JP2014074225A - Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

【課題】膜の抵抗の上昇を抑制しつつ、耐熱性、耐塩化性などの耐性に優れ、フィルム上への成膜工程においても傷がつきにくいＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明によるＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｓｂ：０．３〜３．０ａｔ％と、Ｍｇ及びＺｎのいずれか１種又は２種の合計：０．２〜２．０ａｔ％とを含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、あるいは、更に、Ｓｎ及びＰｄのいずれか１種又は２種の合計：０．２〜１．５ａｔ％を含有するＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットからなり、このスパッタリングターゲットから形成されたＡｇ合金膜の表面には、Ｓｂ酸化物が形成されており、Ａｇ合金膜の耐熱性、耐塩化性などの耐性の向上を図れるとともに、フィルム上への成膜工程における傷の発生を防止できる。
【選択図】なし

Description

本発明は、銀（Ａｇ）合金膜形成用スパッタリングターゲットに関するものである。特に、配線、電極などに好適な、耐熱性、耐塩化性などの耐性に優れ、かつ、抵抗が低いＡｇ合金導電膜形成用スパッタリングターゲットに関する。

近年、タッチパネルの市場が急成長を見せている。特に、フィルム基板を使用するタッチパネルは低コストかつ軽量であり、また、将来的にはその柔軟性を活用したフレキシブルデバイスへの応用も期待される。
ここで、タッチパネルにおけるセンサー部分は、透明導電膜（ＩＴＯなど）をパターニングした回路から形成される。そして、その回路からの信号を取り出すための配線がセンサー部分の外周に形成される。

従来では、Ａｇペーストの印刷などにより、この配線が形成されていたが、マルチタッチ技術の採用による配線数の増加や、タッチパネル外周部の幅を狭くすること（狭額縁化）への要請から、配線幅の縮小が必要となってきている。この配線幅の縮小に伴い、配線の抵抗が増加する問題が生じている。そこで、この問題の解決策として、ペースト印刷に代えてスパッタリング法を用いてＡｇの配線を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１，２を参照）。これにより、狭い配線幅であっても低抵抗の配線を得ることができる。

一方、純Ａｇは、耐食性に乏しく、腐食等により特性が劣化する。
この点、配線以外の用途、例えば、光記録媒体やディスプレイなど、Ａｇを反射膜として用いる分野では、Ａｇが腐食により黒色に変色して反射率が低下することが大きな問題として認識されている。この問題を解決するため、様々な元素をＡｇに添加してＡｇ合金とし、耐食性を向上することが行われている（例えば、特許文献３〜６を参照）。

特開２００９−３１７０５号公報 国際公開ＷＯ２００７／１４４９９３ 特許第４８０１２７９号公報 特開２００４−２１７９８６号公報 特開２００６−２９４１９５号公報 特開２００７−３１７４３号公報

純Ａｇをタッチパネル、ＬＥＤ、ＯＬＥＤ等の配線として用いる場合、耐熱性の問題がある。すなわち、タッチパネル等の製造工程の途中において、配線が加熱されることがあるので、その加熱により、激しい粒成長及び凝集が生じてしまい、配線に、突起やボイドが形成されるおそれがある。この結果として、配線の断線などの問題が生じる。
また、フィルム基板を使用する場合、ロールｔｏロールのスパッタ装置を使用しての配線形成という特有の工程がある。この工程において、膜面が巻き取りロールや巻き取った際にフィルム自身により擦られるため、硬度の小さい純Ａｇの配線では傷がつきやすいという問題があった。

さらに、純Ａｇをタッチパネルの配線に用いるにおいても、反射膜の場合と同様に、耐食性の向上が求められている。
まず、タッチパネルの使用環境によっては、人体や環境からの塩分の影響を受ける可能性がある。純Ａｇは、塩分を含む環境においては腐食され易いため、配線の信頼性（耐塩化性）においても問題を生じていた。
また、タッチパネルの使用環境中には、硫黄分が含まれる場合もあるほか、配線形成の工程中には、フォトリソグラフィ及びエッチングの工程が入るが、ここで使用するレジスト剥離液などに硫黄成分が含まれることがある。これらの硫黄成分により、配線部が硫化して腐食する可能性があることから、配線の耐硫化性も高めることが好ましい。

