CN1217028C - 溅射靶材 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有高反射率且耐硫化性优良的溅射靶材,该靶材由Ag合金构成,该合金通过在Ag中添加特定少量的选自In、Sn和Zn的金属成分(A)、特定少量的选自Au、Pd、Pt的金属成分(B),以及根据情况,添加少量Cu形成合金而成。

Description

溅射靶材
技术领域
本发明涉及在维持高反射率的同时,提高耐腐蚀性,特别是耐卤素性、耐氧化性、耐硫化性的薄膜形成用溅射靶材以及使用该溅射靶材形成的薄膜。
背景技术
在CD(Compact Disc)、DVD(Digital Versatile Disc)等光学记录介质中使用的反射膜,或者在反射型STN(Super TwistNematic)液晶显示装置、有机EL(Electro Iuminescence)显示装置等显示装置中使用的光反射性导电膜,一般使用Al或Al合金。
在上述光学记录介质或液晶显示装置、有机EL显示装置等用途中使用的光反射性薄膜一般通过制作具有所需性质的溅射靶材,使用该溅射靶材,采用RF(高频)溅射法或者DC(直流)溅射法成膜而进行制造。
用上述方法制造的由Al或Al合金构成的薄膜具有某种程度的反射率且电阻低,并且,由于在表层形成非动态被膜,因此即使在空气中也具有稳定的耐腐蚀性,但Al或Al合金构成的薄膜的反射率例如在波长700nm光的场合下大约是80%,对于要求高反射率的用途不能充分满足。
为此,提出对于需要具有高反射率的薄膜,例如以CD-R和DVD为代表的光盘介质,作为溅射靶材,使用Au或Ag代替Al或者Al合金形成薄膜的方案,另外,关于反射型STN液晶显示装置,也提出作为薄膜材料使用反射率高的Ag的方案。
但是,Au价格高,另外,Ag与Al相比,在耐腐蚀性,特别是耐卤素(Cl等)性、耐氧化性、耐硫化性方面存在问题。例如,Ag和像Cl这样的卤素反应时,发生变色,反射率降低,另外,和硫或者氧反应时,生成Ag的硫化物或者氧化物,发生黑色化,反射率降低。
为此,在例如特开平7-3363号公报中,提出通过在Ag中添加少量Mg形成合金,另外在特开2000-109943号公报中,提出通过在Ag中添加少量Pd形成合金,从而提高Ag的耐腐蚀性(耐卤素性、耐氧化性、耐硫化性)的方案。而且,在特开平3-156753号公报中,公开了通过使Ag中含有0.5-50at%的Au,从而提高了记录灵敏度和C/N比的AgAu合金。
但是,即使形成这些Ag合金,也不能得到Ag的充分的耐腐蚀性,或者虽然在某种程度上提高了耐腐蚀性,特别是耐卤素(Cl等)性,但是对于耐硫化性,和Ag相比没有太大区别,仍存在不能得到充分的耐腐蚀性等问题。
本发明的目的在于提供一种在维持高反射率的同时,耐腐蚀性,特别是耐卤素性、耐氧化性、耐硫化性得到改善的由Ag合金构成的薄膜形成用溅射靶材以及使用该溅射靶材形成的薄膜。
发明公开
本发明人为了达到上述目的反复悉心研究,结果此次发现在Ag中添加特定少量的In、Sn、Zn中至少一种和特定少量的Au、Pd、Pt中至少一种形成合金时,这两种金属成分协同发挥作用,可以得到在维持Ag具有的高反射率的同时,大幅度提高了耐腐蚀性,特别是耐卤素性、耐氧化性、耐硫化性的Ag合金,进一步少量添加Cu形成合金时,耐腐蚀性,特别是耐卤素性、耐硫化性进一步提高,至此完成了本发明。
因此,本发明提供一种具有高反射率的高耐腐蚀性薄膜形成用溅射靶材,其特征在于,该溅射靶材由Ag合金构成,所述合金在Ag中含有金属成分(A)合计0.1-2.0质量%和金属成分(B)合计0.1-4.9质量%而成,且金属成分(A)和金属成分(B)的合计含量为0.2-5.0质量%,其中,金属成分(A)是选自0.1-2.0质量%的In、0.1-2.0质量%的Sn和0.1-2.0质量%的Zn中的至少一种,金属成分(B)是选自0.1-0.9质量%的Au、0.1-4.9质量%的Pd和0.1-0.9质量%的Pt中的至少一种。
另外,本发明提供一种具有高反射率的高耐腐蚀性薄膜形成用溅射靶材,其特征在于,该溅射靶材由Ag合金构成,所述合金在Ag中含有金属成分(A)合计0.05-2.0质量%、金属成分(B)合计0.1-4.9质量%和Cu 0.05-2.0质量%而成,且金属成分(A)、金属成分(B)和Cu的合计含量为0.2-5.0质量%,其中,金属成分(A)是选自0.05-2.0质量%的In、0.05-2.0质量%的Sn和0.05-2.0质量%的Zn中的至少一种,金属成分(B)是选自0.1-0.9质量%的Au、0.1-4.9质量%的Pd和0.1-0.9质量%的Pt中的至少一种。
