对所述制造对象物进行处理，其特征在于：设置有向所述处理装置搬送所述制造对象物的多个搬送装置，配置在所述多个搬送装置之间、对由所述各搬送装置所搬送的所述制造对象物进行共同处理的共同处理装置，以及配置在所述多个搬送装置之间、在所述共同处理装置与所述各搬送装置之间交接所述制造对象物的制造对象物交接部。
根据这样的结构，多个搬送装置向处理装置搬送制造对象物。共同处理装置配置于多个搬送装置之间。该共同处理装置能够对由各搬送装置所搬送的制造对象物进行共同的处理。
制造对象物的交接部配置在多个搬送装置之间。该制造对象物的交接部在共同处理装置与各搬送装置之间交接制造对象物。
由此，能够将共同处理装置配置于多个搬送装置之间。且对来自各搬送装置的制造对象进行共同的处理。
所以，通过配置处理能力较快的装置作为共同处理装置，能够对多个搬送装置所分别搬送的制造对象物进行高效率的共同处理，可节约制造时间。
而且，通过将这样进行共同处理的共同处理装置配置于各搬送装置之间，与对于各个搬送装置分别配置处理速度较快的处理装置相比，能够使制造装置小型化。
在上述结构中，希望其特征在于：所述搬送装置是将所述制造对象物以单片状态搬送的单片搬送传送带，所述多个单片搬送传送带具有第1单片搬送传送带及与所述第1单片搬送传送带平行设置的第2单片搬送传送带，所述制造对象物交接部分别配置于所述共同处理装置与所述第1单片搬送传送带之间的第1位置、及所述共同处理装置与所述第2单片搬送传送带之间的第2位置。
根据这样的结构，多个单片搬送传送带具有第1单片搬送传送带及与第2单片搬送传送带，制造对象物交接部分别配置于第1位置与第2位置。第1位置是共同处理装置与第1单片搬送传送带之间，第2位置是共同处理装置与第2单片搬送传送带之间。
由此，制造对象物交接部能够在共同处理装置与第1单片搬送传送带之间及第2位置及共同处理装置与第2单片搬送传送带之间高效率地交接制造对象物，节省制造的时间。
在上述结构中，希望其特征在于：所述搬送装置是将所述制造对象物以单片状态搬送的单片搬送传送带，所述多个单片搬送传送带具有第1单片搬送传送带及与所述第1单片搬送传送带平行设置的第2单片搬送传送带，所述制造对象物交接部配置于所述第1单片搬送传送带与所述第2单片搬送传送带之间，所述共同处理装置与所述制造对象物交接部相对面。
根据这样的结构，多个单片搬送传送带具有第1单片搬送传送带及与第2单片搬送传送带。
制造对象物交接部配置于第1单片搬送传送带与第2单片搬送传送带之间，共同处理装置与所述制造对象物交接部相对面。
由此，制造对象物交接部能够在共同处理装置与第1单片搬送传送带之间、及共同处理装置与第2单片搬送传送带之间高效率地交接制造对象物，节省制造的时间。
在上述结构中，希望其特征在于：所述搬送装置是将所述制造对象物以单片状态搬送的单片搬送传送带，所述多个单片搬送传送带具有第1单片搬送传送带及与所述第1单片搬送传送带平行设置的第2单片搬送传送带，所述制造对象物交接部具有配置在所述第1单片搬送传送带与所述第2单片搬送传送带之间、单片搬送所述制造对象物的第3单片搬送传送带，以及在所述共同单片搬送传送带与所述共同处理装置之间进行所述第1单片搬送传送带侧的所述制造对象物的交接的同时、在所述第2单片搬送传送带与所述共同处理装置之间进行所述制造对象物的交接的交接装置。
根据这样的结构，多个单片搬送传送带具有第1单片搬送传送带及与第2单片搬送传送带。
制造对象物的第3单片搬送传送带配置在所述第1单片搬送传送带与所述第2单片搬送传送带之间。交接装置在共同单片搬送传送带与共同处理装置之间进行第1单片搬送传送带侧的所述制造对象物的交接。而且，交接装置还能够在第2单片搬送传送带与共同处理装置之间进行制造对象物的交接。