ここで、上述したように、Ａｇに種々の元素を添加して、Ａｇ合金として、耐食性、耐熱性及び硬度を向上することも考えられるが、これでは、劣化による反射率の低下を防止し得ても、種々の元素の添加により、初期の膜の抵抗が上昇するという問題が生じ、このＡｇ合金は、配線、電極などの導電膜を形成するのに適さないものとなる。特に、特許文献３〜６は、反射膜用であるため、抵抗についての配慮がなく、各種元素の添加量が多いため、配線としての利用に適するものではなかった。

そこで、本発明では、膜の抵抗の上昇を抑制しつつ、耐熱性、耐塩化性、耐硫化性に優れ、フィルム上への成膜工程においても傷がつきにくいＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。

本発明者らは、種々の研究により、Ａｇに、Ｓｂと、Ｍｇ及びＺｎのいずれか１種又は２種を含有させ、あるいは、さらに、Ｓｎ及びＰｄのいずれか１種又は２種を選択的に添加すると、膜の表面に、Ｓｂによる酸化膜が形成されることにより、耐熱性、耐塩化性、耐硫化性の向上に大きく寄与し、そして、Ｍｇ、Ｚｎが、硬さ向上により膜の傷つき防止に寄与し、さらには、Ｓｎ、Ｐｄが、耐硫化性のさらなる向上に寄与するという知見を得た。

したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
（１）本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｓｂ：０．３〜３．０ａｔ％と、Ｍｇ及びＺｎのいずれか１種又は２種の合計：０．２〜２．０ａｔ％とを含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする。
（２）前記（１）のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、さらに、Ｓｎ及びＰｄのいずれか１種又は２種の合計：０．２〜１．５ａｔ％を含有することを特徴とする。

ここで、本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを用いて導電膜を形成した場合、ターゲットに含有されたＳｂは膜の表面に偏析し、酸化されて、酸化膜を形成する。これにより、酸化膜が膜表面におけるＡｇ原子の移動を抑制し、耐熱性（耐ヒロック性）の向上に寄与する。さらに、この酸化膜は、耐塩化性、耐硫化性の向上にも寄与する。
Ｓｂが偏析するのは、固溶限の小さい元素であり、非平衡の状態では表面に偏析しやすい傾向があるためと考えられる。そして、表面に偏析した状態で大気に触れると室温でも酸化が起こるため、酸化膜が形成されるが、大気中で熱処理することにより、より確実に酸化膜を形成する事ができる。
ターゲット中のＳｂの含有量が、０．３ａｔ％未満であると、偏析と酸化膜の形成がされにくくなって耐熱性を向上する効果が小さく、また、３．０ａｔ％を超えると、膜の抵抗が上昇する。ターゲット中のＳｂの含有量は、耐熱性向上効果と比抵抗値を考慮すれば、より好ましくは、１．０〜２．０ａｔ％である。

また、本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットにおいては、Ｍｇ及びＺｎのいずれか１種又は２種を含有したことにより、形成される膜の硬さを向上して傷つきを防止することができる。
ＡｇにＳｂだけを添加した場合には、Ｓｂが膜表面に偏析して酸化物を形成するため、膜の内部は純Ａｇに近くなる。すると、膜全体としては硬度が低下して、傷がつきやすくなる。これに対し、Ｍｇ、Ｚｎは、Ａｇに対する固溶限が大きく、薄膜化した際にもＡｇの内部にとどまるので、これら元素を含有することにより硬さを向上して膜の傷つきを防止することができる。
ここで、Ｍｇ及びＺｎのいずれか１種又は２種の合計が、０．２ａｔ％未満であると、膜の硬さを向上する効果が小さく、一方、２．０ａｔ％を超えると、膜の抵抗が上昇してしまう。Ｍｇ及びＺｎのいずれか１種又は２種の合計は、硬さ向上効果と比抵抗値を考慮すれば、より好ましくは、０．５〜１．５ａｔ％である。

また、本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットにおいては、さらにＳｎ及びＰｄのいずれか１種又は２種が選択的に含有させることにより、形成される膜の耐硫化性をさらに向上することができる。
Ｓｎ及びＰｄのいずれか１種又は２種の合計が、０．２ａｔ％未満であると、耐硫化性を向上する効果が小さく、一方、１．５ａｔ％を超えると、膜の抵抗が上昇してしまう。Ｓｎ及びＰｄのいずれか１種又は２種の合計は、耐硫化性向上効果と比抵抗値を考慮すれば、より好ましくは、０．５〜１．０ａｔ％である。

