CN1412841A - 引线框架以及制造该引线框架的方法 - Google Patents
引线框架以及制造该引线框架的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1412841A CN1412841A CN02144300A CN02144300A CN1412841A CN 1412841 A CN1412841 A CN 1412841A CN 02144300 A CN02144300 A CN 02144300A CN 02144300 A CN02144300 A CN 02144300A CN 1412841 A CN1412841 A CN 1412841A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead
- core
- drift
- lead frame
- lead portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 23
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00015—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed as prior art
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
一种引线框架,该引线框架包括:引线部分,该引线部分象梳子的齿一样从框架部分朝内部延伸,且各引线部分包括顶端部分、中心部分以及与框架部分连接的底部,该顶端部分和该中心部分通过第一收缩部分相连,该中心部分和该底部通过第二收缩部分相连,各引线部分的中心部分和顶端部分的两侧表面部分的厚度设置成比各引线部分的其余部分的厚度更薄。
Description
技术领域
本发明涉及一种引线框架以及一种制造该引线框架的方法,尤其是,本发明涉及用于无引线封装件(package)中的引线框架以及制造该引线框架的方法,该无引线封装件例如QFN、SON等。
背景技术
近年来,作为实施制造多媒体装置的关键技术,LSI技术的发展不断朝着使数据传输更快和容量更大的方向前进。因此,作为LSI和电子装置之间的界面的封装技术朝着更高密度的方向发展。
对于能适应高密度封装的封装件,已经发展了各种封装件。例如,对于采用引线框架的、用于高密度封装的封装件,已知有无引线封装件,例如QFN(四线扁平无引线封装件)、SON(小外面无引线封装件)等,其中,引线并不伸出到外部。
图1A是表示一种半导体装置的实例的剖视图,其中,集成电路片装在无引线封装件内,图1B是沿图1A中的线II-II的放大剖视图。图2A是表示用于无引线封装件的引线框架的引线部分的实例的平面图,图2B是沿图2A中的线III-III的剖视图。
如图1A所示,在半导体装置110中,集成电路片104安装在底座垫(die pad)102上,且集成电路片104的连接电极(未示出)通过导线而与引线部分100电连接。然后,该集成电路片104通过模铸树脂(moldresin)106而密封,以便覆盖该引线部分100的顶端部分。
这样,在有QFN结构的半导体装置110中,引线部分100的上表面和侧表面由模铸树脂106覆盖。因此,例如当引线部分100的横截面为垂直形状时,埋入模铸树脂106中的引线部分100可能从模铸树脂106中脱落。
因此,如图2A和2B所示,引线框架的引线部分100的剖面结构例如形成为类似于倒锥形形状,两级台阶的形状等,其中,表面(与集成电路片的连接电极相连的表面)的宽度比背面(与接线板等相连的表面)的宽度更厚。
因此,如图1B所示,模铸树脂106可以埋到切入引线部分100的侧表面。这样,能够防止该引线部分100从模铸树脂106中脱落。
在现有技术中,为了形成有上述剖面结构的引线部分100,在金属板的两表面上形成有几乎相同图案的第一保护膜。然后,通过利用化学药品等进行湿蚀刻,同时利用保护膜的图案作为屏障,可以从两个表面对金属板的预定部分进行蚀刻。这时,如果不是在相同条件下对金属板的表面和背面进行蚀刻的话,例如对背面进行过度蚀刻,则可以形成表面宽度比背面宽度更厚的引线部分。
如上所述,在现有技术中,为了简单地形成倒锥形等形状,用于无引线封装件中的引线框架主要通过湿蚀刻而制造。
不过,通过湿蚀刻加工引线框架的方法有很大的缺点,那就是成本高和加工速度低。因此,非常希望能够通过采用利用精密压模对金属板进行冲压等的方法来制造具有上述剖面结构的引线部分的引线框架,该剖面结构例如倒锥形形状、两级台阶的形状等,采用冲压方法能够降低成本和提高加工速度。
发明简介
本发明的一个目的是:提供一种引线框架,该引线框架能够通过利用精密压模进行冲压来制造,并能够用于无引线封装件;以及提供一种制造该引线框架的方法。
本发明提供了一种引线框架,该引线框架包括象梳子的齿一样从框架部分朝内部延伸的引线部分,该引线部分包括顶端部分、中心部分以及与该框架部分连接的底部;其中,该顶端部分和该中心部分通过第一收缩部分相连,该中心部分和该底部通过第二收缩部分相连,引线部分的中心部分和顶端部分的两侧表面部分的厚度设置成比该引线部分的其余部分的厚度更薄。
