CN1527337A - 合金型温度熔断器及温度熔断器元件用材料 - Google Patents

合金型温度熔断器及温度熔断器元件用材料 Download PDF

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Abstract

本发明提供把Bi-Sn系合金用作熔断器元件、动作温度是140℃左右、即使使用高电力也可以安全地进行动作、并且动作温度的上下浮动可以充分小的合金型温度熔断器及合金型温度熔断器元件用材料。本发明是把Bi超过50%且在56%以下、余量为Sn的合金组成用做温度熔断器的熔断器元件。

Description

合金型温度熔断器及温度熔断器元件用材料
技术领域
本发明涉及把Bi-Sn系合金作为熔断器元件使用的动作温度140℃左右的合金型温度熔断器及温度熔断器元件用材料。
背景技术
作为电气设备和电路元件,例如半导体装置、电容器、电阻元件等的热保护装置的合金型温度熔断器被广泛地使用。
该合金型温度熔断器,其构成是,把规定熔点的合金做成熔断器元件,把该熔断器元件接合在一对引线导体之间,在该熔断器元件上涂布助熔剂,用绝缘体密封该助熔剂涂布熔断器元件。
该合金型温度熔断器的动作机致如下。
在需要保护的电气设备和电路元件上热接触地配置合金型温度熔断器。当电气设备和电路元件因任何异常而发热时,由于该发热使温度熔断器的熔断器元件合金熔融,在与已熔融的活性化的助熔剂的共存下,熔融合金由于向引线导体或电极浸润而使分断球状化,由于该分断球状化的进行,通电被切断,通过该通电切断使仪器降温,分断熔融合金凝固,以非复原的断开而结束。
在以前,在上述熔断器元件中使用固相线和液相线之间的固液共存区域狭窄的合金组成,理想的是共晶组成作为常规方法,企图在大致液相线温度(在共晶组成中,固相线和液相线温度是同一温度)下熔断熔断器元件。即,在存在固液共存区域的合金组成的熔断器元件中,有在固液共存区域内的不确定的温度下熔断的可能性,由于当固液共存区域宽时,在其固液共存区域内熔断器元件熔断的温度的不确定幅度变宽,动作温度的上下浮动变大,所以为了减小该上下浮动,使用固相线和液相线之间的固液共存区域狭窄的合金组成理想的是共晶组成成为常规方法。
近来,由于环保意识的高涨,禁止使用对生物体有害的物质的动向活跃起来,作为合金型温度熔断器要求的主要条件,强烈要求该温度熔断器元件中不含有害元素(Pb、Cd、Hg、TI等)。
以前,不含对生物体系有害元素的140℃前后的动作温度的温度熔断器的元件的Bi-Sn共晶合金(Bi57%、余量为Sn)已被公知。
以前,随着电气制品的高功能化的进步,正在消费高电力,对于温度熔断器来说,要求AC250V、5A以上的高电力的定额。
通常,当在AC250V的高电压下使用合金型温度熔断器时,在动作时容易产生电弧。而在由该电弧产生的助熔剂碳化物等和熔融熔断器元件飞散和附着在壳体内壁上形成的电阻电路上流通电流,往往由其产生焦耳热损伤温度熔断器,直至被破坏。再有,在上述电阻电路上继续通电或者在通电切断后再产生电弧。由于该再产生电弧往往损伤·破坏温度熔断器,即使不至于损伤·破坏,由于动作后的绝缘性恶化,加上高电压再导通时,有发生重大问题的几率。
该温度熔断器的损伤·破坏的轻重程度依赖于破坏能量的大小,假如从轻度的损伤和破坏开始举例,顺序为:熔融熔断器元件和熔融助熔剂的喷出、密封部的破坏、绝缘壳体的破坏、引线导体的熔融和绝缘壳体的熔融。
当把在熔断器元件中使用上述的Bi-Sn共晶合金的温度熔断器在高电压下使用时,容易发生动作时的损伤和破坏,动作后的绝缘不良等异常现象。作为其理由被推断为,动作时,熔断器元件一下子从固相变化到表面张力低的液相,由于实际上不存在中间相状态,所以熔断器元件熔断时,液相化熔断器元件成为微细粒子且由于动作时电弧,伴随碳化助熔剂向周围飞散,由于大量附着在外周壳体内壁上,不能保证动作后的绝缘距离,如上述那样,再加上高电压时,会再次产生再导通和再切断时的电弧。
因此,本发明者专心研究了防止把Bi-Sn合金用于熔断器元件的温度熔断器动作时的异常现象的发生,结果得知,如果做成Bi超过50%~56%、余量为Sn的组成,可以很好地防止异常现象的发生,并且可以充分减小动作温度的上下浮动。
可以防止这样的异常现象的发生的理由,被推断为是由于,在该特定的Bi-Sn合金组成中,在共晶点以外的固相线温度和液相线温度之间存在表面张力比较大的固液共存区域(中间状态)、在该中间状态下进行熔断器元件的球状化分断的结果,难以产生成为上述微细粒的飞散。另外,与上述的常规方法相反,尽管是固液共存区域的合金组成,能把温度熔断器的动作温度的上下浮动减小的理由被推断为,是由于在图8~图10所示的DSC测定结果中,从固相向液相的变化急剧进行时经过的作为终点的峰值点p附近的状态的表面张力,不等液相化终了(液相线温度)就成为比熔断器元件的上述球状化分断必要的限度还低的表面张力。
