JPH08334767A - ラビング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】液晶分子の移動やＣ２配向の発生を防止する。 【構成】ラビングローラ１１を回転させると、該ローラ
１１の表面に貼付されたラビング布が基板Ｅの表面に擦
り付けられ、ラビング処理が施される。このとき、ラビ
ング布に異物が付着しても、該異物は、ブレード１２に
よって除去され、ラビング布は常に異物が除去されて清
掃される。これにより、基板Ｅには常に一定の配向規制
力が付与され、付与されるプレチルト角は均一なものと
なる。したがって、プレチルト角が低下してＣ２配向が
部分的に発生することもない。また、プレチルト角の低
下分を予め見込んでプレチルト角を大きく設定する必要
もなく、プレチルト角過大に伴った液晶分子の移動を生
ぜしめることもない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶素子のラビング処
理を行なうラビング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、液晶表示素子（液晶素子）は
ＯＡ機器等において利用されている。

【０００３】この液晶表示素子は、その製造過程におい
て、ＳｉＯ₂ 斜め蒸着法やラビング方法による配向処理
が行なわれている。

【０００４】このうち、ラビング方法は、ラビング効率
に優れている点、強いラビング効果が容易に得られる
点、及び生産性の高い点などから頻繁に用いられてい
る。このラビング方法にはラビング装置が用いられる。
ラビング装置は、直径が約１００mm程度のラビングロー
ラを備えており、このラビングローラの表面には、ナイ
ロンやレーヨン等のラビング布が貼付されている。

【０００５】次に、ラビング方法について簡単に説明す
る。

【０００６】ラビング処理を行なうに際しては、配向制
御膜（高分子樹脂膜）の形成された液晶基板を用意す
る。そして、その液晶基板（正確には配向制御膜）にラ
ビング布を当接した状態で、ラビングローラを、毎分１
０００〜２０００回転の高速で回転させると共に、毎秒
数１０mmの速さで液晶基板に沿って移動させる。これに
より、配向制御膜の表面はラビング布によって摺接さ
れ、該配向制御膜の表面には配向規制力が付与される。

【０００７】なお、この方法によると、画面対角サイズ
が数インチ〜１５インチの液晶基板の場合、ラビングロ
ーラは数百回転程度回転することとなる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したラ
ビング処理を多数の基板に施した場合には、ラビング布
がラビング工程の履歴の影響を受け、基板を処理する毎
にプレチルト角が小さくなってしまっていた。また、こ
のプレチルト角は、１枚の基板においても均一ではな
く、ラビングローラを移動させるにつれて小さくなって
いた。さらに、ラビング処理は、図１に示すように、基
板１を所定角度θ₀ だけ傾けた状態で行なう場合もある
が、この場合には、ラビングローラ２端部の基板１に接
触する距離Ｌ１が、該ローラ２中央部の基板１に接触す
る距離Ｌ２よりも小さくなり、基板１のプレチルト角
は、基板中央部の方が基板端部よりも小さくなって不均
一となってしまっていた。

【０００９】つまり、ラビングローラに、工程中のラビ
ングの履歴が残留し、実質的なラビング効果の強度が均
一でなくなり、その結果、プレチルト角が不均一となっ
ていた。

【００１０】なお、上述のように、ラビング処理に伴っ
てプレチルト角が小さくなる理由は、ラビング処理に伴
って配向制御膜の一部が剥れてラビング布に付着した
り、配向制御膜表面にもともと付着していた異物（微細
な粒子）がラビング布に付着することにより、ラビング
布によって付与される配向規制力が変化するためと考え
られる。

【００１１】ところで、近年、カイラルスメクチック液
晶、特に強誘電性液晶の屈折率異方性を利用して偏光素
子との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素
子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォル（Ｌａｇ
ｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１
０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書
等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域におい
て、非らせん構造のカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ
^* ）又はＨ相（ＳｍＨ^* ）を有し、この状態において、
加えられる電界に応答して第１の光学的安定状態と第２
の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加の
ないときはその状態を維持する性質、すなわち双安定性
を有する。