而且,本发明提供一种Ag合金薄膜,其特征在于,在Ag中含有金属成分(A)合计0.1-2.0质量%和金属成分(B)合计0.1-4.9质量%而成,且金属成分(A)和金属成分(B)的合计含量为0.2-5.0质量%,其中,金属成分(A)是选自0.1-2.0质量%的In、0.1-2.0质量%的Sn和0.1-2.0质量%的Zn中的至少一种,金属成分(B)是选自0.1-0.9质量%的Au、0.1-4.9质量%的Pd和0.1-0.9质量%的Pt中的至少一种。
另外,本发明提供一种Ag合金薄膜,其特征在于,在Ag中含有金属成分(A)合计0.05-2.0质量%、金属成分(B)合计0.1-4.9质量%和Cu 0.05-2.0质量%而成,且金属成分(A)、金属成分(B)和Cu的合计含量为0.2-5.0质量%,其中,金属成分(A)是选自0.05-2.0质量%的In、0.05-2.0质量%的Sn和0.05-2.0质量%的Zn中的至少一种,金属成分(B)是选自0.1-0.9质量%的Au、0.1-4.9质量%的Pd和0.1-0.9质量%的Pt中的至少一种。
下面,更详细地说明本发明。
本发明的溅射靶材由以Ag为基底,在其中添加选自In、Sn和Zn的金属成分(A)和选自Au、Pd和Pt的金属成分(B)形成合金而成的Ag合金构成。
作为上述金属成分(A),可以分别单独使用In、Sn、Zn,或者也可以2种或3种合并使用。这些金属成分(A)中,In可以在0.1-2.0质量%,优选0.1-1.5质量%的范围内使用,Sn可以在0.1-2.0质量%,优选0.1-1.0质量%的范围内使用,另外,Zn可以在0.1-2.0质量%,优选0.1-1.5质量%的范围内使用,本发明的Ag合金可以在合计0.1-2.0质量%,优选0.1-1.5质量%的范围内含有这些金属成分(A)。
上述金属成分(A)的含量如果不足0.1质量%,则不能得到充分的耐腐蚀性,特别是耐硫化性,另外,如果超过2.0质量%,则由得到的Ag合金构成的薄膜的反射率可能降低,或者电阻可能上升。
另外,上述金属成分(B)可以分别单独使用Au、Pd、Pt,或者也可以2种或3种合并使用。这些金属成分(B)中,Au可以在0.1-0.9质量%,优选0.2-0.8质量%的范围内使用,Pd可以在0.1-4.9质量%,优选0.2-2.0质量%的范围内使用,另外,Pt可以在0.1-0.9质量%,优选0.2-0.8质量%的范围内使用,本发明的Ag合金可以在合计0.1-4.9质量%,优选0.2-0.9质量%的范围内含有这些金属成分(B)。
上述金属成分(B)的含量如果不足0.1质量%,则不能得到充分的耐腐蚀性,特别是耐卤素性、耐氧化性。另一方面,Au和Pt的含量如果超过0.9质量%,则在要求图案形成性的液晶等反射电极中使用得到的Ag合金时,用湿蚀刻形成图案时,Au、Pt成分溶解残留,可能作为残渣物附着在形成图案的基板上,产生问题。另外,Pd的含量如果超过4.9质量%,则由得到的Ag合金构成的薄膜的反射率可能降低。
Ag合金中的金属成分(A)和金属成分(B)的相对比率没有特别的限制,可以在各金属成分的上述含量范围内任意变化。
而且,Ag合金中的金属成分(A)和金属成分(B)的合计含量可以在0.2-5.0质量%,优选0.3-2.0质量%的范围内。
金属成分(A)和金属成分(B)的合计含量如果不足0.2质量%,则不能得到充分的耐腐蚀性,相反,如果超过5.0质量%,则由得到的Ag合金构成的薄膜的反射率可能降低。
Ag合金例如可以通过在Ag中添加上述量的上述金属成分(A)(In、Sn、Zn)和金属成分(B)(Au、Pd、Pt),在燃气炉、高频熔炼炉等适当的金属熔炼炉内,于约1000-约1050℃的温度下熔融进行制造。熔炼时的环境在空气中即是充分的,根据需要,也可以使用惰性气体环境或者真空。
作为原料使用的Ag、金属成分(A)(In、Sn、Zn)和金属成分(B)(Au、Pd、Pt)可以使用以粒状、板状、块状等形式市售的产品,通常纯度为99.9%以上,特别是99.95%以上的物质合适。
因此,可以得到在Ag中分别以上述比例含有金属成分(A)和金属成分(B)的Ag合金。由该Ag合金构成的溅射靶材维持着Ag本来具有的高反射率,且耐卤素(特别是Cl)性、耐氧化性、耐硫化性等耐腐蚀性与以往的Ag-Mg合金、Ag-Pd合金、Ag-Au合金等相比,大幅提高。
另外,在反射型STN液晶显示或有机EL显示装置中,根据其使用方式,对于光反射性薄膜,要求导电性(通常电阻为7μΩ·cm以下,优选3μΩ·cm以下),另外,作为反射电极使用时,必须以狭缝状等形成图案,因此要求图案形成性。而且,在以CD-R和DVD为代表的光盘介质和反射型STN液晶显示或有机EL显示装置中,也要求耐热特性。由本发明提供的溅射靶材电阻低,显示良好的图案形成性,且耐热性也优良,满足如上所述的要求特性。
因而,本发明的由上述Ag合金构成的溅射靶材可以用作要求高反射率的以CD-R和DVD为代表的光盘介质的反射膜,另外,为了形成反射型STN液晶显示装置或有机EL显示装置等的光反射性薄膜,也可以有效地使用。