发明内容
基于上述的认识,本发明的目的在于,提供把Bi-Sn系合金用作熔断器元件的动作温度是140℃左右、即使在高电力下使用也可以安全地进行动作、并且动作温度的上下浮动可以充分小的合金型温度熔断器及合金型温度熔断器元件用材料。
第1发明的温度熔断器元件用材料,其特征在于,具有Bi超过50%且在56%以下、余量为Sn的合金组成。
第2发明的温度熔断器元件用材料,其特征在于,在第1发明的合金组成100重量份中,添加0.1~7.0重量份的Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge的1种或者2种以上,优选添加0.1~3.5重量份。
在上述温度熔断器元件用材料中,含有各原料毛坯的制造上以及这些原料的熔融搅拌上产生的对特性不带来实际影响的量的不可避免的杂质是可以被允许的。再有,在上述合金型温度熔断器中,引线导体或者膜电极的金属材料和金属膜材料通过固相扩散,微量地不可避免地移行到熔断器元件中,在对特性不带来实际影响的情况下,作为不可避免的杂质是可以被允许的。
第3发明的合金型温度熔断器,其特征在于,把从第1发明或者第2发明所述的温度熔断器元件用材料做成熔断器元件。
第4发明的合金型温度熔断器,其特征在于,在第3发明所述的合金型温度熔断器中含有不可避免的杂质。
第5发明的合金型温度熔断器是第3或者第4发明的合金型温度熔断器,其特征在于,在引线导体之间连接熔断器元件,在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
第6发明的合金型温度熔断器是第3发明~第5发明的任一项所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在熔断器元件的两端上接合引线导体,在熔断器元件上涂布助熔剂,在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体,筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封,而且,引线导体做成圆盘状,在圆盘前面接合熔断器元件端。
第7发明的合金型温度熔断器是第3发明或者第4发明所述的合金型温度熔断器,其特征在于,通过含有金属颗粒体及粘接剂的导电胶的印刷烧结,在基板上设置一对膜电极,在这些膜电极之间接合熔断器元件,而且,金属颗粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任何一种。
第8发明的合金型温度熔断器是第3发明~第7发明的任一项所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设用于熔断熔断器元件的发热体。
附图的简单说明
图1是表示本发明的合金型温度熔断器的一个例子的图。
图2是表示本发明的合金型温度熔断器的与上例不同的例子的图。
图3是表示本发明的合金型温度熔断器的与上例不同的例子的图。
图4是表示本发明的合金型温度熔断器的与上例不同的例子的图。
图5是表示本发明的合金型温度熔断器的与上例不同的例子的图。
图6是表示筒形壳体型的合金型温度熔断器及其动作状态的图
图7是表示本发明的合金型温度熔断器的与上例不同的例子的图。
图8是表示实施例1的熔断器元件的DSC曲线的图。
图9是表示实施例2的熔断器元件的DSC曲线的图。
图10是表示实施例4的熔断器元件的DSC曲线的图。
图11是表示比较例2的熔断器元件的DSC曲线的图。
图12是表示比较例3的熔断器元件的DSC曲线的图。
具体实施方式
在本发明中,熔断器元件做成圆形线或者扁平线,其外径或者厚度为100μm~800μm,优选为300μm~600μm。
在第1发明中,把熔断器元件的合金组成限定为50<Bi重量≤56%,余量为Sn的理由在于,把排除对生物体系有害的元素作为使用Bi-Sn系合金的前提,Bi在50%以下时,如图11及图12所示的DSC测定结果所表明的那样,当固液共存幅度过宽且动作温度的上下浮动超过±3℃,Bi超过56%时,与共晶组成(Bi57%,余量为Sn)的差变小,且熔断器元件在几乎完全液相状态下球状化分断,由动作时电弧容易产生伴随碳化助熔剂的合金微细粒的飞散,在分断时电弧容易产生电流的续流,增加了温度熔断器动作时的异常现象发生的可能性。另外,当超过共晶组成的Bi量(57%)且脱离共晶组成时,将伴有比电阻增大和加工性的急剧恶化。
