CN1202731A - 树脂封装,半导体器件及树脂封装的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于包容半导体芯片的树脂封装,提高耐潮性,降低制造成本。在树脂封装中,具有用于包容半导体芯片的树脂封装主体和与该半导体元件电连接的引线,在和所述的引线中间部分树脂紧密粘接的部分的表面形成氧化层。

Description

树脂封装，半导体器件及树脂封装的制造方法
本发明涉及包容IC，CCD(固体摄象元件)等半导体元件的树脂封装。更具体地说，本发明涉及耐潮性优良的树脂封装。
树脂封装用于在半导体器件包容半导体芯片。中空封装是所述树脂封装的一种，在由树脂制造的箱型成形品处插入成形引线，在该成形品内底部粘着半导体芯片，并且在成形品上部开口部分盖上被称为盖的透明或不透明的盖，由此来利用半导体器件。
把半导体器件装入录象机等电子设备制品以便使用。所以，这样的半导体器件，为了经常地正常地运作装入电子设备的半导体芯片，严格的要求耐潮性。因此，关于半导体器件的相当于容器的中空的封装，必须具有耐久性，能长时间的保持优良的耐潮性，能耐所谓的加压炉的过苛的实验。
到此为止，为了提高中空封装的耐潮性，可能对构成树脂封装主体的树脂组成物进行改良。例如，虽然可能进行试验，把环氧树脂的化学结构从酚醛清漆型和双酚A型变成各种改良结构，但是，提高耐潮性不一定得到满足。还有，构成树脂组成物的其他的混合物，例如，具有和金属模脱模性的脱模剂，或为调整热膨胀率和热导率所加的各种填料，即使调整其种类和混合量，也不能充分地改善封装的耐潮性。
作为解决这些问题的尝试，由日本专利公开平8-55927批露了[为了提高中空封装的耐潮性所作的各种结果表明，决定中空封装耐潮性的主要原因是在引线和树脂界面状态看到的情况。也就是，表明了引线和树脂层粘着性坚固，则能得到耐长时间使用的耐潮性。]也就是，根据这样的结构[一种中空封装，其包括，具有包容半导体元件凹部的树脂制造的封装主体，一端部向凹部伸入，同时另一端部向所述的封装主体外部伸出，其中间部分埋入所述封装主体中，并且，所述一端部和所述半导体元件电连接，其特征在于，所述引线的中间部分形成粗糙面。]结果是，由加压炉实验得到的耐久时间为14小时那样的较长时间。
在这样的引线中间部分，利用喷砂法形成粗糙面。即，通过在引线中间部分，进行氧化铝微粉的空气喷射，在该引线上形成粗糙面。
但是，利用这样的喷砂法法在引线上形成粗糙面，在完全除去引线表面的氧化铝粉时很费事，由于在引线框架用金属掩模上堆积研磨粉，所以存在粗糙面形成状态不均匀的问题。还有，存在引线框架用金属掩模消耗和氧化铝研磨粉的消耗等消费品成本高的问题，及由于喷砂器装置本身和压缩机等的研磨粉故障等维修费成本高的问题。
另一方面，对开始于CCD半导体元件的中空封装的耐潮性的要求，逐年增加，这要求加压炉实验耐久时间更长。还有，为了更好多使中空封装低价格化，必须进行新实验的开发，制造耐潮性优良的价格低廉的中空封装。
本发明的目的是提供改进耐潮性和低制造成本的树脂封装。即，本发明的树脂封装具有，包容半导体芯片的树脂封装主体，一端部在所述树脂封装主体内伸出，同时另一端部向所述的封装主体外部伸出，其中间部分埋入所述封装主体中，并且，所述一端部和所述半导体芯片电连接的引线，在所述引线部件的中间部分的表面，其中间部分以外的部分形成更厚的氧化层。
还有，本发明的树脂封装具有，包容半导体芯片的树脂封装主体，一端部向所述树脂封装主体内伸入，同时另一端部向所述的封装主体外部伸出，其中间部分埋入所述封装主体中，并且，通过所述一端部和所述半导体芯片电连接的引线部件，在所述引线部件的中间部分在长度方向，形成0.1mm的长度的间距为10-100μm周期的凹凸部分。
