CN103941489B - 液晶显示装置以及tft阵列基板的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示装置以及TFT阵列基板的制作方法，包括：一基板；位于所述基板上的栅极层；位于所述栅极层上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的有源层；位于所述有源层上的依次层叠的，且形状一致的源漏极层、第二绝缘层、第一导电膜；位于所述第一导电膜上且覆盖整个基板范围的第三绝缘层；位于所述第三绝缘层上的第二导电膜；其中，所述第三绝缘层和所述第二导电膜具有暴露出所述第一导电膜的开口。该TFT阵列基板中由于第一导电膜是位于TFT顶部的，当在TFT阵列基板表面涂布摩擦层后，氧化铟锡与摩擦层的附着性比较好，从而防止碎亮点现象。

Description

液晶显示装置以及TFT阵列基板的制作方法

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示装置以及TFT阵列基板的制作方法。

背景技术

目前液晶显示装置技术领域内，采用横向电场方式主要有IPS(In PlaneSwitching，横向电场转换)液晶显示器及FFS(Fringe Field Switch，边缘电场转换)液晶显示器。在FFS液晶显示器中，包括上部电极层和下部电极层通过绝缘层相互绝缘，将下部电极层作为公共电极层，上部电极层作为像素电极层，并在上部电极层上形成例如狭缝等，以此作为电场流通的开口。通常，在彩膜基板和TFT阵列基板之间会设置支撑柱，支撑柱一般是设置在彩膜基板一侧并与TFT阵列基板一侧的薄膜晶体管TFT(thin filmtransistor)相抵触，另外的彩膜基板和TFT阵列基板的表面有设有摩擦层，使得液晶具有一定的取向。

目前由于液晶显示器的轻薄化要求，一般会对FFS液晶显示器进行轻薄化的工艺改进，但是FFS液晶显示器在轻薄化处理后为了改善其液晶显示器表面的凹凸点，一般对其表面需要进行抛光处理。

如图1和图2所示，由于传统的TFT阵列基板01结构中，位于TFT03顶部的是绝缘层4，由于绝缘层4与摩擦层2(图2中未示出)的附着性较差。当在进行在抛光处理过程中，如图1所示，但是由于在抛光处理过程中，位于TFT阵列基板01和彩膜基板02之间的支撑柱5会对TFT03(图1中未示出)有位移，造成支撑柱5与TFT03之间存在来回的摩擦。由于这种摩擦会使得位于TFT阵列基板01的表面摩擦层2会产生碎屑3，由于摩擦层的碎屑3会在分散到液晶显示器中的有效显示区域AA。当液晶显示器工作时，这种位于有效显示区域的碎屑，会表现为显示上的碎亮点，严重影响显示画面的质量。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种液晶显示装置以及TFT阵列基板的制作方法。

根据本发明的一个示范性的实施例，提供一种TFT阵列基板，包括：一基板；

位于所述基板上的栅极层；位于所述栅极层上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的有源层；

位于所述有源层上的依次层叠的，且形状一致的源漏极层、第二绝缘层、第一导电膜；

位于所述第一导电膜上且覆盖整个基板范围的第三绝缘层；位于所述第三绝缘层上的第二导电膜；

其中，所述第三绝缘层和所述第二导电膜具有暴露出所述第一导电膜的开口。

根据本发明的一个示范性的实施例，提供一种液晶显示器，包括上述的TFT阵列基板、与所述TFT阵列基板的相对设置的彩膜基板，以及位于两者之间的介质层。

根据本发明的一个示范性的实施例，提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括：

步骤S1：提供一基板，在所述基板上形成依次层叠的栅极层、第一绝缘层、有源层；

步骤S2：依次连续沉积形成金属层、第二绝缘层、第一导电膜层；

步骤S3：对所述金属层、第二绝缘层和第一导电膜层进行连续刻蚀，形成依次层叠的，且形状一致的源漏极层、第二绝缘层、第一导电膜并在所述依次层叠的源漏极层、第二绝缘层、第一导电膜中形成暴露出所述有源层的沟槽；

