JPS6139556A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS6139556A JPS6139556A JP15861084A JP15861084A JPS6139556A JP S6139556 A JPS6139556 A JP S6139556A JP 15861084 A JP15861084 A JP 15861084A JP 15861084 A JP15861084 A JP 15861084A JP S6139556 A JPS6139556 A JP S6139556A
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- JP
- Japan
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- lead frame
- resin
- resin part
- lead
- leads
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Geometry (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
コノ発明は１例えばＬＳＩ （Ｌａｒｇｅ ８ｃａｌｅ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｌ（：：１ｒｃｕｌｔ ）など
の半導体装置に用いられているリードフレームに関する
。
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｌ（：：１ｒｃｕｌｔ ）など
の半導体装置に用いられているリードフレームに関する
。
一般に、ＬＳＩの樹脂成形工程は、つぎのようにして行
われている。すなわち、まず電極が形成されたクエーハ
をダイシングによシチップ状に分割する。つぎに１分割
されたチップをリードフレームの所９位看にダイ拳ボン
ディングにより接合する。ついで、チップの電極とリー
ドフレームの端子部分、とをワイヤボンディングによシ
接ａｆる。
われている。すなわち、まず電極が形成されたクエーハ
をダイシングによシチップ状に分割する。つぎに１分割
されたチップをリードフレームの所９位看にダイ拳ボン
ディングにより接合する。ついで、チップの電極とリー
ドフレームの端子部分、とをワイヤボンディングによシ
接ａｆる。
つぎに、チップ部分のみを成形用金型のキャビティ内に
収納し、キャビティ内に溶融樹脂を導入し。
収納し、キャビティ内に溶融樹脂を導入し。
半導体素子を封止する。つぎに、ＩＪ−ドフレームを各
半導体素子ごとに切断したのち、リード部分を直角下方
１ｃ曲げ成形する。
半導体素子ごとに切断したのち、リード部分を直角下方
１ｃ曲げ成形する。
しかるに、リードの曲げ成形時においては、しばしばリ
ードから樹脂部が剥離してしまう不都合を生じている。
ードから樹脂部が剥離してしまう不都合を生じている。
とのような樹脂部の剥離が生じると、湿気あるいは有害
物質が内部に侵入しやすく。
物質が内部に侵入しやすく。
半導体装置の性能劣化の原因となる。それゆえ、樹脂剥
離が生じている半導体装置は、検査工程においてすべて
廃棄されている。したがりて、樹脂剥離は、製品歩留の
点からみてもなんとしても阻止する必要がある。しかし
、半導体装置の゛集積度の増大にともない、チップと樹
脂部の側面との距離は、次第に短縮する傾向があシ、樹
脂剥離の問題は一層重要性を増している。
離が生じている半導体装置は、検査工程においてすべて
廃棄されている。したがりて、樹脂剥離は、製品歩留の
点からみてもなんとしても阻止する必要がある。しかし
、半導体装置の゛集積度の増大にともない、チップと樹
脂部の側面との距離は、次第に短縮する傾向があシ、樹
脂剥離の問題は一層重要性を増している。
本発明は、上記事情を参酌してなされたもので。
リード部と樹脂部との剥離が生じることがないリードフ
レームを提供することを目的とする。
レームを提供することを目的とする。
半導体素子が接合され、かっこの半導体素子を封止する
樹脂部がモールド成形されるリードフレームの少なくと
も上記樹脂部との密着部位を粗面に形成し、樹脂との密
着性を強化したものである。
樹脂部がモールド成形されるリードフレームの少なくと
も上記樹脂部との密着部位を粗面に形成し、樹脂との密
着性を強化したものである。
以下１本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
第１図は、この実施例のリードフレーム（１）を示して
いる。このリードフレーム（１）は、ニッケ／Ｌ／（Ｎ
ｉ）基、銅（Ｃｕ）基等の合金か′らなる板材よル作ら
れている。つぎに、その製法について述べると、まず８
２図に示すように、表面が平滑な板材（２）にノズル（
３）よシ砥粒（４）を噴射し板材（２）の表裏の表面を
梨地状に粗面化する。砥粒（４）の噴射は、サンドプラ
スチングあるいは液体ホーニングのうちいずれでもよい
。かくして、第３図に示すように、板材（２）の表面に
は、高低差が１０〜２０μｍ程度の凹凸が生じている。
いる。このリードフレーム（１）は、ニッケ／Ｌ／（Ｎ
ｉ）基、銅（Ｃｕ）基等の合金か′らなる板材よル作ら
れている。つぎに、その製法について述べると、まず８
２図に示すように、表面が平滑な板材（２）にノズル（
３）よシ砥粒（４）を噴射し板材（２）の表裏の表面を
梨地状に粗面化する。砥粒（４）の噴射は、サンドプラ
スチングあるいは液体ホーニングのうちいずれでもよい
