CN102023432A - Ffs型tft-lcd阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。该阵列基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括栅线、公共电极线、栅绝缘层、数据线段、薄膜晶体管、像素电极、钝化层以及公共电极；薄膜晶体管包括源电极、漏电极及栅电极，栅电极与栅线电连接，漏电极通过第一连接线与像素电极连接，源电极与数据线段电连接；阵列基板还包括第二连接线，第二连接线用于电连接相邻的两个像素单元的数据线段，构成数据线；第一连接线和第二连接线与公共电极同层设置。本发明FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法，仅通过三次构图工艺即可完成TFT-LCD阵列基板的制造，相比现有技术降低了成本，提高了市场竞争力。

Description

FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法

技术领域

本发明涉及FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法，尤其是涉及能够通过3次构图工艺制备的FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是一种主要的平板显示装置(Flat Panel Display，简称为FPD)。

根据驱动液晶的电场方向，TFT-LCD分为垂直电场型和水平电场型。其中，垂直电场型TFT-LCD需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极；然而水平电场型TFT-LCD需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极。因此，制作水平电场型TFT-LCD的阵列基板时，需要额外增加一次形成公共电极的构图工艺。垂直电场型TFT-LCD包括：扭曲向列(Twist Nematic，简称为TN)型TFT-LCD；水平电场型TFT-LCD包括：边缘电场切换(Fringe Field Switching，简称为FFS)型TFT-LCD，共平面切换(In-Plane Switching，简称为IPS)型TFT-LCD。水平电场型TFT-LCD，尤其是FFS型TFT-LCD具有广视角、开口率高等优点，广泛应用于液晶显示器领域。

目前，FFS型TFT-LCD阵列基板是通过多次构图工艺形成结构图形来完成，每一次构图工艺中又分别包括掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺，其中刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀，所以构图工艺的次数可以衡量制造TFT-LCD阵列基板的繁简程度，减少构图工艺的次数就意味着制造成本的降低。现有技术的FFS型TFT-LCD阵列基板六次构图工艺包括：公共电极构图、栅线和栅电极构图、有源层构图、源电极/漏电极构图、过孔构图和像素电极构图。

现有技术中公开有大量的，通过减少构图工艺次数来降低制造成本，并通过工艺的简化来提高生产效率的技术文献。

现有的4次构图工艺制造FFS型液晶显示器的阵列基板的方法如下：

步骤1、沉积第一金属薄膜，通过第一构图工艺利用普通掩膜板形成栅线、公共电极线和栅电极的图形；

步骤2、沉积栅绝缘薄膜、有源层(半导体层和掺杂半导体层)薄膜，通过第二构图工艺利用普通掩膜板设置有源层(ACTIVE)的图形；

步骤3、依次沉积第一透明导电薄膜和第二金属薄膜，通过第三次构图工艺利用双调掩膜板形成像素电极、源电极、漏电极及TFT沟道；

步骤4、沉积钝化层及第二透明导电层，通过第四次构图工艺利用双调掩膜板形成钝化层、连接孔(用于将公共电极与公共电极线连接)、PAD区域连接孔以及公共电极的图形。

PAD区域即为压接区域，是将栅线、数据线及公共电极线等信号线与外部的驱动电路板的引线压接的区域。PAD区域位于阵列基板的4个边中的其中一个或相邻的两个边上。为了将引线和信号线电连接，PAD区域的信号线上方必须没有绝缘层覆盖，通常是在信号线上方刻蚀形成连接孔，将信号线暴露或将信号线与导电元件连接。

图19为通过现有的4次构图工艺得到的FFS型TFT-LCD阵列基板的平面示意图。如图19所示，现有的FFS型TFT-LCD阵列基板包括多个像素单元1000。像素单元1000包括：透明基板、栅线1’、数据线2’、薄膜晶体管(以下简称为TFT)3’、像素电极4’、公共电极线5’、第六连接孔56、公共电极6’、狭缝63’、栅绝缘层以及钝化层。图1中省略了透明基板、栅绝缘层和钝化层，便于更清楚地表达结构之间的连接关系。