本发明改进了引线部分的结构,从而可以在没有该缺点的情况下通过采用精密压模进行冲压来制造可以装在无引线封装件上的引线框架,该无引线封装件的引线部分并不延伸到密封树脂的外部,也就是,在该引线框架中,引线部分的剖面结构形成为类似于倒锥形形状、两级台阶的形状等。
通过对利用精密压模来制造上述引线框架的方法进行认真研究,本发明的发明人发现了下面所述的问题。
如图3A所示,为了通过采用精密压模进行冲压来制造具有引线部分的引线框架(该引线部分的剖面结构形成为类似于倒锥形形状、两级台阶的形状等),首先,通过由模具的预定冲头顺序地垂直地冲压金属板的预定部分,从而形成引线部分10的初始形状。这时,引线部分10包括主体部分10a和与框架部分10c连接的底部10b,该主体10a宽度比底部10b的宽度更宽。
然后,如图3C所示,通过侧表面部分冲头12推压引线部分10的主体部分10a的侧表面10d,以便减小厚度,从而形成两级台阶的形状。这时,由于侧表面部分冲头12的位移,很容易在几乎直角的部分(C部分)上产生所谓的毛刺,在该部分处,宽度从引线部分10的底部10b向主体部分10a扩大。
然后,如图3E所示,通过顶端部分冲头12a推压引线部分10的主体部分10a的顶端部分10e,以便减小厚度,从而形成两级台阶的形状。这时,很容易在一定部分(D部分)上产生毛刺(burr),在该部分处,引线部分10的主体部分10a的由顶端部分冲头12a推压的部分与通过侧表面部分冲头12推压的部分相交。这时,通过单独的冲头推压主体部分的侧表面部分以及顶端部分的原因是,从冲头部件的强度方面考虑,整体形成能够一起推压侧表面部分和顶端部分的冲头很困难。
基于当通过采用精密压模进行冲压来形成具有两级台阶形状的引线部分的侧表面部分和顶端部分时所产生的上述缺点,发明了本发明。换句话说,该引线部分包括顶端部分、中心部分以及与底部,引线部分的中心部分的侧表面部分与引线部分的顶端部分通过第一收缩部分相连,引线部分的中心部分的侧表面部分与引线部分的底部通过第二收缩部分相连。
因此,为了使引线部分的中心部分的侧表面部分形成为两级台阶形状,首先,当通过模具的侧表面部分冲头推压引线部分的中心部分的侧表面部分时,能够消除上述的几乎直角的部分。因此,能够防止毛刺的产生。然后,当通过顶端部分冲头推压引线部分的顶端部分时,引线部分的顶端部分与中心部分的侧表面部分通过第一收缩部分连接。因此,能够消除通过顶端部分冲头推压的部分与通过侧表面部分冲头推压的、中心部分的侧表面部分相交的区域。因此,能够防止产生毛刺。
附图的简要说明
图1A是表示半导体装置的一个实例的剖视图,其中,集成电路片安装在无引线封装件内,图1B是沿图1A中的线II-II的放大剖视图;
图2A是表示用于无引线封装件内的引线框架的引线部分的一个实例的平面图,图2B是沿图2A中的线III-III的剖视图;
图3A和3B分别是表示用于无引线封装件中的引线框架的引线部分的局部平面图和局部剖视图,图3C和3D分别是表示由模具冲头压制引线部分的侧表面部分时的情况的局部平面图和局部剖视图,图3E和3F分别是由模具冲头压制引线部分的顶端部分时的情况的局部平面图和局部剖视图;
图4A、4C和图4B、4D分别是表示本发明第一实施例的引线框架制造方法的局部平面图和局部剖视图(#1);
图5A、5C和图5B分别是表示本发明第一实施例的引线框架制造方法的局部平面图和局部剖视图(#2);
图6A至6C是表示本发明第一实施例的引线框架制造方法的局部剖视图(#3);
图7是表示本发明第一实施例的引线框架的局部平面图;
图8是表示本发明第一实施例的一种变化形式的引线框架的局部平面图;以及
图9A和9B是表示本发明第二实施例的引线框架制造方法的局部平面图。
优选实施例的说明
下面将参考附图介绍本发明的实施例。
(由本发明的发明人进行的研究)
图3A是表示用于无引线封装件中的引线框架的引线部分的局部平面图,而图3B是沿图3A中的线I-I的局部剖视图;图3C是表示由模具冲头压制引线部分的侧表面部分时的情况的局部平面图,而图3D是表示图3C中的C部分的放大局部剖视图;图3E是表示由模具冲头压制引线部分的顶端部分时的情况的局部平面图,而图3F是表示图3E中的D部分的放大局部剖视图。
如图3A所示,用于无引线封装件例如QFN、SON等中的引线框架的引线部分10包括主体部分10a和宽度比该主体部分10a窄的底部10b。该底部10b与框架部分10c连接。该主体部分10a形成为类似于这样的形状,即,其表面(A部分)的宽度比背面(B部分)的宽度更宽,例如所谓的台阶形,如图3B所示。引线部分10的该表面(A部分)通过导线而与安装在底座垫上的集成电路片的连接电极(未示出)电连接。而且,模铸树脂(未示出)施加在从集成电路片向引线部分10的主体部分10a延伸的区域上。然后,通过切除引线部分10的底部10b的预定部分而形成该无引线封装件。然后,引线部分10的背面(B部分)与接线板等连接。
这样,在该无引线封装件中,具有这样的结构:引线部分10的表面和侧表面由模铸树脂覆盖,而背面(B部分)暴露。因此,例如当该引线部分10的横截面为垂直形状时,该引线部分10可能从模铸树脂中脱落。因此,当引线部分10的截面形状形成为类似台阶形状,例如如图3B所示,以便使模铸树脂切入侧表面时,将防止该引线部分10从模铸树脂中脱落。
当本发明的发明人认真研究通过用模具冲压来制造具有剖面结构如图3B所示的引线部分10的引线框架的方法时,发现该方法有下面所述的问题。