なお、本発明において、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット中に不可避的に含有される元素（Ｓｂ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｎ、Ｐｄ）の合計量は、膜の抵抗の上昇を防止する観点から、４ａｔ％以下に制限することが好ましく、３．３ａｔ％以下であることがより好ましい。

以上のように、本発明によれば、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット中に、Ｓｂを含有させることにより、形成される膜の耐熱性を向上するとともに、耐塩化性、耐硫化性を向上することができる。このため、耐熱性、耐塩化性、耐硫化性に優れたＡｇ合金導電膜が得られる。
また、Ｍｇ及びＺｎのいずれか１種又は２種をさらに含有することにより、膜の硬さを向上して傷つきを防止することができる。
さらに、Ｓｎ及びＰｄのいずれか１種又は２種を選択的に添加した場合には、さらに耐硫化性に優れたＡｇ合金導電膜が得られる。
よって、本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、電子機器、例えば、スマートフォン、タブレットなどの入力装置となるタッチパネルに用いられる配線、電極などのＡｇ合金導電膜形成用スパッタリングターゲットとして好適である。

次に、本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを用いて形成した導電膜について、以下に、第１の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ｍｇ合金の場合〕、第２の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ｚｎ合金の場合〕、第３の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ｍｇ−（Ｓｎ、Ｐｄ）合金の場合〕、第４の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ｚｎ―（Ｓｎ、Ｐｄ）合金の場合〕に分けて、実施例及び比較例を示して具体的に説明する。

〔第１の実施形態〕
第１の実施形態は、ＡｇにＳｂとＭｇとを含有させたＡｇ−Ｓｂ−Ｍｇ合金スパッタリングターゲットを用いてＡｇ合金導電膜を作製した場合である。以下に、第１の実施形態について説明する。

先ず、原料として、純度:９９．９９原子％以上のＡｇ塊と、純度:９９．９原子％以上のＳｂ塊と、純度:９９．９９原子％以上のＭｇ塊とを用意した。
前記Ａｇ塊を高周波真空溶解炉で溶解してＡｇ溶湯を作製し、次いで、このＡｇ溶湯に、以下の表１に示されるように秤量されたＳｂ塊及びＭｇ塊を添加して溶解し、鋳造することによりインゴットを作製した。得られたインゴットを冷間圧延したのち、大気中で６００℃、２時間保持の熱処理を施した。
次いで、機械加工することにより、直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表１に示される成分組成を有する実施例１〜１０及び比較例１〜４のスパッタリングターゲットを作製した。
さらに、前記Ａｇ溶湯を鋳造することにより純Ａｇのインゴットを作製して、機械加工することにより、前記寸法を有する従来例のスパッタリングターゲットを作製した。

実施例１〜１０、比較例１〜４及び従来例のスパッタリングターゲットを、それぞれ無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これらを直流マグネトロンスパッタ装置に装着した。
次に、真空排気装置にて、直流マグネトロンスパッタ装置内を５×１０^−５Ｐａ以下まで排気した後、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａのスパッタガス圧とし、続いて直流電源にてスパッタリングターゲットに２５０Ｗの直流電力を印加した。
これにより、スパッタリングターゲットに対向し、かつ、７０ｍｍの間隔を設けて、該ターゲットと平行に配置した縦：３０ｍｍ、横：３０ｍｍの四角形状のガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）上に、表１に示される実施例１〜１０及び比較例１〜４のＡｇ合金導電膜、さらには、純Ａｇによる従来例のＡｇ導電膜を形成した。なお、これらの導電膜の厚さは、１００ｎｍである。

以上の様にして形成した導電膜のそれぞれについて、表面Ｓｂ酸化物、比抵抗、耐熱性、耐塩化性（耐塩水性）、硬さ及び耐硫化性の評価を行った。その結果が表１に示される。以下に、これらの評価について説明する。

＜表面Ｓｂ酸化膜の確認＞
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）の深さ方向分析にて、各導電膜の表面における酸素及びＳｂの深さ方向分布を調べ、膜表面でのＳｂ酸化物の形成の有無を確認した。
＜比抵抗＞
各導電膜のシート抵抗を四探針法により測定し、膜厚を乗じて比抵抗を求めた。