步骤S4：沉积第三绝缘层，图案化所述第三绝缘层形成暴露出所述第一导电膜的开口；

步骤S5：在所述第三绝缘层上形成图案化的第二导电膜，并具有暴露出所述第一导电膜的开口。

由经上述的技术方案，与现有技术相比，本发明公开了一种TFT阵列基板及制作方法和液晶显示装置，该TFT阵列基板中由于第一导电膜(通常为氧化铟锡)是位于TFT顶部的，当在TFT阵列基板表面涂布摩擦层后，第一导电膜与摩擦层的附着性比较好。当该TFT阵列基板被组装成液晶显示器时，需要进行抛光处理。在抛光处理过程中，位于TFT阵列基板和彩膜基板之间存在来回的摩擦，不会使得表面摩擦层会产生碎屑，从而产生碎亮点现象，影响显示画面。相对于传统的TFT阵列基板结构解决了碎亮点的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中公开的抛光处理中阵列基板上的摩擦层产生碎屑的示意图；

图2为现有技术中公开的一种TFT阵列基板的示意图；

图3为本发明实施例一中公开的TFT阵列基板的示意图；

图4为沿图3中虚线部分的剖视图；

图5为本发明实施例二中公开的TFT阵列基板的示意图；

图6为本发明实施例一中公开的TFT阵列基板的制作方法示意图一；

图7为本发明实施例一中公开的TFT阵列基板的制作方法示意图二；

图8为本发明实施例一中公开的TFT阵列基板的制作方法示意图三；

图9为本发明实施例一中公开的TFT阵列基板的制作流程示意图；

图10为本发明实施例二中公开的TFT阵列基板的制作方法示意图一；

图11为本发明实施例三中公开的液晶显示器的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明公开了一种TFT阵列基板，包括：一基板；位于所述基板上的栅极层；位于所述栅极层上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的有源层；位于所述有源层上的依次层叠的，且形状一致的源漏极层、第二绝缘层、第一导电膜；位于所述第一导电膜上且覆盖整个基板范围的第三绝缘层；位于所述第三绝缘层上的第二导电膜；其中，所述第三绝缘层和所述第二导电膜具有暴露出所述第一导电膜的开口。该TFT阵列基板中由于第一导电膜(通常为氧化铟锡)是位于TFT顶部的，当在TFT阵列基板表面涂布摩擦层后，第一导电膜与摩擦层的附着性比较好。当该TFT阵列基板被组装成液晶显示器时，需要进行抛光处理。在抛光处理过程中，位于TFT阵列基板和彩膜基板之间的支撑柱与TFT之间存在来回的摩擦，不会使得表面摩擦层会产生碎屑，从而产生碎亮点现象，影响显示画面。相对于传统的TFT阵列基板结构解决了如图1所示的碎亮点的问题。

实施例一

如图3-图4所示，其中图4为沿着图3中虚线部分的剖面示意图，本实施例公开了一种TFT阵列基板110，包括：基板10、扫描线11、数据线12、像素电极13、第二导电膜14、第一导电膜15、源漏极层19、有源层16、栅极17、第一绝缘层181、第二绝缘层182、第三绝缘层183，以及暴露出有源层16的沟槽G。其中由栅极17、第一绝缘层181、有源层16、源漏极层19、第二绝缘层182以及暴露出有源层16的沟槽G构成该TFT阵列基板110上的薄膜晶体管TFT的基本结构。在薄膜晶体管TFT的顶部还有悬浮设置的第一导电膜15，该导电膜的材料为一般为透明导电材料，较为优选的材料为氧化铟锡。另外，该TFT阵列基板110还包括摩擦层(图中未示出)，覆盖第二导电膜14，第三绝缘层183和开口中的第一导电膜15。