为了通过冲压来形成具有如图3B所示剖面结构的引线部分10,首先通过冲压制造具有引线部分10的引线框架,该引线部分10与图3C中所示的框架部分10c连接。这时,引线部分10的横截面几乎为垂直形状。
然后,同样如图3C所示,引线部分10的主体部分10a的侧表面部分10d通过有冲头12的模具而被推压,以便减小该部分的厚度。这样,如图3D所示,沿该冲头12的端头部分,在引线部分10的主体部分10a的侧表面部分10d上形成台阶形形状。这时,很难使冲头12的侧表面的边缘部分与底部10b的侧表面的边缘部分完全匹配。因此,冲头12例如布置成从该底部10b的侧表面的边缘部分向外侧偏离,以便推压主体部分10a的侧表面部分10d。因为冲头12的这种位移,很容易在底部10b和主体部分10a相连接的几乎直角部分处(图3C中的C部分)产生所谓的毛刺。
然后,如图3E所示,模具的冲头12a推压引线部分10的主体部分10a的顶端部分10e,以便减小该部分的厚度,然后,沿该冲头12a的端头部分,在引线部分10的主体部分10a的顶端部分10e处形成台阶形形状。这时,如图3E所示,很容易在所推压的主体部分10a的侧表面部分10d和顶端部分10e之间的相交部分处(图3E中的D部分)产生毛刺。当利用在引线部分10上产生有毛刺的该引线框架来制造无引线封装件时,封装件的可靠性降低。顺便说明,当采用能够一起推压该引线部分10的所推压的主体部分10a的侧表面部分10d和顶端部分10e的模具冲头时,几乎不会在图3E中的D部分处产生毛刺。不过,从冲头部分的强度方面考虑,很难制造使上述两冲头12、12a形成一体的冲头。
这样,本发明的发明人发现,当试图通过冲压来形成使侧表面部分10d和顶端部分10e类似于台阶形形状(如图3A所示)的引线部分10时,有在图3C中的C部分和图3E中的D部分很容易产生毛刺的问题。
(第一实施例)
基于上述问题,发明了根据本发明第一实施例的引线框架制造方法。图4A、4C和图4B、4D分别是表示本发明第一实施例的引线框架制造方法的局部平面图和局部剖视图(#1);图5A、5C和图5B分别是表示本发明第一实施例的引线框架制造方法的局部平面图和局部剖视图(#2);图6A至6C是表示本发明第一实施例的引线框架制造方法的局部剖视图(#3)。
在本发明第一实施例的引线框架制造方法中,如图4A和4B所示,首先制备有金属板20和模具22,该金属板20例如Fe-Ni合金板、铜合金板等。该模具22基本包括第一冲头24、夹持件26和支承件28。然后,将该金属板20插入夹持件26和支承件28之间,再通过第一冲头24推压该金属板20的预定部分,该金属板20被冲压,或者该预定部分的厚度减小。这样,能够制造引线框架。该第一冲头24用于大致确定引线框架的引线部分的中心部分的宽度。
这样,金属板20插入该模具22中,然后通过用第一冲头24推压金属板20而冲压该金属板20。这样,如图4A所示,在金属板20的合适部分处形成狭窄的第一开口部分20a,还确定了引线部分的中心部分的大致宽度W1。然后,在第一开口部分20a的两端部分处形成弯曲部分(E和F部分)。这时,图4B表示了在通过第一冲头24冲压金属板20之后的情况。
然后,如图4D所示,制备有模具22a,其具有第二冲头24a、具有与第二冲头24a相对应的开口部分的夹持件26a以及没有开口部分的支承件28a。这时,图4D表示了通过第二冲头24a推压金属板20后的情况。模具22a的第二冲头24a用于通过推压部分而形成台阶形形状,以便减小该部分的厚度,该推压部分对应于引线部分的中心部分的侧表面部分。当从上侧看时,第二冲头24a具有分别包含了图4C中的阴影部分21的矩形平面形状。
形成有第一开口部分20a的金属板20插入该模具22a内,然后用第二冲头24a进行推压。这样,如图4D所示,与金属板20的第一开口部分20a的中心部分相邻的阴影区域2 1的厚度例如减小大约一半。还有,如图4C所示,因为由第二冲头24a推压的金属板20部分延伸到第一开口部分20a的内部,第一开口部分20a的宽度变窄(由虚线表示的部分显示了第一开口部分在伸展之前的宽度)。
在本实施例中,第二冲头24a沿水平方向的边缘部分与第一开口部分20a的弯曲部分(图4C中的E部分和F部分)相交。因此,与图3C中的上述C部分不同,能够防止产生毛刺。然后,通过该步骤进行推压的阴影区域21部分作为引线部分的中心部分的侧表面部分,该侧表面部分形成为类似于台阶形形状。
然后,如图5B所示,制备有模具22b,其具有第三冲头24b、具有与第三冲头24b相对应的开口部分的夹持件26b以及支承件28b。这时,图5B表示了通过第三冲头24b推压金属板20后的情况。当从上侧看时,第三冲头24b有分别如图5A中的阴影部分21a所示的平面形状。该第三冲头24b用于确定引线部分的顶端部分之间的间距,也通过再推压阴影区域21的合适部分而最终确定引线部分的中心部分的宽度,该阴影区域21的所述部分通过第二冲头24a冲压,如上述图4C所示,并延伸到第一开口部分20a侧部。
还有,第三冲头24b用于通过第一收缩部分20c连接该引线部分的顶端部分和中心部分,并通过第二收缩部分20d连接该引线部分的中心部分和底部。
