TW575674B - A sputtering target material and Ag alloy film - Google Patents

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Nobuo Ishii
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Description

575674 五、發明說明（1 ) 【技術領域】 本發明係關於一種維持高反射率並提昇耐蝕性，特別係 耐鹵素性、耐氧化性、耐硫化性的薄膜形成用濺鍍標靶材 料，以及使用此濺鍍標靶材料所形成的薄膜。 【技術背景】 CD(Compact Disk)、DVD(Digital Versatile Disc)等光學言己 錄媒體中所使用的反射膜，或反射型STN(Super Twist Nematic)液晶顯示裝置、有機 EL(Electro luminescence)顯 示裝置等顯示裝置中所使用的光反射性導電膜，一般均採 用A1或A1合金。 使用於上述光學記錄媒體或液晶顯示裝置、有機EL顯 示裝置等用途的光反射性薄膜，一般係藉由製作具所期待 的性質的濺鍍標靶材料，然後使用此濺鍍標靶，藉由RF( 高週波）濺鍍法或DC(直流）濺鍍法進行成膜而製得。 利用上述方法所製得包含A1或A1合金的薄膜，具有某 程度的反射率且電阻偏低，且因爲表層上形成非動態皮膜 ，因此即便在空氣中具有安定的耐蝕性，包含A1或A1合 金的薄膜的反射率，譬如在波長700nm之光的情況時爲 80%左右，對要求高反射率的用途並無法充分滿足。 爲此在要求具高反射率薄膜的如CD-R或DVD所代表的 光碟媒體中，濺鍍標靶材料便有提案取代A1或A1合金， 而改用Au或Ag形成薄膜。此外，使關於反射型STN液 晶顯示裝置，亦有提案薄膜材料使用反射率較高的Ag。 575674 五、發明說明（2) 但是因爲Ag屬高單價，且Ag相較於A1，存在有耐蝕 性，特別係耐鹵素（C1等）性、耐氧化性、耐硫化性的問題 。譬如Ag若與如C1的鹵素產生反應時，將變色而降低反 射率，此外，若與硫或氧產生反應時，將產生Ag的硫化 物或氧化物而黑色化，導致反射率降低。 因此，譬如在日本專利特開平7-3363號公報中，此外， 在曰本專利特開2000- 1 09943號公報中便揭示藉由在Ag中 添加少量的M g並合金化，而提昇A g的耐蝕性（耐鹵素性 、耐氧化性、耐硫化性）。另，在日本專利特開平3-1 56753號公報中，則揭示藉由使Ag中含0.5〜50at%的Au ，以提昇記錄感度及C/N比的AgAu合金。 惟即便利用該等Ag合金化，卻仍存在無法充分獲得Ag 之耐蝕性，或者耐蝕性，特指耐鹵素（C1等）性雖有某種程 度的提昇，但是就耐硫化性而言，卻與A g幾乎並無不同 ，無法獲得充分的耐蝕性等問題。 本發明之目的係提供一'種維持筒反射率並改善耐触性， 特別係耐鹵素性、耐氧化性、耐硫化性之包含Ag合金的 薄膜形成用濺鍍標靶材料，以及使用該濺鍍標靶材料所形 成的薄膜。 【發明揭示】 本發明人等爲達上述目的，經深入鑽硏結果，本次發現 若在Ag中，添加特定少量的In、Sn、Zn中至少一種，與 特定少量的Au、Pd、Pt中至少一種並合金化，該等二金 575674 五、發明說明（3) 屬成分的相乘作用，便可獲得維持局反射率，且更加提昇 耐蝕性，特別係耐鹵素性、耐氧化性、耐硫化性的A g合 金；進一步，若添加少量Cu並合金化，便可再更加提昇 耐蝕性，特別係耐鹵素性、耐氧化性、耐硫化性，而完成 本發明。 因此，本發明係提供一種具高反射率之高耐蝕性薄膜形 成用濺鍍標靶材料，其係包含Ag中含有：至少一種選自 0.1 〜2.0mass% 之 In、0.1 〜2.0mass% 之 Sn 及 0.1 〜2.0mass% 之 Zn的金屬成分（A)總計0.1〜2.0mass% ;以及至少一種選自 0.1 〜0.9mass% 之 Au、0.1 〜4.9mass% 之 Pd 及 〇·1 〜〇.9mass% 之 Pt的金屬成分（B)總計0.1〜4.9mass%;且金屬成分（A)與金 屬成分（B)合計含量爲0.2〜5.0mass%的Ag合金所構成。 