CN102654691A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及液晶显示装置及其制造方法，具体涉及在使用光取向的IPS方式的液晶显示装置中，防止取向膜被柱状衬垫刮削。在形成于对置基板(200)上的柱状衬垫(204)与TFT基板(100)接触的部分形成比像素电极(108)高的底座(114)。在像素电极(108)及底座(114)上涂布二层结构的取向膜(113)时，由于流平效果，从而底座(114)上的取向膜(113)变薄。在该状态下进行光取向时，底座上的光分解的上配向膜(112)消失，机械强度大的下取向膜(111)残留。因此，能够防止取向膜的刮削。另一方面，由于在像素电极(108)上，上取向膜(112)原本就厚，所以能够确保用于使液晶取向的规定的膜厚。

Description

液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置，尤其是涉及一种具备由光的照射赋予取向膜取向控制功能的液晶显示面板的液晶显示装置。
背景技术
在液晶显示装置中，设置有矩阵状地形成有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的TFT基板，和与TFT基板对置并在与TFT基板的像素电极对应的位置形成有彩色滤光片等的对置基板，在TFT基板和对置基板之间夹持液晶。而且，通过逐个像素控制液晶分子的光透射率而形成图像。
由于液晶显示装置扁平且轻量，因而在从TV等大型显示装置到手机或DSC(Digital Still Camera)等各种各样的领域中用途广泛。另一方面，在液晶显示装置中有视角特性问题。视角特性是在从正面或者斜方向看画面时，有亮度变化或色度变化的现象。关于视角特性，通过水平方向的电场使液晶分子动作的IPS(In Plane Switching)方式具有优异的特性。
作为对液晶显示装置中使用的取向膜进行取向处理，即赋予取向控制功能的方法，作为现有技术有采用摩擦处理的方法。采用该摩擦进行的取向处理，是通过用布擦拭取向膜来进行取向处理的方法，但是，另一方面，也有不接触取向膜而赋予取向控制功能的所谓光取向法的手法。由于IPS方式中，预倾角越小，性能越优异，所以光取向法较有利。
另一方面，在液晶显示装置中，控制TFT基板和对置基板之间的间隔很重要。TFT基板和对置电极之间的间隔大多是采取通过在对置基板上形成柱状衬垫，而在TFT基板上形成支承柱状衬垫的底座来进行控制的方法。近年来，多用采用触摸面板的液晶显示装置。当触摸液晶显示装置时，液晶显示面板上的TFT基板和对置基板之间的间隔会发生变化，或柱状衬垫和底座之间的位置关系会发生错离。这样会发生，在图像上出现渗色现象，或出现色斑的触摸不良。
在专利文献1中，记载有在液晶显示装置中，使底座的面积小于柱状衬垫的面，使柱状衬垫和底座的位置关系不发生变动的结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1(日本)特开2007-164134号公报
发明内容
发明要解决的问题
在使用柱状衬垫的情况下，在柱状衬垫和在TFT上形成的底座之间也形成有用于使液晶初期取向的取向膜。当用手指等触摸液晶显示装置时，就会在柱状衬垫和底座之间施加应力，刮削取向膜，会产生出现刮削屑的现象。这样的刮削屑会引起显示区域上的亮点的发生。在专利文献1中没有记载该问题点和对策。
有时光取向膜以两层结构形成。即，上层由容易通过紫外线引起光取向且以包含环丁烷的聚酰胺酸酯为前体的材料形成，下层由机械强度强且以不包含环丁烷的聚酰胺酸为前体的材料形成。
[化学式1]为包含环丁烷的聚酰胺酸酯的结构式。
(化学式1)
Figure BDA0000140118940000021
在[化学式1]中，Ar为2价的芳香族基，R为碳原子数1～8的烷基，X1～X4分别独立地为氢或者碳原子数为1～3的烷基。
[化学式2]为不包含环丁烷的聚酰胺酸的结构式。
(化学式2)
在[化学式2]中，Y为2价的有机基，Z为环丁烷以外的4价的有机基。