继续参考图3-4,该TFT阵列基板110的具体结构包括：基板10；位于基板10上的栅极层，该栅极层包括栅极17和扫描线11；位于栅极层上的第一绝缘层181；位于第一绝缘层181上的有源层16；位于有源层16上的依次层叠的，且形状一致的源漏极层19、第二绝缘层182、第一导电膜15，其中源漏极层19包括源极19、漏极19和数据线12；位于第一导电膜上15且覆盖整个基板110范围的第三绝缘层183；位于述第三绝缘层183上的第二导电膜14；其中，第三绝缘层183和第二导电膜14具有暴露出第一导电膜15的开口。

另外，TFT阵列基板110还包括，位于第一绝缘层181与源漏极层之间的像素电极13，像素电极13与源漏极层19电连接。第二导电膜14为公共电极，位于TFT阵列基板110的顶部，设计成条状电极。由于在FFS液晶显示器中由位于上下不同位置的公共电极和像素电极之间形成使得液晶分子发生偏转的电场，为了可以使得液晶显示器中的电场流通，一般位于上部的公共电极设计为条状电极，即能够形成狭长的空隙使得电场流通。另外的，像素电极和公共电极一般为透明导电材料，更为优选地，为氧化铟锡。

如图4所示，对于沟槽G，位于依次层叠，且形状一致的源漏极层19、第二绝缘层182和第一导电膜15中，并且暴露出有源层16，同时该沟槽G被第三绝缘层183填充。在此需要说明的是：源漏极层19、第二绝缘层182和第一导电膜15是依次层叠并且形状一致，如此的结构，其具体的工艺是采取连续成膜、连续刻蚀而得到的。这样可以使得第一导电膜15与源漏极层19也就是源极19，漏极19或整个薄膜晶体管TFT对位十分精准，从而避免了由于第一导电膜15与源漏极层19、第二绝缘层182不是同时形成而造成第一导电膜15会覆盖到沟槽G中，从而影响薄膜晶体管TFT的特性。

继续参考如图4，其中值得注意的是，第一导电膜15一般为透明导电材料，较为优选的为氧化铟锡(ITO)。由于第一导电膜15即氧化铟锡是位于薄膜晶体管TFT顶部的，当在TFT阵列基板110表面涂布摩擦层(图中未示出)后，第一导电膜15(一般为氧化铟锡)与摩擦层的附着性比较好。由于当TFT阵列基板110被组装成液晶显示器后，需要进行抛光处理。在抛光处理过程中，位于TFT阵列基板和彩膜基板之间的支撑柱与TFT之间存在来回的摩擦，由于第一导电膜15(一般为氧化铟锡)与摩擦层的附着性比较好，不会使得表面摩擦层会产生碎屑，从而产生碎亮点现象，影响显示画面。但是由于传统的TFT阵列基板结构中，如图2所示，位于TFT顶部的是绝缘层，由于绝缘层与摩擦层的附着性较差，当在进行在抛光处理过程中，位于两基板之间的支撑柱与TFT之间存在来回的摩擦，十分容易让位于绝缘层上的摩擦层产生碎屑，从而产生碎亮点现象，影响显示画面。

如图6-图9所示，本发明还公开了一种上述的TFT阵列基板110的制作方法：

步骤S1：提供一基板10，在基板10上形成依次层叠的栅极层、第一绝缘层181、有源层16、像素电极13。具体来说为：由栅极层刻蚀形成图案化的栅极17和扫描线(图中未示出)；由有源层刻蚀形成图案化的有源层16；在第一绝缘层181上图案化形成像素电极13，其中，像素电极13与由步骤S3中形成的源漏极层19电连接；