再者，本發明亦提供一種具高反射率之高耐蝕性薄膜形 成用濺鍍標靶材料，其係包含Ag中含有：至少一種選自 0.05 〜2.0mass% 之 In、0.05〜2.0mass%之 Sn 及 0.05〜2.0mass% 之Ζ η的金屬成分（A)總計0 · 0 5〜2.0 m a s s % ;至少一種選自 0.1 〜〇.9mass% 之 Au、〇.1 〜4.9mass% 之 Pd、0.1 〜0.9mass% 之 Pt的金屬成分（B)總計0.1〜4.9mass%;以及0.05〜2.0mass% 之Cu;且金屬成分（A)、金屬成分（B)、及Cu合計含量爲 0.2〜5.0mass%的Ag合金所構成。 再者，本發明進一步亦提供一種Ag合金薄膜，其係Ag 中含有：至少一種選自0.1〜2.0mass%之In、0.U.0mass%2 Sn及0.1〜2.0mass%之Zn的金屬成分（A)總計〇·1〜2.0mass% 575674 五、發明說明（4) ’以及至少一種選自0.1〜〇.9mass%之Au、0.1〜4.9mass%之 1^、0.1〜0.911^83%之？1的金屬成分（8)總計0.1〜4.9]1^38%; 且金屬成分（A)與金屬成分（B)合計含量0.2〜5.0mass%。 再者，本發明亦提供一種Ag合金薄膜，其係Ag中含有： 至少一種選自0.05〜2.0mass %之In、0.05〜2.0mass %之Sn及 〇·〇5〜2,0mass%之Zn的金屬成分（A)總計0.05〜2.0mass% ; 至少一種選自0.1〜0.911^55%之八1^、0.1~4.911^85%之？(1及 〇·1〜〇.9mass%之Pt的金屬成分（B)總計0.1〜4.9mass% ;以及 〇·〇5〜2.0mass%之Cu;且金屬成分（A)、金屬成分（B)、及 Cu合計含量爲0.2〜5.0mass%。 以下，針對本發明進行更詳細的說明。 本發明之濺鍍標靶材料係包含以Ag爲基底，在其中添 加選自In、Sn及Zn的金屬成’分（A)、選自Au、Pd及Pt的 金屬成分（B)，並合金化而形成的Ag合金。 上述金屬成分（A)可分別單獨使用In、Sn、Zn，亦可合 倂使用二種或三種。在該等金屬成分（A)中，係使用 InO.l 〜2.0mass%，而以 0.1 〜1.5mass%之範圍內爲佳、SnO.l 〜2.0mass% ，而以 0.1〜l.Omass%之範圍內爲佳 、 Zn(M〜2.0mass%，而以0.1〜1.5mass%之範圍內爲佳。本發 明之Ag合金係含該等金屬成分（A)合計在0.1〜2.0mass%， 而以0.1〜1.5mass%之範圍內爲佳。 若上述金屬成分（A)含量低於0.1 mass%，將無法獲得充 分的耐蝕性，尤其是指耐硫化性；反之，若超過2.Omass% 575674 五、發明說明（5) ，包含所獲得之Ag合金所形成之薄膜的反射率將降低， 而可能使電阻上升。 再者，上述金屬成分（B)可分別單獨採用Au、Pd、Pt， 亦可合倂使用二種或三種。在該等金屬成分（B)中’係使 用 AuO.l〜0.9mass%，而以 0.2〜0.8mass%之範圍內爲佳、 Pd0.1~4.9mass%，而以 0.2〜2.0mass%之範圍內爲佳、 PtO.l〜0.9 mass%，而以0.2〜0.8mass%之範圍內爲佳。本發 明之Ag合金係含該等金屬成分（B)合計在0.1〜4.9mass%， 而以0.2〜0.9mass%之範圍內爲佳。 