因此，通过引线部件的中间部分表面形成凹凸部，因为能提高引线部件和树脂封装壳的粘着性所以能提供比以前耐潮性更优良的树脂封装。
还有，按照本发明，在所述各树脂封装提供包容半导体芯片的半导体器件。
采用这样的结构，能提高比过去耐潮性更好的半导体器件。其中，作为半导体芯片，最好是固体摄象元件，最好在其中也是CCD。
还有，本发明的树脂封装的制造方法，包括下述工序，在一端部电连接半导体芯片的引线部件的中间部，通过一边扫描激光束，一边照射脉冲，在该引线部件的中间部形成氧化层，所述引线部件的另一端部伸出外部，同时，所述中间部分，埋入树脂，树脂和所述引线部件形成一个整体。
如果用这样的制造方法制造树脂封装，则和喷砂法等不同，即使对被处理物没有进行掩蔽等措施，也能选择地处理需要的区域，所以和以前比能简化制造工序。
下面结合附图进行说明，将使本发明的其他目的和优点显而易见，其中：
图1是表示按照本发明实施例的一种树脂封装的简略剖视图。
图2是表示按照本发明实施例的一种树脂封装的简略平面图。
图3是表示按照本发明实施例的构成树脂封装一部分的引线简略平面图。
图4是用于实施例预备实验的金属板的平面图。
图5是用于实施例预备实验的制作金属板用的平面图。
图6是表示实施例的拉拔粘接力和耐久时间与频率之间关系。
下面，参照附图详细的说明本发明的实施例。
本发明树脂封装具有用于包容半导体芯片的树脂封装主体和与所述半导体芯片的各电极电连接的引线。
(1)树脂封装的构造
虽然，所述的树脂封装具有引线封装方式和表面封装方式的结构，但是，对于称为中空封装的结构，把具有凹树脂封装主体和引线形成一个整体，则使本发明的效果最好。
图1是按照本发明的树脂封装的简略剖视图。树脂封装9由箱型树脂封装主体和引线3(引线部件)构成。在该树脂封装主体中包容半导体芯片，用顶片作为盖，则把半导体芯片封装在封装主体中，构成半导体器件。即在树脂封装主体1的中央设置包容半导体芯片2的凹部5，在凹部5中利用粘接剂6固定半导体芯片2。该半导体芯片2的没有图示的各电极，通过焊接线7和引线3电连接。还有，在树脂封装主体1的上端面1a利用粘接剂8粘接顶盖4，由此，封闭树脂封装主体1的上部开口部分1b。该引线3和树脂封装主体1形成为一体的成形体是本发明的树脂封装。作为这样的树脂封装的制造方法，不特别地限制。例如，能通过转换成形或射出成形，来制造树脂封装主体。那时，在形成树脂之前，把引线框架3插入预备的金属模中，其后注入树脂，通过硬化或固化来制造树脂封装。
图2表示从上部开口处看到树脂封装9的平面图。在树脂封装主体1，埋入引线3，引线一端(内引线3a)伸入封装主体内部，和半导体芯片2连接，同时，和外部连接的另一端，(外引线)从外部露出。在这样的状态，该引线的内引线3a和外引线3b的中间部分11，埋入封装主体中，即埋入所述的构成树脂封装主体1的树脂10中。
因此，把引线中间部分11固定在树脂10中，由此以决定位置的状态来固定引线3。而且引线3通过内引线3a和半导体芯片电连接。
(2)树脂封装主体
作为构成树脂封装主体1的材料，可列举出环氧树脂，聚酰亚胺，苯酚树脂，不饱和聚脂树脂，硅树脂等热硬化树脂，聚合物，对聚苯氧，聚笨撑硫化物(PPS)，聚砜，聚酰胺酰亚胺，聚烯丙基砜树脂等的耐热性热可塑树脂。其中，环氧树脂，聚酰亚胺，PPS等最好。
还有，在这些耐热性树脂中，也可以添加铝粉末，二氧化硅粉末，单化硼粉末，氮化硼粉末，氧化钛粉末，碳化硅粉末，玻璃纤维，铝纤维等无机填料。除了无机填料外，根据需要，也可以，还包括硬化剂，硬化促进剂，耦合剂等添加剂。