加工成如图4C所示的上述形状的金属板20插入模具22b中,然后通过第三冲头24b冲压该金属板20的合适部分。然后,如图5A所示,将第二开口部分20b(阴影部分)添加到金属板20上。因此,确定了引线部分的顶端部分的宽度W3,也确定了引线部分的中心部分30的最终宽度W2,因为也冲压了延伸到第一开口部分20a侧部的部分。还有,第一收缩部分20c和第二收缩部分20d在该步骤中形成。此外,因为引线部分的中心部分30的两侧部分30c都已被推压以减小厚度,这样,引线部分的中心部分30的两侧部分30c形成为类似于台阶形形状。
然后,将形成有上述第二开口部分的金属板20插入有第四冲头的模具(未示出)中,该第四冲头的形状与图5C中的阴影部分21b的形状相对应,然后,通过第四冲头冲压如图5C中所示的金属板20的阴影部分21b。这样,就确定了引线部分的顶端部分30a。
然后,将如上所述确定了引线部分的顶端部分30a的金属板20插入有第五冲头的模具(未示出)中,该第五冲头的形状与图6A中的阴影部分21c的形状相对应。然后通过利用第五冲头推压该顶端部分30a,以便使引线部分的顶端部分30a的厚度减小大约一半。这样,引线部分的顶端部分30a形成为类似于台阶形形状。
这时,因为顶端部分30a和中心部分30通过第一收缩部分20c而相连,因此,第五冲头不会与引线部分的中心部分30的侧表面部分30c相交。因此,不会产生如上述图3E和3F中所述的毛刺。
这时,顶端部分30a的宽度比中心部分的宽度更窄的模式如图6A所示。不用说,顶端部分30a和中心部分30的宽度之间的关系可以进行合适调节。也就是,通过在中心部分30的侧表面部分30c和顶端部分30a之间设置第一收缩部分20c,第五冲头不会与已经由第二冲头24a推压的、中心部分30的侧表面部分30c接触。
然后,将金属板20(其中引线部分的上述顶端部分30a形成为类似于台阶形形状)插入有第六冲头的模具(未示出)内,该冲头的形状与图6B中的阴影区域21d的形状相对应,然后,再对如图6B所示的、金属板20的阴影区域21d进行冲压。这样,确定了引线部分的底部30b的宽度W4。
如图6C所示,通过上述方法,形成了根据本发明第一实施例的、具有与框架部分50b连接的引线部分50a的引线框架50。这时,图6C表示了当完成图6B中的步骤时金属板20的背面。
根据本发明第一实施例的引线框架的制造方法,在通过第二冲头24a推压引线部分50a的中心部分30的侧表面30c的步骤中(图4C和4D),该第二冲头24a沿水平方向的边缘部分与第一开口部分20a的弯曲部分(图4C中的E部分和F部分)相交。因此,能够防止上述在图3C中的C部分处产生毛刺。
还有,在通过第五冲头推压引线部分50a的顶端部分30a的步骤中(图6A),顶端部分30a和中心部分30的侧表面部分30c通过第一收缩部分20c连接。因此,当通过第五冲头推压该顶端部分30a时,第五冲头不会与中心部分30的侧表面部分30c接触。因此,能够防止上述在图3E中的D部分所形成的毛刺的产生。
因此,在不产生毛刺的情况下,通过采用精密压模,能够很容易地制造具有引线部分50a的引线框架,在该引线部分50a中,中心部分的侧表面部分30c以及顶端部分30a形成为类似于台阶形形状。因为与在现有技术中通过蚀刻进行加工的情况相比,通过精密压模进行的加工可以使加工速度更高,因此,即使在提供更多精密压模时也能降低该引线框架的总成本。
图7是表示根据本发明第一实施例的引线框架的局部平面图。在本发明第一实施例的引线框架50中,如图7中所示,四边形底座垫50c设置在框架部分50b的中心部分,其上安装有集成电路片。该底座垫50c由从框架部分50b的相应拐角伸出的支承杆50d支承。此外,在图6C中所示的多个引线部分50a象梳子的齿一样从该框架部分50b朝着底座垫50c伸出,以便构成引线框架50。
在本实施例的引线框架50中,集成电路片安装在底座垫50c上,然后,该集成电路片的连接电极与引线部分50a的中心部分30通过导线电连接。然后,将模铸树脂紧密施加在引线部分50a的中心部分30与底部30b之间的边界上,然后通过切割底部30b的在中心部分30侧的部分(优选是第二收缩部分20d)处的模铸树脂,从而制成半导体装置。
图8是表示根据本发明第一实施例的一种变化形式的引线框架的局部平面图。如图8所示,在根据第一实施例的变化形式的引线框架50I的结构中,如图7所示的引线框架50没有底座垫部分50c。这时,就象图7中所示的引线框架50一样,多个如图6C中所示的引线部分50a象梳子的齿一样从框架部分50b向内部伸出,以便构成引线框架50。
在根据本实施例的变化形式的引线框架50中,半导体装置制成这样,即集成电路片布置在框架部分50b内部的空腔区域中的中心部分50e的位置处。换句话说,首先,将胶带(tape)粘在图8中所示的引线框架50I的背面上,然后将集成电路片安装在该胶带上,并在空腔区域中的中心部分50e处。然后,使集成电路片的连接电极通过导线与引线部分50a的中心部分30电连接。
然后,将模铸树脂施加在引线部分50a的中心部分30和底部30b之间的边界处。因此,模铸树脂不仅能固定引线部分50a,而且能固定集成电路片。然后将胶带剥离,再切除底部30b的、在中心部分30侧的部分,优选是切除该第二收缩部分20d。
这样,通过利用本实施例的引线框架50、50I,可以制造使集成电路片封装在无引线封装件中的半导体装置,该无引线封装件例如QFN、SON等。
