CN102938394A - 显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，制作方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线，其中，栅线和数据线垂直，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；在栅线、数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线上形成图案化的栅绝缘层和位于栅绝缘层上的有源层；在图案化的栅绝缘层和有源层上形成像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道；在像素电极、源电极和漏电极上形成钝化层及公共电极过孔；在钝化层上形成公共电极。本发明可以避免强光下的显示效果差的问题。

Description

显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占了主导地位。
当前制作透反式薄膜晶体管液晶显示面板的过程中，阵列基板中的反射电极是与像素电极在同一次构图工艺中一起形成的，这样的显示面板，会出现强光下的显示效果差，反射区和透射区亮度不均的现象。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，可以避免强光下的显示效果差，反射区和透射区亮度不均的现象。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
S11，提供一衬底基板；
S12，在所述衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线的图形，其中，栅线和数据线垂直，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；
S13，在完成步骤S12的基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，由构图工艺形成包括图案化的栅绝缘层和位于栅绝缘层上的有源层的图形；
S14，在完成步骤S13的基板上形成第一透明导电薄膜，由构图工艺形成包括像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道的图形；
S15，在完成步骤S14的基板上形成钝化层，由构图工艺形成包括公共电极过孔的图形；
S16，在完成步骤S15的基板上形成第二透明导电薄膜，由构图工艺形成包括公共电极的图形，所述公共电极通过公共电极过孔与公共电极线连接。
其中，所述步骤S12包括：
在所述衬底基板上形成金属薄膜；
采用普通掩模板通过构图工艺对所述金属薄膜进行处理，形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线的图形。
其中，所述步骤S13包括：
在所述栅线、数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；
采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺对所述栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜进行处理，形成包括图案化的栅绝缘层和有源层的图形。
其中，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺对所述栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜进行处理，形成包括图案化的栅绝缘层和有源层的图形包括：
在所述掺杂半导体薄膜上涂敷一层光刻胶；
采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域；光刻胶完全保留区域对应于有源层图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于数据线的连接线过孔和透射区域图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度减少；
通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的掺杂半导体薄膜、半导体薄膜和栅绝缘层，形成数据线的连接线过孔的图形并在所述衬底基板上露出透射区域；
通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的掺杂半导体薄膜；
通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，形成有源层图形；
剥离剩余的光刻胶。
其中，所述步骤S14包括：
在所述图案化的栅绝缘层和有源层上形成第一透明导电薄膜；
采用普通掩模板通过构图工艺对所述第一透明导电薄膜进行处理，形成包括像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道的图形；
其中，所述源电极位于所述数据线的连接线上，所述漏电极与所述像素电极连接为一整体，所述数据线的连接线通过所述数据线的连接线过孔，将断开的数据线连接。
其中，所述步骤S15包括：