具体地，透明基板上横向设有栅线1’、公共电极线5’，纵向设有数据线2’。栅线1’和数据线2’交叠处设有TFT3’和像素电极4’。像素电极4’为板状电极。公共电极6’为狭缝电极，具有狭缝63’。

栅线1’与TFT3’的栅电极连接，用于向TFT3’提供开启信号；数据线2’与TFT3’的源电极连接，像素电极4’与TFT3’的漏电极连接。TFT3’为有源开关元件。公共电极线5’用于向公共电极6’提供公共信号。当栅线1’向TFT3’提供了开启信号后，数据线2’的数据信号可以经TFT3’的源电极、TFT沟道及漏电极输入至像素电极4’。像素电极4’就可以与公共电极6’形成液晶驱动电场。

栅绝缘层和钝化层覆盖整个基板，用于将上述各元件绝缘。公共电极线和信号线PAD区域的上方的栅绝缘层及钝化层上设有贯通的连接孔，用于暴露公共电极线和信号线PAD区域的信号线。如图19所述，公共电极线上方的栅绝缘层和钝化层上设置有贯通的第六连接孔56。

为了增强市场竞争力，提高市场的占有率，需要不断研发更加低成本的TFT-LCD阵列基板。

发明内容

本发明的目的是提供一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法，使其能够进一步减少构图工艺的次数，降低成本。

为实现上述目的，本发明提供了一种FFS型TFT-LCD阵列基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括栅线、公共电极线、栅绝缘层、数据线段、薄膜晶体管、像素电极、钝化层以及公共电极；

所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极及栅电极，所述栅电极与栅线电连接，所述漏电极通过第一连接线与像素电极连接，所述源电极与数据线段电连接；

所述栅绝缘层用于将栅线和栅电极与数据线、源电极及漏电极绝缘；

所述钝化层用于将栅线、数据线、源电极、漏电极及像素电极与公共电极绝缘；

所述阵列基板还包括第二连接线，第二连接线用于电连接相邻的两个像素单元的数据线段，构成数据线；

所述第一连接线和第二连接线与公共电极同层设置。

为实现上述目的，本发明还提供了一种FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括公共电极线区域、栅线区域、栅电极区域、数据线段区域、有源层区域，源电极区域、漏电极区域、像素电极区域、狭缝区域、第一至第六连接孔区域、公共电极区域、第一连接线区域、第二连接线区域及信号线PAD区域，该制造方法包括：

步骤1、沉积栅金属薄膜、栅绝缘薄膜、有源层薄膜、源漏金属薄膜，通过第一构图工艺，形成包括栅线、栅电极、栅绝缘层、数据线段、公共电极线的图形；

步骤2、沉积第一透明导电薄膜，通过第二构图工艺，形成包括像素电极、源电极、漏电极、TFT沟道以及有源层的图形；

步骤3、沉积钝化层，通过第三构图工艺，形成第一至第五连接孔、信号线PAD区域的连接孔的图形，沉积第二透明导电部，通过离地剥离工艺形成公共电极、第一连接线以及第二连接线的图形。

由上述技术方案可知，本发明FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法，仅通过三次构图工艺即可完成TFT-LCD阵列基板的制造，相比现有技术降低了成本，提高了市场竞争力。