图16为使用这样的两层的取向膜的情况下的液晶显示装置的剖面示意图。在图16中，在由玻璃形成的TFT基板100上形成有钝化膜107。在钝化膜107和TFT基板100之间形成有公共电极等多个层，但在图16中被省略。在钝化膜107上形成有像素电极108。覆盖像素电极108而形成有由下取向膜111及上取向膜112两层构成的取向膜113。上取向膜112由以聚酰胺酸酯为前体的、具有光反应性的材料形成，由于光反应而膜厚减少，而且机械强度也变弱。另一方面，下取向膜111由以聚酰胺酸为前体的不产生光反应的材料而形成，紫外线照射后膜厚也不减少。
在图16中，在对置基板200上形成有黑矩阵201和彩色滤光片202。在黑矩阵201及彩色滤光片202的上面形成有罩面膜203，但在图16中被省略。形成彩色滤光片202的部分为透射区域400，由从透射区域400透射的光形成图像。黑矩阵201形成的部分为非透射区域500。
在图16中，在黑矩阵201上形成用于规定TFT基板100和对置基板200的间隔的柱状衬垫204。柱状衬垫204的前端与TFT基板100上的上取向膜112接触，而且在该部分形成有与像素电极108同样的材料的底座114。但是，底座上端的高度与像素电极上端的高度相同。
上取向膜112通过紫外线照射会产生光降解反应，使分子量下降，从而取向膜强度下降。在对于这样的液晶显示装置，实施例如温度在-40℃～85℃范围变化的热冲击试验时，在底座114部分，上取向膜112剥离，产生起因于该刮削屑的微小亮点。在图16的虚线围成的区域R中，产生取向膜的刮削屑。即，认为由于热冲击试验产生的面板的面内温度分布，而使面板反复翘曲，形成于对置基板200侧的柱状衬垫204刮削TFT基板100侧的底座114上的取向膜113，由于该取向膜113的碎片在液晶中浮游，而产生亮点。
因此，本发明的课题为防止在使用光取向的液晶显示装置中，出现由于刮削取向膜而产生的亮点。
解决问题的方法
本发明的目的在于克服上述的问题，并且代表性的措施如下。即，一种液晶显示装置，其是在由扫描线和视频信号线围成的区域形成像素，在所述像素上形成在绝缘膜上形成的像素电极，在所述像素电极上形成经由TFT供给视频信号的TFT基板，和与所述TFT对置地形成对置基板，在所述TFT基板和所述对置基板之间夹持液晶层，其特征在于，在所述对置基板上形成有用于保持与所述TFT基板的间隔的柱状衬垫，在所述TFT基板上形成有与所述柱状衬垫的前端对置的底座，以覆盖所述底座、所述像素电极、所述绝缘膜的方式形成取向膜，所述取向膜被实施光取向处理，所述底座的上端比所述像素电极的上端更高，所述取向膜由以聚酰胺酸为前体的下取向膜和以聚酰胺酸酯为前体的上取向膜形成，在设所述下取向膜的膜厚为p1，所述上取向膜的膜厚为p2时，所述底座上的p2/p1比所述绝缘膜上的p2/p1小。
发明效果
根据本发明，在具有柱状衬垫，且使用光取向膜的液晶显示装置中，由于能够防止因柱状衬垫对取向膜进行的刮削，所以能够提高液晶显示装置的制造成品率。另外，由于能够防止出库后的起因于温度周期，柱状衬垫对取向膜造成的刮削，所以能够防止在市场上产生不良产品。
附图说明
图1是示出本发明的涂布有取向膜的状态的TFT基板的剖面图；
图2是示出对于图1施加光取向处理后的状态的TFT基板的剖面图；
图3是示出对于图2，配置对置基板的状态的液晶显示装置的剖面图；
图4是实施例1的像素部的平面图；
图5是图4的A-A剖面图；
图6是实施例2的像素部的平面图；
图7是图6的B-B剖面图；
图8是实施例3的像素部的平面图；
图9是图8的C-C剖面图；
图10是实施例4的像素部的平面图；
图11是图10的D-D剖面图；
图12是图10的E-E剖面图；
图13是底座的形状的例子；
图14是底座的形状的其他例子；
图15是底座的形状的另外的其他例子；
图16是不使用本发明的液晶显示装置的剖面图。
符号说明