【００１２】ここで、このような強誘電性液晶の配向状
態は、強誘電性液晶分子と基板表面との相互作用によっ
て変化し、基板表面の配向規制力と密接に関連してい
る。また、基板表面の配向規制力は液晶のプレチルト角
と密接に関連している。したがって、上述のようにプレ
チルト角が変化すると、基板表面の配向規制力もプレチ
ルト角の変化に伴って変わり、強誘電性液晶の配向状態
に重大な影響を与えることとなる。

【００１３】具体的には、プレチルト角が所定値よりも
大きければ液晶分子が移動してセル厚が部分的に増大し
てしまうという問題を生じ、逆に所定値よりも小さけれ
ば配向欠陥が生じてしまうという問題があった。以下、
これらの問題について別々に説明する。

【００１４】まず、液晶分子の移動について、図２に沿
って説明する。

【００１５】強誘電性液晶分子は、上述したように双安
定性を有するが、この双安定状態における平均的な分子
位置（以下、“平均分子軸方向”とする）を図２にて符
号２１、２１´にて模式的に示す。なお、図中の符号２
０はラビング方向を示す。

【００１６】いま、例えば、平均分子軸方向が符号２１
となりスイッチングされないような交流電界２２を強誘
電性液晶表示素子に印加して長時間駆動を行なうと、液
晶分子は矢印ａの方向に移動する。このため、Ｂ部分の
セル厚が増加していき、該部分が黄色に色付いて見えて
くるという現象（以下、“黄変”とする）が認められ
る。また、平均分子軸方向が符号２１′となりスイッチ
ングされないような交流電界２２′を強誘電性液晶表示
素子に印加すると、液晶分子は矢印ｂの方向に移動して
Ｃ部分に黄変を生じる。つまり、液晶分子の移動方向
は、ラビング方向２０に対して垂直な方向となり、スメ
クチック層内において液晶の移動が生じる。

【００１７】なお、本発明者は、このように液晶分子が
移動する原因を、駆動パルスによる交流的な電界で液晶
分子の双極子モーメントが揺らぐことにより発生する電
気力学的効果によるものと推察している。

【００１８】また、液晶分子の移動方向ａ，ｂは、ラビ
ング方向２０と平均分子軸方向２１，…によって規定さ
れる。このことは、本発明者が実験により確かめてい
る。なお、ここでは自発分極の向きが負である液晶材料
を用いた場合について述べており、自発分極が逆になる
と液晶分子の移動方向も逆になる。また、基板界面の状
態によっても液晶分子の移動方向が変化し、さらに、移
動する液晶分子の量が少なくなったりする。

【００１９】なお、一般に黄変は、液晶の注入口付近に
顕著に観察される。

【００２０】そして、上述のように液晶分子の移動方向
がラビング方向に依存することから、黄変現象が基板界
面でのプレチルトの状態に依存することが容易に推察さ
れる。具体的には、基板界面でのプレチルトが高くなる
につれて黄変現象は顕著になる。したがって、このよう
な黄変を防止するためには、基板界面でのプレチルトを
低く押える必要がある（詳細は後述）。

【００２１】上述のように、強誘電性液晶表示素子を特
定の条件下で駆動すると黄変現象が生じるが、他方で
は、Ｃ２配向状態（ジグザグ配向欠陥）が発生して画質
が劣化してしまうという問題がある。以下、Ｃ２配向状
態について、図３及び図４に沿って説明する。

【００２２】まず、Ｃ１およびＣ２の２種類の配向状態
を、図３に示すようなスメクチック層のシェブロン構造
の違いで説明する。ここで、図３中の符号３１はスメク
チック層を、符号３２はＣ１配向領域を、符号３３はＣ
２配向領域を、それぞれ示している。