。かくして、第３図に示すように、板材（２）の表面に
は、高低差が１０〜２０μｍ程度の凹凸が生じている。
ついで、板材（２ンを焼鈍炉中にて１００〜２００℃の
温度に数時間保持し、応力除去処理を行う。
温度に数時間保持し、応力除去処理を行う。
そして、打抜きによシ所定形状にプレス加工する。
このとき、板材（２）にはあらかじめ応力除去処理が施
されているので、打抜きに支障をきたすことはない。
されているので、打抜きに支障をきたすことはない。
このようにして作られたリードフレーム（１）には。
次工程において、Ｋｃ４図に示すよう〈一定のピッチ間
隔を有す名所定部位に、半導体素子であるチップ（５）
・・・をダイ・ポンディングにょシ接合する。
隔を有す名所定部位に、半導体素子であるチップ（５）
・・・をダイ・ポンディングにょシ接合する。
つぎに、チップ（５）・・・とリードフレーム（１）の
端子部分とをワイヤボンディングによシ接続する。っｂ
で、上下一対の成形用金型（６）・・・にょ）リードフ
レーム（１）を挾持するようにしてチップ（５）・・・
をそのキャビティ（力・・・中に収納する。ついで、キ
ャビティ（７）・・・に溶融樹脂を導入し、チップ（５
）・・・を保護する樹脂部（８）・・・を形成する。つ
いで、剪断にょシリードフレーム（１）を剪断して各半
導体装置（９）・・・ごとに分離する。ついで、第５図
に示すように、リードα０・・・を直角下方に曲げ加工
する。とのとき、リードフレーム（１）は梨地状に粗面
化加工されているので、樹脂部（８）・・・とリードフ
レーム（１）とは強固に密着している。それゆえ、リー
ドα１・・・の曲げ加工時に発生する衝撃力によシ、第
６図に示すように、リード←Ｑ・・・部分から樹脂部（
８）・・・が剥離し、両者間に間隙αＤが生じることが
ない。したがって、樹脂部（８）・・・によシ封止され
ているチップ（５）・・・は、外部の湿気、有害物質等
の影響を受けることがなくなシ、高信頼性の半導体装置
を得ることができる。
端子部分とをワイヤボンディングによシ接続する。っｂ
で、上下一対の成形用金型（６）・・・にょ）リードフ
レーム（１）を挾持するようにしてチップ（５）・・・
をそのキャビティ（力・・・中に収納する。ついで、キ
ャビティ（７）・・・に溶融樹脂を導入し、チップ（５
）・・・を保護する樹脂部（８）・・・を形成する。つ
いで、剪断にょシリードフレーム（１）を剪断して各半
導体装置（９）・・・ごとに分離する。ついで、第５図
に示すように、リードα０・・・を直角下方に曲げ加工
する。とのとき、リードフレーム（１）は梨地状に粗面
化加工されているので、樹脂部（８）・・・とリードフ
レーム（１）とは強固に密着している。それゆえ、リー
ドα１・・・の曲げ加工時に発生する衝撃力によシ、第
６図に示すように、リード←Ｑ・・・部分から樹脂部（
８）・・・が剥離し、両者間に間隙αＤが生じることが
ない。したがって、樹脂部（８）・・・によシ封止され
ているチップ（５）・・・は、外部の湿気、有害物質等
の影響を受けることがなくなシ、高信頼性の半導体装置
を得ることができる。
また、これにともない製品歩留も向上する。
なお、上記実施例においては、粗面化処理は。
噴射加工によシ行うようにしているが、ベルト研削加工
、カップ型の砥石を用いた研削加工等、その手段には制
約されない。また、凹凸の高低差についても、５〜３０
ｐｍの範囲であるならば、所望の樹脂剥離防止効果を得
ることができる。さらにまた、上記実施例のように、リ
ードフレーム（１）全面を粗面化するのでなく、リード
フレーム（１）と樹脂部（８）・・・との密着部分のみ
粗面化するようにしてよい。この場合、リードフレーム
（１）の打抜き加工後 ゛粗面化しない面にあらかじ
めマスクを被着させて。
、カップ型の砥石を用いた研削加工等、その手段には制
約されない。また、凹凸の高低差についても、５〜３０
ｐｍの範囲であるならば、所望の樹脂剥離防止効果を得
ることができる。さらにまた、上記実施例のように、リ
ードフレーム（１）全面を粗面化するのでなく、リード
フレーム（１）と樹脂部（８）・・・との密着部分のみ
粗面化するようにしてよい。この場合、リードフレーム
（１）の打抜き加工後 ゛粗面化しない面にあらかじ
めマスクを被着させて。
噴射加工すればよく、リード部・・・の平滑さと外観の
曳さが要求される場合には有効である。
曳さが要求される場合には有効である。
本発明のり−ド７レー４は、少なくともリードフレーム
の樹脂部との密着部位が粗面となっているので、樹脂部
分との密着がリードフレームが平滑爾である場合に比べ
て強力になる。したがって。
の樹脂部との密着部位が粗面となっているので、樹脂部
分との密着がリードフレームが平滑爾である場合に比べ
て強力になる。したがって。
リードを曲げ加工によシ塑性変形させても、樹脂部分が
リードから剥離するようなことがなくなる。
リードから剥離するようなことがなくなる。
その結果、樹脂部によシ半導体素子を湿気、有害物質等
から確実に保護することができ１本発明のリードフレー
ムを用いた半導体装置の信頼性及び歩留の向上に寄与す
ることができる。
から確実に保護することができ１本発明のリードフレー
ムを用いた半導体装置の信頼性及び歩留の向上に寄与す
ることができる。
第１図は本発明の一実施例のリードフレームの平面図、
第２図は粗面化のための噴射加工を示す図、第３図は粗
面化したリードフレーム表面の要部拡大断面図、第４図
は樹脂封止を説明するための図、第５図はリードの曲げ