在所述像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道上形成钝化层；
采用普通掩模板通过构图工艺形成包括穿过所述钝化层和所述栅绝缘层的公共电极过孔的图形。
其中，所述钝化层包括：无机层和有机层交替平铺的至少两层结构。
其中，所述有机层采用光敏有机材料。
其中，所述步骤S16包括：
在所述设置有公共电极过孔的钝化层上形成第二透明导电薄膜；
采用普通掩模板通过构图工艺对所述第二透明导电薄膜进行处理，形成包括公共电极的图形，所述公共电极通过所述公共电极过孔与所述公共电极线连接。
其中，所述公共电极为狭缝结构。
本发明的实施例还提供一种透反式薄膜晶体管阵列基板，包括：形成在衬底基板上的栅线、数据线、公共电极线、反射电极、像素电极、公共电极和薄膜晶体管，所述反射电极所在的区域为反射区域，所述反射电极和所述公共电极线之间的区域为透射区域，所述栅线、数据线与反射电极同层设置且所述栅线与所述数据线相互垂直，所述数据线在经过所述栅线区域处断开，在被同一条栅线断开的位于同一条直线上的数据线之间设置有数据线的连接线，所述数据线的连接线将断开的数据线连接。
其中，所述栅线、数据线、反射电极上形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层开设有数据线的连接线过孔，所述数据线的连接线通过所述数据线的连接线过孔连接断开的数据线。
其中，所述像素电极和所述公共电极之间还形成有钝化层。
其中，所述钝化层包括：无机层和有机层交替平铺的至少两层结构。
其中，所述有机层采用光敏有机材料。
其中，所述公共电极为狭缝结构。
其中，上述阵列基板还包括：穿过所述钝化层和所述栅绝缘层的公共电极过孔，所述公共电极通过所述公共电极过孔与所述公共电极线连接。
本发明的实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的透反式薄膜晶体管阵列基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
上述方案中，在一次构图工艺中形成栅线、数据线、栅电极、公共电极线的同时形成反射电极，从而显著改善了强光下的显示效果以及反射区和透射区亮度不均的现象。
附图说明
图1为本发明的透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法的总体流程图；
图2为图1所示的方法的第一次构图工艺完成后的剖面图；
图3为图1所示的方法的第二次构图工艺完成后的剖面图；
图4为图1所示的方法的第三次构图工艺完成后的剖面图；
图5为图1所示的方法的第四次构图工艺完成后的剖面图；
图6为图1所示的方法的第五次构图工艺完成后的剖面图；
图7为图1所示方法中形成的阵列基板对光的反射及透射情况示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
如图1所示，本发明的实施例提供一种透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
S11，提供一衬底基板；
S12，在衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线的图形，其中，栅线和数据线垂直但不相交，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；
S13，在完成步骤S12的基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，由构图工艺形成包括图案化的栅绝缘层和位于栅绝缘层上的有源层的图形；
S14，在完成步骤S13的基板上形成第一透明导电薄膜，由构图工艺形成包括像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道的图形；
S15，在完成步骤S14的基板上形成钝化层，由构图工艺形成包括公共电极过孔的图形；
S16，在完成步骤S15的基板上形成第二透明导电薄膜，由构图工艺形成包括公共电极的图形，所述公共电极通过公共电极过孔与公共电极线连接。
本发明的上述实施例通过在衬底基板上形成栅线、数据线、栅电极时，在栅线与所述数据线限定出来的像素区域中同时形成反射电极以及所述透射区，相比于现有技术有效改善了强光下的显示效果。其中，现有的透射型显示模式下如果环境光是强光的话，会抵消背光源的光强，无法看清屏幕；而本发明通过形成栅线、数据线、栅电极时，同时形成反射电极，可以有效的加强背光光强，因此可以在强光下有效改善显示效果。
上述方法中步骤S11的具体实现过程如下：
提供一经过清洁处理的洁净衬底基板1，所述衬底基板1的材质可以选用玻璃、石英或者透明树脂，但不限于此。
如图2所示，为上述方法中步骤S12的具体实现过程，包括：
步骤S121，在所述衬底基板1上形成金属薄膜；
具体的，可以在衬底基板1上使用磁控溅射、沉积或者其他方法形成金属薄膜；
优选的，所述金属薄膜的厚度可以在至之间，金属薄膜的材料可以使用钼、铝、钕、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，也可使用上述几种金属材料的组合。
步骤S122，采用普通掩模板通过构图工艺对所述金属薄膜进行处理，形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线3、栅电极4、反射电极13以及公共电极线7的图形。