附图说明

图1为本发明FFS型TFT-LCD阵列基板的平面示意图；

图2a为图1的A-A向剖面图；

图2b为图1的B-B向剖面图；

图3为在透明基板上沉积栅金属薄膜、栅绝缘薄膜、有源层薄膜、源漏金属薄膜后的剖面图；

图4a-图4b为在图3的结构上涂覆了光刻胶后，对光刻胶进行了曝光及显影处理后的剖面图；

图5a-图5b为对图4a-图4b的结构进行了第一刻蚀工艺后的剖面图；

图6a-图6b为对图5a-图5b中的光刻胶进行了灰化工艺之后的剖面图；

图7a-图7b为对图6a-图6b的结构进行了第二刻蚀工艺后的剖面图；

图8a-图8b为图7a-图7b的结构上剥离掉了剩余光刻胶后的剖面图；

图9a-图9b为图8a-图8b的结构上沉积第一透明导电薄膜后的剖面图；

图10a-图10b为在图9a-图9b的结构上涂覆光刻胶并进行曝光和显影处理后的剖面图；

图11a-图11b为对图10a-图10b的结构连续进行第三至第五刻蚀工艺后的剖面图；

图12a-图12b为11a-图11b的结构上剥离掉了剩余光刻胶后的剖面图；

图13a-图13b为在图12a-图12b的结构上沉积钝化层后的剖面图

图14a-图14b为图13a-图13b的结构上涂覆光刻胶后，对光刻胶进行曝光和显影处理后的剖面图；

图15a-图15b为对图14a-图14b的结构进行第五刻蚀工艺后的剖面图；

图16a-图16b为对图15a-图15b中的光刻胶进行灰化工艺后的剖面图；

图17a-图17b为在图16a-图16b的结构上沉积第二透明导电薄膜后的剖面图；

图18a-图18b为对图17a-图17b中的结构进行了离地剥离工艺后的剖面图；

图19为通过现有的4次构图工艺得到的FFS型TFT-LCD阵列基板的平面示意图。

具体实施方式

需要说明的是：

1、本发明中所述的例如“X设置于Y上”或“X上设置有Y”中的“上”一般包含了X与Y接触，并且X位于Y的上方的意思，本发明中如附图所示，将透明基板定义为设置于最下方；

2、本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺，光刻胶以正性光刻胶为例；

3、本发明中所述的“某某区域”是某某图形在透明基板上映射的区域，即该区域与某某图形具有相同的形状，例如栅线区域，即为栅线的图形在透明基板上的映射的区域，也可以理解为透明基板上将要设置栅线图形的区域。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

图1为本发明FFS型TFT-LCD阵列基板的平面示意图。图2a为图1的A-A向剖面图；图2b为图1的B-B向剖面图。如图1、图2a及图2b所示，本发明的FFS型TFT-LCD阵列基板包括第一像素单元2000、第二像素单元3000等多个像素单元，每个像素单元包括：透明基板10、栅线1、数据线2、TFT3、像素电极4、公共电极线5、公共电极6、狭缝63、栅绝缘层12和钝化层18。图1中省略了透明基板、栅绝缘层和钝化层，便于更清楚地表达结构之间的连接关系。

具体地，透明基板上横向设有栅线1、公共电极线5，纵向设有数据线2。栅线1和数据线2交叠处设有TFT3和像素电极4。像素电极4为板状电极。公共电极6为狭缝电极，公共电极6与像素电极4交叠的区域设置有狭缝63。

本发明的数据线2由多个数据线段及电连接相邻的两个像素单元的数据线段的第二连接线62构成。具体地，数据线2由设置于第一像素单元2000内的第一数据线段21、设置于第二像素单元3000内的第二数据线段22等多个数据线段，及连接纵向相邻第一数据线段21和第二数据线段22的第二连接线62构成。每个数据线段的一端与栅线1交叠，另一端与公共电极线5交叠。第一数据线段21与栅线1交叠处设置有第三连接孔53；第二数据线段22与公共电极线5交叠处设置有第四连接孔54；第二连接线62通过所述第三连接孔53及所述第四连接孔54将第一数据线段21与所述第二数据线段22连接。

栅绝缘层12用于将栅线1和栅电极11与数据线2、源电极14及漏电极15绝缘，本发明中栅绝缘层12只形成在栅线1、栅电极11、公共电极线5上方，以及数据线段及TFT3的下方。钝化层18用于将栅线1、TFT3、数据线2及像素电极4与公共电极6绝缘，钝化层覆盖在整个透明基板10上。