加工を示す図、第６図は樹脂部の剥離を示す図である。 （１）：リードフレーム （５）：チップ（半導体素子） （８）：樹脂部 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） し 太Ｚ図 ４ ＪＡ：３ 図
第２図は粗面化のための噴射加工を示す図、第３図は粗
面化したリードフレーム表面の要部拡大断面図、第４図
は樹脂封止を説明するための図、第５図はリードの曲げ
加工を示す図、第６図は樹脂部の剥離を示す図である。 （１）：リードフレーム （５）：チップ（半導体素子） （８）：樹脂部 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） し 太Ｚ図 ４ ＪＡ：３ 図
Claims (1)
- 半導体素子が接合され接合されている半導体素子を封
止する樹脂部がモールド成形されるリードフレームにお
いて、少なくとも樹脂部に密着している上記リードフレ
ーム部位が粗面に形成されていることを特徴とするリー
ドフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15861084A JPS6139556A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15861084A JPS6139556A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139556A true JPS6139556A (ja) | 1986-02-25 |
Family
ID=15675466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15861084A Pending JPS6139556A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139556A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01310563A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| EP0634762A1 (en) * | 1990-09-13 | 1995-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A method for producing a solid electrolytic capacitor |
| EP0687008A3 (en) * | 1994-06-06 | 1997-06-11 | Motorola Inc | Method and apparatus for improving the interface adhesion between a polymer and a metal |
| EP0867935A3 (en) * | 1997-03-25 | 2000-03-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Plastic package, semiconductor device, and method of manufacturing plastic package |
| JP2002083917A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-03-22 | Noge Denki Kogyo:Kk | 表面に突起を有するリードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
| US7207333B2 (en) * | 2002-05-22 | 2007-04-24 | Bio International Co., Ltd. | Nose mask |
| JP2013105849A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54163677A (en) * | 1978-06-15 | 1979-12-26 | Nippon Electric Co | Semiconductor device |
| JPS56115551A (en) * | 1980-02-18 | 1981-09-10 | Nec Corp | Lead frame for semiconductor device |
| JPS5864056A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP15861084A patent/JPS6139556A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2002083917A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-03-22 | Noge Denki Kogyo:Kk | 表面に突起を有するリードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
| US7207333B2 (en) * | 2002-05-22 | 2007-04-24 | Bio International Co., Ltd. | Nose mask |
| JP2013105849A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
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