具体的，通过构图工艺，在金属薄膜上进行光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工序，形成包括栅线（图中无示出）、经过栅线区域处断开的数据线3、栅电极4以及反射电极13和公共电极线7的图形。
如图3所示，为上述方法中步骤S13的具体实现过程，包括：
步骤S131，在所述栅线、数据线3、栅电极4、反射电极13以及公共电极线7上形成栅绝缘层；
其中，可以使用化学气相沉积、涂敷或者其他方法形成一层薄膜作为栅绝缘层；
进一步地，所述薄膜的厚度优选在
Figure BDA00002417219300063
至之间。
步骤S132，在所述栅绝缘层上形成半导体薄膜9；
其中，可以在形成栅绝缘层的基板上用化学沉积、涂敷或者其他方法形成半导体薄膜9；
优选的，半导体薄膜9的厚度为
Figure BDA00002417219300065
至
Figure BDA00002417219300066
步骤S133，在所述半导体薄膜9上形成掺杂半导体薄膜10；
其中，可以在形成半导体薄膜9的基板上用化学沉积、涂敷或者其他方法形成掺杂半导体薄膜10；
优选的，掺杂半导体薄膜10的厚度为
Figure BDA00002417219300067
至
Figure BDA00002417219300068
步骤S134，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺对所述栅绝缘层、半导体薄膜9以及掺杂半导体薄膜10进行处理，形成包括图案化的栅绝缘层8和有源层的图形，包括半导体层9和掺杂半导体层10的有源层形成在栅绝缘层上并位于栅电极4的上方。
优选的，所述步骤S134的实现过程可以包括：
步骤S1341，在所述掺杂半导体薄膜9上涂敷一层光刻胶；
步骤S1342，采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域；光刻胶完全保留区域对应于有源层图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于数据线的连接线过孔和透射区域图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度减少；
步骤S1343，通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的掺杂半导体薄膜、半导体薄膜和栅绝缘层，形成数据线的连接线过孔14的图形并在所述衬底基板1上露出透射区域即形成图案化的栅绝缘层8；
步骤S1344，通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的掺杂半导体薄膜10；
步骤S1345，通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的掺杂半导体薄膜10和半导体薄膜9，形成有源层图形；
步骤S1346，剥离剩余的光刻胶。
其中，栅绝缘层可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体；
有源层包括半导体层9和掺杂半导体层10，并且有源层形成在栅绝缘层上并位于栅电极4的上方。
如图4所示，为上述方法中步骤S14的具体实现过程，包括：
步骤S141，在所述图案化的栅绝缘层和有源层上形成第一透明导电薄膜；
其中，可以使用磁控溅射、蒸渡或者其他方法形成第一透明导电薄膜。
步骤S142，采用普通掩模板通过构图工艺对第一透明导电薄膜进行处理，形成包括像素电极12、源电极5和漏电极6、断开的数据线的连接线和沟道15的图形；
其中，所述源电极5位于所述数据线的连接线上，所述漏电极6与所述像素电极12连接为一整体，所述数据线的连接线通过所述数据线的连接线过孔14，将断开的数据线连接；沟道15区域的掺杂半导体薄膜10被完全刻蚀掉，暴露出半导体薄膜9。
具体的，通过构图工艺，在第一透明导电薄膜上进行光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工序，形成包括像素电极12、源电极5和漏电极6、断开的数据线的连接线和沟道15的图形。沟道15可以与形成像素电极12、源电极5和漏电极6、断开的数据线的连接线的同一次刻蚀工艺中形成，因为掺杂半导体薄膜10的厚度要小于栅绝缘层的厚度，在进行形成像素电极12、源电极5和漏电极6、断开的数据线的连接线的工艺中进行过刻蚀，就可以形成沟道15；沟道15还可以在形成像素电极12、源电极5和漏电极6、断开的数据线的连接线的刻蚀工艺后再进行一次刻蚀工艺形成。
其中，像素电极12可以为板状结构或者狭缝结构；优选的，所述像素电极12为狭缝结构，这种狭缝结构与之前的像素电极相比，在狭缝两侧产生的电场线密度更大，因此在像素电极和公共电极之前对应产生的电场更强；
第一透明导电薄膜可以采用氧化铟锡（简称ITO）、氧化铟锌（IZO）或氧化铝锌，也可以采用其他透明金属氧化物。
如图5所示，为上述方法中步骤S15的具体实现过程，包括：
步骤S151，在所述像素电极12、源电极5、漏电极6、断开的数据线的连接线和沟道15上形成钝化层；
可以使用化学气相沉积、涂敷等其他方法在形成有所述像素电极12、源电极5和漏电极6、断开的数据线的连接线和沟道15的衬底基板上形成钝化层；