TFT3为有源开关元件，TFT3包括栅电极11、源电极14、漏电极15及TFT沟道19，栅电极11与栅线1一体成型，所述源电极14与第一数据线段21一体成型，漏电极15通过第一连接线61与像素电极4连接。具体地第一连接线61的一端通过形成在像素电极4上方的钝化层18上的第一连接孔51与像素电极4连接，第一连接线61的另一端通过形成在TFT3的漏电极15上方的钝化层18上的第二连接孔52与TFT3连接。

值得一提的是，所述第一连接线61和第二连接线62与公共电极6同层设置，三者皆为透明导电元件。

公共电极线5上方的钝化层18上设置有第五连接孔55，所述公共电极6通过所述第五连接孔55与所述公共电极线5电连接。

请继续参阅图2a及图2b，本发明的FFS型TFT-LCD阵列基板包括：透明基板10、栅线1、栅电极11、公共电极线5、栅绝缘层12、有源层13、第一半导体部13′、源电极14、漏电极15、像素电极4、第一透明导电部16、第二透明导电部17、钝化层18、TFT沟道19、公共电极6、第一连接孔51、第二连接孔52以及第一连接线61。

具体地、透明基板10上设置有栅线1、栅电极11、公共电极线5和像素电极4；其中，栅线1和栅电极11一体成型，且栅线1和栅电极11与公共电极线5和像素电极4分别隔开一定距离而绝缘；栅绝缘层12设置于栅线1、栅电极11、公共电极线5上；栅绝缘层12上分别设置有公共电极线5上方的第一半导体部13′以及栅电极11上方的有缘层13；有源层13上设置有源电极14和漏电极15，且源电极14和漏电极15隔开一定距离，源电极14和漏电极15之间的有源层13形成了TFT沟道19；源电极14上设置有第一透明导电部16，漏电极15上设置有第二透明导电部17；钝化层18形成在上述结构上，且覆盖整个透明基板10；钝化层上设置有第一连接孔51、第二连接孔52、第三连接孔53、第四连接孔54、第五连接孔55及信号线PAD区域的连接孔；第一连接孔51形成在像素电极4的上方，用于将像素电极4暴露出，便于将像素电极4与第一连接线61连接；第二连接孔52形成在漏电极15的上方，用于将第二透明导电部17暴露，便于将漏电极15、第二透明导电部17及第一连接线61连接；公共电极6和第一连接线61和第二连接线62设置于钝化层上，且公共电极6、第一连接线61和第二连接线62之间相互隔开一定距离而绝缘，公共电极6通过第五连接孔55与公共电极线5连接。

本发明的FFS型TFT-LCD阵列基板工作原理如下：

栅线1用于向TFT3提供开启信号，数据线2用于提供数据信号，公共电极线5用于向公共电极6提供公共信号。当栅线1向TFT3提供了开启信号后，TFT沟道19导通，数据线2的数据信号可以经TFT3的源电极14、TFT沟道19、及漏电极15和第二透明导电部17输入至像素电极4，像素电极4就可以与公共电极6形成液晶驱动电场。

上述结构的本发明的FFS型TFT-LCD阵列基板，能够通过3次构图工艺得到，相比现有技术节省了制造成本、时间成本等，有利于提高市场竞争力。

下面说明本发明的一种FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法。

本发明一种FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法包括如下步骤：

步骤1、沉积栅金属薄膜、栅绝缘薄膜、有源层薄膜、源漏金属薄膜，通过第一构图工艺，形成包括栅线、栅电极、栅绝缘层、数据线段、公共电极线的图形；

步骤2、沉积第一透明导电薄膜，通过第二构图工艺，形成包括像素电极、源电极、漏电极、TFT沟道以及有源层的图形；

步骤3、沉积钝化层，通过第三构图工艺，形成第一至第五连接孔、信号线PAD区域的连接孔的图形，沉积第二透明导电部，通过离地剥离工艺形成公共电极、第一连接线以及第二连接线的图形。