由此，在第1单片搬送传送带与共同处理装置之间及第2单片搬送传送带与共同处理装置之间，能够高效率地进行制造对象物的交接，节省制造的时间。
在上述结构中，希望其特征在于：所述制造对象物是半导体晶片。
根据这样的结构，制造对象物是半导体晶片，能够节约半导体晶片的制造时间。
本发明的制造对象物的制造方法，用于搬送制造对象物、并由多个处理装置对所述制造对象物进行处理，其特征在于：具有由分别的搬送装置向所述处理装置搬送所述制造对象物的搬送步骤，配置在所述多个搬送装置之间的制造对象物交接部在所述共同处理装置与所述各搬送装置之间交接所述制造对象物的制造对象物交接步骤，以及在配置在所述多个搬送装置之间的共同处理装置，对由所述各搬送装置所搬送的所述制造对象物进行共同处理的共同处理步骤。
根据这样的结构，在单片搬送步骤中能够由各自的搬送装置分别向处理装置搬送制造对象物。
在交接步骤中，配置在多个搬送装置之间的制造对象的交接部能够在共同处理装置与搬送装置之间交接制造对象物。
在共同处理步骤中，能够由配置在多个搬送装置之间的共同处理装置对由各搬送装置所搬送的制造对象物进行共同处理。
由此，共同处理装置配置在多个搬送装置之间，并能够对来自各搬送装置的制造对象物进行共同的处理。
所以，通过配置处理能力较快的装置作为共同处理装置，能够对由多个搬送装置所分别搬运的制造对象物进行高效率的共同处理，节省制造的时间。
而且，通过将这样进行共同处理的共同处理装置配置于各搬送装置之间，与对于各个搬送装置分别配置处理速度较快的处理装置相比，能够使制造装置小型化。
在上述结构中，希望其特征在于：所述搬送装置是将所述制造对象物以单片状态搬送的单片搬送传送带，所述制造对象物是半导体晶片。
根据这样的结构，能够单片搬送半导体晶片，节省半导体晶片的制造时间。
附图说明
图1是表示包含本发明的制造对象物的制造装置的第一实施方式的制造对象物的制造系统的平面图。
图2是表示收容多枚晶片的晶片盒的一例的立体图。
图3是表示图1的第一实施方式的制造对象物的交接单元与第1单片搬送传送带及处理装置的平面图。
图4是表示图3的装置的一部分的立体图。
图5是表示第一实施方式的第2单片搬送传送带、制造对象物的交接单元与第1单片搬送传送带及处理装置的平面图。
图6是表示图1的第一实施方式的制造对象物的交接部与共同处理装置及多个单片搬送传送带的平面图。
图7是表示移载机械手一例的立体图。
图8是从别的角度看到的图7的移载机械手的立体图。
图9是表示本发明的制造对象物的制造方法的一例的流程图。
图10是表示包含本发明的制造对象物的制造装置的第二实施方式的制造对象物的制造系统的平面图。
图11是表示包含本发明的制造对象物的制造装置的第三实施方式的制造对象物的制造系统的平面图。
图12是表示包含本发明的制造对象物的制造装置的第四实施方式的制造对象物的制造系统的平面图。
符号说明：
10-制造对象物的制造装置
20-第1单片搬送传送带(搬送装置的一例)
120-第2单片搬送传送带(搬送装置的一例)
23、123-处理装置
100、103-制造对象物的交接部
200-共同处理装置。
具体实施方式
下面根据附图对本发明的适宜的实施方式加以说明。
图1是表示包含本发明的制造对象物的制造装置的制造对象物的制造系统的一部分的例的平面图。该制造对象物的制造系统1具有多个制造对象物的制造装置10。在图1中，示例了一个制造对象物的制造装置10。该制造对象物的制造系统1是为了制造作为制造对象物的一例的半导体晶片W(以下称晶片)的系统。
(第一实施方式)
在图1中，制造对象物的制造系统1具有一个制造对象物的制造装置10与一个分段搬送传送带11。该分段搬送传送带11也称为工序间搬送传送带。分段搬送传送带11，例如可以在R方向以环状搬送图2所示的多个晶片盒15。