优选的，所述钝化层的厚度为
Figure BDA00002417219300081
至
Figure BDA00002417219300082
所述钝化层包括：无机层和有机层交替平铺的至少两层结构，如可以是无机－有机的两层结构，也可以是无机－有机－无机的三层结构。如图5所示为无机－有机的两层结构，所述钝化层包括无机层11和有机层17。
其中，钝化层的有机层17优选采用光敏有机材料，例如采用感光树脂材料或者其他材料，因此可以省略光刻胶的涂覆和剥离工艺。
其中，钝化层的无机层11可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体，有机层可以采用光敏材料，如感光树脂或其他有机材料，本实施例中的钝化层通过采用有机层与无机层形成无机-有机的两层或无机-有机-无机的多层钝化层结构，并最终达到上界面平整。
步骤S152，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括穿过所述钝化层和所述栅绝缘层的公共电极过孔16的图形。
具体的，通过构图工艺，在钝化层上进行光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工序，形成公共电极过孔16图形。若钝化层的上层采用光敏有机材料的有机层17，则可以省略光刻胶的涂覆和剥离工艺，直接进行曝光、显影、刻蚀工序，就能得到公共电极过孔16的图形。
该实施例中，采用无机-有机的两层钝化材料或者进一步采用无机-有机-无机的多层钝化层结构，一方面可以增加对上下层薄膜的附着力，作为一层缓冲区，另一方面，利用多层材料之间的层界面对反射光线中不同角度的折射，对进入钝化层的非垂直角度的光线进行角度的调整，较之前能以更大的光强通过上部的偏光片，减小由于反射区反射光线入射角度的原因在上偏光片和黑矩阵上的光损失，而且有机钝化层上下无机钝化层不局限于同一种无机材料。对于不同尺寸与用途的显示器件，应当对像素区域的反射区与透射区比例与钝化层的厚度进行相应的工艺调整，对于常用于户外显示等环境光强较大的反射显示为主体显示器件或其他反射区域（反射电极所对应的区域）大于显示区域（像素电极对应的区域）的20%的显示器件，可以采用的无机层11，同时采用2~10um以上厚度的有机层17进行光强调和，而对于显示区域的1%<反射区<显示区域的50%的其他显示器件，可以采用
Figure BDA00002417219300092
的无机层11，同时采用0~6um的有机层17，以达到最佳的显示效果，最大限度减小反射区与透射区的光强差；进一步的，有机层17采用光敏有机材料，能够有效对光强作出反应，从而改善反射区和透射区亮度不均的问题。
如图6所示，为上述方法中步骤S16的具体实现过程，包括：
步骤S161，在所述设置有公共电极过孔16的钝化层上形成第二透明导电薄膜；
其中，可以使用磁控溅射、蒸渡或者其他方法形成第二透明导电薄膜。
步骤S162，采用普通掩模板通过构图工艺对所述第二透明导电薄膜进行处理，形成包括公共电极18的图形，所述公共电极18通过所述公共电极过孔16与所述公共电极线7连接；
具体的，通过构图工艺，在第二透明导电薄膜上进行光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工序，形成包括公共电极18的图形。
其中，还可以直接采用剥离的方式形成公共电极18，所述公共电极18通过所述公共电极过孔16与所述公共电极线7连接。
优选的，所述公共电极18为狭缝结构，这种狭缝结构与之前的平板电极相比，在狭缝两侧产生的电场线密度更大，因此在像素电极和公共电极之间对应产生的电场更强。
本发明的上述实施列中，如图7所示，因为常见显示类型都是透射型显示，在这种显示模式下如果环境光是强光的话，会抵消背光源的光强，无法看清屏幕，本发明的实施例中，加入了反射电极部分之后，可以有效的加强背光光强，使其在强光下的显示效果得到明显的改善，另外，在本发明的实施例中的钝化层加入有机层之后，由于在有机层和无机层会产生界面，透射区域部分由于光源入射角垂直于界面，不会产生影响，而在反射区域部分，由于无机层的折射率较大，所以有机层的折射角较小，反射区域得到的光强较现有技术多，这种结构较现有结构在反射区的光强，本发明的实施例中，反射区与依靠背光源的透射区域光强更加接近。通过在第一次构图工艺形成栅线的同时形成反射电极。在连接数据线的同时（即用数据线的连接线通过连接线过孔14连接数据线时）形成源、漏电极，并且钝化层采用有机层与无机层相互结合的方式，从而显著改善了强光下的显示效果以及反射区和透射区亮度不均的现象。另外使用有机钝化层去除像素区与器件区高度差，减小成盒过程产生不良的概率，这是由于在成盒过程的取向工艺当中，由于像素区与器件区的高度差，在聚酰亚胺（PI）膜的摩擦取向工艺当中会造成很大的困难，产生不良，在这种结构当中由于减小了高度差，可以有效的避免这个问题。
再如图6所示，本发明的实施例还提供一种透反式薄膜晶体管（TFT）阵列基板，包括：一衬底基板1；形成于所述衬底基板1上的栅线、数据线3、反射电极13、公共电极线7、像素电极12、公共电极18和薄膜晶体管TFT，其中，所述反射电极13所在的区域为反射区域，所述反射电极13和所述公共电极线7之间的区域为透射区域2，栅线、数据线3与反射电极13同层设置且栅线与数据线3相互垂直，数据线3在经过栅线区域处断开，在被同一条栅线断开的位于同一条直线上的数据线3之间设置有数据线的连接线，数据线的连接线将断开的数据线3连接。