在冲压制造步骤中,如图6C所示,没有产生毛刺的引线部分的形状形成为这样,即中心部分30的侧表面部分30c和顶端部分30a通过第一收缩部分20c连接,中心部分30的侧表面部分30c和底部30b通过第二收缩部分20d连接。还有,因为在引线部分40a背面(与接线板等连接的表面)上的中心部分30的侧表面部分30c以及顶端部分30a都形成为类似于台阶形形状,因此能够防止该引线部分50a与模铸树脂分离。
(第二实施例)
图9A和9B是表示根据本发明第二实施例的引线框架制造方法的局部平面图。该第二实施例与第一实施例的区别是引线部分的底部与框架部分通过第三收缩部分连接。在图9A和9B中,相同的参考标号表示与图6A至6C中相同的元件,并省略对它们的说明。
在第一实施例的图6B中所示的步骤中,当通过第六冲头冲压阴影区域21d时,该阴影区域21d的上部U形边缘部分已经在前面的步骤中进行了冲压,因此,所冲压的金属残余物对模具的粘附力相对较小。因此,所冲压的金属残余物粘在该冲头上,然后升高。结果,这样的情况被认为是发生了所谓的“金属残余物升高”的现象,例如,所冲压的金属残余物进入夹持件和金属板之间的空间等。当发生金属残余物升高时,可能将有缺点,导致产生凹痕故障。因此,提供了第二实施例以克服该缺点。
在根据本发明第二实施例的引线框架制造方法中,首先以与第一实施例相同的方式加工金属板,直到在图6A中通过第五冲头推压引线部分的顶端部分30a的步骤。
这时,如图9A所示,通过有第七冲头的模具(未示出)来冲压金属板20的阴影区域21e,该第七冲头的形状与该阴影区域21e基本相同。这时,在所冲压的金属板20的阴影区域21e中,当模具沿垂直方向的侧面形成为波纹形时,因为所冲压的金属残余物和模具的支承件之间的接触区域增大,因此,所冲压的金属残余物对模具支承件的粘附力增加而大于第一实施例,因此,能够防止产生金属残余物升高。
因此,如图9B所示,形成了引线框架50II,其中,引线部分50c的底部30b与框架部分50b通过第三收缩部分20e而连接。这时,在本实施例中,有底座垫部分的引线框架可以象第一实施例一样使用,另外也可以采用没有底座垫部分的引线框架。
根据第二实施例的引线框架50II,不仅引线部分50c的顶端部分30a与中心部分30的侧表面部分30c通过第一收缩部分20c连接,中心部分30的侧表面部分30c与底部30b通过第二收缩部分20d连接,而且底部30b和框架部分50b也通过第三收缩部分20e连接。
通过使引线部分50c制成上述形状,在不产生毛刺和金属残余物升高的情况下,通过采用精密压模进行冲压,能够制造具有引线部分50c的引线框架50II,在该引线部分50c中,顶端部分30a以及中心部分30的侧表面部分30c形成为类似于台阶形形状。因此,通过采用精密压模进行冲压,能够制造具有很高可靠性的、无引线封装件的引线框架。
Claims (5)
1.一种引线框架,包括:
引线部分,该引线部分象梳子的齿一样从框架部分朝内部延伸,该引线部分包括顶端部分、中心部分以及与框架部分连接的底部;
其中,该顶端部分和该中心部分通过第一收缩部分相连,该中心部分和该底部通过第二收缩部分相连,引线部分的中心部分和顶端部分的两侧表面部分的厚度设置成比该引线部分的其余部分的厚度更薄。
2.根据权利要求1所述的引线框架,其中:引线部分的底部与框架部分通过第三收缩部分连接。
3.根据权利要求1所述的引线框架,其中:通过利用一模具进行冲压来制造该引线框架。
4.一种通过利用一模具进行冲压来制造包括引线部分的引线框架的引线框架制造方法,该引线部分象梳子的齿一样从框架部分朝着内部伸出,且各引线部分有顶端部分、中心部分以及与框架部分相连的底部,该方法包括以下步骤:
通过用模具的第一冲头冲压金属板的预定部分,从而形成多个第一开口部分,该第一开口部分彼此几乎平行,且各第一开口部分包括一个狭窄的中心部分和弯曲的两端部分;
通过用模具的第二冲头在第一开口部分的中心部分以及两端部分的至少一部分附近推压该金属板的预定部分,从而使金属板向第一开口部分的内部扩展,以便减小该金属板的厚度;
通过用模具的第三冲头在第一开口部分的外周部分中冲压该金属板的预定部分,从而形成多个第二开口部分,该第二开口部分形成为相互几乎平行,这样,就确定了中心部分的宽度和顶端部分的宽度,且中心部分和顶端部分、中心部分和底部分别通过第一收缩部分和第二收缩部分而相连;以及
通过用模具的第四冲头冲压金属板的使第二开口部分相互连接的预定部分,从而确定引线部分的顶端部分;
通过用模具的第五冲头推压该顶端部分,从而减小顶端部分的厚度;以及
通过用模具的第六冲头冲压金属板的使第二开口部分相互连接的预定部分,从而确定底部的宽度。
5.根据权利要求4所述的引线框架制造方法,其中:在确定底部的宽度的步骤中,对金属板的预定部分进行冲压,这样,底部和框架部分通过第三收缩部分相连。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001312199A JP3696820B2 (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | リードフレーム及びその製造方法 |
JP312199/2001 | 2001-10-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1412841A true CN1412841A (zh) | 2003-04-23 |
CN1309071C CN1309071C (zh) | 2007-04-04 |
