CN1374552A - 液晶显示元件的制造方法及其制造装置和液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明通过在使与具有配向膜的衬底电位同极性的电位控制部件与研磨辊接触来控制研磨辊表面的电位的状态下研磨处理配向膜表面,实现抑制到配向膜上的异物附着量,并优化显示特性的液晶显示元件和装置。

Description

液晶显示元件的制造方法及 其制造装置和液晶显示装置

发明背景

本发明涉及一种液晶显示元件，特别是配向膜的研磨处理工序中控制表面电位的液晶显示元件的制造方法及其制造装置。

液晶显示元件被广泛用作便携式个人计算机等的显示画面，近年来，要求高精度、高对比度、高视野角度等高的画质。特别是使用薄膜晶体管(TFT)型有源矩阵(active matrix)的液晶显示元件(TFT-LCD)具有通过画质点来与原来的显像管匹敌的性能。另外，液晶显示元件在消耗功率和节省空间方面比显像管好，在个人计算机用监视器中，多用液晶显示元件来代替已前用的显像管。

以透射式非晶硅(a-Si)型彩色TFT-LCD的现有制造方法为例来简单说明液晶显示元件的制造方法。TFT-LCD的制造工序包括在玻璃衬底上制作薄膜晶体管或金属布线等的TFT形成工序、在玻璃衬底上制作滤色镜的滤色镜形成工序和使两片衬底对向、在其间夹入液晶的LCD组装工序。

在TFT形成工序中，对栅极布线、夹层绝缘膜、a-Si、象素电极、保护膜等重复进行数次成膜、涂布抗蚀剂、曝光·显像、蚀刻、剥离抗蚀剂、洗净等一系列加工。由此完成TFT衬底后，进入滤色镜形成工序。

在滤色镜形成工序中，在形成黑矩阵(black matrix)后，对红、绿、蓝三原色重复成膜、涂布抗蚀剂、曝光·显像、蚀刻、剥离抗蚀剂、洗净等一系列加工。在形成红、绿、蓝三原色图案后，为了使表面具有平坦性，就所得到的滤色镜衬底，在其上形成外涂层(overcoat)。最后形成透明电极膜，进入LCD组装工序。

用图1来说明液晶显示元件的一般LCD组装工序的概况。虽然这里所示的组装工序想描述为透射式a-Si型TFT-LCD的LCD组装工序，但其它透射式液晶显示元件、反射式液晶显示元件、投射式液晶显示元件等也经过基本相同的LCD组装工序。

如上所述形成的TFT衬底和滤色镜衬底进行LCD组装工序，对其执行在印刷配向膜前洗净衬底表面的表面洗净工序(S101)、向衬底表面印刷配向膜的配向膜印刷工序(S102)、烧结印刷的配向膜的配向膜烧结工序(S103)、研磨烧结后的配向膜表面的配向膜表面研磨工序(S104)、洗净研磨后的配向膜表面的洗净工序(S105)、为了在对向的衬底间形成液晶填充空间而向衬底的周边部涂布密封剂的密封剂成图工序(S106)、使涂布密封剂的TFT衬底与滤色镜衬底重合而形成液晶填充空间的重合工序(S107)、向液晶填充空间内注入液晶的液晶注入工序(S108)、为了将液晶封入填充空间内而封闭注入口的液晶封入工序(S109)、点亮组装后的TFT-LCD屏盘以进行检查的点亮检查工序(S110)的各工序。经过点亮检查后的TFT-LCD屏盘进入安装驱动用集成电路等的安装工序。

发明概述

在LCD组装工序中，为了在步骤S104的研磨加工中整齐排列液晶分子，实施用布沿一个方向擦(研磨)形成于液晶显示元件用衬底或滤色镜衬底上的配向膜的处理。通过该处理，将液晶排列在研磨处理的方向上。因此，液晶显示元件的显示特性或显示品质在很大程度上依赖于研磨处理。

在研磨处理中使用缠绕尼龙、人造丝、棉布等研磨布的圆筒辊。在研磨配向膜时，通过配向膜与研磨布的机械磨擦，使配向膜部分脱落，研磨布纤维也同时部分切断或磨损。此时，由于与研磨布纤维的磨损或切断等同时产生的磨擦而引发静电，结果，研磨布纤维的磨损片或切断片作为异物附着在研磨过的衬底面上。