步骤S2：依次连续沉积形成金属层M、第二绝缘层182、第一导电膜层T1；

步骤S3：对金属层M、第二绝缘层182和第一导电膜层T1进行连续刻蚀，形成依次层叠的，且形状一致的源漏极层19、第二绝缘层182、第一导电膜15并在依次层叠的源漏极层19、第二绝缘层152、第一导电膜15中形成暴露出有源层16的沟槽G。具体来说，通过半掩膜板法(half-tone mask)，通过对金属层M、第二绝缘层182和第一导电膜层T1进行连续刻蚀，形成位于第一绝缘层181上的图案化的数据线12以及形成位于源漏极层19、第二绝缘层182和第一导电膜15中的暴露出有源层16的沟槽G；

步骤S4：沉积第三绝缘层183，图案化第三绝缘层193形成暴露出第一导电膜15的开口；

其中，该步骤S4具体包括步骤S41和步骤S42，其中，步骤S41：在第一导电膜15上沉积形成第三绝缘层183，其中沉积温度为290-360℃，第三绝缘层183填充沟槽G。值得说明的是，由于第三绝缘层183的成膜温度为290-360℃，使得第一导电膜15，由于其一般为氧化铟锡(ITO)，在200℃左右就会结晶，那么在如此高的温度下，氧化铟锡已经发生结晶，那么在后续的对第二导电膜14采用草酸进行刻蚀时(即步骤S52)，由于第一导电膜15已经发生结晶，故不会在刻蚀第二导电膜14时候，被草酸刻蚀；

步骤S42：采用对第三绝缘层183进行刻蚀，形成暴露出第一导电膜15的开口；

步骤S5：在第三绝缘层183上形成图案化的第二导电膜14，在此实施方式中第二导电膜14为公共电极；

其中，步骤S5具体包括步骤S51和步骤S52，其中，步骤S51：在第三绝缘层183上沉积第二导电膜层，一般为透明导电材料，较为优选的为氧化铟锡(ITO)；步骤S52：对第二导电膜层采用草酸进行刻蚀形成第二导电膜14，并形成暴露出第一导电膜15的开口。其中由于采用草酸对第二导电膜层进行刻蚀，保证了不会对已经结晶的第一导电膜15产生刻蚀效果。

其中，值得说明的是：在步骤S2和步骤S3中分别采用连续成膜和连续刻蚀，形成的源漏极层19、第二绝缘层182和第一导电膜15是依次层叠的并且形状一致的结构，其中第一导电膜15为悬浮设置，即不与其他的器件有电连接。由于采取了连续成膜、连续刻蚀的工艺，这样可以使得第一导电膜15与源漏极层19也就是源极19，漏极19或整个薄膜晶体管TFT对位十分精准，从而避免了由于第一导电膜15与源漏极层19、第二绝缘层182不是同时形成而造成第一导电膜15会覆盖到沟槽G中，从而影响薄膜晶体管TFT的特性。

实施例二

如图5所示，本实施例在实施例一的基础上公开了另一种TFT阵列基板110，包括，包括：基板10、扫描线(图中未示出)、数据线12、像素电极13、第二导电膜14、第一导电膜15、源漏极层19、有源层16、栅极17、第一绝缘层181、第二绝缘层182、第三绝缘层183，第四绝缘层184以及暴露出有源层16的沟槽G。

本实施例中的TFT阵列基板与实施例一中所公开的TFT阵列基板的结构相同之处，在此就不再一一赘述。以下详细阐述与实施例一中的不同之处：

该TFT阵列基板还包括第四绝缘层184，位于第二导电膜14之上覆盖整个TFT阵列基板110并具有暴露出第一导电膜15的开口。

其中，第二导电膜14为公共电极，像素电极13是位于第四绝缘层184之上。其中第二导电膜14和像素电极13，一般为透明导电材料，如氧化铟锡等。另外，像素电极13为条状电极，其原因是由于：由于在FFS液晶显示器中由位于上下不同位置的公共电极和像素电极之间形成使得液晶分子发生偏转的电场，为了可以使得液晶显示器中的电场流通，一般位于上部的电极设计为条状电极，即能够形成狭长的空隙使得电场流通。