本发明能够通过三次构图工艺即可完成TFT-LCD阵列基板的制造，相比现有技术降低了成本，提高了市场竞争力。

下面结合图5-图21b按照工艺步骤顺序详细说明本发明FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法。

图3为在透明基板上沉积栅金属薄膜、栅绝缘薄膜、有源层薄膜、源漏金属薄膜后的剖面图。如图3所示，首先采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)、磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，在透明基板10(如玻璃基板或石英基板)上依次沉积栅金属薄膜100、栅绝缘薄膜200、有源层薄膜300、源漏金属薄膜400。栅金属薄膜和源漏金属薄膜可以是钼、铝、铝钕合金、钨、铬、铜等金属形成的单层薄膜，也可以是以上金属多层沉积形成的多层薄膜。有缘层薄膜包括半导体薄膜和掺杂半导体薄膜。栅绝缘薄膜可以采用SiNx、SiOx或SiOxNy的单层薄膜，或上述材料多层沉积形成的多层薄膜。

图4a-图4b为在图3的结构上涂覆了光刻胶后，对光刻胶进行了曝光及显影处理后的剖面图。图4a与图2a的剖线位置相对应，图4b与图2b的剖线位置相对应。如图4a及4b所示，在源漏金属薄膜400上涂覆光刻胶1000、通过双调掩膜板对光刻1000胶进行曝光和显影处理，使得栅电极区域110、源电极区域140、漏电极区域150、TFT沟道区域190以及数据线段区域(未图示)的光刻胶1000具有第一厚度H，栅线区域111、公共电极线区域50具有第二厚度h，包括栅线区域和公共电极线区域之间的区域的其余区域无光刻胶覆盖，所述第一厚度H大于第二厚度h。

图5a-图5b为对图4a-图4b的结构进行了第一刻蚀工艺后的剖面图。如图5a-图5b所示，通过第一刻蚀工艺，对没有被光刻胶1000覆盖的区域的栅金属薄膜100、栅绝缘薄膜200、有源层薄膜300、源漏金属薄膜400进行刻蚀，形成了栅线1、栅电极11、数据线段(未图示)、公共电极线5图形。此步骤中，由于需要将栅线1和公共电极线5隔离开各自形成信号线，因此必须将栅线1和公共电极线5之间的部分刻蚀掉，使两者隔离，此时，数据线也会被刻蚀成一段一段的数据线段。

图6a-图6b为对图5a-图5b中的光刻胶进行了灰化工艺之后的剖面图。如图6a-图6b所示，进行光刻胶的灰化工艺，去掉第二厚度h的光刻胶1000，暴露出栅线区域111及公共电极线区域50的源漏金属薄膜400。

图7a-图7b为对图6a-图6b的结构进行了第二刻蚀工艺后的剖面图。如图7a-图7b所示，进行第二刻蚀工艺，刻蚀暴露出的源漏金属薄膜400。此步骤去掉了栅线1和公共电极线5上方的源漏金属层400，防止形成寄生电容，影响栅线1的通信。

图8a-图8b为图7a-图7b的结构上剥离掉了剩余光刻胶后的剖面图。

至此，通过图3至图7b完成了第一构图工艺。

图9a-图9b为在图8a-图8b的结构上沉积了第一透明导电薄膜后的剖面图。如图9a-图9b所示，可以采用一般的成膜方法，沉积一层第一透明导电薄膜500。第一透明导电薄膜可以是ITO或IZO等。

图10a-图10b为在图9a-图9b的结构上涂覆光刻胶并进行曝光和显影处理后的剖面图。如图10a-图10b所示，在第一透明导电薄膜500上涂覆光刻胶2000，通过普通掩膜板进行曝光和显影处理，在像素电极区域40、数据线段区域(未图示)、源电极区域140以及漏电极区域150保留光刻胶2000，包括TFT沟道区域190的其余区域无剩余光刻胶。