10...扫描线，20...视频信号线，100...TFT基板，101...公共电极，102...公共线，103...栅极绝缘膜，104...半导体层，105...漏电极，106...源电极，107...钝化膜，108...像素电极，109...通孔，111...下取向膜，112...上取向膜，113...配向膜，114...底座，115...底座下面，113...底座上面，200...对置基板，201...黑矩阵，202...彩色滤光片，203...罩面膜，204...柱状衬垫，300...液晶层，400...透射区域，500...非透射区域，1011...导电层，1141...像素电极底座，1142...半导体底座，1143...视频信号线底座
具体实施方式
图1～3为示出了形成本发明的主要部分的工艺的TFT基板100侧的剖面图。图1中，在由玻璃形成的TFT基板100上形成有钝化膜107。在图1中省略在钝化膜107和TFT基板100之间形成的层。图1中，在钝化膜107上形成有像素电极108。形成有像素电极108的部分为像素区域。
在未形成像素电极108的部分形成有用于柱状衬垫204的底座114。底座114部分由与像素电极108同样的材料形成的膜和其他膜形成。因此，底座114的前端比像素电极108的前端高。形成覆盖像素电极108及底座114的取向膜113。
取向膜113，由不具有光反应性但机械强度强的以聚酰胺酸为前体的下取向膜111、和具有光反应性的以聚酰胺酸酯为前体的上取向膜112形成。取向膜材料为以4∶6混合了聚酰胺酸酯和聚酰胺酸的材料，将该材料涂布到像素电极108等上时，上下层分离，上层成为聚酰胺酸酯，下层成为聚酰胺酸。由于聚酰胺酸酯的量比聚酰胺酸的量少，因此上取向膜112与下取向膜111相比稍薄。另外，由于底座114部分与像素电极108的部分相比高度较高，因此，由于流平效果，底座114部分的取向膜113的厚度较小。然后，在200～230℃左右的温度下烧结涂布的取向膜113。图1示出该状态。
图2为示出对图1的状态的取向膜113照射紫外线，对以聚酰胺酸酯为前体的上取向膜112照射紫外线而施加取向处理的状态的剖面图。当进行紫外线照射时，上取向膜112由于产生光降解反应，分子量下降，膜强度也下降。另外，产生光降解反应的上取向膜112的一部分蒸发。因此，上取向膜112的厚度有一定量变小。
由于底座114部分的取向膜113原本就较薄，所以上取向膜112也比其他部分的取向膜更变小。因此，当上取向膜112由于光反应分解而蒸发时，如图2所示地，在底座114部分，上取向膜112几乎消失。另一方面，以聚酰胺酸为前体的下取向膜111，由于不进行光反应，因此下取向膜111维持最初的厚度和强度。因此，在底座114上，机械强度高的下取向膜111的成分压倒性地变大。
另一方面，除像素部等、底座114以外，取向膜113维持2层构造。即，即便在像素部上，上取向膜112也产生光反应，进行光取向处理，上取向膜112的一部分蒸发，膜厚有一定量变小。但是，在像素区域，由于与底座114部分相比较原本上取向膜112的厚度就大，因此，即便一部分蒸发，上配向膜也会维持用于使液晶分子取向的规定的膜厚。
图3为示出相对于如上形成的TFT基板100组合了形成有柱状衬垫204的对置基板200的状态的剖面图。图3中，在TFT基板100和对置基板200之间夹持有液晶层300。图3中的TFT基板100侧的结构如在图2中说明的那样。在对置基板200上形成有形成非透射区域500的黑矩阵201和形成透射区域400的彩色滤光片202。在图3中，省略罩面膜203。另外，在对置基板200上也形成有取向膜113，但在图3中省略。在形成有图3的黑矩阵201的部分形成有柱状衬垫204。
柱状衬垫204的前端虽然与TFT基板100的底座114部分接触，但是该部分的取向膜113如在图2中说明的那样，基本上由以机械强度强的聚酰胺酸为前体的下取向膜111构成。即，由于以机械强度弱的聚酰胺酸酯为前体的上取向膜112基本上不存在，所以能够将柱状衬垫204导致的取向膜113刮削发生的概率降为很小。另一方面，由于在与底座114部分对应的对置基板200上形成有黑矩阵201，所以即便液晶分子没有受到初期取向，也不会产生漏光。