【００２３】スメクチック液晶は、一般に層構造を持つ
が、ＳｍＡ相からＳｍＣ相またはＳｍＣ^* 相に転移する
と層間隔が縮むので、図３に示すように、層が上下基板
（１ａ，１ｂ）の中央付近で折れ曲がった構造（シェブ
ロン構造）をとる。ここで、折れ曲がる方向は、図３に
示すように、Ｃ１とＣ２の２つ有り得るが、良く知られ
ているように一軸性配向（ラビング）によって基板界面
の液晶分子は基板に対して角度をなし（プレチルト）、
その方向はラビング方向２０に向かって液晶分子が頭を
もたげる（先端が浮いた格好になる）向きである。この
プレチルトのためにＣ１配向とＣ２配向とは弾性エネル
ギー的に等価でなく、ある温度で転移が起こることがあ
る。また、機械的な歪みで転移が起こることもある。図
３の層構造を平面的に見ると、ラビング方向２０に向か
ってＣ１配向からＣ２配向に移るときの境界３４はジグ
ザグの稲妻状でライトニング欠陥と呼ばれ、Ｃ２配向か
らＣ１配向に移るときの境界３５は幅の広いゆるやかな
曲線状で、ヘアピン欠陥と呼ばれる。

【００２４】ところで、強誘電性液晶表示素子は、平行
に配置された一対の基板を備え、それらの基板表面には
一軸性配向処理が同一方向になされ、強誘電性液晶の配
向が図られているが、いま、強誘電性液晶のプレチルト
角をαとし、チルト角（コーン角の１／２）をΘとし、
ＳｍＣ^* 層の傾斜角をδとした場合に、次式を満足する
ように強誘電性液晶を配向させると、Ｃ１配向状態に於
いてシェブロン構造を有する４つの状態が存在する。

【００２５】

【式１】Θ＜α＋δ なお、この式より、プレチルト角αが大きい程Ｃ１配向
の安定性が高くなることが理解できる（詳細は後述）。

【００２６】この４つのＣ１配向状態は、従来のＣ１配
向状態とは異なっており、なかでも４つのＣ１配向状態
のうちの２つの状態は、双安定状態（ユニフォーム状
態）を形成している。ここで、無電界時のみかけのチル
ト角をθａとすれば、Ｃ１配向状態における４つの状態
のうち、次式の関係を示す状態をユニフォーム状態とい
う。

【００２７】

【式２】Θ＞θａ＞Θ／２ このユニフォーム状態においては、その光学的性質から
みて液晶分子（ダイレクタ）が上下基板間でねじれてい
ないと考えられる。図４(a) はＣ１配向の各状態におけ
る基板間の各位置でのダイレクタの配置を示す模式図で
ある。図中５１〜５４は各状態においてダイレクタをコ
ーンの底面に投影し、これを底面方向から見た様子を示
しており、Ｃダイレクタといわれる。この図で、符号５
１および５２がスプレイ状態、符号５３および５４がユ
ニフォーム状態と考えられるＣダイレクタの配置であ
る。同図から分かるとおり、ユニフォームの２状態５３
と５４においては、上下いずれかの基板界面の液晶分子
の位置がスプレイ状態の位置と入れ替わっている。図４
(b) はＣ２配向を示しており、界面のスイッチングはな
く内部のスイッチングで２状態５５と５６がある。

【００２８】このＣ１配向のユニフォーム状態は、従来
用いていたＣ２配向における双安定状態より大きなチル
ト角θａを生じ、輝度大きくしかもコントラストが高
い。

【００２９】しかしながら、強誘電性液晶表示素子を低
温下で駆動すると、Ｃ１配向中に部分的に（例えば、液
晶注入口とは反対側に）Ｃ２配向状態が発生することが
ある。そして、このＣ２配向状態の発生によりジグザグ
欠陥が発生し、画質が部分的に劣化してしまうという問
題がある。なお、Ｃ２配向状態が発生する原因は、温度
の低下に伴って“ＳｍＣ^* 層の傾斜角δ”が小さくなる
ことや、プレチルト角αが低いことや、補助電極（金属
電極）等の影響による。したがって、このようなＣ２配
向状態の発生を防止するためには、プレチルト角αを大
きくすれば良い。

【００３０】ここで、以上述べた事柄を整理する。

【００３１】すなわち、ラビング処理によって付与され
るプレチルト角は均一ではなく、次第に低下する。した
がって、このようなラビング処理を施して液晶表示素子
を製作し、駆動すると、プレチルト角が所定値以下の部
分においては局部的にＣ２配向状態が発生してしまうと
いう問題があった。

【００３２】また、このような問題を回避するためにプ
レチルト角を予め大きく設定することも考えられるが、
その場合には、液晶分子が移動し、セル厚が部分的に増
大するという問題もあった。