图11a-图11b为对图10a-图10b的结构连续进行第三至第五刻蚀工艺后的剖面图。如图11a-图11b所示，进行第三刻蚀工艺，刻蚀暴露出的第一透明导电薄膜500，形成像素电极4的图形；进行第四刻蚀工艺，刻蚀暴露出的源漏金属薄膜400，形成源电极14和漏电极15的图形；进行第五次刻蚀工艺，刻蚀掉暴露出的部分有源层薄膜300，形成TFT沟道19以及有源层13的图形。

图12a-图12b为11a-图11b的结构上剥离掉了剩余光刻胶后的剖面图。

至此，通过图8a至图12b完成了第二构图工艺。

图13a-图13b为在图12a-图12b的结构上沉积钝化层后的剖面图。如图13a-图13b所示，采用一般的成膜方法沉积一层钝化层18。钝化层18可以采用SiNx、SiOx或SiOxNy的单层薄膜，或上述材料多层沉积形成的多层薄膜。

图14a-图14b为图13a-图13b的结构上涂覆光刻胶后，对光刻胶进行曝光和显影处理后的剖面图。如图14a-图14b所示，在钝化层18上涂覆光刻胶3000、通过双调掩膜板对光刻胶3000进行曝光和显影处理，使得第一连接孔区域510、第二连接孔区域520至第五连接孔区域(未图示)、信号线PAD区域上无光刻胶覆盖，第一连接线区域610及第二连接线区域(未图示)、除了狭缝区域之外的公共电极区域(未图示)具有第三厚度h′，包括狭缝区域的其余区域具有第四厚度H′，所述第三厚度h′小于第四厚度H′；

图15a-图15b为对图14a-图14b的结构进行第五刻蚀工艺后的剖面图。如图15a-图15b所示，通过第六刻蚀工艺，对暴露出的钝化层18进行了刻蚀，形成了第一至第五连接孔的图形，即第一连接孔51、第二连接孔52、第五连接孔55、第四连接孔54、第三连接孔53、信号线PAD区域的连接孔的图形。

图16a-图16b为对图15a-图15b中的光刻胶进行灰化工艺后的剖面图。如图16a-图16b所示，进行光刻胶灰化工艺，去掉第三厚度的光刻胶h′。

图17a-图17b为在图16a-图16b的结构上沉积第二透明导电薄膜后的剖面图。如图17a-图17b所示，可以采用一般的成膜方法，沉积一层第二透明导电薄膜600。第二透明导电薄膜可以是ITO或IZO等。

图18a-图18b为对图17a-图17b中的结构进行了离地剥离工艺后的剖面图。如图图18a-图18b所示，通过进行离地剥离工艺(lift off)，剥离光刻胶3000的同时，将光刻胶3000上方的第二透明导电薄膜600一并去除，形成了公共电极6、第一连接线61及第二连接线62。

至此，通过图13a至图18b完成了第三构图工艺。

本发明能够通过三次构图工艺即可完成TFT-LCD阵列基板的制造，相比现有技术降低了成本，提高了市场竞争力。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板，包括多个像素单元，其特征在于：每个像素单元包括栅线、公共电极线、栅绝缘层、数据线段、薄膜晶体管、像素电极、钝化层以及公共电极；

所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极及栅电极，所述栅电极与栅线电连接，所述漏电极通过第一连接线与像素电极连接，所述源电极与数据线段电连接；

所述栅绝缘层用于将栅线和栅电极与数据线、源电极及漏电极绝缘；

所述钝化层用于将栅线、数据线段、源电极、漏电极及像素电极与公共电极绝缘；

所述阵列基板还包括第二连接线，第二连接线用于电连接相邻的两个像素单元的数据线段，构成数据线；

所述第一连接线和第二连接线与公共电极同层设置。

2.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素电极上方的钝化层上设置有第一连接孔，所述源电极上方的钝化层上设置有第二连接孔，所述第一连接线通过所述第一连接孔与第二连接孔将所述像素电极与所述漏电极进行连接。

3.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述数据线段的一端与栅线交叠，另一端与公共电极线交叠。