在本发明中用作熔断器元件的Bi-Sn合金组成的DSC测定结果,如图8~图10所示那样,该合金在大致137℃时开始熔化,在大致140℃时达到热吸收峰值。这时,在峰值点p附近,达到熔断器元件的球状分断所必须的规定的表面张力S因而分断动作被进行,其结果,动作温度成为140℃左右,由于其表面张力S的比较高的粘性,上述熔融合金的微细粒化飞散被很好地抑制。
与此相对,在上述共晶组成中,在熔断器元件的球状化分断速度的时间规模上实际上没有经过上述规定的表面张力S的状态,在比该表面张力更低的表面张力状态下进行了球状化分断,其结果,容易产生上述熔融合金的微细粒化飞散。
另外,在上述的Bi为50%以下的情况下,在图11及图12所述的DSC测定结果的液相侧肩W的中间达到了上述的规定的表面张力S,但是,由于该肩宽使从到达规定的表面张力S至液相线温度之间的分断可能范围宽,其结果,动作温度的上下浮动变大。
在本发明中,相对于上述的合金组成100重量份添加0.1~7.0重量份的Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge的一种或者2种以上,优选3.5重量份的理由,是为了适当地扩大固液共存区域并提高过载特性及耐电压性,及在降低合金的比电阻的同时提高机械强度,在不足0.1重量份时得到不到满意的效果,当超过7.0重量份,优选超过3.5重量份时,上述的熔融特性的保持变得困难。
而且,对于拉丝来说,可以付与更进一步的强度及延展性并可以容易进行100μmφ~300μmφ细线的拉丝加工。再有,用难粘接材料可以排除由熔断器元件的凝聚力在外观上的接合,可以提高熔断器元件的焊接接合后的检查中的合格与否的判断精度。
另外,已经知道引线导体的金属材料、薄膜材料或者膜电极中的颗粒体金属材料等被接合材料由于固相扩散会移行到熔断器元件中,但是通过预先在熔断器元件中添加与被接合材料相同的元素,例如上述的Ag、Au、Cu、Ni等,可以抑制该移行,可以排除本来对特性带来影响的对被接合材料的影响(例如Ag、Au等伴随熔点下降会带来动作温度的局部的降低和上下浮动,Cu、Ni等由于在接合界面上形成的金属间化合物的增大造成动作温度的上下浮动和动作不良),可以不损坏熔断器元件的功能,可以保证正常的温度熔断器的动作。
本发明的合金型温度熔断器的熔断器元件,通常可以先做成小钢坯,再用挤压机将其挤压成粗线,再用拉丝机牵拉该粗线来制造,外径做成100μmφ~800μmφ,优选做成300μmφ~600μmφ。另外,也可以最终通过轮压机滚轮做成扁平线使用。
另外,也可以由回转滚筒式纺丝法进行制造,使放入了冷却液的油缸回转并由回转离心力使冷却液保持在层状,使从喷嘴喷射出的母材料熔融射线入射到上述冷却液层中,使其冷却凝固并得到细线材料。
在这些制造过程中,允许含有在各原料毛坯的制造上以及这些原料的熔融搅拌上产生的不可避免的杂质。
本发明在作为独立的热保护装置的温度熔断器的形态下被实施,此外,也可以在下述的形态下实施:把温度熔断器元件串连地连接到半导体装置、电容器或电阻上,在该元件上涂布助熔剂,接近半导体、电容器和电阻地配置该助熔剂涂布元件并与半导体、电容器和电阻等一起由树脂模或壳体等进行密封。
图1表示本发明的筒形壳体型的合金型温度熔断器,在一对导线1、1之间连接在第1发明或者第2发明中介绍的温度熔断器元件用材料形成的熔断器元件2,例如,由焊接进行连接,在该熔断器元件2上涂布助熔剂3,在该助熔剂涂布熔断器元件上插通耐热性·良好热传导性的绝缘筒4,例如陶瓷管,用密封剂5,例如常温固化型环氧树脂等密封该绝缘管4的各端与各导线1之间。
图2表示箱式径向型的合金型温度熔断器,在并行的引线导体1、1的顶端部之间连接用第1~2发明的任一项所述的温度熔断器元件用材料形成的熔断器元件2,例如由焊接进行连接,在熔断器元件2上涂布助熔剂3,用一端的开口绝缘箱4,例如陶瓷箱包围,用密封剂5,例如常温固化的环氧树脂密封该绝缘箱4的开口。
图3表示树脂浸渍式径向型的熔断器元件,在并列的引线导体1、1的顶端部之间,例如焊接接合用第1~2发明的任一项所述的温度熔断器元件用材料形成的熔断器元件2,在熔断器元件2上涂布助熔剂3,用树脂液浸渍过的绝缘密封剂,例如环氧树脂5进行密封。
图4表示基板型的合金型温度熔断器,在绝缘基板4,例如陶瓷基板上由导电胶的印刷烧结形成一对电极1、1,在各电极1上通过例如焊接和加焊锡等连接引线导体1、1,在电极1、1之间通过例如焊接等接合用第1~2发明的任一项所述的熔断器元件用材料形成的熔断器元件2,在熔断器元件2上涂布助熔剂3,用密封剂5例如环氧树脂被覆助熔剂涂布熔断器元件。在该导电胶中包含有金属颗粒体和粘接剂,在金属颗粒体中使用例如Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu等,在粘接剂中,可以使用例如玻璃料、热固化性树脂等。