本发明的上述实施例通过在衬底基板上形成栅线、经过栅线区域时断开的数据线时，在栅线与所述数据线限定出来的像素区域中同时形成反射电极，有效改善了强光下的显示效果。
其中，栅线、数据线3以及反射电极13上形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层开设有数据线的连接线过孔14，所述数据线的连接线通过所述数据线的连接线过孔14连接断开的数据线3。
该实施列中，像素电极12可以为板状结构或者狭缝结构，像素电极12优选为狭缝结构。
进一步地，像素电极12和公共电极18之间还形成有钝化层。
其中，所述钝化层包括：无机层和有机层交替平铺的至少两层结构，具体的，包括：如图5或者图6所示的无机－有机的两层结构，还可以依据显示情况，该钝化层包括：无机－有机－无机形成的三层结构等。
其中，所述有机层优选为光敏有机材料，如采用感光树脂材料或者其他有机材料。
本发明的该实施例中的钝化层的结构，一方面可以增加对上下层薄膜的附着力，作为一层缓冲区，另一方面，利用多层材料之间的层界面对反射光线中不同角度的折射，对进入钝化层的非垂直角度的光线进行角度的调整，较之前能以更大的光强通过上部的偏光片，减小由于反射区反射光线入射角度的原因在上偏光片和黑矩阵上的光损失，而且有机层上下无机层不局限于同一种无机材料。对于不同尺寸与用途的显示器件，应当对像素区域的反射区与透射区比例与钝化层的厚度进行相应的工艺调整，对于常用于户外显示等环境光强较大的反射显示为主体显示器件或其他反射区域大于显示区域的20%的显示器件，可以采用
Figure BDA00002417219300111
的无机钝化层，同时采用2~10um以上厚度的有机层进行光强调和，而对于显示区域的1%<反射区<显示区域的50%的其他显示器件，可以采用
Figure BDA00002417219300112
的无机钝化层，同时采用0~6um的有机层，以达到最佳的显示效果，最大限度减小反射区与透射区的光强差；进一步的，有机层采用光敏有机材料，能够有效对光强作出反应，从而改善反射区和透射区亮度不均的问题。
优选的，所述公共电极18为狭缝结构。
其中，上述阵列基板还可以包括：穿过所述钝化层和所述栅绝缘层8的公共电极过孔16，所述公共电极18通过所述公共电极过孔16与所述公共电极线7连接。
本发明的实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的透反式薄膜晶体管阵列基板。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (18)

1.一种透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S11，提供一衬底基板；
S12，在所述衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线的图形，其中，栅线和数据线垂直，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；
S13，在完成步骤S12的基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，由构图工艺形成包括图案化的栅绝缘层和位于栅绝缘层上的有源层的图形；
S14，在完成步骤S13的基板上形成第一透明导电薄膜，由构图工艺形成包括像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道的图形；
S15，在完成步骤S14的基板上形成钝化层，由构图工艺形成包括公共电极过孔的图形；
S16，在完成步骤S15的基板上形成第二透明导电薄膜，由构图工艺形成包括公共电极的图形，所述公共电极通过公共电极过孔与公共电极线连接。
2.根据权利要求1所述的透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S12包括：
在所述衬底基板上形成金属薄膜；
采用普通掩模板通过构图工艺对所述金属薄膜进行处理，形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线的图形。
3.根据权利要求1所述的透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S13包括：
在所述栅线、数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；
采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺对所述栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜进行处理，形成包括图案化的栅绝缘层和有源层的图形。
4.根据权利要求3所述的透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺对所述栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜进行处理，形成包括图案化的栅绝缘层和有源层的图形包括：
在所述掺杂半导体薄膜上涂敷一层光刻胶；