另外，像素电极13与源漏极层19之间电连接，一般采用过孔连接(图中未示出)。由于过孔连接技术为本技术领域的常见技术，故在此就不再详细阐述。

如图5、图10所示，同时参照图9，本发明还公开了一种上述的TFT阵列基板110的制作方法：

步骤S1：提供一基板10，在基板10上形成依次层叠的栅极层、第一绝缘层181、有源层16。具体来说为：由栅极层刻蚀形成图案化的栅极17和扫描线(图中未示出)；

步骤S2：依次连续沉积形成金属层M、第二绝缘层182、第一导电膜层T1；

步骤S3：对金属层M、第二绝缘层182和第一导电膜层T1进行连续刻蚀，形成依次层叠的，且形状一致的源漏极层19、第二绝缘层182、第一导电膜15并在依次层叠的源漏极层19、第二绝缘层152、第一导电膜15中形成暴露出有源层16的沟槽G；

步骤S4：沉积第三绝缘层183，图案化第三绝缘层193形成暴露出第一导电膜15的开口；

步骤S5：在第三绝缘层183上形成图案化的第二导电膜14，在此实施方式中第二导电膜14为公共电极；

步骤S6：在第二导电膜14上图案化形成第四绝缘层184覆盖整个TFT阵列基板110并暴露出所述第一导电膜15；

步骤S7：在第四绝缘层184上图案化形成像素电极13并暴露出第一导电膜15。

其中本实施例中的TFT阵列基板的制作方法是以实施例一中公开的TFT阵列基板的制作方法为基础的，其中步骤S2-S5与实施例一中描述相同，故在此就不再一一赘述。其中与实施例一不同之处在于：

该TFT阵列基板的制作方法还包括步骤S6和步骤S7，由步骤S6制得第四绝缘层184，由步骤S7制得像素电极13，其中像素电极13为条状电极。

作为本实施例的另一变形，即第二导电膜14为像素电极，那么公共电极13是位于第四绝缘层184之上。其中公共电极13为条状电极。另外，第二导电膜(像素电极)14与源漏极层19之间电连接，一般采用过孔连接(图中未示出)。由于过孔连接技术为本技术领域的常见技术，故在此就不再详细阐述。

其TFT阵列基板的制作方法与上述TFT阵列基板的制作方法基本一致，不同点为：

由步骤S6制得第四绝缘层184，由步骤S7制得公共电极13(图中未示出)，其中公共电极13为条状电极。

实施例三

如图11所示，本实施例在实施例一或二的基础上公开了一种液晶显示器1110，包括上述的TFT阵列基板110、与TFT阵列基板110的相对设置的彩膜基板111，以及位于两者之间的介质层112。其中液晶显示装置1110还包括设置于TFT阵列基板110和彩膜基板111之间的支撑柱113，支撑柱113与开口中的第一导电膜15对应设置。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (20)

1.一种液晶显示装置，包括：TFT阵列基板、与所述TFT阵列基板的相对设置的彩膜基板，以及位于两者之间的介质层；

所述TFT阵列基板包括，一基板；

位于所述基板上的栅极层；

位于所述栅极层上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的有源层；

依次层叠于所述有源层上的源漏极层、第二绝缘层以及第一导电膜，所述源漏极层、所述第二绝缘层以及所述第一导电膜三者形状一致；

位于所述第一导电膜上且覆盖整个基板范围的第三绝缘层；

位于所述第三绝缘层上的第二导电膜；

其中，所述第三绝缘层和所述第二导电膜具有暴露出所述第一导电膜的开口；

所述TFT阵列基板还包括取向摩擦层，覆盖所述第二导电膜，第三绝缘层和开口中的第一导电膜；

所述液晶显示装置还包括设置于所述TFT阵列基板和所述彩膜基板之间的支撑柱，所述支撑柱与所述开口中的第一导电膜正对设置。

2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述源漏极层、所述第二绝缘层和所述第一导电膜中具有暴露出所述有源层的一沟槽，所述沟槽被所述第三绝缘层填充。