4.根据权利要求2所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一像素单元及第二像素单元，所述第一像素单元与所述第二像素单元相邻；其中第一像素单元具有第一数据线段，所述第二像素单元具有第二数据线段；所述第一数据线段与栅线交叠处设置有第三连接孔，所述第二数据线段与公共电极线交叠处设置有第四连接孔；所述第二连接线通过所述第三连接孔及所述第四连接孔将所述第一数据线段与所述第二数据线段连接。

5.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述公共电极线上方的钝化层上设置有第五连接孔，所述公共电极通过所述第五连接孔与所述公共电极线电连接。

6.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述公共电极与像素电极交叠的区域设置有狭缝。

7.一种FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括公共电极线区域、栅线区域、栅电极区域、数据线段区域、有源层区域，源电极区域、漏电极区域、像素电极区域、狭缝区域、第一至第六连接孔区域、公共电极区域、第一连接线区域、第二连接线区域及信号线PAD区域，该制造方法包括：

步骤1、沉积栅金属薄膜、栅绝缘薄膜、有源层薄膜、源漏金属薄膜，通过第一构图工艺，形成包括栅线、栅电极、栅绝缘层、数据线段、公共电极线的图形；

步骤2、沉积第一透明导电薄膜，通过第二构图工艺，形成包括像素电极、源电极、漏电极、TFT沟道以及有源层的图形；

步骤3、沉积钝化层，通过第三构图工艺，形成第一至第五连接孔、信号线PAD区域的连接孔的图形，沉积第二透明导电部，通过离地剥离工艺形成公共电极、第一连接线以及第二连接线的图形。

8.根据权利要求7所述的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

提供透明基板；

在所述透明基板上沉积栅金属薄膜、栅绝缘薄膜、有源层薄膜、源漏金属薄膜；

在所述源漏金属薄膜上涂覆光刻胶、通过双调掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，使得栅电极区域、源电极区域、漏电极区域、TFT沟道区域以及数据线段区域的光刻胶具有第一厚度，栅线区域、公共电极线区域具有第二厚度，包括栅线区域和公共电极线区域之间的区域的其余区域无光刻胶覆盖，所述第一厚度大于第二厚度；

通过第一刻蚀工艺，对没有被光刻胶覆盖的所述其余区域的栅金属薄膜、栅绝缘薄膜、有源层薄膜、源漏金属薄膜进行刻蚀；

进行光刻胶的灰化工艺，去掉第二厚度的光刻胶，暴露出栅线区域及公共电极线区域的源漏金属薄膜；

进行第二刻蚀工艺，刻蚀暴露出的源漏金属薄膜；

剥离剩余光刻胶。

9.根据权利要求7所述的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：

沉积第一透明导电薄膜；

涂覆光刻胶，通过普通掩膜板进行曝光和显影处理，在像素电极区域、数据线段区域、源电极区域以及漏电极区域保留光刻胶，其余区域无剩余光刻胶；

进行第三刻蚀工艺，刻蚀暴露出的第一透明导电薄膜，形成像素电极的图形；

进行第四刻蚀工艺，刻蚀暴露出的源漏金属薄膜，形成源电极和漏电极图形；

进行第五次刻蚀工艺，刻蚀掉暴露出的部分有源层薄膜，形成TFT沟道以及有源层的图形；

剥离剩余光刻胶。

10.根据权利要求7所述的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：

沉积钝化层；

涂覆光刻胶、通过双调掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，使得第一至第五连接孔区域、信号线PAD区域上无光刻胶覆盖，第一连接线区域、第二连接线区域、除狭缝区域之外的公共电极区域具有第三厚度，包括狭缝区域的其余区域具有第四厚度，所述第三厚度小于第四厚度；

通过第六刻蚀工艺，对暴露出的钝化层进行刻蚀；

进行光刻胶灰化工艺，去掉第三厚度的光刻胶；

沉积第二透明导电薄膜；

进行离地剥离工艺，剥离光刻胶的同时，将光刻胶上方的第二透明导电薄膜一并去除。

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