在上述合金型温度熔断器中,当可以忽略熔断器元件的焦耳发热时,被保护仪器达到允许温度Tm时的熔断器元件的温度Tx比Tm低2℃~3℃,通常熔断器元件的熔点被设定在[Tm-(2℃~3℃)]上。
本发明可以在合金型温度熔断器上附设并实施用于熔断熔断器元件的发热体。例如,如图5所示,在绝缘基板4例如陶瓷基板上由导电胶的印刷烧结形成具有熔断器元件用电极1、1和电阻用电极10、10的导体图形100,通过电阻胶(例如,氧化钌等的氧化金属粉的胶)的涂布·烧结,把膜电阻6设置在电阻用电极10、10之间,在熔断器元件用电极1、1之间接合用第1~2发明的任一项所述的温度熔断器元件用材料形成的熔断器元件2,例如由焊接进行接合,在熔断器元件2上涂布助熔剂3,可以用密封剂5例如环氧树脂被覆该助熔剂涂布熔断器元件2和膜电阻6。
用带发热体的温度熔断器,可以检测出成为机器的异常发热的原因的前兆,用该检测信号使膜电阻通电并发热,用该发热可以使熔断器元件熔断。
把上述发热体设置在绝缘基体的上面,在其上形成耐热性·热传导性的绝缘膜,例如玻璃烧结膜,再设置一对电极,在各电极上连接扁平引线导体,在两电极之间连接熔断器元件,从熔断器元件开始遍及上述引线导体的顶端部被覆助熔剂,在上述绝缘基板上配置绝缘罩,可以用粘接剂把该绝缘罩周围密封在绝缘基体上。
在上述合金型温度熔断器中,在把熔断器元件直接接合在引线导体的型式中(图1~图3),在引线导体的至少熔断器元件接合部分上被覆(例如由电镀被覆)Sn和Ag的薄膜(厚度例如15μm以下,优选5~10μm),可以达到增强与熔断器元件的接合强度。
在上述合金型温度熔断器中,引线导体的金属材料、薄膜材料或者膜电极中的颗粒体金属材料有可能通过固相扩散移行到熔断器元件中,但是按照上述的做法,通过预先在熔断器元件中添加与薄膜材料相同的元素可以充分地维持熔断器元件的特性。
在上述的助熔剂中,一般通过使用熔点比熔断器元件的熔点低的材料,例如,可以使用松香90~60重量份、硬脂精酸10~40重量份、活性剂0~3重量份。这时对于松香,可以使用天然松香、改性松香(例如,添水松香、不均化松香、聚合松香)或者它们的精制松香,对于活性剂,可以使用二乙胺等的胺类的盐酸盐、溴化氢酸盐和己二酸等有机酸。
在上述的合金型温度熔断器中,在筒形壳体型的情况下,如图6的(A)所示,相对于筒形壳体无偏心地配置引线导体1、1,如图6的(B)所示,是进行正常的球状化分断的前提条件,如图6的(C)所示,如果有偏心,如图6的(D)所示,动作后,在筒状壳体的内壁上容易附着助熔剂(含助熔剂碳化物)和飞散合金等,导致绝缘阻值的降低和耐压特性的恶化。
因此,为了防止这样的不良情况,如图7的(A)所示,把各引线导体1、1的端部形成圆盘状d,使熔断器元件2的各端接合在各圆盘d的前面上(例如由焊接接合),通过向圆盘外周的筒形壳体内面的支承,使熔断器元件2实际上相对于筒形壳体处于同心的位置。这种方法是有效的[在图7(A)中,3是涂布在熔断器元件2上的助熔剂,4是筒状壳体,5是密封剂例如环氧树脂。圆盘外径与桶状壳体内径几乎相等]。这时,如图7的(B)所示,使熔融的熔断器元件球面状地凝聚在圆盘d的前面并可以防助熔剂(含碳化物)和飞散合金附着在壳体4的内面上。
[实施例]
在下面的实施例及比较例中使用的合金型温度熔断器是交流额定5A×250V的筒形壳体型的,筒状陶瓷壳体,外径是3.3mm,壳体厚度是0.5mm,壳体长度是11.5mm,引线导体是外径为1.0mmφ的镀Sn软铜线,熔断器元件的外径是1.0mmφ,长度是4.0mm,在助熔剂中使用天然松香80重量份,硬脂精酸20重量份,二乙胺溴化氢酸盐1重量份的组成物,在密封剂中使用常温固化型的环氧树脂。
熔断器元件的固相线温度及液相线温度在升温速度5℃/min的条件下由DSC测定。
试件数为50个,在通电0.1A的检测电流的同时浸渍在升温速度为1℃/min的油槽内,测定因熔断器元件熔断而通电切断时的油温度To,把To-2℃作为温度熔断器元件的动作温度。
对温度熔断器动作时的异常现象的评价,根据按IEC 60691规定的过载试验法及耐压试验法的试验进行评价(省略了过载试验前的湿度试验)。
即,在试件上加上1.1×额定电压、1.5×额定电流,同时以(2±1)K/min的速度使周围温度上升,确认有无动作时的破坏和物理损伤。在没有产生破坏和损伤的试件中,引线导体之间在额定电压×2(500V)下能耐受1分钟,同时卷装在动作后的熔断器主体上的金属箔和引线导体之间在额定电压×2+1000V(1500V)下能耐受1分钟的为耐压特性合格,另外,加上直流电压值为额定电压×2(500V)时的引线导体之间的绝缘电阻是0.2MΩ以上,同时卷装在动作后的熔断器主体上的金属箔和引线导体之间的绝缘电阻为2MΩ为绝缘特性合格,耐压特性及绝缘特性一起合格的为绝缘稳定性合格。试件数为50个,只有50个全部在绝缘安定性上合格时才能评价为○,即使有一个不合格时评价也为×。
