JPS5864056A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5864056A
JPS5864056A JP56163084A JP16308481A JPS5864056A JP S5864056 A JPS5864056 A JP S5864056A JP 56163084 A JP56163084 A JP 56163084A JP 16308481 A JP16308481 A JP 16308481A JP S5864056 A JPS5864056 A JP S5864056A
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lead
lead frame
wires
semiconductor device
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Shozo Noguchi
野口　召三
Kouichi Sohara
曽原　光一
Sadami Yakuwa
八鍬　定美
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NEC Yamagata Ltd
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NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
NEC Yamagata Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はリードフレームに半導体素子を載置し樹脂封止
してなる半導体装置に関するものである。
従来このような半導体装置に於いては、鋼、鉄或いはこ
れらの合金よりなるリードフレームにおいて、このグイ
パッド部と外部導出リードの一部、即ちグイパッド部に
近接し、接続手段として例えば金属細線の接続される部
分のみに、例えば金或いは銀の如き貴金属が選択的にめ
っきされたｙ−ドフレームが広く用いられ、半導体素子
を前記グイパッド部に固着し、半導体素子の電極と、外
部導出リードとを金属細線で電気的に接続した後、これ
ら装着部を含め樹脂で一体に封止した構造を有している
。このよ、うな従来の半導体装置に於いては、半導体装
置が高温、高湿の環境で！用されると、リードと１脂と
の封止界面より内部に肉汁て湿気が浸透し、半導体素子
の電極を腐食したり素子特性を劣化したりするとい５欠
点を有していた。更に、従来のとのよ５な半導体装置に
於いては、樹脂と外部導出リードとの密着性が悪く、取
り付は時等にリード端子が樹脂からａけ易いという欠点
も有していた。又、樹脂内リードフレームの素子載量−
の一部表面のみを選択的に凸凹化することも試みられて
いるが、樹脂との密着力や水分侵入防止の効果はやはり
十分とはいえない。
本発明はリードフレームのうち樹脂で封止される領域の
うち少なくとも一部の表面及び裏面な粗面化することに
より、従来の半導体装置のかかる欠点を除去し、信頼度
の優れた半導体装置を提供することを目的とするもので
ある。
即ち、本発明の半導体装置によれば、リードフレームの
一部の表面及び裏面が粗れている為、樹脂との密着度を
向上させることができると同時に樹脂で封止される境界
から半導体素子までの湿気の浸入経路を長くすることが
できる為、半導体装置が高温高湿の環境で使用される際
も湿気の浸入による半導体素子の電極劣化や外部導出リ
ードの抜けを防止することができ、信頼度の優れた半導
体装置を提供することが可能である。次に、本発明をよ
り詳しく説明する為に、従来の半導体装置ならびに本発
明の半導体装置の一実施例に一部）ｔ、図面を参照して
詳述する。第１図は従来の半導体装置の縦断面図で、例
えば銅−鉄或いはこれらの合金よりなるリードフレーム
１００は、グイバラダイパッド部１０１ならびに外部導
出リード１０２のダイパッド部１０１に近接する先端部
１０３には・例えば金、銀の如き貴金属１０４がその表
面にめっきされ【いる。半導体素子１０５は、例えば銀
ペースト等の導電性、接着剤１０６等によりダイパッド
部１０１に固着されている。半導体素子１０５の電極（
図示せず）と外部導出リード、１０２とは金属細線１０
７によりリード先端部、１０３で接続され、半導体素子
１ｏ５、金属細線１０７ｆｚらびにリードフレームｌｏ
ｏのこれら装着部は、樹脂１６８により封止されている
。このような従来の半導体装置に於いては、半導体装置
が高温、高温の環境にさらされるとリードフレームと樹
脂との接触面が平担であるため、外部導出リード１０２
と樹脂１０８との封止界面より素子に向け【湿気が浸入
し葛欠、半導体素子１０５の電極を腐食したり破壊する
といった欠点を有している。更に、従来のとの′ような
半導体装置においては１外部導出リード１０２と樹脂１
０８との密着性が弱い為、外部導出リード１０２が抜は
易いという信頼度上の欠点をも有している。
これに対して、リードフレーム２００は例えば銅、鉄或
いはこれらの合金よりなり、ダイパッド部２０１ならび
に外部導出リード２０２を有し該ダイパッド部２０１な
らびに外部導出リード２０２の先端付゛近２０３には、
例えば金、銀の如き貴金属２０４がめっきされている。
このめっき部は、素子装着部や細線接続部に限定して設
けてもよい。
また、リードフレーム２００の樹脂２０８で封止される
領域２０９０表面及び裏面、場合によってはその断面を
取り囲むよ５に全周にわたる面が粗くなっている。半導
体装＊２Ｏ５は前記ダイパ。
ト部２０１に例えば銀ペースト等の導電性接着剤２９６
で固着され、半導体素子２０５の電極（図、示竺ず）と
外部導出リード２０２とは、例えば金属細線２０７等に
より、リード先端部２０３で接続され、半導体素子２０
５、金属細線２０７ならびにリードフレームのこれら装
着部は、ｍ脂２０８により一体に封止され【いる。この
ような構造の半導体装置に於いては、リードフレーム２
００の樹脂２０８で封止される領域２０９０表面があれ
ている為、樹脂２０８との密着性を向上させることがで
きると同時に、樹脂２０８の封止境界部から半導体素子
２０５までの湿気の混入経路を長くすることができ、半
導体装置が高温・高湿の環境で使用される際、湿気の浸
入を防止するのに効果があり、半導体素子２０５の電極
腐食、外部導出リード２０２の抜は等も生じ難く、信頼
度の優れた半導体装置を提供することができる。尚、粗
面化はリードフレームのうち素子や細線が設けられる側
のみならず、その裏面、望ましくは側面に本節こすこと
が必要であり、これＫよりて樹脂との密着力が著しく向
上し、かつ又裏面に沿って伝わる水分に対しても十分な
阻止効果があることがわかった。更に、粗面化は樹脂内
リードフレームの全体に行なうことが最もよいが、貴金
属メタライズ部を除く部分や、あるいは封止樹脂側面の
近傍に対して行なっても、従来より一段と優れた半導体
装置が得られた。そして粗面化においては導体粉もしく
は絶縁性の固体粉をふりかけたり、あるいは前述で指定
した領域に細かい凸凹を形成したりすれば良い。又、表
面及び裏面の粗面部はその垂直方向に必ずしも一致して
いる必要はない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の縦断面図、第２図は本発明
の半導体装置の一実施例を示す縦断面図である。 １００．２００：リードフレーム、１０１，２０１：グ
イパッド部、１０２，２０２：外部導出リード、１０３
．２０３：外部導出リード先端部、１０４゜２０４：貴
金属めっき層、１０５，２０５：半導体素子、１０６，
２０６：導電性ペースト、１０７，２０７＝金属細線、
１０８，２０８：樹脂、２０９：リードフレーム表面の
組れている領域、２１０：リードフレーム表面の粗れて
いない領域。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. グイパッド部と外部導出リードとを有するリードフレー
    ムと、骸ダイパッド部に固着された半導体素子と、該半
    導体素子の電極と前記外部導出リードとを接続する金属
    体と、該半導体素子及び金属体ならびにリードフレーム
    の一部を封止した樹脂とを有する半導体装置に於いて、
    前記樹脂で封止されたリードフレームの少なく一部の表
    面及び裏面は粗面化されていることを特徴とする半導体
    装置。
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