CN111176025A - 一种显示组件及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于显示技术领域,提供了一种显示组件及显示装置,包括相对设置的第一基板和第二基板;第一基板包括第一基层;主间隔物及辅隔垫物,第二基板包括第二基层,保护层,半导体垫块和透明导电垫块,设置于保护层内部和表面,与主间隔物对应;凹槽开设于保护层,与辅间隔物对应。本发明在第二基板的第二基层上设置半导体垫块和透明导电垫块,在第二基板的保护层上开设凹槽,辅间隔物与凹槽相对且可伸入凹槽,使得面板的段差得以增大,增大量为半导体垫块和透明导电垫块的厚度与凹槽的深度之和,进而有效的增大了段差,增大液晶冗余,提升面板品质。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域,特别涉及一种显示组件及显示装置。
背景技术
液晶显示组件主要由彩色滤光片(Color Filter,CF)基板和薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,TFT)阵列基板间隔一定距离对组且密封周边形成,这种由两块基板对盒形成的结构也称为液晶盒,盒内填充液晶材料。其中,CF基板是实现液晶显示器的色彩显示的关键材料,同时还影响显示亮度、对比度等光学特性。CF基板主要包括玻璃基板(GlassSubstrate,GS)、黑矩阵(Black Matrix,BM)、色阻(Color Resist,CR)、ITO(Indium TinOxides,铟锡氧化物)和柱状间隔物(Post Spacer,PS)。PS用于维持TFT基板与CF基板之间的间隙稳定。
液晶盒内一般有两种PS,一种是正常情况下维持液晶盒间隙的主PS(Main-PS,MPS),另外一种是在液晶盒厚变小时起到支撑作用的辅PS(Sub-PS,SPS)。在非正常情况下,例如当温度过高时,液晶体积膨胀,MPS支撑力减小,液晶膨胀后会局部聚集在一起出现重力Mura(亮度不均、斑点),定义出现重力Mura的边界液晶量为L1;当温度过低时,液晶体积缩小,盒厚变小,SPS产生支撑力,阻止液晶盒厚的进一步下降,此时局部空间仍有可能因无液晶而出现真空气泡,定义出现真空气泡的边界液晶量为L2。在L1与L2之间的液晶量,称为LC margin(液晶冗余),在此范围内不会出现重力mura与真空气泡,LC margin在合理的范围内要求越大越好。
MPS和SPS随着液晶盒间隙的减小而先后接触TFT基板,产生PS段差,当段差过小时,无法保证液晶冷缩后仍能够充满液晶盒,进而易产生真空气泡,使得LC margin过小,合适的段差是保证足够大的LC margin的必要条件,也是提升液晶显示组件品质的重要因素。因此,需要提供新的增大段差的方案,以增大LC margin。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示组件,旨在解决显示组件的LC margin较小的技术问题。
本发明是这样实现的,一种显示组件,包括相对设置的第一基板和第二基板;
所述第一基板包括:
第一基层;
主间隔物和辅间隔物,间隔设置于所述第一基层上;
所述第二基板包括:
第二基层,与所述第一基层相对间隔设置;
保护层,设置于所述第二基层靠近所述第一基层的一侧,所述保护层开设有可供辅间隔物伸入的凹槽;以及
半导体垫块和透明导电垫块,所述半导体垫块设置于所述保护层内部,所述透明导电垫块设置于所述保护层靠近所述第一基层的一侧,所述半导体垫块和透明导电垫块与所述主间隔物对应。
在一个实施例中,所述保护层包括层叠设置于所述第二基层上的第一缓冲层和第二缓冲层;
所述半导体垫块设置于所述第一缓冲层和第二缓冲层之间;
所述透明导电垫块设置于所述第二缓冲层靠近所述第一基层的一侧;所述第二缓冲层对应所述半导体垫块的部位形成凸起,所述透明导电垫块设置于所述凸起上并与所述主间隔物抵接。
在一个实施例中,所述第二基板还包括驱动电路,所述驱动电路包括第一金属层、半导体有源层、第二金属层及像素电极,所述第一金属层设置于所述第二基层和第一缓冲层之间,所述半导体有源层和第二金属层设置于所述第一缓冲层和第二缓冲层之间,所述像素电极设置于所述第二缓冲层靠近所述第一基板的一侧;