[实施例1]
在熔断器元件的组成中使用Bi 53%、余量为Sn。熔断器元件通过在1个模的截面减小率为6.5%、拉丝速度为50m/min的条件下细线加工成300μmφ来得到,显示了全无断线也不产生颈缩等的良好的加工性。
DSC测定结果是图8所示那样,固相线温度是138℃,液相线温度是159℃,最大吸热峰值温度是140.0℃。
温度熔断器动作时的熔断器元件温度是141±1℃。因此明确可知温度熔断器动作时的熔断器元件温度与最大吸热峰值温度140.0℃几乎一致。
虽然进行了上述的过载试验,可是得到了伴随破坏等的物理损伤完全没有而使动作的结果。对于该动作后的耐压试验,由于在引线导体之间在额定电压×2(500V)下能耐受1分钟以上,而且在卷装在动作后的熔断器主体上的金属箔和引线导体之间在额定电压×2+1000V(1500V)下能耐受1分钟以上,所以是合格的,对于绝缘特性,由于加上额定电压×2(500V)的直流电压时的引线导体之间的绝缘电阻是0.2MΩ以上,而且卷装在动作后的熔断器主体上的金属箔和引线导体之间的绝缘器值是2MΩ以上,所以是合格的,由于两者都合格,所以绝缘稳定性的评价是○。
得到这样良好的过载特性及动作后的绝缘稳定性的理由,是由于在上述通电升温中熔断器元件在固液共存状态下被分断,抑制了溶融合金微细粒子飞散,动作时由于不产生电弧,难以产生急剧的升温,抑制伴随起因于此的助熔剂的气化而产生的压力上升和助熔剂的碳化等,不再引起物理的破坏,可以充分确保分断的绝缘距离。
[实施例2~4]
相对于实施例1,除了表1所示那样改变合金组成而外,其余与
实施例1相同。
图9表示实施例2的DSC测定结果,图10表示实施例4的DSC测定结果。
这些实施例的固相线温度、液相线温度如表1所示那样。温度熔断器动作时的熔断器元件温度也如表1所示,上下浮动是在±2℃以内,处于固液共存区域。
过载特性及绝缘稳定性也与实施例1一样是合格的,其理由可以推断为与实施例1同样地在于熔断器元件在固液共存状态下被分断。
无论哪一个实施例,都与实施例1一样,具有良好的拉丝加工性。
[表1]
                                 表1
    实施例2     实施例3     实施例4
  Bi(%)     51     54     56
  Sn(%)     余量     余量     余量
  固相线温度(℃)     137.3     137.2     137.1
  液相线温度(℃)     160.1     157.6     152.4
  拉丝加工性     良好     良好     良好
  动作时元件温度(℃)     142±2     141±1     140±1
  过载特性     无损伤等     无损伤等     无损伤等
  绝缘稳定性     ○     ○     ○
[实施例5]
在熔断器元件中,除了使用在实施例1的合金组成100重量份中添加Ag1重量份的合金组成而外,其余与实施例1相同。
与实施例1的熔断器元件线材的拉丝条件相比也是过苛的条件,在1个模的截面减小率8%、拉丝速度80m/min的条件下制造了300μmφ的熔断器元件线材,全无断线且颈缩等问题也未发生,显示了优良的加工性。
固相线温度、最大吸热峰值温度及温度熔断器动作时的熔断器元件温度与实施例1相比几乎没有变化,可以确认,实际上可以保持实施例1的动作温度及熔融特性。
与实施例1一样,在上述过载试验中,由于得到了伴随破坏等的物理损伤完全没有而使动作的效果,所以是合格的,对于动作后的耐压试验,由于引线导体之间在额定电压×2(500V)下能耐受1分钟以上,而且卷装在动作后的熔断器主体上的金属箔和引线导体之间在额定电压×2+1000V(1500V)下能耐受1分钟以上,所以是合格的,对于绝缘特性,在加上额定电压×2(500V)的直流电压时的引线导体之间的绝缘电阻是0.2MΩ以上,而且卷装在动作后的熔断器主体上的金属箔与引线导体之间的绝缘电阻值是2MΩ以上,所以是合格的,由于两者都合格,所以绝缘稳定性的评价是○。因此,可以确认,尽管添加Ag,仍可以保持良好的过载特性及绝缘稳定性。
也可以确认,在Ag的添加量为0.1~7.0重量份的范围内上述效果被证实了。
再有,可以确认,在作为被接合体的引线导体的金属材料、薄膜材料或者膜电极中的粒体金属材料是Ag的情况下,像本实施例那样通过预先添加同一元素Ag,可以抑制该金属材料在熔断器元件接合后经过一段时间由于固相扩散向熔断器元件中移行,可以排除伴随熔点降低而使动作温度局部降低和上下浮动等影响。
