CN106058079A - 一种像素bank及其制作方法、发光二极管 - Google Patents

一种像素bank及其制作方法、发光二极管 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种像素bank及其制作方法、发光二极管，其中，像素bank的制作方法包括步骤：A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理；B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光；C、对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank；D、然后进行后烘，在像素bank上形成倾斜角；E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀，露出透明像素电极薄膜。本发明提高了产品品质，节约了制作成本；由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极，还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻，减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。

Description

一种像素bank及其制作方法、发光二极管
技术领域
本发明涉及发光材料领域，尤其涉及一种像素bank及其制作方法、发光二极管。
背景技术
在信息社会时代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
有机电致发光二极管（OLED）具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点；量子点发光二极管（QLED）光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，上述两种发光二极管成为了目前显示领域发展的两个主要方向。
目前，不论是OLED还是QLED，用作显示面板的发光像素单元时，都需要在像素单元制作像素bank（像素界定层），以定义发光区以及沉积各功能薄膜。
若采用传统的蒸镀工艺或者湿法工艺制作OLED或QLED，像素bank一般要求具有小角度倾斜结构，有利于后期膜层的沉积。像素bank一般采用光阻材料制备，负性光阻材料由于其成本相对于正性光阻材料要低，从降低成本的角度考虑，一般会采用负性光阻来制作像素bank。然而采用负性光阻制作像素bank时，容易形成倒角，如图1所示，先在基板100上依次沉积透明像素电极薄膜110和负性光阻薄膜120，然后依次进行曝光（结合曝光掩膜130进行曝光）、显影和后烘形成像素bank 140，其中，负性光阻曝光时，由于上层薄膜接收的曝光量相对要大于下层薄膜、因此曝光显影后容易形成倒角，经过后烘工艺后，与基板100接触的下层薄膜会软化重排，形成小角度倾斜结构，但上表面的倒角很难完全去除。而倒角的存在，在后期的薄膜沉积过程中，尤其是蒸镀顶电极时，容易引起薄膜断裂，形成缺陷，降低产品良率。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种像素bank及其制作方法、发光二极管，旨在解决现有像素bank上表面存在倒角、导致容易引起薄膜断裂，形成缺陷，降低产品良率的问题。
本发明的技术方案如下：
一种像素bank的制作方法，其中，包括步骤：
A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理；
B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光；
C、对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank；
D、然后进行后烘，在像素bank上形成倾斜角；
E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀，露出透明像素电极薄膜。
所述的像素bank的制作方法，其中，所述透明像素电极薄膜为导电金属氧化物薄膜。
所述的像素bank的制作方法，其中，所述导电金属氧化物薄膜为ITO、FTO或AZO薄膜。
所述的像素bank的制作方法，其中，所述反射金属薄膜为Al或Ag薄膜。
所述的像素bank的制作方法，其中，所述反射金属薄膜的厚度为20-40nm。
所述的像素bank的制作方法，其中，所述步骤A之前还包括：
对所述基板进行清洗。
所述的像素bank的制作方法，其中，所述步骤D中，后烘温度为220℃~240℃。
一种像素bank，其中，采用如上所述的制作方法制成。
一种发光二极管，其中，采用如上所述的像素bank。
所述的发光二极管，其中，所述发光二极管为有机电致发光二极管或量子点发光二极管.
有益效果：本发明通过在透明像素电极薄膜上端沉积一层反射金属薄膜，通过所述反射金属薄膜反射曝光过程中未被负性光阻吸收的光，提高负性光阻底部膜层的曝光量，弱化以致消除负性光阻薄膜上下两部分的光通量差异，防止负性光阻曝光显影后倒角的形成，结合后烘工艺，形成具有倾斜角的像素bank，本发明提高了产品品质，节约了制作成本；由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极，还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻，减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。
附图说明
图1为现有技术中像素bank的制作流程图。
图2为本发明一种像素bank的制作方法较佳实施例的流程图。
图3为本发明一种像素bank的制作流程图。
具体实施方式
本发明提供一种像素bank及其制作方法、发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图2，图2为本发明一种像素bank的制作方法较佳实施例的流程图，其包括步骤：
S1、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理；