采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域；光刻胶完全保留区域对应于有源层图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于数据线的连接线过孔和透射区域图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度减少；
通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的掺杂半导体薄膜、半导体薄膜和栅绝缘层，形成数据线的连接线过孔的图形并在所述衬底基板上露出透射区域；
通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的掺杂半导体薄膜；
通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，形成有源层图形；
剥离剩余的光刻胶。
5.根据权利要求1所述的透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S14包括：
在所述图案化的栅绝缘层和有源层上形成第一透明导电薄膜；
采用普通掩模板通过构图工艺对所述第一透明导电薄膜进行处理，形成包括像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道的图形；
其中，所述源电极位于所述数据线的连接线上，所述漏电极与所述像素电极连接为一整体，所述数据线的连接线通过所述数据线的连接线过孔，将断开的数据线连接。
6.根据权利要求1所述的透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S15包括：
在所述像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道上形成钝化层；
采用普通掩模板通过构图工艺形成包括穿过所述钝化层和所述栅绝缘层的公共电极过孔的图形。
7.根据权利要求6所述的透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述钝化层包括：无机层和有机层交替平铺的至少两层结构。
8.根据权利要求7所述的透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述有机层采用光敏有机材料。
9.根据权利要求1所述的透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S16包括：
在所述设置有公共电极过孔的钝化层上形成第二透明导电薄膜；
采用普通掩模板通过构图工艺对所述第二透明导电薄膜进行处理，形成包括公共电极的图形，所述公共电极通过所述公共电极过孔与所述公共电极线连接。
10.根据权利要求9所述的透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述公共电极为狭缝结构。
11.一种透反式薄膜晶体管阵列基板，包括：形成在衬底基板上的栅线、数据线、公共电极线、反射电极、像素电极、公共电极和薄膜晶体管，所述反射电极所在的区域为反射区域，所述反射电极和所述公共电极线之间的区域为透射区域，其特征在于，所述栅线、数据线与反射电极同层设置且所述栅线与所述数据线相互垂直，所述数据线在经过所述栅线区域处断开，在被同一条栅线断开的位于同一条直线上的数据线之间设置有数据线的连接线，所述数据线的连接线将断开的数据线连接。
12.根据权利要求11所述的透反式薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅线、数据线、反射电极上形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层开设有数据线的连接线过孔，所述数据线的连接线通过所述数据线的连接线过孔连接断开的数据线。
13.根据权利要求11所述的透反式薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素电极和所述公共电极之间还形成有钝化层。
14.根据权利要求13所述的透反式薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述钝化层包括：无机层和有机层交替平铺的至少两层结构。
15.根据权利要求14所述的透反式薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机层采用光敏有机材料。
16.根据权利要求11所述的透反式薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述公共电极为狭缝结构。
17.根据权利要求11-16任一项所述的透反式薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括：穿过所述钝化层和所述栅绝缘层的公共电极过孔，所述公共电极通过所述公共电极过孔与所述公共电极线连接。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11－17任一项所述的透反式薄膜晶体管阵列基板。
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