[实施例6~12]
在熔断器元件中,除了在实施例1的100重量份中分别添加Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge 0.5重量份外,其余与实施例1相同。
可以确认,与实施例5的添加金属Ag一样,通过添加Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge,得到了优良的拉丝加工性,也可以充分地保证实施例1的动作温度和熔融特性,可以保持良好地过载特性及绝缘稳定性,更可以抑制同种金属材料的固相扩散。
再有,也可以确认,在Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge的分别添加量为0.1~7.0重量份的范围内,上述效果被证实了。
[比较例1]
相对于实施例1,除了把熔断器元件的组成做成Bi57%、余量为Sn(共晶)以外,其余与实施例1相同。
加工性是良好的。由于固液共存区域实际上是0,所以动作时的熔断器元件温度的上下浮动极小,是140±1℃。但是对于过载试验及耐压试验,结果多发生破坏和绝缘不良,难以在交流额定250V,5A下使用。其理由被推断为,在动作时,熔断器元件一下子从固相变化到表面张力小的液相,实际上不存在中间状态,所以在熔断器元件熔断时,液相化熔断器元件成为微细粒子并由动作时电弧伴随碳化助熔剂向周围飞散,因大量附着在外周壳体内壁等上面,所以不能保证动作后的绝缘距离,加高电压时再导通,再切断时再产生电弧。
[比较例2]
相对于实施例1,除了把熔断器元件的组成做成Bi49%、余量为Sn而外,其余与实施例1相同。
加工性是良好的。DSC测定结果是图11所示那样,与作为实施例2的DSC测定结果的图9相比液相线侧的肩W相当大。动作时的熔断器元件温度遍及139℃~147℃。这样,上下浮动变得过大,按照上述的观点,可以推断为,是由于固液共存区域的液相侧的肩幅宽。
[比较例3]
相对于实施例1,除了把熔断器元件的组成做成Bi47%、余量为Sn而外,其余与实施例1相同。
加工性是良好的。动作时的熔断器元件温度遍及139℃~158℃,上下浮动过大。DSC测定结果如图12所示那样,液相线侧的肩W大,动作温度的上下浮动过大,与上述的一样,可以推断是由于固液共存域的液相线侧的肩幅宽。
发明的效果
根据本发明的温度熔断器元件用材料和温度熔断器,可以提供使用不含对生物体系有害的金属的Bi-Sn系合金且在过载特性及动作后的耐压特性及绝缘特性上优良的合金型温度熔断器,对高电力额定用是有用的。
再有,根据第2发明的熔断器元件用材料和合金型温度熔断器,由于熔断器元件用材料的优良的拉丝加工性,熔断器元件的细线化是容易的,有利于温度熔断器的小型化和薄型化,另外,即使在接合本来会带来影响的被接合材料和熔断器元件并构成合金型温度熔断器的情况下,也可以不损害熔断器元件的功能,保证正常的动作。
特别是根据第3~8发明的合金型温度熔断器,对筒形壳体型温度熔断器、基板型温度熔断器、带发热体的温度熔断器、在引线导体上镀了Ag等的温度熔断器乃至带发热体的温度熔断器可以保证上述的效果并可以谋求这些温度熔断器乃至带发热体的温度熔断器的高电力额定的取得。

Claims (42)

1.一种温度熔断器元件用材料,其特征在于,具有Bi超过50%且在56%以下、余量为Sn的合金组成。
2.一种温度熔断器元件用材料,其特征在于,向权利要求1所述的合金组成100重量份中,添加0.1~7.0重量份的Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge的1种或者2种以上。
3.一种合金型温度熔断器,其特征在于,把权利要求1所述的温度熔断器元件用材料做成熔断器元件。
4.一种合金型温度熔断器,其特征在于,把权利要求2所述的温度熔断器元件用材料做成熔断器元件。
5.如权利要求3所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在熔断器元件中含有不可避免的杂质。
6.如权利要求4所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在熔断器元件中含有不可避免的杂质。
7.如权利要求3所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在引线导体之间连接熔断器元件,在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