所述半导体垫块和所述半导体有源层在同一制程中间隔形成于所述第一缓冲层上;
所述透明导电垫块和所述像素电极在同一制程中间隔形成于所述第二缓冲层上。
在一个实施例中,所述透明导电垫块和所述像素电极的间距大于5μm。
在一个实施例中,所述半导体垫块和所述半导体有源层的厚度相同;和/或
所述透明导电垫块和所述像素电极的厚度相同。
在一个实施例中,所述半导体垫块的厚度大于所述半导体有源层的厚度;和/或
所述透明导电垫块的厚度大于所述像素电极的厚度。
在一个实施例中,所述凹槽自所述第二缓冲层靠近所述第一基板的表面延伸至所述第二缓冲层的内部;或者
所述凹槽自所述第二缓冲层靠近所述第一基板的表面延伸至所述第一缓冲层的表面;或者
所述凹槽自所述第二缓冲层靠近所述第一基板的表面延伸至所述第一缓冲层的内部;或者
所述凹槽自所述第二缓冲层靠近所述第一基板的表面延伸至所述第二基层。
在一个实施例中,所述主间隔物的高度大于或者等于所述辅间隔物的高度。
在一个实施例中,所述第一基板为彩色滤光片基板,所述第一基板还包括设置于所述第一基层上的黑矩阵和色阻层,所述色阻层包括至少三种不同颜色的色阻块,所述黑矩阵在不同的色阻块之间形成遮光带;
所述主间隔物和辅间隔物设于所述遮光带上,或者设于所述色阻块上与所述遮光带对应的部位;
在一个所述色阻块对应的区域内,设置一个所述主间隔物或辅间隔物;
所述主间隔物和辅间隔物等数量均匀交错分布。
本发明的另一目的在于提供一种显示装置,包括相对设置的薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板;
所述彩色滤光片基板包括:
第一基层;
黑矩阵,设置于所述第一基层上;
色阻层,设置于所述第一基层及黑矩阵上,包括至少三种不同颜色的色阻块,所述不同颜色的色阻块通过所述黑矩阵相间隔;
主间隔物和辅间隔物,间隔设置于所述黑矩阵上或者所述色阻层与所述黑矩阵对应的部位;
所述薄膜晶体管阵列基板包括:
第二基层,与所述第一基层相对间隔设置;
第一缓冲层,设置于所述第二基层靠近所述第一基层的一侧;
第二缓冲层,设置于所述第一缓冲层靠近所述第一基层的一侧;
半导体垫块,设置于所述第一缓冲层和第二缓冲层之间;
透明导电垫块,设置于所述第二缓冲层朝向所述第一基层的一侧;
其中,自所述第二缓冲层的表面向所述第二基层的方向开设有可供所述辅间隔物伸入的凹槽,所述凹槽延伸至所述第一缓冲层或者延伸至所述第一基层;所述半导体垫块和透明导电垫块层叠,所述透明导电垫块与所述主间隔物抵接。
本发明提供的显示组件及显示装置在第二基板的第二基层上设置半导体垫块和透明导电垫块,在第二基板的保护层上开设凹槽,主间隔物与半导体垫块和透明导电垫块相对抵接,辅间隔物与凹槽相对且可伸入凹槽,由于半导体垫块、透明导电垫块和凹槽的设置,使得面板的段差得以增大,最大可增加半导体垫块和透明导电垫块的厚度和保护层的厚度之和,进而有效的增大了段差,增大液晶冗余,提升显示品质。
附图说明
图1是本发明实施例提供的显示组件的第一种截面示意图;
图2是本发明实施例提供的显示组件的第二基板的平面结构示意图;
图3是图2中A向剖面中的一半结构示意图;
图4是图2中A向剖面中的另一半结构示意图;
图5是本发明实施例提供的显示组件的第二种截面示意图;
图6是本发明实施例提供的显示组件的第三种截面示意图;
图7是本发明实施例提供的显示组件的第四种截面示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
需说明的是,当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件,它可以直接或者间接位于该另一个部件上。当一个部件被称为“连接于”另一个部件,它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置为基于附图所示的方位或位置,仅是为了便于描述,不能理解为对本技术方案的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