若上述金屬成分（B)含量低於O.lmass%，將無法獲得充 分的耐蝕性，尤其是指耐硫化性；反之，若Au與Pt含量 超過0.9mass%，當將所獲得之Ag合金使用於要求圖案化 性之液晶等的反射電極時，在利用濕式蝕刻施行圖案化處 理之際，Au、Pt成分將溶解殘留，成爲殘渣物而附著在經 形成圖案化的基板上，而可能產生不良現象。反之，若Pd 含量超過4.9mass%，包含所獲得之Ag合金所形成之薄膜 的反射率，將有降低的可能性。 Ag合金中的金屬成分（A)與金屬成分（B)的相對比率，並 無特別限制，可在各金屬成分的上述含量範圍內進行任意 變化。 再者，Ag合金中的金屬成分（A)與金屬成分（B)合計含量 ，可設定爲〇·2〜5.0mass%，而以0.3〜2.0mass%範圍內爲佳 575674 五、發明說明（6) 當金屬成分（A)與金屬成分（B)合計含量低於〇.2mass% ’ 將無法獲得充分的耐蝕性；反之’若超過5.0mass% ’包含 所獲得之Ag合金所形成之薄膜的反射率’將有降低的可 能性。 Ag合金可藉由譬如在Ag中，將上述金屬成分（A)(In、 Sn、Zn)及金屬成分（B)(Au、Pd、Pt)，依上述量添加後， 在氣爐、高週波溶解爐等適當的金屬熔解爐內，在約 1 000〜約1 05 0 °C的溫度下熔融而製得。熔解時的環境在空 氣中便足夠，配合需要亦可採用惰性氣體環境或真空。 當作原料使用的Ag、金屬成分（A)(In、Sn、Zn)及金屬 成分（B)(Au、Pd、Pt)可採用粒狀、板狀、塊狀等型態的市 售品’通常純度在99.9 %以上，尤以在99.95 %以上爲佳。 如此’可獲得在Ag中含有分別依上述比率之金屬成分 (A)與金屬成分（B)的Ag合金。包含此Ag合金所構成的濺 鍍標？E材料’可維持Ag原本的高反射率，且耐鹵素（特別 指C1)性、耐氧化性、耐硫化性等耐蝕性，相較於習知的 Ag-Mg合金、Ag-pd合金、Ag-Au合金等，有大幅提昇。 此外’在反射型STN液晶顯示或有機EL顯示裝置中， 根據其使用態樣對光反射性薄膜要求導電性（通常，電阻 爲7 V Ω ’em以下，而以在3 # Ω .cm以下爲佳）。又，做 爲反射電極使用時，因需要圖案化爲條紋狀等圖案，因此 要求圖案化性。再者，在以CD-R或DVD爲代表的光碟媒 體及反射型STN液晶顯示、或有機el顯示裝置中，要求 575674 五、發明說明（7 ) 耐熱特性。根據本發明所提供的濺鍍標靶材料，顯示具有 低電阻’且優越的圖案化性，且耐熱性亦佳，係符合如上 要求之特性者。 因此，本發明之包含上述Ag合金所構成的濺鍍標靶材 料’可做爲要求高反射率之以CD-R或DVD所代表之光碟 媒體的反射膜之用，又，亦可有效使用於形成反射型STN 液晶顯示、或有機EL顯示裝置等的光反射性薄膜。 又’本發明中，發現在Ag中添加上述的金屬成分（A)(In 、Sn、Zn)及金屬成分（B)(Au、Pd、Pt)外，進一步添加Cu ，並以上述相同方法溶融合金化時，可製得可維持Ag所 具有的高反射率，並可進一步提昇耐鹵素性、耐氧化性、 耐硫化性等耐蝕性，且電阻低，具有優越的，圖案化性及 耐熱性的濺鍍標靶材料。 此時，金屬成分（A)中，係使用In〇.〇5〜2.0mass%，而以 0.1〜1.5mass%之範圍內爲佳、Sn0.05〜2.0mass%，而以 0.1〜l.Omass%之範圍內爲佳、Ζη0·05〜2.0mass%，而以 0.1〜1.5mass%之範圍內爲佳。所形成之添加Cu的Ag合金 係含該等金屬成分（A)合計在 0.05〜2.0mass%，而以 0.1〜1.5mass%之範圍內爲佳。 又，金屬成分（B)可使用上述相同比率。即，金屬成分（B) 中，係使用AuO.l〜0.9mass%，而以0.2〜0.8mass%之範圍內 爲徑、PdO.l〜4.9mass%，而以0.2〜2.0mass%之範圍內爲佳 、PtO·卜0.9 mass%，而以0.2〜0.8mass%之範圍內爲佳。所 575674 五、發明說明（8) 开夕成的Ag合金係含該等金屬成分（B)合計在0.1〜4.9 mass% ’而以0.2〜0.9mass%之範圍內爲佳。 