另外发现在本发明中,在Ag中除了上述金属成分(A)(In、Sn、Zn)和金属成分(B)(Au、Pd、Pt)以外,再添加Cu,和上述一样使之熔融形成合金,则在维持Ag具有的高反射率的同时,耐卤素性、耐氧化性、耐硫化性等耐腐蚀性进一步提高,且可以得到电阻低、图案形成性和耐热性优良的溅射靶材。
此时,在金属成分(A)中,In可以在0.05-2.0质量%,优选0.1-1.5质量%的范围内使用,Sn可以在0.05-2.0质量%,优选0.1-1.0质量%的范围内使用,另外,Zn可以在0.05-2.0质量%,优选0.1-1.5质量%的范围内使用,形成的添加Cu的Ag合金可以在合计0.05-2.0质量%,优选0.1-1.5质量%的范围内含有这些金属成分(A)。
另外,可以用和上述同样的比例使用金属成分(B)。即,在金属成分(B)中,Au可以在0.1-0.9质量%,优选0.2-0.8质量%的范围内使用,Pd可以在0.1-4.9质量%,优选0.2-2.0质量%的范围内使用,另外,Pt可以在0.1-0.9质量%,优选0.2-0.8质量%的范围内使用,形成的Ag合金可以在合计0.1-4.9质量%,优选0.2-0.9质量%的范围内含有这些金属成分(B)。
而且,可以在0.05-2.0质量%,优选0.1-1.5质量%的范围内含有Cu。
Cu的含量不足0.05质量%且和金属成分(A)的合计含量不足0.1质量%时,不能得到充分的耐腐蚀性,特别是耐硫化性,相反,Cu的含量如果超过2.0质量%,则在要求耐热性的用途中,由于热负荷,Cu成分氧化,薄膜在短波长区域的反射率可能降低。
形成的添加Cu的Ag合金可以在合计0.2-5.0质量%,优选0.5-2.0质量%的范围内含有上述金属成分(A)和金属成分(B)以及Cu。
而且,添加Cu的Ag合金中的金属成分(A)和金属成分(B)以及Cu的相对比率没有特别的限制,可以在各金属成分的上述添加量范围内任意变化。
来自本发明的Ag合金构成的溅射靶材的反射膜的形成可以通过其自身已知的溅射法,例如高频(RF)溅射法、直流(DC)溅射法、磁溅射法等进行。
下面,通过实施例更具体地说明本发明。
实施例
实施例1-1~1-7、比较例1-1~1-6和以往例1-1~1-2
在Ag中添加金属成分(A)(In、Sn、Zn)、金属成分(B)(Au、Pd、Pt)以及根据情况添加Cu,在燃气炉内加热到约1050℃的温度将其熔融后,用铸型进行铸造、加工,制作下述表1所示组成的溅射靶材。
                                   表1
样品No. 组成
实施例 1-1 Ag-1质量%In-0.7质量%Pd
1-2 Ag-1质量%Zn-0.5质量%Au
1-3 Ag-0.8质量%Sn-0.6质量%Au-0.2质量%Pd
1-4 Ag-0.5质量%In-0.6质量%Au-0.2质量%Pt
1-5 Ag-0.8质量%In-0.5质量%Au-0.5质量%Cu
1-6 Ag-0.7质量%Sn-0.7质量%Pt
1-7 Ag-0.3质量%In-0.7质量%Pd
比较例 1-1 Ag-0.01质量%Zn-0.01质量%Au-0.1质量%Cu
1-2 Ag-2质量%In-4质量%Pd
1-3 Ag-1质量%Au
1-4 Ag-1质量%Pd
1-5 Ag-1质量%Au-1质量%Ti
1-6 Ag-1质量%Sn
以往例 1-1 Ag
1-2 Ag-0.9质量%Pd-1质量%Cu
使用该溅射靶材,通过RF溅射法,在玻璃基板上得到厚度约200nm的和表1所示组成相同组成的薄膜。
将得到的附着了薄膜的玻璃基板暴露在大气中,进行耐氧化性试验。另外,将附着薄膜的其它玻璃基板分别浸渍于10%食盐(NaCl)水溶液中和0.01%硫化钠(Na2S)水溶液中,进行耐卤素(氯)性和耐硫化性试验。在各试验中,通过肉眼观察评价规定时间后的薄膜的状态。其结果示于下述表2中。
表2
                     耐气候性试验结果                 耐硫化性试验结果
 大气暴露试验(大气中放置)  浸渍试验(10%NaCl水溶液)            浸渍试验(0.01%Na2S水溶液)
 暴露时间    浸渍时间                   浸渍时间
样品No.  24小时    10小时   24小时   3分钟 10分钟 30分钟
实施例 1-1  无变化    无变化   无变化   无变化 变成极淡的茶色 变成淡茶色
1-2  无变化    无变化   无变化   无变化 变成极淡的茶色 变成淡茶色
1-3  无变化    无变化   无变化   无变化 变成极淡的茶色 变成淡茶色
1-4  无变化    无变化   无变化   无变化 变成极淡的茶色 变成淡茶色
1-5  无变化    无变化   无变化   无变化 变成极淡的茶色 变成淡茶色
1-6  无变化    无变化   无变化   无变化 变成极淡的茶色 变成淡茶色