【００３３】そこで、本発明は、配向欠陥及び黄変の発
生を防止するラビング装置を提供することを目的とする
ものである。

【００３４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、ラビング布と、該ラビング布
を駆動する駆動手段と、を備え、前記ラビング布を擦り
付けることにより液晶素子のラビング処理を行なうラビ
ング装置において、前記ラビング布に当接されて、該ラ
ビング布に付着している異物を除去する異物除去手段を
備えた、ことを特徴とする。

【００３５】この場合、前記異物除去手段が、前記ラビ
ング布に対して速度差を有して前記ラビング布に摺接さ
れ、かつ、前記異物除去手段と前記ラビング布との間に
生じる摩擦によって、該ラビング布に付着している異物
が除去される、ようにしてもよい。さらにその場合に
は、前記異物除去手段が、前記ラビング布との相対移動
方向に対して直角な方向に沿って形成される角部を有
し、かつ、該角部が前記ラビング布に摺接されることに
基づき、前記ラビング布に付着している異物が除去され
る、ようにしてもよい。また、前記異物除去手段の先端
部が櫛歯状であり、該櫛歯状の先端部で前記ラビング布
に付着している異物を除去する、ようにしてもよい。さ
らに、前記異物除去手段が、静止状態に保持されること
に基づき、前記ラビング布に対して速度差を有する、よ
うにすると好ましい。

【００３６】一方、前記異物除去手段における前記ラビ
ング布との接触面が粘着性に富み、かつ、該異物除去手
段の粘着性によって前記ラビング布に付着している異物
が除去される、ようにしてもよい。その場合、前記異物
除去手段が回転体である、ようにしてもよい。また、前
記異物除去手段と前記ラビング布とが、その接触部分に
おいて摺接しないように同速度にて同方向に駆動され
る、ようにしてもよい。さらに、前記異物除去手段と前
記ラビング布とが、その接触部分において摺接するよう
に、逆方向に駆動される、ようにしてもよい。

【００３７】また、前記ラビング布が貼付されたラビン
グローラを備え、かつ、前記駆動手段が該ラビングロー
ラを回転駆動させることに基づき、液晶素子のラビング
処理を行なう、ようにすると好ましい。さらに、前記液
晶素子は、その配向面にＰＡＭが使用されている、よう
にしてもよい。またさらに、前記液晶素子のプレチルト
角が５°以上である、ようにしてもよい。

【００３８】

【作用】以上構成に基づき、ラビング装置を駆動する
と、ラビング布は、駆動手段によって駆動されて液晶素
子に擦り付けられる。これにより、液晶素子のラビング
処理が行なわれる。ここで、ラビング処理に伴って多数
の異物がラビング布に付着しても、ラビング布には異物
除去手段が当接されているため、該異物は除去される。

【００３９】

【実施例】以下、図面に沿って、本発明の実施例につい
て説明する。

【００４０】まず、本発明の第１実施例について、図５
乃至図６に沿って説明する。

【００４１】図５は、強誘電性液晶表示素子の構造を模
式的に示す断面図であるが、液晶表示素子Ｐは、平行に
配置された２枚のガラス基板１ａ，１ｂ（以下、“上基
板１ａ”及び“下基板１ｂ”とする）を備えており、こ
れらの基板１ａ，１ｂの表面には、厚さが約４０〜３０
０ｎｍの透明電極２ａ，２ｂがそれぞれ形成されてい
る。また、これらの透明電極２ａ，２ｂは、厚さが１０
〜３００ｎｍの絶縁膜３ａ，３ｂによって被覆されてお
り、さらにこれらの絶縁膜３ａ，３ｂは、厚さが５〜３
０ｎｍの配向制御膜５ａ，５ｂによって被覆されてい
る。この絶縁膜３ａ，３ｂは、塗布及び焼成によって形
成されているが、スパッタ膜との複層構造でもよい。ま
た、絶縁膜３ａ，３ｂとして微粒子分散タイプ塗布焼成
型酸化物膜ＰＡＭ（触媒化成社製）を用いることによ
り、液晶分子の移動を抑制するようにしても良い。