(3)引线
作为引线3的材料，可能利用铜系合金，其中加入选自42合金等的铁镍系，铁镍铬系，铁镍钴系等的铁系合金，或镁，硅，磷，钛，铬，镍，锌，锡，氧化锆组中的数种金属。除此之外，作为引线材料，也可能利用通常使用的金属和合金。
其中，本发明的特征是，所述的引线3，在和树脂封装主体1紧密粘着的至少一部分，氧化物或间距具有10～100μm周期的凹凸部分。下面，说明氧化物和凹凸部分及其形成方法。
图3是引线3的平面图。在图3中，在引线3的中间部分11的表面，即和树脂层紧密粘着的部分，形成氧化层11a。需要在引线3的中间部分11表面的至少一部分，形成氧化层11a，如图3所示，穿过各引线的中间部分11，最好沿箱形树脂封装主体1的长边方向形成。这样一来，如果在引线3中间部分11，形成氧化层11a，则由于引线3和树脂牢固地粘着，可能完全阻塞在该引线和树脂的界面上的水的通路。
还有，需要在所述的引线3中间部分11的至少一面，形成氧化层。氧化层无论只形成在引线表面的一个面，还是形成在两面都可以，但是，如果形成在引线的两面，则耐潮性更好。
在引线3中间部以外，即在用于连接半导体芯片2和连线的内引线3a，及连接外电路的外引线3b，如果要形成氧化物，则在形成树脂封装主体时，在内引线3a表面和外引线表面3b，牢固的粘接树脂パリ(凹部)。这样一来，即使在后工序进行清洗处理，也难于完全除去树脂パリ，使连线和其他布线的连接力变弱。因此，最好只在引线的中间部分外11，形成氧化层。
其中，氧化层是由金属或非金属构成的大于一定厚度的氧化层。如果是通过加工引线表面而得到的氧化层，则不特别限制。但是，按照本发明在中间的一部分表面形成氧化层，不包含自然氧化构成引线金属形成的表面氧化层。
作为氧化层的材料，最好是由使用构成引线3的金属材料中的至少一种金属得到的金属氧化物。这样的金属氧化物，具体地说，通过氧化使用的引线3的表面得到。作为这样的金属氧化物的具体实例，在利用42合金作为材料的情况，氧化物是氧化铁和/或氧化镍，但是，也可以利用和引线材料化学稳定接合性良好的其他金属或非金属的氧化物。对于这样的氧化物，最好利用铁的氧化物。
还有，氧化层的厚度不必均匀，希望至少一部分的厚度是5-500nm，最好是50-500nm。该氧化层的厚度是50-500nm的情况时，本发明的效果最好。该氧化层至少一处，在引线的中间部以外的表面，形成厚度为自然氧化层厚度的1.5到500倍的厚度。希望在中间部分从引线的一端到另一端形成该氧化层，希望在引线长度方向0.1mm的长度区域形成氧化层。但是，不一定在其整个区域形成氧化层。这样，由于在引线表面的至少一部分形成上述厚度的氧化层，该引线和树脂的紧密粘着性提高，但是，其理由不清楚。
如果在氧化物表面，具有由金属氧化物构成的10nm-2μm的微粒子，该氧化物微粒子成为固定物，则可能大大地提高引线和树脂的紧密粘着性。该氧化物微粒的粒径最好为50nm-1μm。
作为在引线上形成氧化物的方法，可以利用激光照射，电子束照射，等粒子加工，高频感应加热，放电加工，火焰处理等加热方法。虽然利用PVD和CVD等方法也可以制造氧化物层，但是如果考虑到树脂封装制作工序简便，则前述加热方法更适合。还有，引线最重要的是，是厚度为0.1到0.3mm的极薄板形状，最重要的是，因为原材料主要是所述的铁系合金和铜合金，所以，热处理时进入的热量少，引线的弯曲度小。即利用激光照射等高密度热源，是最有效。还有，通过激光照射，在引线表面形成氧化层的情况，在激光照射引线的部分，构成引线的金属材料蒸发飞散，形成的金属氧化物微粒堆积粘着。