1-7  无变化    无变化   无变化   无变化 变成极淡的茶色 变成淡茶色
比较例 1-1  变成淡茶色    变成黄色   变成黄色   茶色 黑紫色 黑紫色
1-2  无变化    无变化   无变化   无变化 变成极淡的茶色 变成淡茶色
1-3  无变化    无变化   无变化   变成极淡的茶色 变成茶色 变成浓茶色
1-4  无变化    无变化   无变化   变成极淡的茶色 变成茶色 变成浓茶色
1-5  无变化    无变化   无变化   变成极淡的茶色 变成茶色 变成浓茶色
1-6  变成淡茶色    变成黄色   变成黄色   无变化 变成极淡的茶色 变成淡茶色
以往例 1-1  变成淡茶色(部分为浓茶色)    变成黄色   变成黄色   茶色 黑紫色 黑紫色
1-2  无变化    无变化   无变化   变成极淡的茶色 变成茶色 变成浓茶色
从表2的结果可知,实施例1-1~1-7的薄膜在大气暴露试验和10%NaCl水溶液的浸渍试验中没有发现变化。另一方面,比较例1-1和比较例1-6以及以往例1-1的薄膜产生变色。
另外可知在耐硫化性试验中,将实施例1-1~1-7的薄膜和比较例1-1、比较例1-3~1-5以及以往例1-1~1-2的薄膜进行比较,实施例的薄膜与比较例和以往例的薄膜相比,变色的进程情况减慢,耐硫化性提高。根据比较例1-5可知,即使使用像Ti这样的过渡金属代替本发明的金属成分(A),得到的Ag合金的耐硫化性也没有提高。
而且,测定得到的薄膜在500-700nm波长区域的光的反射率(垂直入射光),则实施例1-1~1-7的薄膜的反射率都为90%以上,而比较例1-2的薄膜的反射率为80-90%,反射率低。
从以上结果可知,本发明的Ag合金在具有高反射率的同时,耐腐蚀性提高。
而且,测定上述得到的本发明的实施例1-1~1-7的Ag合金和比较例1-2的Ag合金的板材的电阻。其结果示于下述表3中。
               表3
   样品No. 比电阻,ρ/μΩ·cm
 实施例     1-1     2.5
    1-2     2.0
    1-3     4.8
    1-4     3.2
    1-5     2.9
1-6 6.4
    1-7     2.3
 比较例     1-2     7.9
从表3可以看出,本发明的Ag合金电阻都在7μΩ·cm以下。另一方面,如比较例1-2所示,金属成分(A)和金属成分(B)的合计含量多的Ag合金电阻大于7μΩ·cm。
在DVD-R和CD-R中,作为记录层,如特开平11-321110号公报和特开2000-43420公报等所述,在圆盘状基板上涂覆含有卤素(Cl、Br、I等)的色素化合物,再设置反射层和保护层。这些色素化合物含有的卤素离子附着在Ag上时,Ag发生变色。例如,色素分解,色素中的卤素离子附着到Ag反射膜上时,和卤素离子反应,发生变色,反射率降低。为此,如DVD-R和CD-R等那样,对在使用色素的领域中使用的Ag合金要求耐卤素性。为了研究这种和卤素离子的反应性,和上述同样,制作表4所示组成的Ag合金的板材,浸渍于表5所示的各种试验液中,研究采用色差计的变色情况。由于Ag和卤素离子反应时变成黄色,因此比较黄色的情况,进行耐腐蚀性评价。其结果示于表5中。
                                   表4
  样品No.                   组成
 实施例 2-1 Ag-1质量%In-0.7质量%Pd
2-2 Ag-1质量%Sn-0.8质量%Au
2-3 Ag-0.8质量%Zn-0.8质量%Au
 比较例 2-1 Ag-0.01质量%Zn-0.01质量%Au-0.1质量%Cu
2-2 Ag-1质量%Au
2-3 Ag-1质量%Sn
2-4 Ag-1质量%Ti-1质量%Au
2-5 Ag-1质量%Mg-1质量%Au
 以往例 2-1 Ag
2-2 Ag-0.9质量%Pd-1质量%Cu
2-3 Ag-1质量%Mg
                                    表5
试验溶液 10%氯酸钠水溶液 10%碘化钾水溶液
浸渍时间 380小时 24小时
样品No. 色差b(=+黄色/-蓝色) 色差b(=+黄色/-蓝色)
实施例 2-1 0.45 0.03
2-2 0.80 0.52
2-3 0.41 0.65
比较例 2-1 4.80 8.53
2-2 1.65 1.31
2-3 2.89 4.19
2-4 1.85 1.56
2-5 2.03 1.87
以往例 2-1 4.78 8.80
2-2 2.19 2.44
2-3 3.65 5.00
表5中的色差b表示越在+侧,黄色越强,越在-侧,蓝色越强。从表5可知,实施例2-1~2-3的Ag合金的板材色差b的值没有超过1,向黄色变色少,与氯离子或碘离子的反应性低,耐卤素性优良。