图2中所示是晶片盒15的一例。晶片盒15以可存取的方式收容有多枚晶片W。希望该晶片盒15具有能够密封晶片的密封部分。多个晶片盒15由图1所示的分段搬送传送带11在工序间搬送，供给到工序。
图1所示的制造对象物的制造装置10与该分段搬送传送带11相对面而配置。在图1的例中，表示了一个制造对象物的制造装置10，制造对象物的制造装置10配置在该分段搬送传送带11的一侧。
但是并不限于此，一个或多个制造对象物的制造装置10当然也可以配置在分段搬送传送带11的一侧或未图示的另一侧。
制造对象物的制造装置10概略地具有第一工序B1、第二工序B2及共同处理装置200。工序也称为分段。
第一工序B1与第二工序B2平行地配置，第一工序B1的端部与第二工序B2的端部连接于分段搬送传送带11。
第一工序B1具有第1单片搬送传送带20、处理装置23、制造对象物的交接单元13、制造对象物的交接部100、以及晶片盒15的储料器101。
与此相对，第二工序B2具有第2单片搬送传送带120、处理装置123、制造对象物的交接单元113、制造对象物的交接部103、以及晶片盒15的储料器104。
图1所示的第1单片搬送传送带20与第2单片搬送传送带120是搬送装置的一例，是以每次一枚的单片搬送状态分别搬送晶片的传送带。第1单片搬送传送带20与第2单片搬送传送带120可以沿搬送方向T以环状搬送晶片。第1单片搬送传送带20与第2单片搬送传送带120是相同的结构，具有多个晶片保持部46。
图3是表示图1所示第一工序B1的第1单片搬送传送带20与制造对象物的交接单元13及处理装置23附近的平面图。图4是表示图3所示的第1单片搬送传送带20、制造对象物的交接单元13及处理装置23的形状例的立体图。
图5表示了图1中第二工序B2一侧的第2单片搬送传送带120、制造对象物的交接单元113与处理装置123。
第1单片搬送传送带20与第2单片搬送传送带120也分别称为单片搬送线。
第1单片搬送传送带20与第2单片搬送传送带120具有相同的结构。如图4所示，第1单片搬送传送带20具有基底20A及在该基底20A上所装载的多个晶片保持部46。
多个晶片保持部46在基底20A上沿搬送方向T排列成环状。晶片保持部46例如在其上以可存取的方式每次一片地装载晶片W。各晶片保持部46等间隔地配置，沿搬送方向T而排列，可以由未图示的驱动部呈环状沿搬送方向T而移动。
如图4所示，在基底20A上设置有净化隧道30。在该净化隧道30的上面，设置有带风扇的过滤装置31。带风扇的过滤装置31为了提高在净化隧道30中所形成的封闭空间的清洁度而发生空气的流动(下向流动)。由此去除净化隧道30内空气中的尘埃，以所规定的清洁度进行管理。
该净化隧道30不仅设置于图4的第1单片搬送传送带20，而且还设置于图5所示的第2单片搬送传送带120。
图1及图3所示的处理装置23，例如可以是CVD(化学气相沉积)装置。该处理装置23是晶片W处理能力较低的装置。
就是说，该处理装置23是对于晶片W花费较多处理时间的装置。
在该处理装置23与第1单片搬送传送带20之间，如图1及图3所示，设置有制造对象物的交接单元13。
另一方面，如图1及图5所示的处理装置123，与处理装置23同样，例如是CVD装置。在处理装置123与第2单片搬送传送带120之间，设置有制造对象物的交接单元113。
这里，对制造对象物的交接单元13与制造对象物的交接单元113的结构加以说明。
制造对象物的交接单元13表示于图3，制造对象物的交接单元113表示于图5。
制造对象物的交接单元13与制造对象物的交接单元113可以采用同样的结构。制造对象物的交接单元13、113具有移载机械手21、缓冲器34、以及本体35。