在图3所示引线3的中间部11，代替氧化层的节距(ピツチ)，也可以形成10-100μm的周期性的凹凸部。通过以周期出现形状，粗面加工引线表面，获得凹凸部分。如果在引线中间部分形成这样的凹凸部分，由于固定作用，引线和树脂的紧密粘造性提高。认为引线和树脂的紧密粘着性，由该凹凸部的节距和表面粗糙度(Rmax)决定。
这样的凹凸部节距最好是25-100μm。还有Rmax最好是1-100μm，作为这样的凹凸部形状，在节距为30-100μm，Rmax为3-20μm的情况，获得最的效果。并且，在该引线的希望凹凸部在引线3中间部11的单表面上，横过中间部11，在该引线3的长度方向，要形成0.1mm以上的长度，在横过中间部11的方向，从引线3的一端到另一端地形成。如果在该凹凸部在引线的两面形成，则获得更好多效果。
作为在引线3形成凹凸部的方法，列举了激光照射和腐蚀该引线3的方法，但是考虑到树脂封装的制作简便，利用向引线3照射方法是适合的。
还有，关于所述的表面氧化物和凹凸部，也可在引线3的中间部11形成其两部分。例如，在引线中间部11形成凹凸部的表面上，可以再形成5-500nm厚的氧化层。
在由极薄板形状的铁系合金等构成的引线3的表面，通过照射激光形成氧化物和/或凹凸部的情况，希望利用近红外波长的激光。作为近红外的激光，照射时，保持引线的形状，并且，作为能在引线上形成氧化物的，可能利用翠绿的宝石和YAG等固体激光。
特别希望所述的的近红外激光的波长是在1μm附近，使金属对能量反射率低，吸收率高。还有，如果利用这样的激光的脉冲激光，则在一个方向容易廉价的形成周期的凹凸部。为了满足这些条件，由Q开关型的Nd：YAG激光射出的1.06μm的激光是最合适的。在利用Q开关型的Nd：YAG激光的情况，在该引线表面不使引线变形地形成氧化层的输出范围，希望在加工点处的功率为15W到50W。还有，关于稳定的照射激光，并且使引线和树脂密着性良好的Q开关频率是2-20khz，更好的是2-8khz，开且可以在4-87khz。利用这样的条件在引线表面照射激光，由于能在引线表面形成凹凸部和同时形成氧化层，所以能获得更好的效果。
在激光照射时，作为决定激光束位置的方法，如果使用采用f-θ透镜系的电磁镜扫描方式，能只在引线表面的必要处形成表面氧化层和/或凹凸部。
例如，一边利用上述频率在引线框架的被处理的面照射脉冲状的激光束，其在照射面具有80μm直径的光点，一边在横过中间部11的方向进行扫描。接着，一边在离扫描位置0.1mm-0.5mm的引线框架表面照射该激光束，一边再进行扫描。对其反复进行多次，则在引线框架的被处理面留下线状的激光的照射痕。激光照射的次数在一次以上，次数越多，发明的效果越好。该激光束经过充分的扫描，照射在引线框架的覆盖树脂的全部分上。
而且，关于以前利用喷砂法不进行使表面粗糙的部分(内引线部3a和外引线部3b)，要预先进行掩蔽等处理和包容等，则完全不需要了，于是降低了成本。
实例
预先利用下面的方法，来研究在引线上形成氧化层和凹凸部的效果。
(实验1)
首先，如图4所示，采用42合金片，从矩形的的基部14a的一端延伸出宽度很窄的延伸片14b，厚度为0.25mm，变化表面处理方法，制备4种类型的金属板。利用下面所示的方法，在延伸片14b的两面的大致整个面上进行表面处理。
表面处理A法是……利用额定功率50W输出的Q开关型的YAG激光照射机，按照下列条件照射激光，波长为1.06μm，Q开关频率为6khz，光束扫描速度为200mm/sec，孔径全开，在离加工点100mm的下方输出22.2W的激光，在照射面上形成直径为80μm的光点。以0.15mm的间隔多次扫描延伸片14b，在延伸片14b的整个面上照射激光束。