这样，根据本发明，能够防止柱状衬垫204与光取向膜113接触导致的取向膜113的刮削。另外，能够防止由于该刮削屑而产生亮点。使用下面IPS方式的液晶显示装置的实施例说明本发明的具体的构成。
实施例1
图4为实施例1的像素部的平面图，图5为与图4的A-A剖面对应的液晶显示装置的剖面图。图4中，在由扫描线10和视频信号线20围成的区域形成有像素。像素中，在下侧以平面满面(ベタ)形成有由ITO(Indium TinOxide)形成的公共电极101，在公共电极101的端部重叠形成有用于向公共电极101供给公共电位的公共线102。在公共电极101上夹着绝缘膜形成有具有狭缝的像素电极108。当向像素电极108供给视频信号时，在与公共电极101之间，经由狭缝在液晶层300上产生电力线，由此，通过旋转液晶分子，控制来自背光源的光的量，由此形成图像。
图4中，在扫描线10上形成有TFT。在扫描线10上，夹着栅极绝缘膜形成有半导体层104。漏电极105为视频信号线20分支的电极。与漏电极105对置地形成有源电极106，源电极106在像素区域延伸，经由通孔109与像素电极108导通。
图4中，在扫描线10上形成有使用了与像素电极108同样材料的底座114。以后将该底座114称为像素电极底座1141。在像素电极底座1141和扫描线10之间存在绝缘膜。另外，在像素电极底座1141上形成有取向膜113。形成于对置基板200的柱状衬垫204的前端与对应于像素电极底座1141的部分接触。
图5为与图4的A-A剖面对应的液晶显示装置的剖面图。图5中，在TFT基板100的外侧形成有下偏振片120，在对置基板200的外侧形成有上偏振片220。在TFT基板100和对置基板200之间夹持有液晶层300。图5中，在TFT基板100上形成有透明电极即由ITO形成的公共电极101。在公共电极101的端部重叠有用于向公共电极101供给公共电位的公共线102。公共电极101与扫描线10绝缘地形成。
扫描线10为二层结构，下层由与公共电极101同样的ITO的导电层1011形成，上层由与公共线102同样的金属形成。形成扫描线10的金属为例如Mow或者Al合金等。
覆盖扫描线10及公共电极101而形成栅极绝缘膜103，在栅极绝缘膜103上形成有钝化膜107。在钝化膜107上通过透明电极即ITO形成像素电极108。另一方面，在扫描线10上的钝化膜107上，也形成有由与像素电极108同样由ITO形成像素电极底座1141。由图5得知，像素电极底座1141的上端比像素电极108的上端更高。
由于以此状态涂布取向膜113，因此如图1所示，像素电极底座1141上的取向膜113变薄，当为了对该取向膜113进行光取向而照射紫外线时，以聚酰胺酸酯为前体的上取向膜112就在像素电极底座1141上几乎消失。因此，在像素电极底座1141上主要存在以机械强度强的聚酰胺酸为前体的下取向膜111，即便柱状衬垫204接触，也不容易产生刮削。因此，不容易产生起因于取向膜113的刮削屑导致的亮点。另一方面，在高度低的像素电极108部分，由于取向膜113较厚，所以即便在通过紫外线照射进行了光取向后，也能够维持取向膜113的二层结构。即，由于存在规定的膜厚的光取向处理后的上取向膜112，所以能够使液晶分子取向。
图5中，在对置基板200上形成有黑矩阵201和彩色滤光片202。由于黑矩阵201覆盖像素电极底座1141部分，因此在该部分，即便液晶不取向，来自背光源的光也不会透射。图5中，覆盖彩色滤光片202而形成罩面膜203，在罩面膜203上形成柱状衬垫204。
覆盖罩面膜203及柱状衬垫204而形成取向膜113。对置基板200侧的取向膜113也为二层结构，但是在图5中，为了避免将附图复杂化，将取向膜113绘制为一层。当在对置基板200上涂布取向膜113时，罩面膜203上虽然形成规定的膜厚的取向膜113，但是由于柱状衬垫204高，所以因流平效果而在柱状衬垫204的前端，取向膜113基本上不存在。另外，假设即使在柱状衬垫204的前端残留配向膜113，通过为了进行光取向而照射紫外线，以聚酰胺酸酯为前体的上取向膜112也会消失，而主要残存有以机械强度强的聚酰胺酸为前体的下取向膜111。因此，不会有由于在柱状衬垫204侧残留的取向膜113的刮削而产生亮点的情况。