另一方面可知,如比较例2-1所示,Zn、Au和Cu添加量少时,易于引起变色,如比较例2-2~2-3所示,在二元体系时,认为有某种程度的变色抑制效果,与实施例的三元情况比较,不能得到充分的效果。另外,即使是三元体系,如比较例2-4所示,添加作为本发明的金属成分(A)的In、Sn、Zn以外的像Ti这样的过渡金属或Mg这样的元素时,不能得到如本发明的协同效果。而且可以看出,以往例和实施例比较,色差b值大,易于变色。
另外,在有关液晶或有机E1、DVD、DVD-RW或DVD-RAM等的反射膜中使用Ag合金时,根据使用条件,有时暴露在高温下。例如,纯银薄膜暴露于200℃以上的温度时,引起膜的凝集等,出现白浊,反射率下降。为此,在这些用途中要求膜对热的稳定性。
因此,为了研究本发明的Ag合金的热稳定性,制作下述表6所示组成的Ag合金,用RF溅射法将其在玻璃基板上成膜,使膜厚达到150nm,研究该膜的热稳定性。
                               表6
样品No. 组成
实施例 3-1 Ag-1.0质量%In-0.7质量%Pd
3-2 Ag-0.8质量%Sn-0.6质量%Au-0.2质量%Pd
3-3 Ag-1.0质量%Zn-0.8质量%Au
3-4 Ag-0.2质量%Zn-0.5质量%Au
3-5 Ag-0.2质量%Zn-0.6质量%Pd
3-6 Ag-0.3质量%In-0.7质量%Pd
比较例 3-1 Ag-0.5质量%Au
3-2 Ag-0.2质量%Zn-0.6质量%Au-4.0质量%Cu
以往例 3-1 Ag
3-2 Ag-0.9质量%Pd-1质量%Cu
作为研究方法,测定试验前的反射率后,在大气中于250℃下热处理1小时,再次测定反射率,按照下面的计算式算出反射率的变化率。
变化率(%)=试验后的反射率/试验前的反射率×100
其结果示于表7中。
                            表7
  样品No.                    变化率(%)
  试验前               试验后
 测定波长400nm  测定波长700nm
  实施例     3-1   100     94     100
    3-2   100     97     100
    3-3   100     97     99
    3-4   100     97     100
    3-5   100     98     100
    3-6   100     97     100
比较例     3-1   100     92     100
    3-2   100     87     98
以往例     3-1   100     84     99
    3-2   100     90     100
从表7的结果可知,在测定波长700nm时,各样品几乎都没有看到变化,而在测定波长400nm时,实施例3-1~3-6的薄膜的变化率为94%以上,热稳定性优良。另一方面,比较例3-2的薄膜和以往例3-1的Ag膜在测定波长400nm的变化率为90%以下。比较例3-1和以往例3-2的膜为90%以上,但与实施例3-1~3-6相比较低。
另外,将实施例3-4和比较例3-1比较,含有Zn的实施例3-4的薄膜的变化率为98%,对热极其稳定,与此相对,没有添加Zn的比较例3-1的薄膜的变化率为92%,可知通过添加本发明的Au和Zn的组合,热稳定性提高。
在像液晶这样的半透过、反射电极膜中使用Ag合金时,为了配线用,要求采用湿蚀刻的图案形成特性。因此,制作下述表8所示组成的Ag合金,进行采用湿蚀刻的图案形成,研究其特性。在湿蚀刻中,使用磷酸+硝酸+醋酸+水的混合溶液。其结果示于表9中。
                        表8
样品No. 组成
实施例 4-1 Ag-0.8质量%In-0.3质量%Pt
4-2 Ag-1.0质量%Zn-0.5质量%Au
4-3 Ag-1.0质量%Zn-2.0质量%Pd
比较例 4-1 Ag-0.8质量%Sn-2.0质量%Au
4-2 Ag-0.8质量%Sn-2.0质量%Pt
                     表9
    样品No.    评价    备注
  实施例     4-1    ○    良好
    4-2    ○    良好
    4-3    ○    良好
比较例     4-1    ×    有残渣
    4-2    ×    有残渣
评价基准○:基板上没有残渣附着
        ×:基板上有残渣附着
从表9可知,实施例4-1~4-3可以得到良好的结果,而比较例4-1~4-2在蚀刻后,残渣物(Au,Pt)一部分溶解残留,附着在基板上。残渣物多时,图案形成性变差。