为了说明本发明所述的技术方案,以下结合具体附图及实施例进行详细说明。
请参阅图1,本发明实施例提供的显示组件或显示装置包括相对设置的第一基板1和第二基板2;该第一基板1和第二基板2对组封边后形成显示组件,可以理解,对于液晶显示组件,第一基板1和第二基板2之间灌注液晶材料。该第一基板1主要包括第一基层11、设置于第一基层11上的主间隔物12以及辅间隔物13,主间隔物12和辅间隔物13用于支撑液晶盒间隙。当然,该第一基板1还包括其他功能结构以配合第二基板2实现显示功能。第二基板2包括第二基层21、设置于第二基层21靠近第一基层11一侧的保护层22,该第二基层21作为第二基板2的主要支撑结构,用于承载其他功能器件和电路等,第二基层21与第一基层11相对间隔设置,以形成用于容置液晶材料的空间。第二基板2还包括半导体垫块231和透明导电垫块232,半导体垫块231设置于保护层22内部,透明导电垫块232设置于保护层22的表面,二者在垂直于第二基层21的方向上层叠设置,并且与主间隔物12对应,其中,透明导电垫块232与主间隔物对顶设置。另外,第二基板2的保护层22开设有凹槽24,凹槽24与辅间隔物13对应,具体可以是沿着第一基层11和第二基层21的垂直方向上正对,该凹槽24可以供辅间隔物13伸入。当然,该第二基板2还包括设置于第二基层21上的其他功能结构,以配合第一基板1实现显示功能。在自然状态下,主间隔物12与透明导电垫块232对应的部位抵顶,在低温状态下,液晶收缩,辅间隔物13伸入凹槽24,抵接于凹槽24的底部。
该显示组件中,基于上述半导体垫块231、透明导电垫块232和凹槽24的设置,段差L=D0+D1+D2+H,其中,D0为主间隔物12和辅间隔物13的高度差,该高度差指主间隔物12的自由端和辅间隔物13的自由端之间的垂直距离。D1为半导体垫块231的厚度,D2为透明导电垫块232的厚度,H为凹槽24的深度。其中,凹槽24开设于保护层22,深度H大于0且小于或等于保护层22的厚度D3,因此段差L大于D0+D1+D2且小于或等于D0+D1+D2+D3。当凹槽24的深度等于保护层22的厚度D3时,段差最大。
本发明实施例提供的显示组件,在第二基板2的第二基层21上设置半导体垫块231和透明导电垫块232,在第二基板2的保护层22上开设凹槽24,主间隔物12与半导体垫块231和透明导电垫块232相对抵接,辅间隔物13与凹槽24相对且可伸入凹槽24,由于半导体垫块231、透明导电垫块232和凹槽24的设置,使得面板的段差得以增大,最大可增加半导体垫块231和透明导电垫块232的厚度和保护层22的厚度之和,进而有效的增大了段差,增大液晶冗余,提升显示品质。
参阅图1,在本实施例中,第一基板1可以但不限于是彩色滤光片基板,第二基板2可以但不限于是薄膜晶体管阵列基板。当第一基板1是彩色滤光片基板时,第一基板1还包括黑矩阵14,还可以进一步包括色阻层15,其中,黑矩阵14设置于第一基层11朝向第二基层21的一侧,色阻层15设置于第一基层11和黑矩阵14朝向第二基层21的一侧,色阻层15包括至少三种不同颜色的色阻块,例如红、绿、蓝色阻块,或者红、绿、蓝、白色阻块等,黑矩阵14为网格状,其横纵线条交叉形成遮光带,并且界定出多个子区域,每个子区域对应一个子像素,每个色阻块对应一子区域。
可选地,主间隔物12和辅间隔物13可以设置于遮光带上,也可以设置于色阻块上对应遮光带的区域。相应地,当第一基板1是彩色滤光片基板时,第二基板2是薄膜晶体管阵列基板,该第二基板2还包括驱动电路,该驱动电路基于第二基层21设置并由上述保护层22保护。
在一个实施例中,上述半导体垫块231和透明导电垫块232可以在薄膜晶体管阵列基板的工艺制程中一同形成,进而使制程得到优化。参考图2至图4,第二基层21上设有驱动电路,驱动电路包括第一金属层211、半导体有源层212、第二金属层213及像素电极214,在薄膜晶体管阵列基板的五道制程中,分别形成第一金属层211、第一缓冲层221、半导体有源层212、第二金属层213、第二缓冲层222、像素电极214。第一缓冲层221和第二缓冲层222构成保护层22。第一金属层211设置于第二基层21和第一缓冲层221之间,半导体有源层212和第二金属层213设置于第一缓冲层221和第二缓冲层222之间,像素电极214设置于第二缓冲层222靠近第一基板1的一侧。该第一金属层211通常包括扫描线2111、栅极2112、第二公共电极2113,第二公共电极2113用于和像素电极214形成存储电容。
该第一缓冲层221用于保护该第一金属层211,半导体有源层212设置于第一缓冲层221上的相应位置,与栅极2112对应。第二金属层213形成于半导体有源层212和第一缓冲层221上,包括搭接于半导体有源层212上方的源极和漏极,还包括铺设于第一缓冲层221上的数据线2131,在垂直于第一基层11的方向,数据线2131与扫描线2111交叉,数据线2131与源极或者漏极连接,用于提供显示信号,也即提供用于实现液晶偏转的电压信号。第二缓冲层222则形成于第二金属层213上,用于保护第二金属层213,同时承载像素电极214,像素电极214通过导电过孔与第二金属层213的源极或者漏极连接。
第一缓冲层221和第二缓冲层222可以是由相同或者不同的绝缘材料通过成膜工艺依次形成的,该绝缘材料可以选择导热性好的透明的有机材料或无机材料(例如SiNx)。另外,第一缓冲层221的厚度和第二缓冲层222的厚度可以相同,也可以不同,本实施例不进行严格限制。
对应参考图2至图4,其中,在上述半导体有源层212的制程中,同时在第一缓冲层221上的相应位置形成半导体垫块231;在像素电极214的制程中,同时在第二缓冲层222上的相应位置形成透明导电垫块232。在形成半导体垫块231后,第二缓冲层222对应该半导体垫块231的位置形成凸部,在像素电极214的制程中,透明导电垫块232恰好形成于该凸部上。半导体垫块231顶推第二缓冲层222的对应部位和透明导电垫块233直接或间接抵接于主间隔物12。
在上述五道制程中,为了更加简化工艺,可以令半导体垫块231和半导体有源层212的厚度相同;透明导电垫块232和像素电极214的厚度相同。此时不需要对同种材料进行不同程度的蚀刻,有利于提高效率。
在另一个实施例中,为了进一步增大段差,也可以令半导体垫块231的厚度大于半导体有源层212的厚度;透明导电垫块232的厚度大于像素电极214的厚度,这样可以尽可能的增大段差,提升液晶冗余,提升显示组件及液晶显示器的品质。
在另一实施例中,还可以使半导体垫块231和透明导电垫块233中的一个或两个与相应的层结构厚度相同。具体可以根据实际制程的可操作难易程度设置。
在一个实施例中,在半导体有源层212的制程中,形成的半导体垫块231与预形成的数据线2131之间的间距大于5μm。同样地,在像素电极214的制程中,透明导电垫块232和像素电极214之间的距离大于5μm,以在工艺加工误差可控的情况下满足绝缘的要求。
在一个实施例中,半导体垫块231和透明导电垫块232均为块状结构,可以是多边形、圆形、椭圆形等,二者的面积相同或相近似。其面积等于或者略大于主间隔物12的横截面面积或主间隔物12的自由端面积。为了优化制程,可以使半导体垫块231和半导体有源层的形状相同。
参考图2和图4,在阵列基板的五道制程中,凹槽24于第二缓冲层222的制程中形成。在该制程中,在第二缓冲层222上需开设过孔以导通像素电极214和源极或漏极,与此同时,可以在第二缓冲层222对应辅间隔物13的部位一并开槽,形成凹槽24。可选地,该凹槽24的深度可以和过孔一致,也可以小于过孔的深度或者大于过孔的深度,凹槽24的底部面积大于或等于辅间隔物13的自由端的面积,以使得辅间隔物13能够触及凹槽24的底部。
在一个实施例中,凹槽24可以是直圆柱形或者直棱柱形,横截面尺寸各处一致,与直圆柱或者直棱柱形的辅间隔物适配。凹槽24还可以是圆台形或者棱台形,其底部尺寸小于开口端的尺寸,与圆台形或者棱台形的辅间隔物适配。
以下提供几种不同深度的凹槽结构:
作为凹槽24的第一种结构,参考图7,凹槽24自第二缓冲层222靠近第一基板1的表面延伸至第二缓冲层222的内部,深度H小于第二缓冲层222的厚度。
作为凹槽24的第二种结构,参考图5,凹槽24自第二缓冲层222靠近第一基板1的表面延伸至第一缓冲层221的表面,深度H等于第二缓冲层222的厚度。
作为凹槽24的第三种结构,参考图6,凹槽24自第二缓冲层222靠近所述第一基板1的表面延伸至第一缓冲层221的内部;深度H大于第二缓冲层222的厚度且小于保护层22的总厚度。
作为凹槽24的第四种结构,参考图1,凹槽24自第二缓冲层222靠近第一基板1的表面延伸至第二基层21,深度H等于保护层22的总厚度。
上述凹槽24的结构中,可选择第四种结构,使得段差更大。
在一个实施例中,主间隔物12的高度等于辅间隔物13的高度。由于上述段差L=D0+D1+D2+H,当主间隔物12的高度等于辅间隔物13的高度时,D0为零,L=D1+D2+H,依然具有较大的段差值,这可以降低间隔物制程的复杂程度和工艺难度,可以采用各处透光率相同的掩膜版制作高度一致的主间隔物12和辅间隔物13,在工艺上更容易实现,容易保证主、辅间隔物13高度一致,且避免采用结构复杂的掩膜版,避免不同高度间隔物的高度差一致性差的问题。
在另一个实施例中,主间隔物12的高度大于辅间隔物13的高度。在增高部23的高度一定的情况下,辅间隔物13的高度小于主间隔物12的高度,能够使得辅间隔物13的自由端与凹槽24的底部之间的距离更大,进而提高段差。不同高度的间隔物可以通过特殊掩膜版一次成型,例如在掩膜版上对应主间隔物12和辅间隔物13的位置设置紫外线透过率不同的结构,使得间隔物材料的蚀刻深度不同,形成不同高度的间隔物。具体地,可以采用灰阶掩膜板(GTM)、狭缝掩膜板(SSM)或半透膜掩膜板(HTM),通过减低局部紫外线透过率,按照预定的主间隔物12和辅间隔物13的高度,蚀刻掉预定厚度的间隔物材料,形成预定高度的主间隔物12和辅间隔物13。
在本实施例中,可以理解的是,段差在一定范围内越大越好,但必然不适合无限制增大,第二基层21和第一基层11的变形量存在一定临界值,即液晶盒厚的变化空间具有一定界限,当液晶分子收缩到一定程度时,第二基层21和第一基层11达到最大变形量,无法继续压缩,此时随着液晶分子的进一步收缩,可能出现真空气泡。在这种情况下,辅间隔物13若仍然未接触凹槽24的底部,则不能起到支撑盒厚的作用,进而,辅间隔物13的作用失效。一般地,该段差的范围可以是0.4-0.8mm。
在本实施例中,第二基层21上的黑矩阵14界定出若干个子像素区域,主间隔物12和辅间隔物13可以分设于不同的子像素区域内,即对应于不同的色阻块区域。例如,主间隔物12设置于红光子像素区域内,辅间隔物13设置于绿光子像素区域内或者蓝光子像素区域内;或者,主间隔物12设置于绿光子像素区域内,辅间隔物13设置于红光子像素区域内或者蓝光子像素区域内;或者,主间隔物12设置于蓝光子像素区域内,辅间隔物13设置于红光子像素区域内。
在一个实施例中,一个子像素区域仅设置一个主间隔物12或者辅间隔物13,在整个显示组件中,多个主间隔物12和辅间隔物13以等数量、均匀、交错分布,进而对第一基板和第二基板提供均匀的支撑力。
在一个实施例中,参考图2,半导体垫块231和透明导电垫块232位于黑矩阵14的遮光区域,与薄膜晶体管的栅极2112位于扫描线2111同侧,其相对于扫描线2111的位置与栅极2112相对于扫描线2111的位置相同或近似,同时,半导体垫块231与半导体有源层212保持一定的相对距离,透明导电垫块232与像素电极保持一定距离。同样地,凹槽24位于黑矩阵14所遮盖的区域并且与栅极2112位于扫描线2111同侧,其相对于扫描线2111的位置与栅极2112相对于扫描线2111的位置相同或近似。其中,半导体垫块231和透明导电垫块232与凹槽24分设于不同的子像素区域。
在一个实施例中,为了实现液晶分子的偏转和规则取向,在第一基板1的色阻层15上还依次设置第一公共电极16和第一配向膜,在第二基板2的像素电极214之上还设有第二配向膜,第一公共电极16和像素电极214形成极间电容。第一配向膜和第二配向膜用于控制液晶分子在自然状态下的取向。
本发明实施例提供的显示组件主要用于液晶显示器,包含该显示组件的液晶显示器也在本发明的保护范围内。该液晶显示器还包括背光模组,用于提供照明,该背光模组可以是侧入式背光模组,也可以是直下式背光模组。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示组件,其特征在于,包括相对设置的第一基板和第二基板;