8.如权利要求4所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在引线导体之间连接熔断器元件,在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
9.如权利要求5所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在引线导体之间连接熔断器元件,在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
10.如权利要求6所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在引线导体之间连接熔断器元件,在引线导体的至少熔断器元件接合部上被覆Sn或者Ag膜。
11.如权利要求3所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在熔断器元件的两端上接合引线导体,在熔断器元件上涂布助熔剂,在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体,筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封,而且,引线导体做成圆盘状,在圆盘前面接合熔断器元件端。
12.如权利要求4所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在熔断器元件的两端上接合引线导体,在熔断器元件上涂布助熔剂,在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体,筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封,而且,引线导体做成圆盘状,在圆盘前面接合熔断器元件端。
13.如权利要求5所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在熔断器元件的两端上接合引线导体,在熔断器元件上涂布助熔剂,在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体,筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封,而且,引线导体做成圆盘状,在圆盘前面接合熔断器元件端。
14.如权利要求6所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在熔断器元件的两端上接合引线导体,在熔断器元件上涂布助熔剂,在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体,筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封,而且,引线导体做成圆盘状,在圆盘前面接合熔断器元件端。
15.如权利要求7所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在熔断器元件的两端上接合引线导体,在熔断器元件上涂布助熔剂,在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体,筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封,而且,引线导体做成圆盘状,在圆盘前面接合熔断器元件端。
16.如权利要求8所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在熔断器元件的两端上接合引线导体,在熔断器元件上涂布助熔剂,在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体,筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封,而且,引线导体做成圆盘状,在圆盘前面接合熔断器元件端。
17.如权利要求9所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在熔断器元件的两端上接合引线导体,在熔断器元件上涂布助熔剂,在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体,筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封,而且,引线导体做成圆盘状,在圆盘前面接合熔断器元件端。