3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括：

所述栅极层包括栅极和扫描线；

所述源漏极层包括源极、漏极和数据线。

4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第二导电膜为公共电极，所述TFT阵列基板还包括：

位于第一绝缘层与所述源漏极层之间的像素电极，所述像素电极与所述源漏极层之间电连接。

5.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第二导电膜为公共电极，所述TFT阵列基板还包括：

位于所述第二导电膜上的第四绝缘层；

以及，位于所述第四绝缘层之上的像素电极。

6.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第二导电膜为像素电极，所述像素电极与所述源漏极层之间电连接；所述TFT阵列基板还包括：

位于所述第二导电膜上的第四绝缘层；

以及，位于所述第四绝缘层之上的公共电极。

7.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一导电膜为透明导电材料。

8.如权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于，所述透明导电材料为氧化铟锡。

9.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第二导电膜为透明导电材料。

10.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一导电膜悬浮设置。

11.一种如权利要求1-10中任一所述液晶显示装置中的所述TFT阵列基板的制作方法，包括：

步骤S1：提供一基板，在所述基板上形成依次层叠的栅极层、第一绝缘层、有源层；

步骤S2：依次连续沉积形成金属层、第二绝缘层、第一导电膜层；

步骤S3：对所述金属层、第二绝缘层和第一导电膜层进行连续刻蚀，形成依次层叠的源漏极层、第二绝缘层以及第一导电膜，其中所述源漏极层、所述第二绝缘层以及所述第一导电膜三者形状一致，在所述源漏极层、所述第二绝缘层以及所述第一导电膜中形成暴露出所述有源层的沟槽；

步骤S4：沉积第三绝缘层，图案化所述第三绝缘层形成暴露出所述第一导电膜的开口；

步骤S5：在所述第三绝缘层上形成图案化的第二导电膜，并具有暴露出所述第一导电膜的开口。

12.如权利要求11所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于：所述步骤S3具体还包括：

通过半掩膜板法，通过对所述金属层、第二绝缘层和第一导电膜层进行连续刻蚀，形成位于所述第一绝缘层上的数据线以及形成位于所述源漏极层、第二绝缘层和第一导电膜中的暴露出所述有源层的沟槽。

13.如权利要求12所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于：所述步骤S4具体包括：

步骤S41：在所述第一导电膜上沉积形成第三绝缘层，其中沉积温度为290-360℃，所述第三绝缘层填充所述沟槽；

步骤S42：对所述第三绝缘层进行刻蚀，暴露出所述第一导电膜。

14.如权利要求13所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于：所述步骤S5具体包括：

步骤S51：在所述第三绝缘层上沉积第二导电膜层；

步骤S52：对所述第二导电膜层采用草酸进行刻蚀形成第二导电膜，并形成暴露出所述第一导电膜的开口。

15.如权利要求11所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于：所述第二导电膜为公共电极，所述步骤S1具体还包括：

在所述第一绝缘层上图案化形成像素电极，所述像素电极与所述源漏极层电连接。

16.如权利要求11所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于：所述第二导电膜为公共电极，所述TFT阵列基板的制作方法还包括：

步骤S6：在所述第二导电膜上图案化形成第四绝缘层并暴露出所述第一导电膜；

步骤S7：在所述第四绝缘层上图案化形成像素电极并暴露出所述第一导电膜。

17.如权利要求11所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于：所述第二导电膜为像素电极，所述TFT阵列基板的制作方法还包括：

步骤S6：在所述第二导电膜上图案化形成第四绝缘层并暴露出所述第一导电膜；

步骤S7：在所述第四绝缘层上图案化形成公共电极并暴露出所述第一导电膜。

18.如权利要求11所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于：所述第一导电膜层为透明导电材料。

19.如权利要求18所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述透明导电材料为氧化铟锡。

20.如权利要求11所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电膜悬浮设置。