所述第一基板包括:
第一基层;
主间隔物和辅间隔物,间隔设置于所述第一基层上;
所述第二基板包括:
第二基层,与所述第一基层相对间隔设置;
保护层,设置于所述第二基层靠近所述第一基层的一侧,所述保护层开设有可供辅间隔物伸入的凹槽;以及
半导体垫块和透明导电垫块,所述半导体垫块设置于所述保护层内部,所述透明导电垫块设置于所述保护层靠近所述第一基层的一侧,所述半导体垫块和透明导电垫块与所述主间隔物对应。
2.如权利要求1所述的显示组件,其特征在于,所述保护层包括层叠设置于所述第二基层上的第一缓冲层和第二缓冲层;
所述半导体垫块设置于所述第一缓冲层和第二缓冲层之间;
所述透明导电垫块设置于所述第二缓冲层靠近所述第一基层的一侧;所述第二缓冲层对应所述半导体垫块的部位形成凸起,所述透明导电垫块设置于所述凸起上并与所述主间隔物抵接。
3.如权利要求2所述的显示组件,其特征在于,所述第二基板还包括驱动电路,所述驱动电路包括第一金属层、半导体有源层、第二金属层及像素电极,所述第一金属层设置于所述第二基层和第一缓冲层之间,所述半导体有源层和第二金属层设置于所述第一缓冲层和第二缓冲层之间,所述像素电极设置于所述第二缓冲层靠近所述第一基板的一侧;
所述半导体垫块和所述半导体有源层在同一制程中间隔形成于所述第一缓冲层上;
所述透明导电垫块和所述像素电极在同一制程中间隔形成于所述第二缓冲层上。
4.如权利要求3所述的显示组件,其特征在于,所述透明导电垫块和所述像素电极的间距大于5μm。
5.如权利要求3所述的显示组件,其特征在于,所述半导体垫块和所述半导体有源层的厚度相同;和/或
所述透明导电垫块和所述像素电极的厚度相同。
6.如权利要求3所述的显示组件,其特征在于,所述半导体垫块的厚度大于所述半导体有源层的厚度;和/或
所述透明导电垫块的厚度大于所述像素电极的厚度。
7.如权利要求2所述的显示组件,其特征在于,所述凹槽自所述第二缓冲层靠近所述第一基板的表面延伸至所述第二缓冲层的内部;或者
所述凹槽自所述第二缓冲层靠近所述第一基板的表面延伸至所述第一缓冲层的表面;或者
所述凹槽自所述第二缓冲层靠近所述第一基板的表面延伸至所述第一缓冲层的内部;或者
所述凹槽自所述第二缓冲层靠近所述第一基板的表面延伸至所述第二基层。
8.如权利要求1所述的显示组件,其特征在于,所述主间隔物的高度大于或者等于所述辅间隔物的高度。
9.如权利要求1至8任一项所述的显示组件,其特征在于,所述第一基板为彩色滤光片基板,所述第一基板还包括设置于所述第一基层上的黑矩阵和色阻层,所述色阻层包括至少三种不同颜色的色阻块,所述黑矩阵在不同的色阻块之间形成遮光带;
所述主间隔物和辅间隔物设于所述遮光带上,或者设于所述色阻块上与所述遮光带对应的部位;
在一个所述色阻块对应的区域内,设置一个所述主间隔物或辅间隔物;
所述主间隔物和辅间隔物等数量均匀交错分布。
10.一种显示装置,其特征在于,包括相对设置的薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板;
所述彩色滤光片基板包括:
第一基层;
黑矩阵,设置于所述第一基层上;
色阻层,设置于所述第一基层及黑矩阵上,包括至少三种不同颜色的色阻块,所述不同颜色的色阻块通过所述黑矩阵相间隔;
主间隔物和辅间隔物,间隔设置于所述黑矩阵上或者所述色阻层与所述黑矩阵对应的部位;
所述薄膜晶体管阵列基板包括:
第二基层,与所述第一基层相对间隔设置;
第一缓冲层,设置于所述第二基层靠近所述第一基层的一侧;
第二缓冲层,设置于所述第一缓冲层靠近所述第一基层的一侧;
半导体垫块,设置于所述第一缓冲层和第二缓冲层之间;
透明导电垫块,设置于所述第二缓冲层朝向所述第一基层的一侧;
其中,自所述第二缓冲层的表面向所述第二基层的方向开设有可供所述辅间隔物伸入的凹槽,所述凹槽延伸至所述第一缓冲层或者延伸至所述第一基层;所述半导体垫块和透明导电垫块层叠,所述透明导电垫块与所述主间隔物抵接。
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