進一步，Cu 含量可在 0.05〜2.0mass% ，而以 〇·1〜1.5mass%之範圍內爲佳。 當Cu含量低於0.05mass%且與金屬成分（A)合計含量低 於O.lmass%時，無法獲得充分的耐蝕性，尤其是指耐硫化 性。反之，Cu含量超過2.0mass%，在耐熱性有所要求的 用途中，可能因熱負荷造成Cu成分氧化，導致薄膜在短 波長區域下的反射率降低。 所形成之添加Cu的Ag合金，可含有上述金屬成分（A) 、金屬成分（B)及 Cu 合計在 0.2〜5.0mass%，而以 0.5〜2.0mass%之範圍內爲佳。 再者，添加Cu的Ag合金中之金屬成分（A)、金屬成分 (B)及Cu的相對比率，並無特別限制，各金屬成分可在上 述添加範圍內任意變化。 自本發明之包含Ag合金所構成濺鍍標靶材料形成反射 膜的方法，可使用已知的濺鍍法，譬如高週波（RF)濺鍍法 、直流（DC)濺鍍法、磁控濺鍍法等。 以下，根據實施例更詳細說明本發明。 實施例 實施例1 -1〜1 -7，比較例1 -1〜1 -6及習知例1 -1〜1 -2 在 Ag中添加金屬成分（A)(In、Sn、Zn)、金屬成分 (B)(Au、Pd、Pt)及依情況添加Cu，在氣爐內加熱至約 -10- /^674
五、發明說明（9) 105〇 c的溫度，經熔融後，利用鑄模進行鑄造並施行加工 ’製得下表1中所示組成的濺鍍標靶材料。 表1 _ 試料No. 組成 實施例 1-1 Ag-lmass% In-0.7mass%Pd 1-2 Ag-lmass%Zn-0.5mass%Au 1-3 Ag-0.8mass%Sn-0.6mass%Au-0.2mass%Pd 1-4 Ag-0.5mass%In-0.6mass%Au-0.2mass%Pt 1-5 Ag-0.8mass%In-0.5mass%Au-0.5mass%Cu 1-6 Ag-0.7mass%Sn-0.7mass%Pt 1-7 Ag-0.3mass%In-0.7mass%Pd 比較例 1-1 Ag-0.01mass%Zn-0.01mass%Au-0.1mass%Cu 1-2 Ag-2mass% In-4 mass% Pd 1-3 Ag-1 mass% Au 1-4 Ag-1 mass%Pd 1-5 Ag-lmass%Au-lmass%Ti 1-6 Ag- lmass%Sn 習知例 1-1 Ag 1-2 Ag-〇.9mass%Pd-lmass%Cu 使用此濺鍍標靶材料，藉由RF濺鍍法，在玻璃基板上 獲得厚度約200nm之與表1所示組成相同的薄膜。 將附著有所獲得之薄膜的玻璃基板暴露於大氣中’試驗 耐氧化性。又，將附著有薄膜的玻璃基板，分別浸漬於 -11- 575674 五、發明說明（彳〇)10%食鹽（NaCl)水溶液中及0.01%硫化鈉（NaS2)水溶液中， 試驗耐鹵素（氯）性及耐硫化性。各試驗中，係以目視評估 特定時間後的薄膜狀態。結果如表2所示。 表2 耐候性試驗結果 耐硫化性試驗結果 大氣暴露試驗 (放置大氣中） 浸漬試驗 (10%NaCl水溶液） 浸漬試驗 (0.01%Na2S 水溶液） 曝露時間 浸漬時間 浸漬時間 試料No. 24Hr 10Hr 24Hr 3min lOmin 30min 實施例 1-1 變化無 變化無 變化無 變化無 變極淡茶色 變淡茶色 1-2 變化無 變化無 變化無 變化無 變極淡茶色 變淡茶色 1-3 變化無 變化無 變化無 變化無 變極淡茶色 變淡茶色 1-4 變化無 變化無 變化無 變化無 變極淡茶色 變淡茶色 1-5 變化無 變化無 變化無 變化無 變極淡茶色 變淡茶色 1-6 變化無 變化無 變化無 變化無 變極淡茶色 變淡茶色 1-7 變化無 變化無 變化無 變化無 變極淡茶色 變淡茶色 比較例 1-1 變淡茶色 變黃色 變黃色 茶色 黑紫色 黑紫色 1-2 變化無 變化無 變化無 變化無 