＜耐熱性＞
各導電膜に対し、大気雰囲気中、２２０℃、１時間の熱処理を行った後、膜表面を対物５０倍、対眼１０倍の光学顕微鏡の暗視野像にて観察、撮影した。暗視野像であるため、表面に突起（ヒロック）が生じている場合、その突起は白く光る点として検出される。撮影した画像の２９０μｍ×２００μｍの範囲に存在するヒロックの個数を画像処理ソフトウェア（三谷商事社製、Ｗｉｎｒｏｏｆ）により計測した。
このヒロックの個数が耐熱性の指標となり、ヒロックが少ないほど程、耐熱性が高いことを表している。

＜耐塩化性＞
各導電膜を、室温で、５％ＮａＣｌ水溶液中に１２時間浸漬し、水溶液から取り出して純水で十分に洗浄した後、乾燥空気を噴射して水分を取り除いた。これらの試料について目視及び対物５０倍、対眼１０倍の光学顕微鏡の明視野像により膜表面の状態を観察した。目視にて白濁、斑点などの変化が観察されたものを×、光学顕微鏡では黒色の斑点が観察されたが、目視では変化が見られないものを○、光学顕微鏡による観察でも全く変化が見られないものを◎とした。

＜硬さ＞
まず、ガラス基板とＡｇ合金導電膜との密着性を改善する目的で、スパッタリングを用いて上述のガラス基板上に密着層としてのＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜を１０ｎｍ成膜した。なお、ＩＴＯの成膜は、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍのＩＴＯスパッタリングターゲットを用い、Ａｒガス圧０．６７Ｐａ 、アルゴン／酸素流量比＝５０／１、電力５０Ｗ、基板間距離７０ｍｍの条件で成膜した。
このＩＴＯ膜上に、上述と同様の条件で実施例１〜１０、比較例１〜４及び従来例のスパッタリングターゲットを用い、各導電膜２０００ｎｍを積層した。
これらの試料について、超微小押し込み硬さ試験機（エリオニクス社製、ＥＮＴ−１１００ａ）を用いて、ナノインデンテーション法による、負荷−除荷試験による押し込み硬さの測定を行った。試験荷重は１００．０００ｍｇｆとした。一つの試料に付き、５点の測定を行い、得られた変位−荷重曲線から、押し込み硬さを計算し、５点の平均値を求めた。

＜耐硫化性＞
各導電膜の成膜直後の膜表面について、分光光度計にて、波長５５０ｎｍの可視光を用いて、反射率を測定した。
次に、各導電膜を、室温で、０．０１％Ｎａ_２Ｓの水溶液中に１時間浸漬し、水溶液から取り出して純水で十分に洗浄した後、乾燥空気を噴射して水分を取り除いた。これらの試料について、上述と同様に反射率を測定した。
これらの測定結果に基づいて、Ｎａ_２Ｓ水溶液への浸漬後における反射率の低下率を、下記の式により求めた。
［｛（成膜直後の反射率）−（Ｎａ_２Ｓ水溶液浸漬後の反射率）｝／（成膜直後の反射率）］×１００
この低下率が、耐硫化性の指標となり、この値が小さい程、耐硫化性が高いことを表している。

上記の表１に示されるように、実施例１〜１０のスパッタリングターゲットを用いて形成したＡｇ合金導電膜は、比抵抗に関しては、純Ａｇによる従来例の導電膜には及ばないものの、導電膜としての実用には充分であり、遜色ない結果が得られている。
熱処理後におけるヒロックの発生数は、実施例１〜１０のスパッタリングターゲットを用いて形成した導電膜では、従来例の導電膜に比較して、格段に低下しており、耐熱性が向上したことを示している。
また、塩水浸漬試験及びＮａ_２Ｓ水溶液浸漬後における反射率の低下率によれば、実施例１〜１０のスパッタリングターゲットを用いて形成した導電膜は、従来例の導電膜に比較して、耐塩化性及び耐硫化性がともに向上したことがわかる。