因为上述异物排除了涂布在配向膜上的液晶，并扰乱液晶的配向而引起象素的显示不良，所以必须确实去除。为了去除该异物，虽然在研磨后还实施衬底表面的洗净，但不可能完成去除附着的异物。其原因在于：在研磨后的洗净工序中还会再次附着去除后的异物。

另外，在研磨处理衬底时，还同时研磨除配向膜外形成于配向膜下方的保护膜或电极。因为配向膜、保护膜、电极对于研磨布的各自磨擦系数不同，所以每种被磨擦物质的研磨布的磨损状总值、异物附着状况、带电状况等也各不相同。

整理上述的问题，必须解决：第一，研磨时产生静电；第二，研磨时产生源于研磨布的异物；第三，由洗净去除的异物再次附着在衬底上等问题。这些问题不限于上述的透射式a-Si型TFT-LCD，在其它透射式液晶显示元件、反射式液晶显示元件、投射式液晶显示元件等中也同样存在。

为了解决上述问题，在特开平2-275926号公报、特开平4-333824号公报、特开平5-181139号公报、特开平6-194664号公报、特开平8-334767号公报中披露了以下方法。

在特开平2-275926号公报中，提出一种装置，在通过由导电性材料形成的研磨布和导电性材料的粘接剂在研磨辊中具有导电性的同时，经电阻使研磨布接地，来释放因研磨产生的静电。通过使用该装置，可抑制由于源于研磨的静电带电引起的配向膜的绝缘破坏或静电积累。但是，该装置不能抑制因研磨布的磨损引起的异物的产生。

在特开平4-333824号公报中，提出一种方法，通过在研磨处理前的衬底上从研磨方向的配向膜端部向面前方设置保护层，来避免异物附着在配向膜上。这是一种使配向膜以外的物质与布接触后、在该物质上覆盖并去除布的附着异物的方法。但是，在研磨处理配向膜前的位置处，即使可以覆盖去除研磨布的附着异物，但在配向膜的研磨结束附近以前却达不到该效果。

由于该效果在液晶屏盘的衬底越大、衬底上的研磨距离越长，所以在配向膜研磨开始前的位置处，不能期待复位研磨布的效果。另外，该方法也不可能抑制因研磨布的磨损而引起的异物的发生。

在特开平5-181139号公报中，提出一种方法，通过交互研磨屏盘衬底和清洁的伪衬底，使附着在研磨布上的源于配向膜的异物吸附在伪衬底上，抑制研磨布的磨擦系数变化，无论处理件数多少，均能得到均匀稳定的配向特性。但是，该方法是一种去除源于配向膜的异物的方法，而不是去除源于研磨布的异物的方法。另外，不能抑制因研磨布的磨损引起的异物的发生。

在特开平6-194664号公报中，提出一种方法，通过将加工成圆筒型的研磨布横挂在一对辊之间，在途中设置除电单元和清洗单元，从研磨布上去除异物。但是，该方法也不能避免因研磨布的磨损引起的异物的发生。

在特开平8-334767号公报中，提出一种方法，通过使附着异物去除用的刀片或涂布粘接剂的辊与旋转的研磨辊接触，从研磨布上去除异物。但是，由于切片刮取异物时异物飞散或粘接剂附着在辊上，从而不能避免异物附着在衬底上。

如上所述，在研磨配向膜时，由于研磨布或配向膜的磨损而发生异物，同时因磨擦产生静电。由于该静电的作用，异物(磨损片或切断片)附着在研磨后的衬底面上。在现有技术中，为了去除该异物，即使必须在研磨后通过洗净工序来降低异物附着，也不能得到充分的效果。例如，在研磨后通过洗净工序进行洗净处理时，存在所谓附着在液晶显示元件的显示领域面外的异物移动到显示领域面内，再次附着在配向膜面上(异物的再次附着和转录)的问题。当实施配向处理后的配向膜面上附着异物时，该异物扰乱了液晶的排列，在液晶注入·密封后实施的点亮检查中，观察到不均匀的显示。

通过省略研磨后的洗净工序，可阻止研磨后洗净工序中产生的异物的再次附着。但是，虽然其害处大，但也不能简单省略研磨后的洗净工序。例如，会产生研磨时附着的异物残留在液晶显示领域内的配向膜面上而引起显示缺陷、在配向膜涂布或研磨处理时因离子性物质的污染而导致显示特性恶化、密封剂成图工序中的密封剂成图不良等问题。

本发明为了解决液晶显示元件的显示特性或显示品质问题，目的在于提供抑制构成补处理衬底的材料或研磨布的磨损引起的异物发生并可进一步防止异物附着在配向膜面上和再次附着或转录的研磨方法、使用该方法的液晶显示元件的制造方法及其制造装置。

如上所述，现有技术中，研磨和研磨后的洗净工序中存在问题。第一是在研磨工序中附着异物，第二是在研磨洗净工序中，已于研磨工序中附着的异物再次附着·转录于显示领域的配向膜面上，使显示品质恶化。在下示的方法和手段中可解决这些问题。即，本发明在具有研磨工序的液晶显示元件制造方法(加工)的研磨工序中，通过控制研磨辊表面的电位，控制研磨布与衬底的磨擦力，并控制被研磨衬底的电位或异物附着于衬底上的量。

在本发明中，通过使电位控制用部件与研磨辊表面接触来控制研磨辊表面的电位。例如，使由接触与包含经研磨处理的所述配向膜的衬底表面的电位不同极性的带电材料覆盖的电位控制用部件与所述研磨辊表面接触，可控制该研磨辊表面的电位。

另外，在本发明中，在衬底表面配置有第一控制器，测量附近的表面电位，用该控制器来测量衬底表面的电位，并根据该信息来控制研磨辊表面的电位。另外，该研磨辊表面电位的控制也可用配置在研磨辊表面附近的第二控制器来进行。

通过上述方法，可抑制研磨处理形成于衬底上方的配向膜时的构成衬底的材料或研磨布的磨损引起的异物的发生，还可防止异物附着于配向膜面上和再次附着或转录。由此可制造显示品质优的液晶显示元件和装置。

附图的简要说明

结合下述附图，本发明的上述和其它特点、目的和优点将根据下述描述变得更明显。其中，

图1是表示说明液晶显示元件组装工序的加工流程图。

图2是说明用研磨布进行磨擦时的动磨擦系数变化的图。

图3是说明用研磨布进行磨擦时的动磨擦系数与衬底表面电位的关系的图。

图4是说明实施例1中衬底和研磨辊的关系的配置图。

图5是表示实施例1中衬底上的异物附着量的图。

图6是表示实施例1中衬底上的异物的光学显微镜像。

图7是表示实施例2中研磨装置的示意图。

图8是表示实施例2中衬底上的异物附着量的变化的图。

图9是表示实施例3中研磨装置的示意图。

图10是表示实施例3中衬底上的异物附着量的变化的图。

图11是测定实施例3中衬底上的带电量的一个实例。

图12是测定现有技术中衬底上的带电量的一个实例。

最佳实施例的详细描述

在透射式a-Si型TFT-LCD的衬底表面中共存有配向膜(聚酰亚胺：下面称为PI)、透明电极(铟氧化物-锡氧化物：下面称为ITO)、保护膜(氮化硅：下面称为SiN)等各种材料。在研磨工序中，用研磨布一次磨擦这些材料。如图2所示，判断各材料中对布的磨擦举动不同。

图2是表示关于PI构成的配向膜(se7492，Nissan Chemical IndustriesLTD.)和由SiN构成的保护膜的磨擦次数与动磨擦系数的变化的图表。研磨布中使用尼龙布(YA-19R，Yoshikawa Chemical Co.，LTD.)。在磨擦系数的测定中使用新东科学社制表面性测定机磨擦轮(トライボギア)类型：14DR。PI中，首次磨擦时动磨擦系数增加若干，之后基本为恒值。另一方面，在SiN中，从最初开始动磨擦系数就基本为恒值。另外，测定动磨擦系数的同时测定磨擦带电电位，如图3所示，以动磨擦系数与磨擦带电电位的接地为基准时的绝对值中发现正的相关。另外，在用研磨布磨擦的情况下，PI带负电，SiN带正电，即，可知对于布而言，以PI和SiN的接地为基准时的带电极性相反。下面，将极性或电位定义为以接地为基准时的极性或电位。

即，若磨擦带电量少，则动磨擦系数也变小。因此，可抑制研磨中布或衬底构成材料的磨损量，换言之，由磨损引起的异物发生量。减少带电量，使异物与衬底间的静电引力变小，从而异物难以附着在衬底上。

下面用附图来说明根据该原理的本发明的第一实施例。

(实施例1)

首先，用图4-图6来说明第一实施例。

图4表示本实施例中所用衬底图案和异物附着量测量位置。在厚度为0.7mm的玻璃衬底上形成膜厚为300nm的SiN膜，并在衬底面的开始处在与研磨辊接触的部分印刷50mm×50mm的PI图案。在切入量为0.5mm、研磨辊的转速为每分钟1500转、衬底的传送速度为50mm/秒的情况下研磨该衬底。

研磨后的衬底面通过沿图4的虚线A的部分(位置A)和沿虚线B的部分(位置B)的各种部分α、β、α’来观测附着的异物。结果如图5和图6所示。

图5是表示衬底上坐标与异物附着量的关系的图。对于图4所示的衬底位置A时，在衬底坐标50mm的部分β中，与其它部分α(衬底坐标15mm)、部分α’(衬底坐标85mm)相比，可知异物附着量少至一位数至两位数左右。

图6是拍摄图4所示α和β部分的图。黑点为附着异物。结果可知，衬底坐标50mm的部分β一方比衬底坐标15mm的部分α的附着异物少。图4所示50mm×50mm的PI图案上的异物附着量与β部分的异物附着量相同。

另一方面，对于衬底上的位置B，未发现上述位置A情况下的那种倾向。另外，位置A、位置B中衬底坐标85mm的部分α’一方与衬底坐标15mm的部分α相比，异物附着量少至一位数至两位数左右。如图2所示，因为部分α和部分β中异物附着量的差别大，相对于布PI的动磨擦系数小，所以认为一个原因是由于布的磨损量少。

如图3所示，用研磨布磨擦的PI带负电，研磨布带正电。另一方面，用研磨布磨擦的SiN带正电，研磨布带负电。当研磨图4的图案时，当研磨辊从PI向SiN移动时，研磨布带正电，源于研磨布的异物与SiN引起静电排斥，防止了异物附着于SiN衬底上，也可将此视为一个原因。

因此，对于研磨布而言，由于连接磨擦带电极性相反的PI和SiN来进行研磨，所以可控制异物附着于SiN上的量。

但是，如上所述，对于位置B而言，不能控制异物附着量。这是因为从进入SiN的研磨阶段开始布的带电量衰减较快，研磨PI来控制布的带电的效果不能维持到衬底的反侧。

(实施例2)

为了进一步改善实施例1所示位置B中异物附着量，将图7所示的带电控制部件安装于研磨装置上，以控制研磨辊表面的带电量。

图7是具有带电控制部分时的研磨装置的示意图。构成研磨装置，以使旋转研磨辊1，磨擦装载于台3上的配向膜带有的夹层衬底2的表面。朝向夹层衬底2的表面配置测量夹层衬底2的表面电位的表面电位计5a，朝向研磨辊1配置测量研磨辊1的表面电位的表面电位计5b。另外，与研磨辊1连接地配置作为带电控制用部件的杆(下面称为带电控制杆)10。

在辊表面粘贴尼龙(例如YO-15H，Yoshikawa Chemical Co.，Ltd.)、人造丝(例如YA-2NR，Yoshikawa Chemical Co.，Ltd.)、棉布(例如HC-25，Hiroki Co.)等布来构成研磨辊1。在图中，采用固定研磨辊1，并向箭头8的方向移动台3的方式，但也可相反，采用固定台并使研磨辊移动的方式。

图7是用该研磨辊1对夹层衬底2实施研磨处理的图。台3接地，使台通常保持在基本0V电位。虽然图中未记载，但是应将研磨辊的金属部接地，来将电位基本保持在0V。研磨布通过双面粘接带与该金属部绝缘地粘贴在研磨辊的金属部上。通过表面电位计5a和5b来经常监视研磨辊1和刚研磨过的夹层衬底2的电位。带电控制杆10可控制研磨辊1中因磨擦发生的静电，抑制因夹层衬底2的研磨发生的异物，结果可抑制异物附着在衬底上。

带电控制杆10的结构是将PI清漆涂布在厚度为3mm的不锈钢(SUS304)板(SE-7492，Nissan Chemical Industries，Ltd)上，在350℃下烧结约1.5小时，将膜厚约0.3mm的PI附着于表面上。即，用接触与夹层衬底表面的带电电位不同的极性而带电的材料覆盖带电控制杆10。夹层衬底2为用等离子体CVD法在厚度为0.7mm、面积为100mm×100mm的玻璃衬底上形成膜厚为300nm的SiN膜而制作夹层衬底。

首先，在未将带电控制杆10安装于上述研磨装置上的状态下，在切入量为0.5mm、研磨辊的转速为每分钟2000转、衬底的传送速度为50mm/秒的条件下研磨三片SiN成膜衬底。为了去除研磨辊1的电，在该操作结束后约经过2小时，安装带电控制杆10，在与上述条件相同的条件下研磨三片SiN衬底。当将带电控制杆10安装于研磨装置上时，使PI面与研磨辊的布接触。另外，带电控制杆10的不锈钢板接地。

图8表示与实施例1同样地测量异物附着于衬底上的量的结果。所谓该图横轴所示的“距衬底端的距离”是指以与研磨辊最初接触的衬底位置为原点，研磨辊相对移动方向上的坐标。从该图中可知，具有带电控制杆的情况与没有带电控制杆的情况相比，异物附着量少，为1/2至1/3左右。通过使带电控制杆10与研磨辊1表面相接触，可由磨擦带电来控制研磨辊表面的带电状态，可抑制异物附着在衬底上。

(实施例3)

图7所示带电控制杆10中与研磨辊1的布接触的位置通常恒定，因此担心因长时间使用而导致带电控制杆10的恶化。为了改善这种情况，如图9中的结构示意所示，安装圆筒形状的带电控制用辊(下面称为带电控制辊)4，作为研磨装置的带电控制部件。

如图9所示，构成本实施例的研磨装置，放置研磨辊1来磨擦装载于台3上的夹层衬底2的表面。朝向夹层衬底2的表面配置测量夹层衬底2表面电位的表面电位计5a，朝向研磨辊1来配置测量研磨辊1表面电位的表面电位计5b。另外，连接于研磨辊1地设置带电控制辊4，并设置控制带电控制辊4的表面电位的控制器6。如此构成，以通过表面电位计5a、5b的检测值来控制施加于带电控制辊4上的电位。

研磨辊1中，在辊表面上粘贴尼龙、人造丝、棉布等布。图9是由该研磨辊1向配向膜带有的夹层衬底2实施研磨处理的图。在该图中，采用固定研磨辊1，并向箭头8的方向移动台3的方式，但也可相反，采用固定台并使研磨辊移动的方式。台3接地，使台通常保持在基本0V电位。研磨布通过双面带绝缘粘贴在研磨辊的金属部上。控制器6通过表面电位计5a和5b来经常监视研磨辊1和刚研磨过的夹层衬底2的电位，向带电控制辊的电位进行反馈。

上述实施例可通过带电控制辊4来控制因磨擦发生的静电，抑制因夹层衬底2的研磨发生的异物，结果可抑制异物附着在衬底上。

为了确认该方法的有效性，首先，制作带电控制辊4。带电控制辊4可构成绝缘直径50mm的不锈钢(SUS304)辊的旋转轴部，直接向带电控制辊自身施加电压。其次，向5英时的硅晶片滴下聚酰亚胺清漆(JALS-1085，JSR Co)，以每分钟3500转来进行旋涂。在80℃下干燥处理该涂布膜(调整)4分钟。在220℃下进行一小时的热固化处理(配向膜烧结)。此时配向膜的膜厚约为100nm。

首先，在未将带电控制辊安装于研磨装置上的状态下，在切入量为0.3mm、研磨辊的转速为每分钟520转、衬底的传送速度为25mm/秒的条件下研磨三片聚酰亚胺成膜的硅晶片。为了去除研磨辊的电，在该操作结束后约经过2小时，将可直接施加电压的带电控制辊4安装在研磨装置上，向带电控制辊施加+2000V的电压。在与上述条件相同的条件下，研磨三片聚酰亚胺成膜的硅晶片。并且，在约经过2小时后，向带电控制辊施加-350V的电压。从研磨辊表面的电位稳定后开始，以与上述条件相同的条件研磨三片聚酰亚胺成膜的硅晶片。图9所示表面电位计5a、5b使用杜勒克(トレツク)公司制作的型号-344的表面电位计。

对于各条件下具有研磨聚酰亚胺的硅晶片1而言，与实施例1一样测量异物附着于衬底上的量的结果如图10所示。

从该图可知，虽然带电控制辊带负电，但与没有带电控制辊的情况相比，异物附着量减少50％左右。相反，向带电控制辊施加正电压的情况与施加负电压的情况和没有带电控制辊的情况相比，异物附着量增多。通过使带电控制辊4与研磨辊1的表面相接触，可由磨擦带电来控制研磨辊表面的带电状态，判断可抑制异物附着于衬底上。

下面说明在实际制品衬底中确认本方式的异物控制效果的实验。为了在经过TFT工序的夹层衬底上形成配向膜，首先印刷聚酰亚胺清漆。印刷清漆后，在80℃下对该涂布膜干燥处理4分钟。之后，在220℃下进行一小时的热固化处理(配向膜烧结)。此时配向膜的膜厚约为100nm。接着，进行配向膜的研磨处理。研磨条件的切入量为0.5mm，研磨辊的转速为每分钟1500转，衬底的传送速度为75mm/秒。将带电控制辊安装在研磨装置上，向带电控制辊施加正电压。

图9所示表面电位计5a和5b使用杜勒克公司制作的型号-344的表面电位计。研磨形成配向膜的夹层衬底时所监视的带电量结果如图11所示。

图11是固定表面电位计5b、测量通过其正下方的研磨衬底的带电量的图。根据图11，从测量开始经过4秒时，衬底的前端部到达表面电位计5b的正下方，在经过7秒时，通过衬底的后端部。衬底的边缘部中带电量为850V左右和120V左右，绝对值大，但在相当于液晶显示元件的显示领域面的衬底中央处带电量的绝对值比11V小。因此，可避免因静电引起的异物附着。另外，在研磨后的洗净工序中容易去除异物。

作为比较，当拆卸图9所示的带电控制辊4时，监视研磨形成配向膜的夹层衬底时带电量的结果如图12所示。此时，衬底前端边缘部中的带电量为-920V，值大。另外，即使相当于液晶显示元件的显示领域面的衬底中央处的带电量的绝对值也非常大，为520V左右。因此，当带电量大时，容易导致因静电而引起的异物附着，即使通过研磨后的洗净工序也难以去除异物。

在本实施例中，对于在液晶显示元件的衬底间隙中产生影响的直径为5μm以上的附着异物，在研磨后的洗净工序结束后测量衬底上的异物数。在作为图11的测量对象的衬底中平均为0.001个/mm²。在作为图12的测量对象的衬底中平均多至259个/mm²，判断是因残留的静电而引起异物附着。

在本实施例中，使电位控制用辊与研磨辊1的研磨布表面相接触来控制研磨辊的电位，但也可利用以非接触来控制研磨辊的电位的方法、由可变电压电源来控制研磨辊的电位的方法。另外，在本实施例中，进行控制，以使研磨后的衬底与研磨辊的电位差为0V左右，但对于研磨辊的电位与衬底的电位为同极性(例如，若研磨辊的电位为正，则衬底的电位也为正)，也可使用利用静电排斥的方法。

在第三实施例中，说明了使用制成SiN保护膜的衬底作为夹层衬底2，对SiN膜进行研磨的例子，但在玻璃衬底表面中设置了SiN膜上配置规定图案的由PI构成的配向膜的结构中，异物附着在配向膜的边缘外侧的保持膜部分上，产生该异物转录于PI配向膜上的问题，但通过从SiN保护膜向PI配向膜移动的点或从PI配向膜向SiN保护膜移动的点处反转施加于带电控制辊4上的电位，则可抑制SiN保护膜和PI配向膜双方膜的带电，减少异物的附着。

在第一实施例-第三实施例中，说明了用SiN膜作为保护膜、用PI作为配向膜的例子，但本发明不限定其材料，可适用任何材料的保护膜或配向膜。

下面，通过将上述说明的研磨方法适用于液晶显示装置中，可形成显示品质优的液晶显示装置。具体而言，在玻璃衬底上形成TFT元件，在形成驱动用电极和布线的薄膜晶体管层的上方形成配向膜，作为晶体管衬底。另一方面，在其它玻璃衬底上对应于TFT元件形成的滤色镜层的上方形成具有配向膜的对向电极，作为滤色镜衬底。在用实施例1-3所述研磨方法研磨处理上述各配向膜表面后，对向配置晶体管衬底和滤色镜衬底，向其间隙中填充液晶，完成液晶显示装置。

上述液晶显示装置的配向膜降低了现有的研磨处理产生的异物附着，所以即使点亮液晶显示装置也不会有源于异物的缺陷，可发挥出优良的显示品质特性。

根据本发明，可抑制研磨配向膜时产生的异物因静电而附着于配向膜的表面上，得到显示品质优良的液晶显示元件。

尽管根据本发明显示并描述了多个实施例，但应该明白，在不脱离本发明范围的条件下可对公开的实施例进行改变和变更。因此，不打算用所显示和描述的细节来进行限制，所有这种改变和变更都落入下面权利要求的范围内。

Claims (17)

1.一种液晶显示元件的制造方法，其特征在于：具备使控制表面电位的研磨辊与衬底表面的配向膜接触来研磨该配向膜的研磨工序。

2.根据权利要求1所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于：通过使电位控制部件与该研磨辊表面接触来控制上述研磨辊表面的电位。

3.根据权利要求2所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于：控制上述电位控制部件的电位。

4.根据权利要求2所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于：用与上述衬底表面的电位不同极性接触带电的材料覆盖上述电位控制部件。

5.根据权利要求1所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于：由测量上述研磨辊电位和上述衬底电位所得测定值来反馈控制上述研磨辊表面的电位。

6.一种液晶显示元件的制造方法，其特征在于：具备使研磨辊与衬底表面的配向膜接触来研磨该配向膜的研磨工序，上述研磨辊表面的电位与上述衬底的电位同极性。

7.根据权利要求6所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于：使电位控制部件与上述研磨辊表面接触，并控制该电位控制部件的电位。

8.根据权利要求7所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于：用与上述衬底表面的电位不同极性接触带电的材料覆盖上述电位控制部件。

9.根据权利要求6所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于：根据测量上述研磨辊电位和上述衬底电位所得测定值来反馈控制上述研磨辊表面的电位。

10.一种液晶显示元件的制造方法，其特征在于：具备使控制表面电位的研磨辊与衬底表面的配向膜接触来研磨该配向膜的研磨工序，进行上述研磨辊表面的电位控制，测定上述衬底表面的电位和上述研磨辊的电位，根据得到的测定值，使上述衬底表面的电位与上述研磨辊表面的电位同极性。

11.根据权利要求10所述的液晶显示元件的制造方法，其特征在于：通过使由与上述衬底表面的电位不同极性接触带电的材料覆盖的电位控制部件与上述研磨辊表面接触来控制上述研磨辊表面的电位。

12.一种液晶显示元件的制造装置，其特征在于：具备支持处理对象的衬底的台；研磨设置在上述衬底表面上的配向膜的研磨辊；和与上述研磨辊接触以控制该研磨辊表面电位的电位控制部件。

13.根据权利要求12所述的液晶显示元件的制造装置，其特征在于：用与上述衬底表面的电位不同极性接触带电的材料覆盖上述电位控制部件。

14.根据权利要求12所述的液晶显示元件的制造装置，其特征在于：还具备测定上述衬底表面的电位的第一传感器；测定上述研磨辊表面的电位的第二传感器；与上述研磨辊表面接触来控制该研磨辊电位的电位控制部件；和根据上述第一传感器的测定值和上述第二传感器的测定值来控制上述电位控制部件电位的控制器，使上述研磨辊表面的电位与上述衬底表面的电位同极性。

15.一种液晶显示装置，其特征在于：具备用权利要求1所述方法制造的液晶显示元件。

16.一种液晶显示装置，其特征在于：具备用权利要求6所述方法制造的液晶显示元件。

17.一种液晶显示装置，其特征在于：具备用权利要求10所述方法制造的液晶显示元件。

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