Family
ID=19130896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB021443009A Expired - Lifetime CN1309071C (zh) | 2001-10-10 | 2002-10-10 | 引线框架以及制造该引线框架的方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6664133B2 (zh) |
JP (1) | JP3696820B2 (zh) |
KR (1) | KR100896299B1 (zh) |
CN (1) | CN1309071C (zh) |
TW (1) | TW586206B (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100407384C (zh) * | 2006-11-24 | 2008-07-30 | 宁波康强电子股份有限公司 | 三极管引线框架的制造方法 |
CN100440463C (zh) * | 2007-03-21 | 2008-12-03 | 宁波康强电子股份有限公司 | 表面贴装用的引线框架的制造方法 |
CN100446234C (zh) * | 2003-11-19 | 2008-12-24 | 罗姆股份有限公司 | 引线框的制造方法及使用该方法的半导体装置的制造方法 |
CN1767186B (zh) * | 2004-10-04 | 2010-05-05 | 雅马哈株式会社 | 引线框架及其半导体封装 |
CN101553920B (zh) * | 2006-10-31 | 2012-10-10 | 飞思卡尔半导体公司 | 方型扁平无引线封装及其方法 |
CN101131986B (zh) * | 2006-08-24 | 2013-01-09 | 成都芯源系统有限公司 | 引线框结构、半导体器件及倒装器件的制造方法 |
CN108878393A (zh) * | 2017-05-15 | 2018-11-23 | 新光电气工业株式会社 | 引线框架及其制造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6949816B2 (en) * | 2003-04-21 | 2005-09-27 | Motorola, Inc. | Semiconductor component having first surface area for electrically coupling to a semiconductor chip and second surface area for electrically coupling to a substrate, and method of manufacturing same |
JP2003258183A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレームの製造方法 |
JP4372508B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2009-11-25 | ローム株式会社 | リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、ならびに半導体装置ならびにそれを備えた携帯機器および電子装置 |
JP3833669B2 (ja) * | 2004-04-08 | 2006-10-18 | シャープ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US7882482B2 (en) | 2007-10-12 | 2011-02-01 | Monolithic Power Systems, Inc. | Layout schemes and apparatus for high performance DC-DC output stage |
TW201220455A (en) * | 2010-11-10 | 2012-05-16 | Raydium Semiconductor Corp | Semiconductor device |
US20140131086A1 (en) * | 2011-09-06 | 2014-05-15 | Texas Instuments Incorporated | Lead Frame Strip with Half (1/2) Thickness Pull Out Tab |
DE102013217303A1 (de) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | Robert Bosch Gmbh | Stanzgitter für ein Premold-Sensorgehäuse |
JP6964477B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2021-11-10 | 新光電気工業株式会社 | 半導体素子用基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法 |