这样，无论在TFT基板100上还是在对置基板200上，在柱状衬垫204与TFT基板100侧接触的部分，均成为如下构造，以聚酰胺酸酯为前体的上取向膜112基本不存在，难以出现因取向膜113的刮削屑造成的亮点产生。
实施例2
图6为实施例2的像素部的平面图。图6的结构除底座114部分外与图4相同。图6中，底座114为像素电极底座1141和半导体的底座即半导体底座1142的复合底座。由此，底座114的前端比实施例1中的相应提高，更容易产生涂布取向膜113时的流平效果。
图7为与图6的B-B剖面对应的液晶显示装置的剖面图。除在扫描线10上形成的底座部分外与图5相同。图7中，在扫描线10上的栅极绝缘膜103上形成半导体，这成为半导体底座1142。在半导体底座1142上形成有钝化膜107，在钝化膜107上，与实施例1同样地形成有像素电极底座1141。即，在本实施例中，底座114由半导体底座1142和像素电极底座1141两者构成，与实施例1相比，底座114的高度变高。因此，能够更有效地产生涂布取向膜113时的流平的效果。因此，在柱状衬垫204的前端接触的部分，上取向膜112存在的概率更小，取向膜113剥离的概率也更小。
实施例3
图8为实施例3的像素部的平面图。图8的结构除底座114部分外与图6同样。图8中，底座114为像素电极底座1141和与视频信号线20同样的材料构成的底座即视频信号线底座1143的复合底座。由此，底座114的前端比实施例1中相应变高，因此，更容易产生涂布取向膜113时的流平效果。
图9为对应于图8的C-C剖面的液晶显示装置的剖面图。除在扫描线10上形成的底座部分以外，与实施例2的图7相同。图9与图7虽然都为复合底座，但图9与图7的不同点在于，在图9中复合底座的下侧并非为半导体底座1142，而为视频信号线底座1143。
在实施例3中，与实施例1相比，由于存在视频信号线底座1143，底座114的前端提高了相应的高度，因此，能够更有效地产生涂布取向膜113时的流平效果。因此，在柱状衬垫204的前端接触的部分，上取向膜112存在的概率变小，而且取向膜113剥离的概率也变小。
实施例4
图10为实施例4的像素部的平面图。图10的结构除底座114部分外，与实施例1的图4相同。在本实施例中，底座114形成于视频信号线20上。这是为了进一步提高底座114的高度，进一步增大涂布取向膜113时的流平效果。在对置基板200中，与底座114的位置对应，柱状衬垫204的位置也与实施例1等不同。
图11为图10的D-D剖面图，图12为图10的E-E剖面图。图11为形成有底座114的部分的剖面图，图12为形成有像素电极108的部分的剖面图。在形成有底座114的部分的剖面，即如图11中，在从TFT基板100的表面到像素电极底座1141的上面，形成有导电层1011、扫描线10、栅极绝缘膜103、视频信号线20、钝化膜107、像素电极底座1141这6层。与此对应，像素部分的剖面即图12中，自TFT基板100的表面起，仅形成有公共电极101，栅极绝缘膜103，钝化膜107，像素电极108这4层。
因此，从TFT基板100的表面起到图11的底座114上部的距离t2与从TFT基板100的表面起到图12的像素电极108的上部的距离t1相比，大一定的值，该值为扫描线10的厚度和视频信号线20的合计厚度。由此，能够充分地产生涂布取向膜113时的流平效果。其结果是，在通过紫外线照射进行光取向后，如图11所示，在柱状衬垫204接触的底座114部分上取向膜112基本不存在，仅存在机械强度强的下取向膜111。另一方面，由于像素电极108部比底座114部分低，所以能够维持取向膜113的2层结构，能够产生由上取向膜112对液晶分子的初期取向。
这样，在本实施例中，也能够一边维持对液晶分子的初期取向效果，一边防止柱状衬垫204对取向膜113造成的刮削，从而可防止亮点的发生。
实施例5