變極淡茶色 變淡茶色 1-3 變化無 變化無 變化無 變極淡茶色 變茶色 變濃茶色 1-4 變化無 變化無 變化無 變極淡茶色 變茶色 變濃茶色 1-5 變化無 變化無 變化無 變極淡茶色 變茶色 變濃茶色 1-6 變淡茶色 變黃色 變黃色 變化無 變極淡茶色 變淡茶色 習知例 1-1 變淡茶色 (部分濃茶色） 變黃色 變黃色 茶色 黑紫色 黑紫色 1-2 變化無 變化無 變化無 變極淡茶色 變茶色 變濃茶色 -12- 575674 五、發明說明（11 ) 由表2結果得知’實施例1_1〜的薄膜，在大氣暴露 3式驗及對1 0 % N a C1水溶液的浸漬試驗中，並未發現變化。 反之，比較例1-1與1-6及習知例丨_丨的薄膜則產生變色 〇 又，耐硫化性試驗中，比較實施例丨_1〜的薄膜，與 比較例1-1、比較例1-3〜1-5及習知例丨-丨〜丨-卩的薄膜時， 由實施例的薄膜在變色演進程度上，較緩於比較例與習知 例’得知耐硫化性有所提昇。根據比較例1 - 5，得知取代 本發明之金屬成分（A)，而改用Τι之類的過渡金屬，所獲 得之Ag合金的耐硫化性並未提昇。 進一步，當測量所獲得之薄膜在500〜700nm波長區j；或巾 的光反射率（垂直入射光）時，相對實施例1-1〜1-7薄膜的 反射率均在90%以上，比較例薄膜的反射率爲80〜90%，反 射率較低。 由以上結果得知，本發明之Ag合金，具有高反射率， 且耐蝕性有所提昇。 進一步，測定上述所得本發明之實施例1-1〜1-7的Ag合 金及比較例1 -2的Ag合金板材的電阻。其結果如表3戶斤 示0 -13- —^— 575674
五、發明說明（12) 表3 ----- 試料No. 比電阻，P / # Ω ·αη 實施例 ---- 1-1 2.5 1-2 2.0 1-3 4.8 1-4 3.2 1-5 2.9 1-6 6.4 1-7 2.3 例 1-2 7.9 由表3中得知，本發明之Ag合金，電阻均在7 μ Ω %ιη 以下。此外，如比較例1-2所示，金屬成分（Α)與金屬成分 (B)合計含量偏多的Ag合金，電阻大於7 // Ω νιη。 DVD-R或CD-R中，記錄層如曰本專利特開平11-321110 號公報或特開平2000-43420號公報等中所揭示，在圓盤狀 基板上，塗布含鹵素（Cl、Br、I等）色素化合物後，進一步 設置反射層與保護層。當該等色素化合物中所含鹵離子附 著於Ag上時，Ag將變色。譬如當色素分解且色素中的鹵 離子附著於Ag反射膜上時，將與鹵離子進行反應而變色 ，導致反射率降低。因此，對使用於如DVD-R或CD_R等 使用色素的領域中的Ag合金要求耐鹵素性。爲調查此類 與離子間的反應性，根據上述相同方法製作如表4所示組 成的Ag合金板材，並浸漬於表5所示各種試驗液中，利 -14- 575674 五、發明說明（13 ) 用色差計調查變色程度。因Ag與鹵離子反應，將變爲黃 色，因此比較黃色程度，以評估耐鈾性。結果如表5所示。 表4 試料No. 組成 實施例 2-1 Ag- lmass%In-0.7mass%Pd 2-2 Ag- lmass%Sn-0.8mass%Au 2-3 Ag-0.8mass%Zn-0.8mass%Au 比較例 2-1 Ag-0.01mass%Zn-0.01mass%Au-0. lmass%Cu 2-2 Ag-lmass%Au 2-3 Ag-lmass%Sn 2-4 Ag-1 mass %Ti-1 mass% Au 2-5 Ag-1 mass %Mg-l mass %Au 習知例 2-1 Ag 2-2 Ag-0.9mass%Pd-lmass%Cu 2-3 Ag-lmass%Mg -15- 575674 五、發明說明（μ ) 表 5 實施例 試'楚押 10%氯化鈉水溶液 10%碘化鉀水溶液 380小時 24小時 試料No. 色差b ( = +黃色/一青色） 色差b ( = +黃色/一青色） 2丄 0.45 0.03 2-2 0.80 0.52 2-3 0.41 0.65 比較例 2-1 4.80 8.53 2-2 1.65 1.31 2-3 2.89 4.19 2-4 1.85 1.56 2-5 2.03 1.87 習知例 2-1 4.78 8.80 2-2 2.19 2.44 2-3 3.65 5.00 表5中的色差b係越偏+端黃色越強，越偏-端，藍色越 強。由表5得知，實施例2-1〜2-3的Ag合金板材，色差b 値並未超過1，變黃的變色較少，得知與氯離子或碘離子 間的反應性低、具有優越的耐鹵素性。 此外，如比較例2 -1，當Z η、A u及C u添加量較少時’ 容易產生變色。如比較例2 - 2〜2 - 3的二元系之情況時’雖 確認某種程度的變色抑制效果，但相較如實施例的三元之 情況時，無法獲得充分的效果。此外’在三元系中’如比 -1 6 - 575674 五、發明說明（彳5) 較例2-4，當添加本發明的金屬成分（A)之In、Sn、Zn以外 的如Ti之過渡金屬、或Mg之元素時，亦無法獲得本發明 的相乘效果。再者，習知例相較於實施例，色差b値較大 ，且較容易變色。 又，將Ag合金用於液晶相關或有機EL、DVD、DVD-RW、或DVD-RAM等的反射膜時，隨使用條件可能暴露於 高溫下。譬如當純銀薄膜暴露於200°C以上的溫度時，將 引發膜的凝聚等而白濁，導致反射率降低。因此，在該等 用途中，要求膜對熱的安定性。 因此，爲調查本發明之Ag合金的熱安定性，製作如下 表6所示組成的Ag合金，並將其利用RF濺鍍法在玻璃基 板上形成厚度150nm的膜，並調查此膜的熱安定性。 表6 試料No. 組成 實施例 3-1 Ag-1.0mass%In-0.7mass%Pd 3-2 Ag-0.8mass%Sn-0.6mass%Au-0.2mass%Pd 3-3 Ag-1.0mass%Zn-0.8mass%Au 3-4 Ag-0.2mass%Zn-0.5mass%Au 3-5 Ag-0.2mass%Zn-0.6mass%Pd 3-6 Ag-0.3mass%In-0.7mass%Pd 比較例 3-1 Ag-0.5mass%Au 3-2 Ag-0.2mass%Zn-0.6mass%Au-4.0mass%Cu 習知例 3-1 Ag 3-2 Ag-0.9mass%Pd- lmass%Cu -17- 575674 五、發明說明（16) 調查方法係測定試驗前的反射率之後，再於大氣中，於 250°C中施行1小時熱處理後，再度測量反射率，並根據 以下計算式算出，反射率變化率。 變化率（％) =試驗後之反射率/試驗前之反射率X 100 結果如表7中所示。 表7 變化率(％) 試驗前 試驗後 試料No. 測定波長400nm 測定波長700nm 實施例 3-1 100 94 100 3-2 100 97 100 3-3 100 97 99 3-4 100 97 100 3-5 100 98 100 3-6 100 97 100 比較例 3-1 100 92 100 3-2 100 87 98 習知例 3-1 100 84 99 3-2 100 90 100 由表7結果得知，在測量波長700nm中，各試料幾乎未 有變化，但測量波長4 0 0 n m時，實施例3 -1〜3 - 6薄膜的變 化率在94%以上，具有優越的熱安定性。反之，比較例3-2薄膜與習知例3-1 Ag薄膜，在測量波長400nm中的變化 -18- 575674 五、發明說明（17 ) 率在90%以下。比較例3-1與習知例3-2薄膜雖在90%以 上，但低於實施例3-1〜3-6。 又，比較實施例3-4與比較例3_4，相對含有Zn之實施 例3-4的薄膜，變化率爲98%，對熱極安定，未添加Zn的 比較例3-1薄膜，變化爲92%，得知藉由本發明之組合添 加Au與Zn，率可提升熱安定性。
Ag合金使用於如液晶之半穿透•反射電極膜時，爲配線 用而要求濕式蝕刻的圖案化特性。因此，製作如下表8所 示組成的Ag合金，並施行濕式蝕刻的圖案化處理，調查 其特性。濕式蝕刻，係使用磷酸+硝酸+醋酸+水的混合溶 液。結果如表9所示。 表8 試料Νπ 組成 實施例 4-1 Ag-0.8mass%In-0.3mass%Pt 4-2 Ag-1.0mass%Zn-0.5mass%Au 4-3 Ag-1.0mass%Zn-2.0mass%Pd 比較例 4-1 Ag-0.8mass%Sn-2.0mass%Au 4-2 Ag-0.8mass%Sn-2.0mass%Pt -19- 575674 五、發明說明（18 ) 表9 試料No. 評估 備註 實施例 4-1 〇 良好 4-2 〇 良好 4-3 〇 良好 比較例 4-1 X 有殘渣 4-2 X 有殘渣 評估基準：〇：基板上未附著材渣 X:基板上有附著材渣 由表9得知，實施例4-1〜4-3獲得良好的結果。反之， 比較例4-1〜4-2則在鈾刻後，殘渣物（Au、Pt)部分溶解殘 留附著於基板上。殘渣物越多，圖案化性越差。 -20- 申請曰期 1 ΟΠΠΟ Q 1C--____Γ- 1. xJ \u/ L·^. 9 Ο ·丄％^ 案 號 91104906 類 別 c名 c w/外亀 (以上各攔由本局填註)_货/^)VLyi〇2m〇6 57567) II專利說明書 中 文 濺鍍標靶材料及銀合金薄膜 （92年11月4日修正） 發明 新型 名稱 英 文 A Sputtering Target Material and Ag Alloy Film 姓 名 1. 長谷川浩一（Koichi HASEGAWA) 2. 石井信雄（Nobuo ISHII) 3 ·朝木知美（Tomoyoshi ASAKI) 國 籍 1 .〜3 ·日本 創作 人 住、居所 3.埼玉縣草加市青柳2 丁目12番30號 石福金属興業株式会社草加第一工場內硏究部 姓 名 (名稱） 1.石福金屬興業股份有限公司（石福金属興業株式会社） ISHIFUKU METAL INDUSTRY CO., LTD. 2 ·曰本板硝子股份有限公司（日本板硝子株式会社） NIPPON SHEET GLASS ⑴·，LTD. 國 籍 1 .曰本 •日本 申請人 住、居所 (事務所） 1. 日本國東京都千代田區內神田三丁目2〇番7號 2. 曰本國大阪府大阪市中央區北浜四丁目7番28號 代表人 姓 名 1 .古宮誠一（KOMIYA，SEIICHI) 2.出原洋三（IZUHARA，Υ0Ζ0)

Claims (1)

  1. 575674
    第9 1 1 〇 4 9 Ο 6號「濺鍍標耙材料及銀合金薄膜」專利案 ------------ (92年9月5台修ϊέ本) 六申請專利範圍： 二 〜 1 · 一種具高反射率之高耐蝕性薄膜形成用濺鍍標靶材料， 其特徵爲包含：在Ag中含有至少一種選自0.1〜2.〇mass% 之 In、0.1 〜2.0mass%之 Sn、及 0.1 〜2.0mass%之 Zn 的金屬 成分（A)總計0.1〜2.0mass%與至少一種選自0.1〜〇.9mass% 之 Au、0.1 〜4.9mass%之 Pd、及 0.1 〜〇.9mass%之 Pt 的金 屬成分（B)總計0.1〜4.9mass%;且金屬成分（A)與金屬成 分（B)合計含量爲0.2〜5.0mass%的Ag合金所構成。 2·—種具高反射率之高耐蝕性薄膜形成用濺鍍標靶材料， 其特徵爲包含在Ag中含有至少一種選自0.05〜2.〇mass% 之 In、0.05 〜2.0mass% 之 Sn 及 0·05 〜2.0mass% 之 Zn 的金 屬成分（A)總計 〇·〇5〜2.Omass%與至少一種選自 0.1 〜0.9mass%之 Au、〇·1 〜4.9mass%之 Pd、及 0·1 〜0.9mass% 之 Pt的金屬成分（B)總計 0.1〜4.9mass% ;以及 〇·〇5〜2.0mass%之Cu ;且金屬成分（A)、金屬成分（B)、及 Cu的合計含量爲0.2〜5.0mass%的Ag合金所構成。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之濺鍍標靶材料，其中金屬 成分（A)係至少一種選自 〇.1〜1.5mass%之 ln、 0.1 〜l.Omass% 之 Sn 及 〇·1 〜1.5mass% 之 Zn。 4 ·如申請專利範圍第1或2項之濺鍍標靶材料，其中金屬 成分（A)合計含量係〇·1〜1.5mass% ° 575674 六、申請專利範圍 5·如申請專利範圍第1或2項之濺鍍標靶材料，其中金屬 成分（B)係至少一種選自0.2〜0.8maSS%之 Au、 〇.2〜2.〇11^88%之？(1及〇.2〜0.81^58%之？1。 6 ·如申請專利範圍第1或2項之濺鍍標靶材料，其中金屬 成分（B)合計含量係〇. 2〜〇. 9 mass% ° 7·如申請專利範圍第1項之濺鍍標靶材料，其中金屬成分 (A)與金屬成分（B)合計含量係0.3〜2.0mass%。 8·如申請專利範圍第2項之濺鍍標靶材料，其中Cu含量 係 0.1 〜1.5mass%。 9.如申請專利範圍第2項之濺鍍標靶材料，其中金屬成分 (A)與金屬成分（B)與Cu合計含量係0.5〜2.0mass%。 10· —種Ag合金薄膜，其特徵爲在Ag中含有至少一種選 自 0· 1 〜2.〇mass% 之 In 、 〇· 1 〜2.0mass% 之 Sn 及 0.1〜2.0mass%之Zn的金屬成分（A)總計〇·1〜2.0mass%與至 少一種選自 0.1 〜〇.9mass% 之 Au、0.1 〜4.9mass% 之 Pd 及 0.1〜0.9mass%之Pt的金屬成分（B)總計〇.1〜4.9mass%;且 金屬成分（A)與金屬成分（B)合計含量爲0.2〜5.0mass%。 1 1· 一種Ag合金薄膜，其特徵爲在Ag中含有至少一種選 自 0.05〜2.0mass% 之 In 、 0.05〜2.0mass% 之 Sn 及 0.05〜2.0mass%之Zn的金屬成分（A)總計〇.〇5〜2.0mass%與 至少一種選自 0.1 〜〇·9 mass % 之 Au' 0.1 〜4.9 mass % 之 Pd、 0.1〜0.9mass%之Pt的金屬成分（B)總計0.1〜4.9mass% ;以 及0.05〜2.0 mass %之Cu·’且金屬成分（A)、金屬成分（B)、 575674 六、申請專利範圍 及Cu的合計含量爲0.2〜5.0mass%。 12. 如申請專利範圍第10或1 1項之薄膜，其中金屬成分 (A)係至少一種選自0.1〜1.5mass%之In、Q.1〜l.〇mass%之 Sn 及 0.1 〜1.5mass% 之 Zn。 13. 如申請專利範圍第10或11項之薄膜，其中金屬成分 (A)合計含量係〇.1〜1.5mass %。 1 4.如申請專利範圍第1 〇或1 1項之薄膜，其中金屬成分（b ) 係至少一種選自0.2〜0.8mass%之Au、0.2〜2.0mass%之Pd 及 0.2〜0.8mass%之 Pt。 15·如申請專利範圍第1〇或n項之薄膜，其中金屬成分（B) 合計含量係0.2〜0.9mass%。 16.如申請專利範圍第1〇項之薄膜，其中金屬成分（A)與金 屬成分（B)合計含量係0.3〜2.0mass%。 17 ·如申請專利範圍第1 1項之薄膜，其中c u含量係 〇·1 〜1.5mass%。 1 8·如申請專利範圍第1 1項之薄膜，其中金屬成分（A)、金 屬成分（B)與Cu合計含量係〇.5〜2.〇mass%。 1 9.如申請專利範圍第1〇或n項之薄膜，其係用於作爲光 碟媒體。 2〇·如申請專利範圍第1〇或Π項之薄膜，其係用於作爲反 射型STN液晶顯示或有機EL顯示裝置。
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