表面处理B法是利用喷砂装置，按照5kg/cm2G的空气压和18mm/sec的喷送速度的条件，从直径为3.0mm喷嘴，空气喷射平均颗粒直径为14μm氧化铝粉。
表面处理C法是利用额定功率50W输出的Q开关型的YAG激光照射机，按照下列条件照射激光，波长为1.06μm，Q开关频率为12khz，光束扫描速度为200mm/sec，孔径全开，在离加工点100mm的下方输出22.2W的激光，在照射面上形成直径为80μm的光点。以0.15mm的间隔多次扫描延伸片14b，在延伸片14b的整个面上照射激光束。
表面处理D法没有进行说明。
其次，把如图5所示的实线表示的制作拉拔试验片用的金属模12，利用所述的A-D的表面处理法法插入两个金属板14的延伸片14b的前端之间，利用转换成型机，按照165℃，120Kg/cm2和2分的条件，形成环氧树脂。把这些成型品作为试验片。
利用张力实验机(テンシロン CT-5T)，按照拉拔速度为5mm/min的条件，测量金属板和环氧树脂层之间的拉拔粘接力(K)。把测量5个样品的平均的数值作为拉拔粘接力。其结果如表1所示。还有，此时金属板14的延伸片14b和环氧树脂粘着面的尺寸是，在延伸片14b为单片时，宽度是4mm，在拉拔方向的长度是5mm。
如表1所示，利用表面处理A的试验片(下面简单地称为[试验片A]，关于表面处理B-D的情况也同样处理)的拉拔粘接力获得最大的结果。由于对试验片获得和试验片B相同程度的拉拔粘接力，则判明通过激光照射对表面处理是有效的。
 表面处理法     A     B     C     D
 拉拔粘接力(Kg) 32.0 14.8 13.5 4.1
(实验2)
如图3所示，在引线3准备了12个连续的引线框架板，在各引线3的中间部11的两面进行与实验1相同的表面处理A-D。采用所述的表面处理B法，用夹具或屏蔽带掩蔽内引线3a和外引线3b，喷砂处理露出的中间部分。所述的表面处理A法和C法，通过激光束扫描，只照射中间部11。以后，利用由表面处理A、B、C、D法，分别采用转换成型机，获得如图2所示的用环氧树脂制造的中空状的树脂封装。该树脂封装利用环氧树脂粘接剂密封玻璃盖。在加压炉进行实验。实验条件是在121℃的100％蒸汽中放置规定的时间，然后在25℃的恒室恒温30分，在玻璃盖上观察白雾的发生。采用10个样品，以白雾发生的平均时间作为耐久时间，其结果如表2所示。耐久时间越长，则耐潮性越好。
和实验1同样的表面处理A的结果最好，即使采用表面处理C也获得和喷砂处理(表面处理B)大致相同的结果。
                                   表2
表面处理法     A     B     C     D
耐久时间    20.1    14.0     13.2    4.3
(实验3)
其次，用实验1的试验片(参照图5)，变化Q开关频率进行表面处理，研究所述的拉拔粘接力对Q开关频率的依赖性。
采用5个样品，把其平均数作为拉拔粘接力。其结果如图6所示。在Q开关频率为6-8khz的界限内，拉拔粘接力、耐久时间共同变化大，在7khz以下，认为耐久时间最好。
(实验4)
并且，通过激光照射来研究有无粘着氧化物和拉拔粘接力之间的关系。为了成为无氧化物的附着状态，采用6khz的Q开关频率，利用超声波洗净机充分地洗净试验片，除去氧化物。以5个样品的平均值作为拉拔粘接力。其结果如表3所示。认为氧化物的有无对拉拔粘接力改善其起很大的到作用。
                                      表3
  有无氧化物    有     无