在实施例1～4中，已结合液晶显示装置的像素部分的结构说明了本发明，而在本实施例中，是更详细地对底座114的部分的形状和取向膜113的成分进行说明。图13为底座114的平面形状是正方形的情况。图13(a)为平面图，图13(b)为图13(a)的F-F剖面图。图13中，底座114的剖面为梯形。即，底座上面116与底座下面115相比尺寸小。这种情况下，将底座114的最狭窄部分的尺寸称作为上面的尺寸即w。另外，图13(b)中，底座114的高度h，例如，参照图1时，则称为像素区域的像素电极108的上面和底座114的上面的高度之差。
图14为底座114的平面是长方形的情况。图14(a)为底座114的平面图，图14(b)为图14(a)的G-G剖面图。在图14中，底座114的最狭窄部为底座上面116的短边w。另外，图14(b)中的底座114的高度h的定义与图13相同。
图15为底座114是圆形的情况。图15(a)为底座114的平面图，图15(b)为图15(a)的H-H剖面图。图15中，底座114的最狭窄部为底座114的上面的直径w。另外，图15(b)中的底座114的高度h的定义与图13相同。
在以上的底座114的例子中，底座114的剖面为梯形，但也可以为矩形。另外，以上的底座114是为了示出高度、最狭窄部等的例子的情况，但是底座114的形状并不限定于上述三个例子。
本发明的特征在于，在底座114上尽可能地减少上取向膜112的存在，机械强度强的下取向膜111与柱状衬垫204接触，在像素电极108上，仅将取向膜112维持在足以使液晶分子取向的膜厚，维持二层结构。为了实现这样的结构，底座114的形状，取向膜113的涂布厚度，取向膜113材料中的聚酰胺酸酯和聚酰胺酸的配合比率很重要。
在此，导入下面的参数。
a：作为底座高宽比，底座高度h/底座最狭窄部的宽度w
b：底座上的取向膜膜厚/像素区域的绝缘膜上的取向膜膜厚。在此像素区域中的绝缘膜在实施例1-4等中为钝化膜107，也有时取代钝化膜107而存在其他的绝缘膜。
c：取向膜材料的聚酰胺酸酯的比率。在此，取向膜材料为聚酰胺酸酯和聚酰胺酸的混合物，c为其中的聚酰胺酸酯的比例。即，在设聚酰胺酸酯的量为x，聚酰胺酸的量为y的情况下，c＝x/(x+y)。c为0.2＜c＜0.8，更优选为0.3＜c＜0.7。
d：像素区域的绝缘膜上的取向膜膜厚d。d为30nm＜d＜150nm，更优选为40nm＜d＜130nm。但是，需要满足cd＞10nm。该d为光取向后的膜厚，即，液晶显示装置中的膜厚。即，在像素区域中，使以聚酰胺酸酯为前体的上取向膜112残存10nm以上，以充分地维持对于液晶的初期取向功能。
在如上述那样地定义了a、b、c、d的情况下，取向膜材料的聚酰胺酸酯的比率c和其他的参数的关系为c＜80/(b(d+40))。更优选为c＜60/(b(d+40))。但是，在底座114的最狭窄部w为10μm以下时，b＝0.9，在底座114的最狭窄部w为10μm以上时，b＝1/(13.9(a+0.08))+0.1，而且b＜0.9。
如上所述，通过选择底座形状、取向膜材料、取向膜膜厚，就能够得到如实施例1～4所示的液晶显示装置的结构。具体地叙述通过如以上的制造方法制造的液晶显示装置的长处如以下所示。
A：上取向膜112和下取向膜111的膜厚的比例在底座114上和像素区域中的绝缘膜上不同。即，底座114上的上取向膜112的比例比像素区域中的绝缘膜上的小。
B：以底座114上的取向膜113中的聚酰胺酸酯为前体的上取向膜112的比率为0.3以下，更优选0.2以下，进一步优选0.1以下。
C：以底座114上的取向膜113中的聚酰胺酸酯为前体的上取向膜112的膜厚为30nm以下，更优选为20nm以下，进一步优选为10nm以下。
根据以上所示的结构，在使用光取向膜113的液晶显示装置中，能够抑制由柱状衬垫204导致的取向膜剥离，防止由取向膜的剥离屑导致的亮点的发生。另外，在实施例1～4中记载的底座114为例子，也可以复合上述1～4中记载的底座114来使用。即，作为底座114通过重叠像素电极底座1141、半导体底座1142、视频信号线底座1143等而使用的方式，则更能够增高底座114的高度，更能够增强取向膜113的流平效果，从而提高本发明的效果。另外，在视频信号线20上，能够复合使用像素电极底座1141、半导体底座1142。