【００４２】また、これらの基板１ａ，１ｂの間隙には
多数のスペーサ７，…が配置されて、基板間隙が規定さ
れており、ガラス基板１ａ，１ｂの端部はシール部材
（不図示）によって接着されている。また、該間隙に
は、強誘電性液晶、好ましくは、少なくとも２つの安定
状態を持つ強誘電性液晶９が配置されている。

【００４３】なお、本実施例においては、強誘電性液晶
９としてカイラルスメクチック相状態のものを用いるこ
とができ、具体的には、カイラルスメクチックＣ相（Ｓ
ｍＣ^* ）、Ｈ相（ＳｍＨ^* ）、Ｉ相（ＳｍＩ^* ）、Ｋ相
（ＳｍＫ^* ）やＧ相（ＳｍＧ^* ）の液晶を用いることが
できる。

【００４４】特に好ましい液晶としては、これより高温
側でコレステリック相を示すものがあり、例えば、次に
示す相転移温度及び物性値を示すピリミジン系混合液晶
がある。

【００４５】

【化１】 ピリミジン系液晶Ａ −３℃ ５７℃ ７９℃ ８５℃ Ｃｒｙｓｔ → ＳｍＣ^* → ＳｍＡ → Ｃｈ → Ｉｓｏ チルト角 Θ＝１４°（３０℃） 層の傾斜角 δ＝１１°（３０℃） 見かけのチルト角 θ＝１１°（３０℃） ところで、上述した配向制御膜５ａ，５ｂの表面にはラ
ビング処理が施されているが、この処理を行なうラビン
グ装置１０について、図６に沿って説明する。

【００４６】本実施例に用いるラビング装置１０は、図
６に示すように、ラビングローラ１１を備えており、こ
のラビングローラ１１の表面にはラビング布が貼付され
ている。また、このラビングローラ１１は、回転自在に
支持されており、モータ（駆動手段）Ｍに連結されて反
時計周りに回転駆動されるように構成されている。

【００４７】一方、ラビング布に当接するようにブレー
ド（異物除去手段）１２が配置されている。このブレー
ド１２は、ラビング布との相対移動方向に対して直角な
方向（紙面垂直方向）に沿って形成された角部１２ａを
有しており、ラビングローラ１１（ラビング布）に対し
て速度差を有するように一定位置に固定（静止状態に保
持）されている。

【００４８】次に、本実施例の作用、特にラビング処理
時の作用について説明する。

【００４９】いま、配向制御膜５ａ又は５ｂの形成され
た基板Ｅを、図６に示すようにラビング装置１０にセッ
トし、該装置１０を駆動する。すると、ラビングローラ
１１はモータＭによって反時計周りに回転駆動され、ラ
ビング布は配向制御膜５ａ又は５ｂに擦り付けられる。
これにより、配向制御膜５ａ又は５ｂには配向規制力が
付与される。

【００５０】一方、このラビング布と配向制御膜５ａ又
は５ｂとの摩擦により、配向制御膜５ａ又は５ｂの一部
が剥れてラビング布に付着することもある。また、配向
制御膜５ａ又は５ｂの表面にもともと付着していた異物
（微細な粒子）が、ラビング布に付着することもある。
しかし、ラビング布には、上述したようにブレード１２
（正確には、角部１２ａ）が当接されているため、ラビ
ング布に付着している異物はラビング布との摺接によっ
て生じる摩擦力によって掻き落とされ、ラビング布は常
に異物が除去されて清掃される。これにより、配向制御
膜５ａ又は５ｂには常に一定の配向規制力が付与され
る。

【００５１】次に、本実施例の効果について説明する。

【００５２】本実施例によれば、ラビング布は、異物が
ほとんど付着していない状態で配向制御膜５ａ又は５ｂ
に摺接されるため、配向制御膜５ａ又は５ｂには常に一
定の配向規制力が付与される。その結果、プレチルト角
は低下せず（図９参照）、Ｃ２配向（ジグザグ配向欠
陥）の発生を防止できる。

【００５３】また、低下分を見込んでプレチルト角を大
きく設定しておく必要もないため、液晶分子の移動（黄
変現象）の発生したりすることもなく、部分的な画質の
劣化を防止できる。