  拉拔粘接力(kg)   32.1    15.2
(实验5)
在进行表面处理A，B，C，的各试验片(参看图5)，测定在处理部(延伸片14b)形成的氧化层的厚度和处理部以外的自然氧化层的厚度。按照下列方法测定这些氧化层和自然氧化层的厚度。首先，在没有进行表面处理的延伸片上，形成比较厚的氧化层，然后照射激光。然后，切断形成氧化层的延伸片，利用扫描电子显微镜(SEM)观察其断面。利用SEM观察延伸片的断面，观察氧化层和金属的反差不一样。因此，通过SEM进行显微镜照相，观察不同的反差，由此测定氧化物的厚度。
并且，在该延伸片，通过奥格(オ-ジェ)分光分析测定和由SEM照相测定氧化层厚度的位置相同的区域。也就是，利用氩离子，一边腐蚀引线表面，一边追踪氧的锋值，把低饱和该峰值的点作为氧化层和金属的边界。此时的奥格分光分析条件如下所述。一边利用2kv加速电压的氩粒子腐蚀引线的表面，一边按照下列条件照射电子射线，加速电压为5kv，电流为100nA，入射角为30度光点直径为μm，求得腐蚀时间和锋值强度。利用由SEM得到的数值来校正到该边界的腐蚀时间，求得对应于单立腐蚀时间的氧化层的厚度。
在进行所述处理的各试验片的延伸片14b表面，利用所述的条件进行奥格分光分析，一边进行腐蚀，一边追踪氧的锋值，把低饱和氧锋值的点作为氧化层的边界，由此求出腐蚀的时间。通过校正该腐蚀的时间，求出在所述的各延伸片上形成的氧化层的厚度。在各延伸片，在埋入树脂的部分，通过机械地剥离树脂和延伸片，在露出其表面后，进行所述的奥格分光分析。
利用表面粗糙度计(SURFCOM、(株)东京精密制)，测定各试验片的处理部的表面粗糙度(Rmas)。还有，通过在埋入延伸片树脂部分机械地剥离树脂和延伸片，露出延伸片的表面，通过加速电压15kV用SEM观察其表面，求得凹凸部的节距。
由表4可知，在经过激光照射的试验片A，C的处理部，形成比引线其他部分更厚的氧化层。还有，在所述的处理表面，形成凹凸部。另一方面，关于喷砂处理的试验片B，虽然对延伸片的表面进行了粗糙面处理，但是不能测定间距，所以不能判定形成的周期的凹凸部分。由此，认为通过照射激光形成的氧化物和凹凸部，对引线的耐潮性(用加压炉确定的耐久时间)起作用。
还有，对于通过照射激光得到的试验片A，C的延伸片表面的凹凸部分的间距，根据脉冲激光的频率和激光扫描速度进行计算，等于各延伸片表面的光点间隔。因此，认为熔化照射过脉冲激光的部分的金属，形成凹凸部分，有效地提高了引线的耐潮性。
                                             表4
表面处理法     A     B     C
氧化层厚度    90nm    ＜4nm    30nm
处理面外的氧化层(自然氧化层)的厚度 ＜4nm ＜4nm ＜4nm
Ramx    8μm    0.5μm    3μm
凹凸的间距   33μm      -   17μm
其次，在各试验片机械地剥离树脂和延伸片，露出所述的各处理部分的表面。利用奥格分光分析，按照所述的条件，用氩离子一边腐蚀其表面，一边追踪氧的峰值低饱和氧蜂值的点，作为氧化物和金属的界限，利用到该界限腐蚀时间的比，来求得各试验片处理部和未处理部的氧化层厚度的比。
奥格分光分析的结果，拉拔粘接力，在处理部形成的氧化层，在加压炉确定的耐久时间，无论哪一个结果是最好的试验片A，则处理部的表面氧化层和自然氧化层的厚度比是1.5-500倍。
还有，在A和C的表面氧化层上，还附着氧化物微粒。通过机械地剥离各试验片和延伸片，露出处理部分表面，施加加速电压15kV用SEM观察其表面，求得所述的氧化物微粒的颗粒的直径。在试验片A的表面，形成的氧化物微粒的微粒直径是5nm-1μm。