该本体35配置于处理装置23与单片搬送传送带20之间。本体35在其内部收容有上述移载机械手21与缓冲器34。
如图4所示，在本体35的上部设置有带风扇的过滤装置(FFU)38。该本体35以极小的空间收容移载机械手21与缓冲器34。带风扇的过滤装置38在该本体35的空间内发生例如从本体35的上部向下侧的空气的流动(下向流动)。由此能够去除本体35内空气中的尘埃，以所规定的清洁度水准(清洁度等级)对本体35内进行管理。
接着，对图1所示的共同处理装置200进行说明。
共同处理装置200是与处理装置23及处理装置123相比处理能力缴高的装置。作为共同处理装置200的例，例如可以是膜厚检查装置。该膜厚检查装置是对在晶片W上形成的膜的厚度进行检查的装置。共同处理装置200配置于第1单片搬送传送带20的第1位置P1与第2单片搬送传送带120的第2位置P2之间的中央位置P3。
共同处理装置200是对从第1单片搬送传送带20一侧所送来的晶片W与从第2单片搬送传送带120一侧所送来的晶片W分别进行膜厚检查的装置。
下面说明图1所示的制造对象物的交接部100、103。
制造对象物的交接部100、103可以采用相同的结构。制造对象物的交接部100配置在第1位置P1。制造对象物的交接部103配置在第2位置P2。
第1位置P1是第1单片搬送传送带20的侧部与中央位置P3之间的位置。第2位置P2是第2单片搬送传送带120的侧部与中央位置P3之间的位置。
第1单片搬送传送带20与第2单片搬送传送带120平行配置，各自的搬送方向T是相反的方向。
图6是表示制造对象物的交接部100、103及与共同处理装置200、与第1单片搬送传送带20及第2单片搬送传送带120的结构例的平面图。
制造对象物的交接部100与制造对象物的交接部103具有同样的结构。制造对象物的交接部100具有移载机械手221、缓冲器234及本体235。
该本体235分别配置于共同处理装置200与第1单片搬送传送带20之间，及共同处理装置200与第2单片搬送传送带120之间。本体235在其内部收容有上述移载机械手221与缓冲器234。
如图4所示，在本体235的上部设置有带风扇的过滤装置(FFU)(未图示)。该本体235以极小的空间收容移载机械手221与缓冲器234。带风扇的过滤装置在该本体235的空间内发生例如从本体235的上部向下侧的空气的流动(下向流动)。由此能够去除本体235内空气中的尘埃，以所规定的清洁度水准(清洁度等级)对本体235内进行管理。
制造对象物的交接部100是在第1单片搬送传送带20与共同处理装置200之间进行晶片W的交接的装置。制造对象物的交接部103是在第2单片搬送传送带120与共同处理装置200之间进行晶片W的交接的装置。
接着，对图1所示的储料器101、104加以说明。
储料器101、104分别与第1单片搬送传送带20及第2单片搬送传送带120相对应而配置。储料器101由机械手101A将由分段搬送传送带11所搬送来的晶片盒15一次取入。而且，机械手101从晶片盒15取出晶片15，移载到第1单片搬送传送带20的保持部46。而且机械手101将由第1单片搬送传送带20所送来的处理过的晶片W收纳于储料器101的晶片盒15中。这样，收纳有必要的晶片W的晶片盒15，能够由机械手101A从储料器101回到分段搬送传送带11。
储料器104与储料器101是同样的结构，储料器104具有机械手104A。这样储料器104能够发挥与储料器101同样的功能。
图7及图8是表示上述图3中所示的移载机械手21、图5中所示移载机械手21、及图6中所示移载机械手221的例的图。