【００５４】ついで、本発明の第２実施例について、図
７に沿って説明する。なお、図６に示すものと同一部分
は同一符号を付して説明を省略する。

【００５５】本実施例に用いるラビング装置６０は、ブ
レード１２の代わりに付着物除去ローラ（異物除去手
段、回転体）６１を備えている。この付着物除去ローラ
６１は、ラビングローラ１１に当接するように、かつ回
転自在に支持されており、モータＭ１によって回転駆動
されるように構成されている。なお、本実施例において
は、付着物除去ローラ６１が回転する方向は時計周りで
あり、ラビングローラ１１が回転する方向は反時計周り
である。また、両ローラ１１，６１は同速度にて回転す
るようになっている。そして、付着物除去ローラ６１と
ラビング布とは、その接触部分において摺接しないよう
になっている。さらに、付着物除去ローラ６１の表面は
粘着性に富んでおり、ラビングローラ１１の表面に付着
している異物を除去できるようになっている。

【００５６】次に、本実施例の作用、特にラビング処理
時の作用について説明する。

【００５７】いま、配向制御膜５ａ又は５ｂの形成され
た基板Ｅを、図７に示すようにラビング装置６０にセッ
トし、該装置６０を駆動する。すると、ラビングローラ
１１はモータＭによって反時計周りに回転駆動され、ラ
ビング布は配向制御膜５ａ又は５ｂに擦り付けられる。
これにより、配向制御膜５ａ又は５ｂには配向規制力が
付与される。

【００５８】一方、このラビング布と配向制御膜５ａ又
は５ｂとの摩擦により、配向制御膜５ａ又は５ｂの一部
が剥れてラビング布に付着することもある。また、配向
制御膜５ａ又は５ｂの表面にもともと付着していた異物
（微細な粒子）が、ラビング布に付着することもある。
しかし、ラビング布には、上述したように付着物除去ロ
ーラ６１が当接されているため、ラビング布に付着して
いる異物はその粘着性によって除去される。これによ
り、配向制御膜５ａ又は５ｂには常に一定の配向規制力
が付与される。

【００５９】なお、ラビング布の異物は、付着物除去ロ
ーラ６１に付着することなく飛ばされ、付着物除去ロー
ラ６１の表面は常に清浄に保たれる。

【００６０】次に、本実施例の効果について説明する。

【００６１】本実施例によれば、ラビング布は、異物が
ほとんど付着していない状態で配向制御膜５ａ又は５ｂ
に摺接されるため、配向制御膜５ａ又は５ｂには常に一
定の配向規制力が付与される。その結果、プレチルト角
は低下せず（図９参照）、Ｃ２配向（ジグザグ配向欠
陥）の発生を防止できる。

【００６２】また、低下分を見込んでプレチルト角を大
きく設定しておく必要もないため、液晶分子の移動（黄
変現象）の発生したりすることもなく、部分的な画質の
劣化を防止できる。

【００６３】さらに、付着物除去ローラ６１の表面は粘
着性に富むため、ラビング布に付着している異物は、付
着物除去ローラ６１の表面を強く擦り付けなくても簡単
に除去される。また、付着物除去ローラ６１とラビング
布との接触部分においては、これらは同方向に、かつ同
速度で移動するため、ラビング布の摩耗を防止できる。

【００６４】ついで、本発明の第３実施例について、図
８に沿って説明する。

【００６５】本実施例に用いるラビング装置７０はモー
タＭ２を備えており、付着物除去ローラ（異物除去手
段）６１が、反時計周りに、かつラビングローラ１１と
同速度で回転駆動されるように構成されている。つま
り、本実施例においては、付着物除去ローラ６１とラビ
ングローラ１１とは、その接触部分において摺接するよ
うに構成されている。それ以外の構成は上記第２実施例
と同様であり、重複説明は省略する。

【００６６】次に、本実施例の作用、特にラビング処理
時の作用について説明する。

【００６７】いま、配向制御膜５ａ又は５ｂの形成され
た基板Ｅを、図８に示すようにラビング装置７０にセッ
トし、該装置７０を駆動する。すると、ラビングローラ
１１はモータＭによって反時計周りに回転駆動され、ラ
ビング布は配向制御膜５ａ又は５ｂに擦り付けられる。
これにより、配向制御膜５ａ又は５ｂには配向規制力が
付与される。