Claims (28)

1.一种具有高反射率的高耐腐蚀性薄膜形成用溅射靶材,其特征在于,该溅射靶材由Ag合金构成,所述合金在Ag中含有金属成分(A)合计0.1-2.0质量%和金属成分(B)合计0.1-4.9质量%而成,且金属成分(A)和金属成分(B)的合计含量为0.2-5.0质量%,其中,金属成分(A)是选自0.1-2.0质量%的In、0.1-2.0质量%的Sn和0.1-2.0质量%的Zn中的至少一种,金属成分(B)是选自0.1-0.9质量%的Au、0.1-4.9质量%的Pd和0.1-0.9质量%的Pt中的至少一种。
2.如权利要求1所述的溅射靶材,金属成分(A)是选自0.1-1.5质量%的In、0.1-1.0质量%的Sn和0.1-1.5质量%的Zn中的至少一种。
3.如权利要求1所述的溅射靶材,金属成分(A)的合计含量是0.1-1.5质量%。
4.如权利要求1所述的溅射靶材,金属成分(B)是选自0.2-0.8质量%的Au、0.2-2.0质量%的Pd和0.2-0.8质量%的Pt中的至少一种。
5.如权利要求1所述的溅射靶材,金属成分(B)的合计含量是0.2-0.9质量%。
6.如权利要求1所述的溅射靶材,金属成分(A)和金属成分(B)的合计含量是0.3-2.0质量%。
7.一种具有高反射率的高耐腐蚀性薄膜形成用溅射靶材,其特征在于,该溅射靶材由Ag合金构成,所述合金在Ag中含有金属成分(A)合计0.05-2.0质量%、金属成分(B)合计0.1-4.9质量%和Cu 0.05-2.0质量%而成,且金属成分(A)、金属成分(B)和Cu的合计含量为0.2-5.0质量%,其中,金属成分(A)是选自0.05-2.0质量%的In、0.05-2.0质量%的Sn和0.05-2.0质量%的Zn中的至少一种,金属成分(B)是选自0.1-0.9质量%的Au、0.1-4.9质量%的Pd和0.1-0.9质量%的Pt中的至少一种。
8.如权利要求7所述的溅射靶材,金属成分(A)是选自0.1-1.5质量%的In、0.1-1.0质量%的Sn和0.1-1.5质量%的Zn中的至少一种。
9.如权利要求7所述的溅射靶材,金属成分(A)的合计含量是0.1-1.5质量%。
10.如权利要求7所述的溅射靶材,金属成分(B)是选自0.2-0.8质量%的Au、0.2-2.0质量%的Pd和0.2-0.8质量%的Pt中的至少一种。
11.如权利要求7所述的溅射靶材,金属成分(B)的合计含量是0.2-0.9质量%。
12.如权利要求7所述的溅射靶材,Cu的含量是0.1-1.5质量%。
13.如权利要求7所述的溅射靶材,金属成分(A)和金属成分(B)以及Cu的合计含量是0.5-2.0质量%。
14.一种Ag合金薄膜,其特征在于,在Ag中含有金属成分(A)合计0.1-2.0质量%和金属成分(B)合计0.1-4.9质量%而成,且金属成分(A)和金属成分(B)的合计含量为0.2-5.0质量%,其中,金属成分(A)是选自0.1-2.0质量%的In、0.1-2.0质量%的Sn和0.1-2.0质量%的Zn中的至少一种,金属成分(B)是选自0.1-0.9质量%的Au、0.1-4.9质量%的Pd和0.1-0.9质量%的Pt中的至少一种。
15.如权利要求14所述的薄膜,金属成分(A)是选自0.1-1.5质量%的In、0.1-1.0质量%的Sn和0.1-1.5质量%的Zn中的至少一种。
16.如权利要求14所述的薄膜,金属成分(A)的合计含量是0.1-1.5质量%。
17.如权利要求14所述的薄膜,金属成分(B)是选自0.2-0.8质量%的Au、0.2-2.0质量%的Pd和0.2-0.8质量%的Pt中的至少一种。
18.如权利要求14所述的薄膜,金属成分(B)的合计含量是0.2-0.9质量%。
19.如权利要求14所述的薄膜,金属成分(A)和金属成分(B)的合计含量是0.3-2.0质量%。
20.一种Ag合金薄膜,其特征在于,在Ag中含有金属成分(A)合计0.05-2.0质量%、金属成分(B)合计0.1-4.9质量%和Cu 0.05-2.0质量%而成,且金属成分(A)、金属成分(B)和Cu的合计含量为0.2-5.0质量%,其中,金属成分(A)是选自0.05-2.0质量%的In、0.05-2.0质量%的Sn和0.05-2.0质量%的Zn中的至少一种,金属成分(B)是选自0.1-0.9质量%的Au、0.1-4.9质量%的Pd和0.1-0.9质量%的Pt中的至少一种。
21.如权利要求20所述的薄膜,金属成分(A)是选自0.1-1.5质量%的In、0.1-1.0质量%的Sn和0.1-1.5质量%的Zn中的至少一种。
22.如权利要求20所述的薄膜,金属成分(A)的合计含量是0.1-1.5质量%。
23.如权利要求20所述的薄膜,金属成分(B)是选自0.2-0.8质量%的Au、0.2-2.0质量%的Pd和0.2-0.8质量%的Pt中的至少一种。
24.如权利要求20所述的薄膜,金属成分(B)的合计含量是0.2-0.9质量%。
25.如权利要求20所述的薄膜,Cu的含量是0.1-1.5质量%。
26.如权利要求20所述的薄膜,金属成分(A)和金属成分(B)以及Cu的合计含量是0.5-2.0质量%。
27.一种光盘介质,由权利要求14或20所述的薄膜构成。
28.一种反射型STN液晶显示或有机EL显示装置,使用权利要求14或20所述的薄膜。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004192702A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 光記録媒体の反射膜用の銀合金