图3中所示移载机械手21是在第1单片搬送传送带20与处理装置23之间，将制造对象物的晶片W沿箭头E、E1方向移载的机械手。图5中所示移载机械手21是在第2单片搬送传送带120与处理装置123之间，将晶片W沿箭头E、E1方向移载的机械手。
而且，图6中所示移载机械手221是在第1单片搬送传送带20与共同处理装置200之间，将晶片W沿箭头F、F1方向移载的机械手。图6中所示的另一个移载机械手221是在第2单片搬送传送带120与共同处理装置200之间，将晶片W沿箭头G、G1方向移载的机械手。
图7与图8中所详细表示的移载机械手21、221，具有本体300、第一臂部301、第二臂部302、以及手部303。第一臂部301可以对于本体300以中心轴CL为中心进行旋转。第二臂部302可以以旋转轴CL1为中心对于第一臂部301进行旋转。手部303在能够以旋转轴CL2为中心进行旋转的同时，还能够以旋转轴CL3为中心进行旋转。
手部303具有大体为“U”型的臂部305、305。臂部305、305具有保持晶片W的外周面的支撑部306。
接着，参照图9，对使用图1所示的制造对象物的制造装置10而对制造对象物进行制造的方法加以说明。
在图9所示的单片搬送步骤ST1，由分段搬送传送带11所搬送的晶片盒15，由储料器101一侧的机械手101A而取入储料器101。机械手101A将晶片盒15内的晶片W移载至第1单片搬送传送带20的晶片保持部46。
第1单片搬送传送带20使用晶片保持部46将晶片W沿搬送方向T搬送到制造对象物的交接单元13一侧。
搬送来的晶片W，使用图1所示的制造对象物的交接单元13移载至处理装置23一侧。如图3所示，通过移载机械手21的动作，将晶片W沿E方向取入至处理装置23。
而且，在处理装置23对晶片W进行必要的处理之后，移载机械手21使晶片W沿E1方向回到晶片保持部46一侧。
在这种情况下，例如在出现了处理装置23不接受晶片W的状态的情况下，晶片W则临时保管于缓冲器34。或者是由处理装置23所处理过的晶片W不能够移载至晶片保持部46一侧时，例如在晶片保持部46内没有空间的情况下，处理的晶片也能够由缓冲器34临时保管。
同样，在步骤ST1中，由分段搬送传送带11所搬送来的晶片盒15，由储料器104一侧的机械手104A而取入到储料器104。机械手104A将晶片盒15内的晶片W移载至第2单片搬送传送带120的晶片保持部46一侧。
第2单片搬送传送带120将晶片W搬送至制造对象物的交接单元113一侧。如图5所示，制造对象物的交接单元113对于处理装置123向E方向移载。
由处理装置123所处理过的晶片W，通过移载机械手21动作，沿E1方向而回到晶片保持部46一侧。这样的移载机械手21的动作与缓冲器34的功能，由于与图2中移载机械手21与缓冲器34的功能相同，所以其说明予以省略。
这样，在单片搬送步骤ST1，使用第1单片搬送传送带20或第2单片搬送传送带120以单片状态向各处理装置23、123搬送晶片W。这些处理装置23、123，与共同处理装置200相比，是晶片W的处理能力，即单位时间内处理的枚数比较低的装置。
接着，移向图9所示的制造对象物的交接步骤ST2。
在制造对象物的交接步骤ST2中，如图6所示，在第1单片搬送传送带20与共同处理装置200之间，及第2单片搬送传送带120与共同处理装置200之间，分别进行晶片W的交接。
在图6中，第1单片搬送传送带20搬送来晶片W时，制造对象物的交接部100的移载机械手221动作，将晶片W沿F方向送到共同处理装置200一侧。
在共同处理步骤ST3中，共同处理装置200进行晶片W的膜厚检查。在制造对象物的返还步骤ST4中，例如在共同处理装置200进行晶片W的膜厚检查之后，移载机械手221将晶片W从共同处理装置200沿F1方向，向晶片保持部46一侧移载返还。