【００６８】一方、このラビング布と配向制御膜５ａ又
は５ｂとの摩擦により、配向制御膜５ａ又は５ｂの一部
が剥れてラビング布に付着することもある。また、配向
制御膜５ａ又は５ｂの表面にもともと付着していた異物
（微細な粒子）が、ラビング布に付着することもある。
しかし、ラビング布には、上述したように付着物除去ロ
ーラ６１が当接されているため、ラビング布に付着して
いる異物は除去される。これにより、配向制御膜５ａ又
は５ｂには常に一定の配向規制力が付与される。

【００６９】なお、ラビング布の異物は、付着物除去ロ
ーラ６１に付着することなく飛ばされ、付着物除去ロー
ラ６１の表面は常に清浄に保たれる。

【００７０】次に、本実施例の効果について説明する。

【００７１】本実施例によれば、ラビング布は、異物が
ほとんど付着していない状態で配向制御膜５ａ又は５ｂ
に摺接されるため、配向制御膜５ａ又は５ｂには常に一
定の配向規制力が付与される。その結果、プレチルト角
は低下せず（図９参照）、Ｃ２配向（ジグザグ配向欠
陥）の発生を防止できる。

【００７２】また、低下分を見込んでプレチルト角を大
きく設定しておく必要もないため、液晶分子の移動（黄
変現象）の発生したりすることもなく、部分的な画質の
劣化を防止できる。

【００７３】さらに、付着物除去ローラ６１の表面とラ
ビングローラ１１の表面とは、その当接点にて互いに逆
方向に移動するため、付着物除去ローラ６１の表面はラ
ビングローラ１１の表面に擦り付けられる。その結果、
ラビングローラ１１の表面に付着している異物は、付着
物除去ローラ６１表面の粘着力、及び付着物除去ローラ
６１とラビングローラ１１との間に生じる摩擦力によっ
て、確実に除去される。したがって、プレチルト角の低
下をより確実に防止でき、黄変やＣ２配向の発生を確実
に防止できる。

【００７４】なお、上述第１実施例においては、ブレー
ド１２の角部１２ａをラビングローラ１１に当接するも
のとしたが、該部分を櫛歯状に形成しても良い。これに
より、起毛状態のラビング布の内部まで櫛歯部分が入り
込み、異物除去が確実に行なわれる。

【００７５】また、上述第１実施例においてはブレード
１２を静止状態に保持することによりブレード１２とラ
ビングローラ１１との間に相対速度差を生ぜしめたが、
もちろんこれに限る必要はなく、相対速度差を有すれば
ブレード１２が移動しても良い。

【００７６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
ラビング布に付着した異物は異物除去手段によって除去
されるため、プレチルト角が均一に保たれる。その結
果、Ｃ２配向や黄変現象の発生を防止でき、部分的な画
質劣化を防止できる。

【００７７】また、異物除去手段の先端部を櫛歯状にし
た場合には、起毛状態のラビング布の内部まで櫛歯部分
が入り込み、異物除去が確実に行なわれる。その結果、
Ｃ２配向や黄変現象の発生をより確実に防止でき、部分
的な画質劣化をより確実に防止できる。

【００７８】さらに、異物除去手段におけるラビング布
との接触面を、粘着性に富む材質にて形成することによ
り、該異物除去手段の粘着力によって前記ラビング布に
付着している異物が除去される。したがって、前記ラビ
ング布に対する前記異物除去手段の押圧力を強くする必
要がなく、ラビング布の摩耗を防止できる。

【００７９】またさらに、前記異物除去手段と前記ラビ
ング布とが、その接触部分において同速度にて同方向に
駆動されるように構成した場合には、前記異物除去手段
及びラビング布の摩耗が回避される。

【００８０】また、前記異物除去手段と前記ラビング布
とが、その接触部分において摺接するように、逆方向に
駆動されるように構成した場合には、前記ラビング布に
付着している異物は、摩擦力と粘着力とが働くことによ
って容易に除去される。その結果、Ｃ２配向や黄変現象
の発生をより確実に防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ラビング処理の様子、及び従来の問題点を説明
するための図。