S2、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光；
S3、对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank；
S4、然后进行后烘，在像素bank上形成倾斜角；
S5、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀，露出透明像素电极薄膜。
具体来说，如图3所示，首先在步骤S1中，在基板200上依次沉积透明像素电极薄膜210以及反射金属薄膜220；
所述透明像素电极薄膜210优选为导电金属氧化物薄膜，例如，所述导电金属氧化物薄膜为ITO、FTO或AZO薄膜等。
所述反射金属薄膜220优选为Al或Ag薄膜等，其具有高光学反射特性，所述反射金属薄膜220的厚度优选为20-40nm，例如25nm。其中，反射金属薄膜220的沉积方式为热蒸镀或溅射，优选热蒸镀方式，蒸镀速度0.05 ~ 2 nm/s。
在沉积完上述透明像素电极薄膜210以及反射金属薄膜220之后，进行图案化处理。
另外，在所述步骤S1之前还包括：
对所述基板100进行清洗。先依次置于丙酮，洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，各步处理可持续15分钟左右。所述基板100可以是玻璃基板或柔性基板。
在所述步骤S2中，在图案化的反射金属薄膜220上沉积负性光阻薄膜230，所述负性光阻薄膜230用于后续制作像素bank。然后利用曝光掩膜240进行曝光。在曝光过程中，负性光阻薄膜230由于会吸收光子，因此，负性光阻薄膜230上表面经受的曝光量相对大于下表面经受的曝光量，但由于透明像素电极薄膜210上有一层反射金属薄膜220，所述反射金属薄膜220会反射未被负性光阻薄膜230完全吸收的光子，从而对负性光阻薄膜230进行第二次曝光，第二次曝光的方向是由下而上，这样在第二次曝光的过程中负性光阻薄膜230下表面的曝光量大于上表面的曝光量，这样既可实现弱化以致消除负性光阻薄膜230上下两表面曝光量的差异。
在所述步骤S3中，对负性光阻薄膜230进行显影，形成像素bank 250。由于负性光阻薄膜230上下表面经受的曝光量差异较小，显影后形成的像素bank 250，其形成接近于90°的直角结构，而不会出现倒角现象。其中，显影用的显影液可以为标准的2.38%TMAH（四甲基氢氧化铵），显影时间为30-90 s。
在所述步骤S4中进行后烘，由于后烘温度较高，接近基板100表面的像素bank 250会软化重排，形成倾斜角。具体地，后烘温度为220℃~240℃，例如后烘温度为230℃，后烘时间为20 ~ 30 min，例如优选为30min，在上述条件下，像素bank 250重排后可形成开口扩张的倾斜角，且角度适宜。
在所述步骤S5中，以像素bank 250为掩膜对反射金属薄膜220进行刻蚀，最终露出透明像素电极薄膜210。
本发明还提供一种像素bank，其采用如上所述的制作方法制成。
本发明还提供一种发光二极管，其采用如上所述的像素bank。
进一步，所述发光二极管为有机电致发光二极管或量子点发光二极管
综上所述，本发明通过在透明像素电极薄膜上端沉积一层反射金属薄膜，通过所述反射金属薄膜反射曝光过程中未被负性光阻吸收的光，提高负性光阻底部膜层的曝光量，弱化以致消除负性光阻薄膜上下两部分的光通量差异，防止负性光阻曝光显影后倒角的形成，结合后烘工艺，形成具有倾斜角的像素bank，本发明提高了产品品质，节约了制作成本；由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极，还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻，减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素bank的制作方法，其特征在于，包括步骤：
A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理；
B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光；
C、对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank；
D、然后进行后烘，在像素bank上形成倾斜角；
E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀，露出透明像素电极薄膜。
2.根据权利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述透明像素电极薄膜为导电金属氧化物薄膜。
3.根据权利要求2所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述导电金属氧化物薄膜为ITO、FTO或AZO薄膜。
4.根据权利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述反射金属薄膜为Al或Ag薄膜。
5.根据权利要求4所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述反射金属薄膜的厚度为20-40nm。
6.根据权利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述步骤A之前还包括：
对所述基板进行清洗。
7.根据权利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述步骤D中，后烘温度为220℃~240℃。
8.一种像素bank，其特征在于，采用如权利要求1~9任一项所述的制作方法制成。
9.一种发光二极管，其特征在于，采用如权利要求8所述的像素bank。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为有机电致发光二极管或量子点发光二极管。
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