这样，叙述了本发明，显然，可以进行各种形式的变化。所述的变化不脱离本发明的精神实质和保护范围，所述的修改对于本领域的技术人员是显而易见的，在附带的权利要求的限定的范围之内。

Claims (19)

1.树脂封装，其包括：
树脂封装主体，用于包容半导体芯片，
引线部件，其一端延伸入树脂封装主体内，同时另一端延伸出所述的树脂封装主体的外部，中间部分埋入所述的树脂封装主体内，并且，所述的一端和半导体芯片电连接，
在所述的引线部件中间部的一部分的表面上，形成的氧化层比在中间部分以外部分形成的氧化层更厚。
2.按照权利要求1的树脂封装，其特征是，所述的氧化层是由构成所述的引线构件的多种或一种的金属材料中的至少一种金属氧化物构成。
3.按照权利要求1的树脂封装，其特征是，所述的氧化层的至少一部分是厚度为5-500nm的氧化层。
4.按照权利要求1的树脂封装，其特征是，所述的氧化层的至少一部分的厚度是在所述的引线构件其他部分形成氧化层1.5-500倍。
5.按照权利要求2的树脂封装，其特征是，在所述的氧化层的表面，还设置由氧化物构成的颗粒直径为10nm-2μm的微粒。
6.按照权利要求1的树脂封装，其特征是，通过在所述的引线构件的1部分照射激光，形成所述的氧化层。
7.按照权利要求6的树脂封装，其特征是，所述的激光是具有0.8-1.5μm波长的激光。
8.按照权利要求6的树脂封装，其特征是，所述的激光是脉冲激光。
9.按照权利要求6的树脂封装，其特征是，所述的激光是从Q开关型Nd：YAG激光射出的波长为1.06μm的激光。
10.树脂封装，其包括：
树脂封装主体，用于包容半导体芯片，
引线部件，其一端延伸入树脂封装主体内，同时另一端延伸出所述的树脂封装主体的外部，中间部分埋入所述的树脂封装主体内，并且，所述的一端和半导体芯片电连接，
在所述的引线构件中间部的的表面上，在长度方向0.1mm以上的区域，具有节距为10-100μm的周期的凹凸部分。
11.按照权利要求10的树脂封装，其特征是，所述的凹凸部的表面粗糙度Rmax是1-100μm。
12.按照权利要求10的树脂封装，其特征是，具有在所述的凹凸表面形成的厚度为5-500nm的氧化层。
13.按照权利要求10的树脂封装，其特征是，在所述的引线部件的一部分，通过照射激光形成所述的凹凸部分。
14.按照权利要求13的树脂封装，其特征是，所述的激光是具有0.8-1.5μm波长的激光。
15.按照权利要求13的树脂封装，其特征是，所述的激光是脉冲激光。
16.按照权利要求13的树脂封装，其特征是，所述的激光是从Q开关型Nd：YAG激光射出的波长为1.06μm的激光。
17.半导体器件，其特征是，在权利要求1至16中的任何一个权利要求所述的树脂封装，包容半导体芯片。
18.中空的树脂封装，其包括：
树脂封装主体，具有包容半导体芯片的空腔，
引线部件，其一端延伸入所述的空腔内，同时另一端延伸出所述的树脂封装主体的外部，中间部分埋入所述的树脂封装主体内，并且，所述的一端和半导体芯片电连接，
在所述的引线部件中间部的的表面上，形成比所述的中间部分以外部分更厚的氧化层。
19.树脂封装的制造方法，包括下列工序：
在其一端和半导体芯片电连接的引线部件的中间部分，一边扫描激光，一边进行脉冲地照射，在该引线部件的中间部分形成氧化层，
所述的引线部件的其他部分向外部延伸，同时所述的中间部分埋入树脂中，树脂和所述的引线部件形成为一个整体。
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