同样，在制造对象物的交接步骤ST2中，在由图6所示的第2单片搬送传送带120而送来晶片W时，制造对象物的交接部103的移载机械手221将晶片W沿G方向移载到共同处理装置200。
在共同处理步骤ST3中，共同处理装置200进行晶片W的膜厚检查。在制造对象物的返还步骤ST4中，在由共同处理装置200进行的膜厚检查终了后，晶片W利用移载机械手221沿G1方向，向晶片保持部46一侧移载返还。
图6中缓冲器234的功能，与已经叙述的图2及图5所示的缓冲器34相同，具有临时保管晶片W的功能。
这样做，实行图9所示的制造对象物的交接步骤ST2、共同处理步骤ST3、及制造对象物的返还步骤ST4。
在共同处理步骤ST3中，无论是第1单片搬送传送带20一侧的晶片W，还是第2单片搬送传送带120一侧的晶片W，共同处理装置200都能够通过共同的取入而处理。共同处理装置200与图1所示的处理装置23、123相比，单位时间内对晶片W的处理枚数的能力高。所以，通过将共同处理装置200配置于两个单片搬送传送带20、120之间，能够共同有效地利用。
而且，对于两台单片搬送传送带20、120，仅需一台共同处理装置200即可，同时，制造对象物的交接部100、103及共同处理装置200可以配置于两台单片搬送传送带20、120之间。所以，能够缩小在图1所示的制造对象物的制造装置10的平面上看到的设置空间，使制造对象物的制造装置10达到小型化。而且，由于能够减少装置的数目，所以可减少投资额。
(第二实施方式)
图10表示包含本发明的制造对象物的制造装置的第二实施方式的制造对象物的制造系统1。
图10的制造对象物的制造装置10与图1的制造对象物的制造装置10的不同之处是制造对象物的交接部240的结构。关于图10的制造对象物的制造装置10的其它结构部分，由于与图1的制造对象物的制造装置10的对应部分的结构相同，所以使用其说明。
图10的制造对象物的制造装置10的制造对象物的交接部240，例如是与图1所示的制造对象物的交接部100或103的结构相类似的结构。
但是，制造对象物的交接部240与图1的例不同，不是设置两台，而是设置一台。而且制造对象物的交接部240设置于第1单片搬送传送带20的侧部与第2单片搬送传送带120的侧部之间。
制造对象物的交接部240与图6所示的制造对象物的交接部100、103同样，具有一台移载机械手321，且优选具有的缓冲器34。移载机械手321，能够在第1单片搬送传送带20的晶片保持部46与共同处理装置200之间，在H方向或H1方向进行晶片W的交接。
同样地，移载机械手321，能够在第2单片搬送传送带120的晶片保持部46与共同处理装置200之间，在J方向或J1方向进行晶片W的交接。共同处理装置200例如是膜厚检查装置。
通过采用这样的结构，仅需准备一台制造对象物的交接部240即可，能够实现制造对象物的制造装置10的小型化。
(第三实施方式)
图11是表示包含本发明的制造对象物的制造装置的第三实施方式的制造对象物的制造系统1的平面图。
图11的制造对象物的制造装置10与图1的制造对象物的制造装置10的不同之处如下。
在图11中，在第1单片搬送传送带20的侧部与第2单片搬送传送带120的侧部之间设置有第3单片搬送传送带300。图11中制造对象物的交接部400具有第3单片搬送传送带300与制造对象物的交接装置230。
第3单片搬送传送带300具有多个晶片保持部46。各晶片保持部46能够沿搬送方向L以环状送出。
第3单片搬送传送带300具有移载机械手301。该移载机械手301是为了在第1单片搬送传送带20的晶片保持部46与第3单片搬送传送带300的晶片保持部46之间交接晶片W的机械手。移载机械手301，例如是具有与图3所示的移载机械手21同样结构的设备。交接装置230，例如是与图6所示的制造对象物的交接部100或103同样的装置。
交接装置230能够在共同处理装置200与第2单片搬送传送带120的晶片保持部46之间对晶片W沿U方向或U1方向进行交接。
而且，第3单片搬送传送带300与移载机械手301与交接装置230，能够在第1单片搬送传送带20的晶片保持部46与共同处理装置200之间对晶片进行交接。在这种情况下，交接装置230能够在第3单片搬送传送带300与共同处理装置200之间对晶片W沿V方向或V1方向进行交接。
通过以上的做法，在图1所示的第一实施方式中，第1单片搬送传送带20与第2单片搬送传送带120的各自的晶片W，在由处理装置23或处理装置123处理后，可以由共同处理装置200共同进行膜厚检查。
在这种情况下，不使用分段搬送传送带11，第1单片搬送传送带20与第2单片搬送传送带120，可以在与共同处理装置200之间直接进行晶片W的交接。
在图10所示的第二实施方式中，一台制造对象物的交接部240，连接于第1单片搬送传送带20与第2单片搬送传送带120。因此，一台制造对象物的交接部240能够在第1单片搬送传送带20与共同处理装置200之间，及第2单片搬送传送带120与共同处理装置200之间直接进行晶片W的交接。第二实施方式与第一实施方式相比，制造对象物的制造系统1的规格变更得少，所以更为现实。
在图11所示的第三实施方式中，与图10所示的第二实施方式相比，制造对象物的制造系统1的规格变更得更少，所以是最为现实的结构。
通过采用本发明的制造对象物的制造装置的实施方式，通过将共同处理装置200等处理能力有充分富裕的装置配置于多个单片搬送传送带之间，能够共同地利用。所以，与将单位时间内处理能力高的装置配置于每一个单片搬送传送带的情况相比，能够减少处理装置的台数。
而且，由于共同处理装置及制造对象物的交接部配置于多个单片搬送传送带之间，所以能够实现从平面看制造对象物的制造装置及制造对象物的制造系统的小型化。
第1单片搬送传送带的晶片W与第2单片搬送传送带的晶片W，可以不通过分段搬送传送带11而直接送到共同处理装置200进行检查。而且检查后还能够直接将晶片W送回各自的单片搬送传送带一侧。
由此，能够使制造对象物的晶片W的制造处理效率提高，实现晶片W的搬送时间的缩短。所以能够实现制造物的制造时间的节约。
在本发明的实施方式中，以晶片W作为制造对象物的一例进行了说明。但并不限于此，例如，作为制造对象物，当然也可以是小型或大型的液晶表示装置中所使用的基板晶片。
移载机械手21、221、301、321、101A、104A是具有臂部的类型的机械手。该移载机械手当然也可以是在水平方向移动而交接晶片形式的设备。移载机械手的数目当然可以是图中所示的一台，也可以是多台。
图12表示包含本发明的制造对象物的制造装置的第四实施方式的制造对象物的制造系统。
该制造对象物的制造装置10与图1所示的制造对象物的制造装置10的不同之处是第一搬送装置320与第二搬送装置420。图12所示的制造对象物的制造系统1的其它结构要素，由于与图1所示的制造对象物的制造系统1的对应结构要素相同，所以记述该符号、使用该说明。
图12中第一搬送装置320与第二搬送装置420是相同结构的装置。第一搬送装置320与第二搬送装置420，例如与图1所示的第一搬送装置20与第二搬送装置120不同，不是以单片状态搬送晶片的装置。也就是说，第一搬送装置320与第二搬送装置420，与分段搬送传送带11同样，是能够以晶片盒15的单位将一枚或多枚晶片W沿搬送方向T环状搬送的装置。第一搬送装置320与第二搬送装置420，能够将各自的多个晶片盒15沿搬送方向T搬送而装载。各晶片盒15分别如图2所示，以可存取的方式收容有一枚或多枚晶片W。
这样，第一搬送装置320与第二搬送装置420，当然可以以晶片盒15的单位搬送一枚或多枚晶片W。
本发明并不限于上述实施方式，在不脱离权利要求的范围内可以进行种种变更。
上述实施方式的各结构，可以省略其一部分，也可以进行与上述不同的任意组合。
而且，本发明的制造对象物的制造装置，也可以用于各种产品的装配工序。在各实施方式中，也可以使用OHS(overhead shuttle：高架往复移动装置)及OHS(overhead transport：高架传送装置)等自动搬送车，取代分段搬送传送带。

Claims (7)

1.一种制造对象物的制造装置，用于搬送制造对象物、并由多个处理装置对所述制造对象物进行处理，其特征在于：
设置有向所述处理装置搬送所述制造对象物的多个搬送装置，
配置在所述多个搬送装置之间、对由所述各搬送装置所搬送的所述制造对象物进行共同处理的共同处理装置，以及
配置在所述多个搬送装置之间、在所述共同处理装置与所述各搬送装置之间交接所述制造对象物的制造对象物交接部。
2.根据权利要求1所述的制造对象物的制造装置，其特征在于：
所述搬送装置是将所述制造对象物以单片状态搬送的单片搬送传送带，所述多个单片搬送传送带具有第1单片搬送传送带及与所述第1单片搬送传送带平行设置的第2单片搬送传送带，
所述制造对象物交接部分别配置于所述共同处理装置与所述第1单片搬送传送带之间的第1位置、及所述共同处理装置与所述第2单片搬送传送带之间的第2位置。
3.根据权利要求1所述的制造对象物的制造装置，其特征在于：
所述搬送装置是将所述制造对象物以单片状态搬送的单片搬送传送带，所述多个单片搬送传送带具有第1单片搬送传送带及与所述第1单片搬送传送带平行设置的第2单片搬送传送带，
所述制造对象物交接部配置于所述第1单片搬送传送带与所述第2单片搬送传送带之间，所述共同处理装置与所述制造对象物交接部相对面。
4.根据权利要求1所述的制造对象物的制造装置，其特征在于：
所述搬送装置是将所述制造对象物以单片状态搬送的单片搬送传送带，所述多个单片搬送传送带具有第1单片搬送传送带及与所述第1单片搬送传送带平行设置的第2单片搬送传送带，
所述制造对象物交接部具有配置在所述第1单片搬送传送带与所述第2单片搬送传送带之间、单片搬送所述制造对象物的第3单片搬送传送带，以及
在所述共同单片搬送传送带与所述共同处理装置之间进行所述第1单片搬送传送带侧的所述制造对象物的交接的同时、在所述第2单片搬送传送带与所述共同处理装置之间进行所述制造对象物的交接的交接装置。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的制造对象物的制造装置，其特征在于：
所述制造对象物是半导体晶片。
6.一种制造对象物的制造方法，用于搬送制造对象物、并由多个处理装置对所述制造对象物进行处理，其特征在于：
具有由分别的搬送装置向所述处理装置搬送所述制造对象物的搬送步骤，
配置在所述多个搬送装置之间的制造对象物交接部在所述共同处理装置与所述各搬送装置之间交接所述制造对象物的制造对象物交接步骤，以及
在配置在所述多个搬送装置之间的共同处理装置，对由所述各搬送装置所搬送的所述制造对象物进行共同处理的共同处理步骤。
7.根据权利要求6所述的制造对象物的制造方法，其特征在于：
所述搬送装置是将所述制造对象物以单片状态搬送的单片搬送传送带，所述制造对象物是半导体晶片。
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