18.如权利要求10所述的合金型温度熔断器,其特征在于,在熔断器元件的两端上接合引线导体,在熔断器元件上涂布助熔剂,在该助熔剂涂布熔断器元件上插通筒状壳体,筒状壳体的各端和各引线导体之间被密封,而且,引线导体做成圆盘状,在圆盘前面接合熔断器元件端。
19.如权利要求3所述的合金型温度熔断器,其特征在于,通过含有金属颗粒体及粘接剂的导电胶的印刷烧结,在基板上设置一对膜电极,在这些膜电极之间接合熔断器元件,而且,金属颗粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任何一种。
20.如权利要求4所述的合金型温度熔断器,其特征在于,通过含有金属颗粒体及粘接剂的导电胶的印刷烧结,在基板上设置一对膜电极,在这些膜电极之间接合熔断器元件,而且,金属颗粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任何一种。
21.如权利要求5所述的合金型温度熔断器,其特征在于,通过含有金属颗粒体及粘接剂的导电胶的印刷烧结,在基板上设置一对膜电极,在这些膜电极之间接合熔断器元件,而且,金属颗粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任何一种。
22.如权利要求6所述的合金型温度熔断器,其特征在于,通过含有金属颗粒体及粘接剂的导电胶的印刷烧结,在基板上设置一对膜电极,在这些膜电极之间接合熔断器元件,而且,金属颗粒体是Ag、Ag-Pd、Ag-Pt、Au、Ni、Cu的任何一种。
23.如权利要求3所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
24.如权利要求4所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
25.如权利要求5所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
26.如权利要求6所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
27.如权利要求7所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
28.如权利要求8所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
29.如权利要求9所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
30.如权利要求10所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
31.如权利要求11所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
32.如权利要求12所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
33.如权利要求13所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
34.如权利要求14所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
35.如权利要求15所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
36.如权利要求16所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
37.如权利要求17所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
38.如权利要求18所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
39.如权利要求19所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
40.如权利要求20所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
41.如权利要求21所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
42.如权利要求22所述的合金型温度熔断器,其特征在于,附设了用于熔断熔断器元件的发热体。
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