なお、表１における比較例１〜４のスパッタリングターゲットは、本発明のＡｇ−Ｓｂ−Ｍｇ合金スパッタリングターゲットにおけるＳｂ又はＭｇの添加範囲外の添加量を含むものである。
比較例１では、Ｓｂの添加量が少ないため、ヒロックの発生数と塩水浸漬試験において改善が見られず、耐熱性及び耐塩化性が向上しなかった。
また、比較例２、４では、Ｓｂ又はＭｇの添加量が多いため、比抵抗が高くなった。
比較例３では、Ｍｇの添加量が少ないため、押し込み硬さを十分に向上することができなかった。

〔第２の実施形態〕
第２の実施形態は、ＡｇにＳｂとＺｎとを含有させたＡｇ−Ｓｂ−Ｚｎ合金スパッタリングターゲットを用いてＡｇ合金導電膜を作製した場合である。以下に、第２の実施形態について説明する。なお、第２の実施形態には、ＡｇにＳｂとＺｎ及びＭｇとを添加したＡｇ−Ｓｂ−Ｚｎ−Ｍｇ合金の場合も含まれる。

第１の実施形態に記載の原料に加えてＺｎ原料として純度:９９．９９原子％以上のＺｎ塊を用い、以下の表２に示される配合により、第１の実施形態と同様にして、実施例１１〜１６及び比較例５，６のスパッタリングターゲットを作成し、Ａｇ合金導電膜を形成した。
以上の様にして形成した導電膜のそれぞれについて、第１の実施形態と同様の手法を用いて、測定評価を行った。その結果については、以下の表２に示されている。なお、比較のため、表２には純Ａｇによる従来例の導電膜の評価結果も記載した。

上記の表２に示されるように、実施例１１〜１６のスパッタリングターゲットを用いて形成した導電膜は、比抵抗に関しては、純Ａｇによる従来例の導電膜には及ばないものの、導電膜としての実用には充分であり、遜色ない結果が得られている。
熱処理後におけるヒロックの発生数は、実施例１１〜１６のスパッタリングターゲットを用いて形成した導電膜では、従来例の導電膜に比較して、格段に低下しており、耐熱性が向上したことを示している。
また、塩水浸漬試験及びＮａ_２Ｓ水溶液浸漬後における反射率の低下率によれば、実施例１１〜１６のスパッタリングターゲットを用いて形成した導電膜は、従来例の導電膜に比較して、耐塩化性及び耐硫化性がともに向上したことがわかる。

なお、表２における比較例５，６のスパッタリングターゲットは、本発明のＡｇ−Ｓｂ−Ｚｎ合金スパッタリングターゲットにおけるＺｎの添加範囲外の添加量を含むものである。
比較例５では、Ｚｎの添加量が少ないため、押し込み硬さを十分に向上することができなかった。また、比較例６では、Ｚｎの添加量が多いため、比抵抗が高くなった。

〔第３の実施形態〕
第３の実施形態は、Ａｇに、Ｓｂと、Ｍｇと、Ｓｎ及びＰｄのいずれか１種又は２種を含有させたＡｇ−Ｓｂ−Ｍｇ−（Ｓｎ、Ｐｄ）合金スパッタリングターゲットを用いてＡｇ合金導電膜を作製した場合である。以下に、第３の実施形態について説明する。

第１の実施形態に記載の原料に加えてＳｎ及びＰｄの原料として純度:９９．９９原子％のＳｎ及びＰｄのいずれか１種又は２種の塊を用い、以下の表３に示される配合により、第１の実施形態と同様にして、実施例１７〜２１及び比較例７のスパッタリングターゲットを作成し、Ａｇ合金導電膜を形成した。
以上の様にして形成した導電膜のそれぞれについて、第１の実施形態と同様の手法を用いて、測定評価を行った。その結果については、以下の表３に示されている。なお、比較のため、表３には純Ａｇによる従来例の導電膜の評価結果も記載した。

上記の表３に示されるように、実施例１７〜２１のスパッタリングターゲットを用いて形成した導電膜は、比抵抗に関しては、純Ａｇによる従来例の導電膜には及ばないものの、導電膜としての実用には充分であり、遜色ない結果が得られている。
熱処理後におけるヒロックの発生数は、実施例１７〜２１のスパッタリングターゲットを用いて形成した導電膜では、従来例の導電膜に比較して、格段に低下しており、耐熱性が向上したことを示している。
また、塩水浸漬試験及びＮａ_２Ｓ水溶液浸漬後における反射率の低下率によれば、実施例１７〜２１のスパッタリングターゲットを用いて形成した導電膜は、従来例の導電膜に比較して、耐塩化性及び耐硫化性がともに向上したことがわかる。特に、本実施形態においては、Ｓｎ，Ｐｄを添加しているため、上述の第１および第２の実施形態よりも、耐硫化性を向上する効果が大きいことがわかる。
なお、表３における比較例７の導電膜では、Ｓｎの添加量が多いため、比抵抗が高くなった。