【図２】従来の問題点（液晶分子の移動）を説明するた
めの模式図。

【図３】スメクチック層の配向モデルを示した図。

【図４】(a) はＣ１配向の各状態における基板間の各位
置でのダイレクタの配置を示す模式図、(b) はＣ２配向
を示す模式図。

【図５】液晶表示素子の構造を模式的に示す断面図。

【図６】第１実施例に係るラビング装置の構造を説明す
るための模式図。

【図７】第２実施例に係るラビング装置の構造を説明す
るための模式図。

【図８】第３実施例に係るラビング装置の構造を説明す
るための模式図。

【図９】各実施例の効果を説明するための図であり、ラ
ビング処理に伴なうプレチルト角の変化を示す図。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ ガラス基板 ２ａ，２ｂ 透明電極 ３ａ，３ｂ 絶縁膜 ５ａ，５ｂ 配向制御膜 ９ 強誘電性液晶 １０ ラビング装置 １１ ラビングローラ １２ ブレード（異物除去手段） １２ａ 角部 ６０ ラビング装置 ６１ 付着物除去ローラ（異物除去手段） ７０ ラビング装置 Ｍ モータ（駆動手段） Ｐ 液晶表示素子（液晶素子）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅尾 恭史 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 棟方 博英 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ラビング布と、該ラビング布を駆動する
   駆動手段と、を備え、前記ラビング布を擦り付けること
   により液晶素子のラビング処理を行なうラビング装置に
   おいて、 前記ラビング布に当接されて、該ラビング布に付着して
   いる異物を除去する異物除去手段を備えた、 ことを特徴とするラビング装置。
2. 【請求項２】 前記異物除去手段が、前記ラビング布に
   対して速度差を有して前記ラビング布に摺接され、か
   つ、 前記異物除去手段と前記ラビング布との間に生じる摩擦
   によって、該ラビング布に付着している異物が除去され
   る、 ことを特徴とする請求項１記載のラビング装置。
3. 【請求項３】 前記異物除去手段が、前記ラビング布と
   の相対移動方向に対して直角な方向に沿って形成される
   角部を有し、かつ、 該角部が前記ラビング布に摺接されることに基づき、前
   記ラビング布に付着している異物が除去される、 ことを特徴とする請求項２記載のラビング装置。
4. 【請求項４】 前記異物除去手段の先端部が櫛歯状であ
   り、該櫛歯状の先端部で前記ラビング布に付着している
   異物を除去する、 ことを特徴とする請求項２記載のラビング装置。
5. 【請求項５】 前記異物除去手段が、静止状態に保持さ
   れることに基づき、前記ラビング布に対して速度差を有
   する、 ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項記載の
   ラビング装置。
6. 【請求項６】 前記異物除去手段における前記ラビング
   布との接触面が粘着性に富み、かつ、 該異物除去手段の粘着性によって前記ラビング布に付着
   している異物が除去される、 ことを特徴とする請求項１記載のラビング装置。
7. 【請求項７】 前記異物除去手段が回転体である、 ことを特徴とする請求項６記載のラビング装置。
8. 【請求項８】 前記異物除去手段と前記ラビング布と
   が、その接触部分において摺接しないように同速度にて
   同方向に駆動される、 ことを特徴とする請求項６又は７記載のラビング装置。
9. 【請求項９】 前記異物除去手段と前記ラビング布と
   が、その接触部分において摺接するように、逆方向に駆
   動される、 ことを特徴とする請求項６又は７記載のラビング装置。
10. 【請求項１０】 前記ラビング布が貼付されたラビング
    ローラを備え、かつ、 前記駆動手段が該ラビングローラを回転駆動させること
    に基づき、液晶素子のラビング処理を行なう、 ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の
    ラビング装置。
11. 【請求項１１】 前記液晶素子は、その配向面にＰＡＭ
    が使用されている、 ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載
    のラビング装置。
12. 【請求項１２】 前記液晶素子のプレチルト角が５°以
    上である、 ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項記載
    のラビング装置。