JP4671579B2 (ja) * 2002-12-16 2011-04-20 株式会社アルバック Ag合金反射膜およびその製造方法
US20050019203A1 (en) * 2003-07-23 2005-01-27 Yuhichi Saitoh Silver alloy material, circuit substrate, electronic device, and method for manufacturing circuit substrate
CN101111124A (zh) * 2003-07-23 2008-01-23 夏普株式会社 电路基板、电子装置及电路基板的制造方法
TW200514070A (en) * 2003-09-03 2005-04-16 Williams Advanced Materials Inc Silver alloys for optical data storage and optical media containing same
EP1669964A4 (en) * 2003-09-30 2007-09-26 Asahi Glass Co Ltd MULTILAYER BODY FOR FORMING A BASE WITH WIRING, BASE WITH WIRING AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
US7413618B2 (en) * 2003-12-10 2008-08-19 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Silver alloy for reflective film
EP1734140A4 (en) * 2003-12-10 2009-06-24 Tanaka Precious Metal Ind SILVER ALLOY WITH EXCELLENT REFLECTION FORMAT PROPERTIES
JP4918231B2 (ja) * 2004-06-16 2012-04-18 株式会社アルバック Ag合金膜の製造方法
JP3907666B2 (ja) 2004-07-15 2007-04-18 株式会社神戸製鋼所 レーザーマーキング用再生専用光情報記録媒体
WO2006132417A1 (ja) * 2005-06-10 2006-12-14 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. 反射率・透過率維持特性に優れた銀合金
JPWO2006132413A1 (ja) * 2005-06-10 2009-01-08 田中貴金属工業株式会社 電極、配線及び電磁波遮蔽用の銀合金
JP4833942B2 (ja) * 2007-08-29 2011-12-07 株式会社コベルコ科研 Ag基合金スパッタリングターゲット
JP2010287565A (ja) * 2009-05-14 2010-12-24 Mitsubishi Materials Corp 上部発光型有機EL素子の陽極層を形成するAl合金反射電極膜
JP4793502B2 (ja) 2009-10-06 2011-10-12 三菱マテリアル株式会社 有機el素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットおよびその製造方法
JP5533545B2 (ja) * 2010-01-12 2014-06-25 三菱マテリアル株式会社 有機el素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットおよびその製造方法
ITSA20120001A1 (it) * 2012-01-04 2013-07-05 Rosita Gioielli D Amare Di Petrosin O Rosa Lega argento-palladio per l'industria orafa argentiera.
JP5159962B1 (ja) 2012-01-10 2013-03-13 三菱マテリアル株式会社 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5522599B1 (ja) 2012-12-21 2014-06-18 三菱マテリアル株式会社 Ag合金スパッタリングターゲット
JP5612147B2 (ja) * 2013-03-11 2014-10-22 三菱マテリアル株式会社 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP6198177B2 (ja) * 2013-07-19 2017-09-20 三菱マテリアル株式会社 Ag合金スパッタリングターゲット
CN105316630B (zh) * 2014-06-04 2020-06-19 光洋应用材料科技股份有限公司 银合金靶材、其制造方法及应用该靶材的有机发光二极管
TWI612025B (zh) * 2015-09-23 2018-01-21 住華科技股份有限公司 製作濺鍍靶材的銲料及其應用方法
CN106947879B (zh) * 2017-04-11 2019-02-19 东北大学 用于真空磁控溅射银基合金靶材坯料及其制备方法和应用