〔第４の実施形態〕
第４の実施形態は、Ａｇに、Ｓｂと、Ｚｎと、Ｓｎ及びＰｄのいずれか１種又は２種を含有させたＡｇ−Ｓｂ−Ｚｎ−（Ｓｎ、Ｐｄ）合金スパッタリングターゲットを用いてＡｇ合金導電膜を作製した場合である。以下に、第４の実施形態について説明する。なお、第４の実施形態には、さらにＭｇを添加したＡｇ−Ｓｂ−Ｚｎ−Ｍｇ−（Ｓｎ、Ｐｄ）合金の場合も含まれる。

第３の実施形態に記載の原料に加えてＺｎ原料として純度:９９．９９原子％のＺｎ塊を用い、以下の表４に示される配合により、第３の実施形態と同様にして、実施例２２〜２６及び比較例８のスパッタリングターゲットを作成し、Ａｇ合金導電膜を形成した。
以上の様にして形成した導電膜のそれぞれについて、第１の実施形態と同様の手法を用いて、測定評価を行った。その結果については、以下の表４に示されている。なお、比較のため、表４には純Ａｇによる従来例の導電膜の評価結果も記載した。

上記の表４に示されるように、実施例２２〜２６のスパッタリングターゲットを用いて形成した導電膜は、比抵抗に関しては、純Ａｇによる従来例の導電膜には及ばないものの、導電膜としての実用には充分であり、遜色ない結果が得られている。
また、塩水浸漬試験及びＮａ_２Ｓ水溶液浸漬後における反射率の低下率によれば、実施例２２〜２６のスパッタリングターゲットを用いて形成した導電膜は、従来例の導電膜に比較して、耐塩化性及び耐硫化性がともに向上したことがわかる。特に、本実施形態においては、Ｓｎ，Ｐｄを添加しているため、上述の第１および第２の実施形態よりも、耐硫化性を向上する効果が大きいことがわかる。
なお、表４における比較例８の導電膜では、Ｐｄの添加量が多いため、比抵抗が高くなった。

以上の様に、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成したＡｇ合金導電膜について、第１の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ｍｇ合金の場合〕、第２の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ｚｎ合金の場合〕、第３の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ｍｇ−（Ｓｎ、Ｐｄ）合金の場合〕、第４の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ｚｎ―（Ｓｎ、Ｐｄ）合金の場合〕に分けて具体的に説明したが、いずれの実施形態においても、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成したＡｇ合金導電膜は、従来の純Ａｇ導電膜ほどではないにしても比抵抗は小さく導電性にすぐれ、さらに、耐熱性、耐塩化性などの耐性に優れることが確認できた。

〔大気中での熱処理〕
実施例３，１３，１８，１９，２６のスパッタリングターゲットを用いて形成したＡｇ合金導電膜につき、大気中で１５０℃、１時間の熱処理を施して、実施例３’，１３’，１８’，１９’，２６’のＡｇ合金導電膜を得た。この様にして形成した導電膜のそれぞれについて、第１の実施形態と同様の手法を用いて、測定評価を行った。その結果については、以下の表５に示されている。

上記の表５に示されるように、実施例３’，１３’，１８’，１９’，２６’の導電膜は、大気中での熱処理によって、酸化膜が厚く形成されており、実施例３，１３，１８，１９，２６よりも優れた耐塩化性及び耐硫化性を有することがわかる。

Claims (2)

1. Ｓｂ：０．３〜３．０ａｔ％と、Ｍｇ及びＺｎのいずれか１種又は２種の合計：０．２〜２．０ａｔ％とを含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる成分組成を有するＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット。
2. Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットが、さらに、Ｓｎ及びＰｄのいずれか１種又は２種の合計：０．２〜１．５ａｔ％を含有することを特徴とする請求項１に記載のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット。