JPH10149890A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH10149890A JPH10149890A JP30648496A JP30648496A JPH10149890A JP H10149890 A JPH10149890 A JP H10149890A JP 30648496 A JP30648496 A JP 30648496A JP 30648496 A JP30648496 A JP 30648496A JP H10149890 A JPH10149890 A JP H10149890A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- thin film
- static electricity
- glass substrate
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工程における処理やハンドリングによっ
て発生する静電気を速やかに逃がし、液晶表示素子に与
えるダメージを軽減する。 【解決手段】 電極間に液晶層を挾んでなる液晶表示素
子において、電極を設けたガラス基板1の液晶に接する
側とは反対側の表面に、透明な導電性薄膜であるITO
2を形成する。
て発生する静電気を速やかに逃がし、液晶表示素子に与
えるダメージを軽減する。 【解決手段】 電極間に液晶層を挾んでなる液晶表示素
子において、電極を設けたガラス基板1の液晶に接する
側とは反対側の表面に、透明な導電性薄膜であるITO
2を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報機器やAV機
器などに用いられる液晶表示素子に関するものである。
器などに用いられる液晶表示素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種の液晶表示素子は、製造工程にお
いて、ガラス基板の搬送、印刷、ラビング、偏光板貼付
など、静電気を発生する工程を有している。この静電気
は、TFT液晶の場合トランジスタの破壊を惹き起こ
し、STN液晶の場合、画面白濁等を発生させ、いずれ
も画面異常として現れる。このような静電気による不良
は工程不良のうちでも相当大きな比率を占めている。
いて、ガラス基板の搬送、印刷、ラビング、偏光板貼付
など、静電気を発生する工程を有している。この静電気
は、TFT液晶の場合トランジスタの破壊を惹き起こ
し、STN液晶の場合、画面白濁等を発生させ、いずれ
も画面異常として現れる。このような静電気による不良
は工程不良のうちでも相当大きな比率を占めている。
【0003】従来は、各製造工程毎の製造条件を改善す
ることにより、静電気対策を講じてきたが、いずれも本
質的な解決には至らず、依然として静電気不良が発生し
ていた。
ることにより、静電気対策を講じてきたが、いずれも本
質的な解決には至らず、依然として静電気不良が発生し
ていた。
【0004】また一方、液晶表示素子に用いられるガラ
ス基板は、TFT液晶、STN液晶等の種類によって異
なるが、ホウ珪酸ガラス、ソーダガラスが多く用いられ
ている。
ス基板は、TFT液晶、STN液晶等の種類によって異
なるが、ホウ珪酸ガラス、ソーダガラスが多く用いられ
ている。
【0005】ガラス基板の表面処理としては表面粗さを
小さく、均一化させるための表面研磨や、ソーダガラス
特有の処理としてガラス内部のソーダ流出防止のためS
iO2系の層が形成されてはいるが、表面の導電性を上げ
るとか、静電気を防止するといった表面処理は全くなさ
れていなかった。
小さく、均一化させるための表面研磨や、ソーダガラス
特有の処理としてガラス内部のソーダ流出防止のためS
iO2系の層が形成されてはいるが、表面の導電性を上げ
るとか、静電気を防止するといった表面処理は全くなさ
れていなかった。
【0006】図3は、従来の静電気対策が施されていな
いガラス基板1の断面を示したものである。
いガラス基板1の断面を示したものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】画素電極間に液晶層を
挾んでなる液晶表示素子において、その画素電極を設け
たガラス基板は静電気に対して何の対策もなされていな
いため、液晶に接しない側のガラス基板表面は表面抵抗
が高く、発生した電荷が不均一な分布で蓄積されること
がある。特に、電荷の発生量が多かったり、ハンドリン
グや製造装置の接触等によって表面抵抗値が変化した場
合など、ガラス基板を介し、あるいはガラス基板の端部
より電荷が液晶表示素子内に流入して液晶の分子配列に
影響を及ぼし、あるいは内部に形成されたトランジスタ
を破壊し、現象として画面の表示異常として現れる。
挾んでなる液晶表示素子において、その画素電極を設け
たガラス基板は静電気に対して何の対策もなされていな
いため、液晶に接しない側のガラス基板表面は表面抵抗
が高く、発生した電荷が不均一な分布で蓄積されること
がある。特に、電荷の発生量が多かったり、ハンドリン
グや製造装置の接触等によって表面抵抗値が変化した場
合など、ガラス基板を介し、あるいはガラス基板の端部
より電荷が液晶表示素子内に流入して液晶の分子配列に
影響を及ぼし、あるいは内部に形成されたトランジスタ
を破壊し、現象として画面の表示異常として現れる。
【0008】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、ハンドリングや製造装置の接触等によって発生し
た静電気を速やかに逃がし、トランジスタの破壊や、表
示異常の発生を防止するようにした液晶表示素子を提供
することを目的とする。
ので、ハンドリングや製造装置の接触等によって発生し
た静電気を速やかに逃がし、トランジスタの破壊や、表
示異常の発生を防止するようにした液晶表示素子を提供
することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示素子は、電極を設けたガラス基板
の液晶に接する側とは反対側の表面に、静電気を逃がす
ための透明な導電性薄膜を形成したものである。
に、本発明の液晶表示素子は、電極を設けたガラス基板
の液晶に接する側とは反対側の表面に、静電気を逃がす
ための透明な導電性薄膜を形成したものである。
【0010】上記構成によれば、液晶表示素子に静電気
が発生しても、ガラス基板の表面に形成した導電性薄膜
を経由して電荷が移動するため、液晶表示素子にダメー
ジを与えることなく、製造、取扱いが容易となる。
が発生しても、ガラス基板の表面に形成した導電性薄膜
を経由して電荷が移動するため、液晶表示素子にダメー
ジを与えることなく、製造、取扱いが容易となる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。第1図は、本発明の一
実施の形態における液晶表示素子のガラス基板を示した
ものである。1はガラス基板であり、図の下側の面に
は、図示しない画素電極が形成されて液晶層に接するよ
うになっている。2は、ガラス基板1の液晶層に接する
側とは反対側の表面に形成したITOである。ITOは
導電性でありかつ透明である。形成方法として蒸着、ス
パッタリング等で薄膜状に形成する。
て図面を参照しながら説明する。第1図は、本発明の一
実施の形態における液晶表示素子のガラス基板を示した
ものである。1はガラス基板であり、図の下側の面に
は、図示しない画素電極が形成されて液晶層に接するよ
うになっている。2は、ガラス基板1の液晶層に接する
側とは反対側の表面に形成したITOである。ITOは
導電性でありかつ透明である。形成方法として蒸着、ス
パッタリング等で薄膜状に形成する。
【0012】ITOの膜厚は10オングストローム以上あ
れば有効である。仮に積層が不均一で島状に形成されて
も効果は十分ある。また膜厚に関してはITOの干渉色
が発生するため適度な厚みを選択する必要がある。
れば有効である。仮に積層が不均一で島状に形成されて
も効果は十分ある。また膜厚に関してはITOの干渉色
が発生するため適度な厚みを選択する必要がある。
【0013】以上のように構成された本実施の形態によ
れば、液晶表示素子に静電気が発生しても、ガラス基板
の表面に形成したITO薄膜を経由して電荷が速やかに
移動し、除去することができるので、液晶表示素子にダ
メージを与えることはなくなる。
れば、液晶表示素子に静電気が発生しても、ガラス基板
の表面に形成したITO薄膜を経由して電荷が速やかに
移動し、除去することができるので、液晶表示素子にダ
メージを与えることはなくなる。
【0014】なお、上記実施の形態では、導電性薄膜と
してITOで構成したが、図2に示したように、ITO
以外の金属薄膜3でも良いことは言うまでもない。
してITOで構成したが、図2に示したように、ITO
以外の金属薄膜3でも良いことは言うまでもない。
【0015】例えば、金属としてクロムを用い、膜厚と
して10オングストローム以上あれば有効である。仮に積
層が不均一で島状に形成されても効果は十分ある。金属
は、バルクでは当然光を透過しないが、薄膜であれば光
を透過する。成膜方法としては蒸着法やスパッタリング
方が適用できる。
して10オングストローム以上あれば有効である。仮に積
層が不均一で島状に形成されても効果は十分ある。金属
は、バルクでは当然光を透過しないが、薄膜であれば光
を透過する。成膜方法としては蒸着法やスパッタリング
方が適用できる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電極を設けたガラス基板の液晶に接する側とは反対側の
表面に、透明な導電性薄膜を形成することにより、製造
工程における処理やハンドリングによって発生する静電
気を速やかに逃がすことができ、静電気によって液晶表
示素子に与えるダメージを大幅に軽減することができ
る。
電極を設けたガラス基板の液晶に接する側とは反対側の
表面に、透明な導電性薄膜を形成することにより、製造
工程における処理やハンドリングによって発生する静電
気を速やかに逃がすことができ、静電気によって液晶表
示素子に与えるダメージを大幅に軽減することができ
る。
【図1】本発明の一実施の形態における、液晶と接しな
い側の表面にIT0を形成したガラス基板を示す図であ
る。
い側の表面にIT0を形成したガラス基板を示す図であ
る。
【図2】本発明の他の実施の形態における、液晶と接し
ない側の表面に金属薄膜を形成したガラス基板を示す図
である。
ない側の表面に金属薄膜を形成したガラス基板を示す図
である。
【図3】従来例のガラス基板を示す図である。 1…ガラス基板、 2…ITO、 3…金属薄膜。
Claims (3)
- 【請求項1】 電極間に液晶層を挾んでなる液晶表示素
子において、前記電極を設けたガラス基板の前記液晶に
接する側とは反対側の表面に、静電気を逃がすための透
明な導電性薄膜を形成したことを特微とした液晶表示素
子。 - 【請求項2】 導電性薄膜が金属薄膜からなることを特
徴とする請求項1記載の液晶表示素子。 - 【請求項3】 導電性薄膜がITOからなることを特徴
とする請求項1記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30648496A JPH10149890A (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30648496A JPH10149890A (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10149890A true JPH10149890A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17957583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30648496A Pending JPH10149890A (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10149890A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002021106A1 (fr) * | 2000-09-07 | 2002-03-14 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Dispositif et procédé de mesure sans contact de l'humidité |
KR20030011986A (ko) * | 2001-07-30 | 2003-02-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 |
US9666836B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-05-30 | Japan Display Inc. | Organic EL device |
-
1996
- 1996-11-18 JP JP30648496A patent/JPH10149890A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002021106A1 (fr) * | 2000-09-07 | 2002-03-14 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Dispositif et procédé de mesure sans contact de l'humidité |
KR20030011986A (ko) * | 2001-07-30 | 2003-02-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 |
US9666836B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-05-30 | Japan Display Inc. | Organic EL device |
US10418423B2 (en) | 2014-05-13 | 2019-09-17 | Japan Display Inc. | Organic EL device |
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