JP2020090706A (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 三菱マテリアル株式会社 金属膜、及び、スパッタリングターゲット
CN113564543A (zh) * 2021-07-20 2021-10-29 昆山嘉美荣材料科技有限公司 一种银钯铟靶材及其制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2017284C (en) 1989-07-04 1995-10-03 Kazutomi Suzuki Optical recording medium
JP2541677B2 (ja) 1989-08-09 1996-10-09 帝人株式会社 光記録媒体
JPH073435A (ja) 1993-04-22 1995-01-06 Mitsubishi Materials Corp 高耐食性Ag−Mg合金、および、その薄膜
JP3558301B2 (ja) 1993-04-22 2004-08-25 三菱マテリアル株式会社 高耐食性Ag−Mg合金の薄膜
JPH09111380A (ja) * 1995-10-18 1997-04-28 Nisshin Steel Co Ltd 抗菌・防カビ性に優れたAg−Cu−Zn合金
JPH10177742A (ja) 1996-10-15 1998-06-30 Kao Corp 光記録媒体
JPH10143917A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Kao Corp 光記録媒体
US6245166B1 (en) 1997-07-02 2001-06-12 Mabuchi Motor Co., Ltd Material for sliding contact, composite clad material, and small-sized direct current motor using the same
JPH1125515A (ja) * 1997-07-03 1999-01-29 Kao Corp 光記録媒体
US6544616B2 (en) * 2000-07-21 2003-04-08 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
JP4007702B2 (ja) 1998-10-05 2007-11-14 株式会社フルヤ金属 薄膜形成用スパッタリングターゲット材およびそれを用いて形成されて成る薄膜、および光学記録媒体
JP2000226626A (ja) 1999-02-03 2000-08-15 Tsutomu Kirihara 耐硫化性銀合金
JP4247863B2 (ja) 1999-07-12 2009-04-02 ソニー株式会社 電子部品用金属材料、電子部品用配線材料、電子部品用電極材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法及び電子光学部品
JP3957259B2 (ja) 2000-04-12 2007-08-15 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用反射層および光情報記録媒体
JP2002235130A (ja) 2001-02-05 2002-08-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光ディスク反射膜用銀合金

Also Published As

Publication number Publication date
EP1371749A4 (en) 2004-08-18
DE60230728D1 (de) 2009-02-26
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GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHIFU METAL XINGYE CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SHIFU METAL XINGYE CO., LTD.; NIPPON SHEET GLASS CO LTD

Effective date: 20061117

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Effective date of registration: 20061117

Address after: Tokyo, Japan, Japan

Patentee after: Ishifuku Metal Industry Co., Ltd.

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Co-patentee before: Nippon Sheet Glass Co., Ltd.

Patentee before: Ishifuku Metal Industry Co., Ltd.

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Granted publication date: 20050831

Termination date: 20170315

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