Claims (12)

1.一种液晶显示装置，该装置在由扫描线和视频信号线围成的区域形成像素，所述扫描线在第一方向上延伸且在第二方向上排列，所述视频信号线在第二方向上延伸且在第一方向上排列，在所述像素上形成有形成在绝缘膜上的像素电极，在所述像素电极上形成经由TFT供给视频信号的TFT基板和与所述TFT对置的对置基板，在所述TFT基板和所述对置基板之间夹持液晶层，其中，
在所述对置基板上形成有用于保持其与所述TFT基板的间隔的柱状衬垫，
在所述TFT基板上形成有与所述柱状衬垫的前端对置的底座，且以覆盖所述底座、所述像素电极、所述绝缘膜的方式形成取向膜，
所述取向膜被实施了光取向处理，
所述底座的上端比所述像素电极的上端高，
所述取向膜由以聚酰胺酸为前体的下取向膜和以聚酰胺酸酯为前体的上取向膜形成，在设所述下取向膜的膜厚为p1，所述上取向膜的膜厚为p2时，
所述底座上的p2/p1比所述绝缘膜上的p2/p1小。
2.按照权利要求1所述的液晶显示装置，其中，在所述底座上，p2/(p1+P2)为0.3以下。
3.按照权利要求1所述的液晶显示装置，其中，在所述底座上，p2/(p1+P2)为0.2以下。
4.按照权利要求1所述的液晶显示装置，其中，在所述底座上，p2/(p1+P2)为0.1以下。
5.按照权利要求1所述的液晶显示装置，其中，在所述底座上，p2为30nm以下。
6.按照权利要求1所述的液晶显示装置，其中，在所述底座上，p2为20nm以下。
7.按照权利要求1所述的液晶显示装置，其中，在所述底座上，p2为10nm以下。
8.按照权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述底座形成于所述扫描线上，作为底座的构成要素，包含与像素电极相同的材料、或者与所述TFT的半导体层相同的材料、或者与所述视频信号线相同的材料。
9.按照权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述底座形成于所述视频信号线上，作为构成底座的材料，包含与像素电极相同的材料、或者与所述TFT的半导体层相同的材料。
10.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置，在由扫描线和视频信号线围成的区域形成像素，所述扫描线是在第一方向上延伸且在第二方向上排列的扫描线，所述视频信号线是在第二方向上延伸且在第一方向上排列的视频信号线，在所述像素上形成有形成在绝缘膜上的像素电极，在所述像素电极上形成经由TFT供给视频信号的TFT基板和与所述TFT对置的对置基板，在所述TFT基板和所述对置电极之间夹持液晶层，其中，
在所述对置基板上形成用于保持其与所述TFT基板的间隔的柱状衬垫，
在所述TFT基板上形成与所述柱状衬垫的前端对置的底座，且以覆盖所述底座、所述像素电极、所述绝缘膜的方式形成取向膜，
所述取向膜被实施光取向处理，
所述底座的上端比所述像素电极的上端高，
所述取向膜由以聚酰胺酸为前体的下取向膜和以聚酰胺酸酯为前体的上取向膜形成，
设所述底座的上端和所述像素电极的上端的高度之差为所述底座的高度h，设所述底座的最狭窄部的宽度为w时，a＝h/w，
设所述底座上的取向膜的膜厚为q2，所述像素区域中的绝缘膜上的取向膜的膜厚为q1时，b＝q2/q1，
设取向膜材料中的聚酰胺酸酯的量为x，聚酰胺酸的量为y的情况下，
c＝x/(x+y)，
在设所述像素区域中的绝缘膜上的取向膜的膜厚为d时，所述c为c＜80/(b(d+40))且0.2＜c＜0.8。
11.按照权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法，其中，所述c为0.3＜c＜0.7。
12.按照权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法，其中，所述c为c＜60/(b(d+40))。
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