US11817374B2 (en) * | 2021-04-14 | 2023-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Electronic device with exposed tie bar |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57196554A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Kyoshin Kogyo Kk | Manufacture of lead frame |
US4820658A (en) * | 1986-04-14 | 1989-04-11 | Gte Products Corporation | Method of making a packaged IC chip |
US4803540A (en) * | 1986-11-24 | 1989-02-07 | American Telephone And Telegraph Co., At&T Bell Labs | Semiconductor integrated circuit packages |
JPH0226270U (zh) * | 1988-08-05 | 1990-02-21 | ||
JPH0821658B2 (ja) * | 1990-01-18 | 1996-03-04 | 株式会社三井ハイテック | リードフレームの製造方法 |
JPH0828449B2 (ja) * | 1990-06-07 | 1996-03-21 | 株式会社三井ハイテック | リードフレームの製造方法 |
JPH05275591A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置用icリードフレームの製造方法 |
US5926695A (en) * | 1997-06-10 | 1999-07-20 | National Semiconductor Corporation | Lead frame incorporating material flow diverters |
US6448633B1 (en) * | 1998-11-20 | 2002-09-10 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and method of making using leadframe having lead locks to secure leads to encapsulant |
JP2000196004A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置用リ―ドフレ―ム及びこれを用いた半導体装置 |
JP3681922B2 (ja) * | 1999-06-03 | 2005-08-10 | 三菱電機株式会社 | 引き出し端子、電力用半導体装置用ケース及び電力用半導体装置 |
MY133357A (en) * | 1999-06-30 | 2007-11-30 | Hitachi Ltd | A semiconductor device and a method of manufacturing the same |
JP2001077282A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Matsushita Electronics Industry Corp | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
US6294409B1 (en) * | 2000-01-27 | 2001-09-25 | Siliconware Precisionware Industries Co., Ltd. | Method of forming a constricted-mouth dimple structure on a leadframe die pad |
-
2001
- 2001-10-10 JP JP2001312199A patent/JP3696820B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-08 US US10/265,776 patent/US6664133B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-09 KR KR1020020061405A patent/KR100896299B1/ko active IP Right Grant
- 2002-10-09 TW TW091123348A patent/TW586206B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-10 CN CNB021443009A patent/CN1309071C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100446234C (zh) * | 2003-11-19 | 2008-12-24 | 罗姆股份有限公司 | 引线框的制造方法及使用该方法的半导体装置的制造方法 |
CN1767186B (zh) * | 2004-10-04 | 2010-05-05 | 雅马哈株式会社 | 引线框架及其半导体封装 |
CN101131986B (zh) * | 2006-08-24 | 2013-01-09 | 成都芯源系统有限公司 | 引线框结构、半导体器件及倒装器件的制造方法 |
CN101553920B (zh) * | 2006-10-31 | 2012-10-10 | 飞思卡尔半导体公司 | 方型扁平无引线封装及其方法 |
CN100407384C (zh) * | 2006-11-24 | 2008-07-30 | 宁波康强电子股份有限公司 | 三极管引线框架的制造方法 |
CN100440463C (zh) * | 2007-03-21 | 2008-12-03 | 宁波康强电子股份有限公司 | 表面贴装用的引线框架的制造方法 |
CN108878393A (zh) * | 2017-05-15 | 2018-11-23 | 新光电气工业株式会社 | 引线框架及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW586206B (en) | 2004-05-01 |
KR100896299B1 (ko) | 2009-05-07 |
JP2003124423A (ja) | 2003-04-25 |
US6664133B2 (en) | 2003-12-16 |
KR20030030914A (ko) | 2003-04-18 |
CN1309071C (zh) | 2007-04-04 |
JP3696820B2 (ja) | 2005-09-21 |
US20030067058A1 (en) | 2003-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1309071C (zh) | 引线框架以及制造该引线框架的方法 | |
CN1146044C (zh) | 具有弯成j-型引线端子的半导体器件 | |
CN102714201B (zh) | 半导体封装和方法 | |
CN1155083C (zh) | 电子组件与其制造方法及其所用的引线架 | |
CN1314171C (zh) | 连接器 | |
CN1457094A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
US20070001276A1 (en) | Semiconductor device and portable apparatus and electronic apparatus comprising the same | |
CN1191629C (zh) | 引线框、半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置 | |
CN100338768C (zh) | 引线框及用此引线框的半导体器件及其制造方法 | |
CN1442890A (zh) | 引线框的制造方法 | |
USRE43818E1 (en) | Fabrication of an integrated circuit package | |
CN1184678C (zh) | 半导体器件及其制造方法、电路衬底及电子仪器 | |
CN101068005A (zh) | 由多个金属层制成的半导体装置封装引线框架 | |
CN1221310A (zh) | 载带自动键合膜 | |
CN1174487C (zh) | 电子元件 | |
CN1638104A (zh) | 混合集成电路装置及其制造方法 | |
CN1211723C (zh) | 计算机卡制作方法 | |
JPH088375A (ja) | 半導体装置およびその製造に使用されるリードフレーム並びに金型 | |
US20060049508A1 (en) | Semiconductor device, lead frame, and methods for manufacturing the same | |
US20240105537A1 (en) | Mold, lead frame, method, and electronic device with exposed die pad packaging | |
JP2005150629A (ja) | リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、ならびにリードフレームおよびそれを用いた半導体装置 | |
JP4493170B2 (ja) | プラスチックパッケージの製造方法 | |
CN116895626A (zh) | 具有z方向阻挡特征的引线指形件 | |
CN115732454A (zh) | 具有变化厚度的引线框以及制造半导体封装的方法 | |
KR20220001674A (ko) | Punch와 sawn 방식의 분리를 혼용하여 리드를 구비한 qfn/dfn 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20070404 |